JP2008106363A5 - - Google Patents
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- エアロゾル発生器において微粒子のエアロゾルを形成する工程と、
前記発生器から処理チャンバへ材料を含む基板表面に向かって前記エアロゾルを分配する工程と、
前記基板温度を摂氏０度〜摂氏５０度の間に維持する工程と、
前記基板表面に微粒子の少なくとも一部を埋め込んで、前記微粒子と基板材料の合金を含むボンディング層を形成する工程と、
前記エアロゾル中の材料から前記基板表面に層を堆積する工程とを含む半導体処理チャンバコンポーネントへの低温エアロゾル堆積方法。 - 前記微粒子が希土類金属を含む請求項１記載の方法。
- 前記微粒子の直径が約０．０５μｍ〜約３μｍである請求項１記載の方法。
- 前記微粒子のエアロゾルを形成する工程が、
Ａｒ、Ｈｅ、Ｘｅ、Ｏ ２ 、Ｎ ２ 及びＨ ２ のうち少なくとも１つを含むキャリアガスを前記エアロゾル発生器に提供する工程と、
前記キャリアガスを同伴する前記微粒子を前記処理チャンバへ噴出する工程とを含む請求項１記載の方法。 - 前記キャリアガスを提供する工程が、
前記エアロゾル発生器中の前記キャリアガスの圧力を約１０Ｐａ〜約５０Ｐａに維持する工程を含む請求項４記載の方法。 - 前記基板表面に堆積した層の厚さが、約１μｍ〜約１００μｍである請求項１記載の方法。
- 前記基板表面に堆積した層の粒径が、約０．０１μｍ〜約１μｍである請求項１記載の方法。
- 前記ボンディング層の厚さが約０．０１μｍ〜約０．２μｍである請求項１記載の方法。
- エアロゾル発生器において微粒子のエアロゾルを形成する工程と、
前記発生器から処理チャンバへ基板表面に向かって前記エアロゾルを分配する工程と、
前記基板温度を摂氏約０度〜摂氏５０度の間に維持する工程と、
前記基板表面に希土類金属含有層を堆積する工程とを含む半導体チャンバコンポーネントへの低温エアロゾル堆積方法。 - 前記微粒子の直径が約２μｍ未満である請求項１又は９記載の方法。
- エアロゾル発生器において直径が２μｍ未満の微粒子のエアロゾルを形成する工程と、
前記発生器から処理チャンバへ基板表面に向かって前記エアロゾルを分配する工程と、
前記基板温度を摂氏約０度〜摂氏５０度の間に維持する工程と、
前記基板表面に希土類金属含有層を堆積する工程とを含む半導体チャンバコンポーネントへの低温エアロゾル堆積方法。 - 堆積された層がイットリウム含有材料である請求項１、９又は１１記載の方法。
- 前記イットリウム含有材料が、バルクイットリウム、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、イットリウム合金、イットリウム−アルミニウム−ガーネット（ＹＡＧ）又は金属と混合された酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）のうち少なくとも１つを含む請求項１２記載の方法。
- 前記イットリウム含有材料が、
酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）と混合された金属を含み、前記金属がアルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔ）又はタンタル（Ｔａ）のうち少なくとも１つである請求項１２記載の方法。 - 耐プラズマコーティングを有する半導体処理チャンバで用いられる物品であって、
前記耐プラズマコーティングは、エアロゾル発生器から基板表面に微粒子のエアロゾルを分配する工程と、前記基板温度を摂氏０度〜摂氏５０度の間に維持する工程と、前記基板表面に微粒子の少なくとも一部を埋め込んで、前記微粒子と基板材料の合金を含むボンディング層を形成する工程と、前記エアロゾル中の材料から前記基板表面に層を堆積する工程により形成される物品。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/552,013 | 2006-10-23 | ||
| US11/552,013 US7479464B2 (en) | 2006-10-23 | 2006-10-23 | Low temperature aerosol deposition of a plasma resistive layer |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008106363A JP2008106363A (ja) | 2008-05-08 |
| JP2008106363A5 true JP2008106363A5 (ja) | 2010-12-09 |
| JP5660748B2 JP5660748B2 (ja) | 2015-01-28 |
Family
ID=38896988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007273363A Active JP5660748B2 (ja) | 2006-10-23 | 2007-10-22 | 低温エアロゾル堆積方法及び物品 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7479464B2 (ja) |
| EP (1) | EP1918420A1 (ja) |
| JP (1) | JP5660748B2 (ja) |
| KR (1) | KR100938474B1 (ja) |
| CN (1) | CN101168842B (ja) |
| TW (1) | TWI368937B (ja) |
Families Citing this family (53)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7371467B2 (en) * | 2002-01-08 | 2008-05-13 | Applied Materials, Inc. | Process chamber component having electroplated yttrium containing coating |
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| JP6358492B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2018-07-18 | Toto株式会社 | 耐プラズマ性部材 |
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| US9850568B2 (en) | 2013-06-20 | 2017-12-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings |
| US9711334B2 (en) | 2013-07-19 | 2017-07-18 | Applied Materials, Inc. | Ion assisted deposition for rare-earth oxide based thin film coatings on process rings |
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| JP2007115973A (ja) | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 耐食性部材 |
-
2006
- 2006-10-23 US US11/552,013 patent/US7479464B2/en active Active
-
2007
- 2007-09-30 CN CN2007101638433A patent/CN101168842B/zh active Active
- 2007-10-11 TW TW096138024A patent/TWI368937B/zh active
- 2007-10-12 EP EP07020054A patent/EP1918420A1/en not_active Withdrawn
- 2007-10-22 JP JP2007273363A patent/JP5660748B2/ja active Active
- 2007-10-22 KR KR1020070106078A patent/KR100938474B1/ko active IP Right Grant
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