JP2008091902A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 互いに相関関係のある欠陥とアナログ特性とをデータベースに保存し、
   第１ウエハ内の不良ビットを探し出し、
   前記第１ウエハ内の不良ビットのアナログ特性を測定し、
   前記測定されたアナログ特性と前記データベースに保存されたアナログ特性とを比較して、不良の原因となった欠陥を判別することを含む不良分析方法。
2. 前記データベースに保存することは、第２ウエハ内の欠陥を探し出し、前記第２ウエハ内の不良ビットを探し出し、前記第２ウエハ内の不良ビットのアナログ特性を測定し、前記第２ウエハ内の欠陥と前記アナログ特性との間に相関関係があるかを検証し、前記相関関係があると検証された前記欠陥と前記アナログ特性とをデータベースに保存することを含む請求項１に記載の不良分析方法。
3. 前記第２ウエハ内の欠陥を探し出すことは、前記第２ウエハの製造工程中に前記第２ウエハに対して欠陥検査を実施して前記第２ウエハの外観に形成された欠陥の位置及び写真を求めることを含む請求項２に記載の不良分析方法。
4. 前記第２ウエハ内の不良ビットを探し出すことは、前記第２ウエハの製造工程が完了した後、前記第２ウエハに対して電気的テストを実施して前記不良ビットの位置を求めることを含む請求項２に記載の不良分析方法
5. 前記第２ウエハ内の不良ビットのアナログ特性を測定することは、前記欠陥の位置と前記不良ビットの位置とが互いにマッチされる不良ビットのアナログ特性を測定することを含む請求項２に記載の不良分析方法。
6. 前記検証することは、前記欠陥を反映した回路をモデリングし、前記モデリングした回路をシミュレーションして得たアナログ特性と前記測定された不良ビットのアナログ特性とを比較することを含む請求項２に記載の不良分析方法。
7. 前記不良の原因となった欠陥を判別することは、
   前記データベースに保存された多数のアナログ特性のうち、前記測定されたアナログ特性と類似した１つ以上のアナログ特性を探し出して提供するが、前記各類似アナログ特性と相関関係のある１つ以上の欠陥を共に提供することを含む請求項１に記載の不良分析方法。
8. 第１ウエハの製造工程中に、前記第１ウエハに対して欠陥検査を実施して前記第１ウエハ内の欠陥を探し出し、前記第１ウエハの製造工程が完了した後、前記第１ウエハに対して電気的テストを実施して前記第１ウエハ内の不良ＳＲＡＭセルを探し出し、前記欠陥の位置と前記不良ＳＲＡＭセルの位置とが互いにマッチされる不良ＳＲＡＭセルのアナログ特性を測定し、前記第１ウエハ内の欠陥と、前記第１ウエハ内の不良ＳＲＡＭセルの前記アナログ特性との間に相関関係があるか否かを検証し、前記相関関係があると検証された前記欠陥と前記アナログ特性とをデータベースに保存し、第２ウエハの製造工程が完了した後で、前記第２ウエハに対して電気的テストを実施して前記第２ウエハ内の不良ＳＲＡＭセルを探し出し、前記第２ウエハ内の不良ＳＲＡＭセルのアナログ特性を測定し、前記第２ウエハ内の不良ＳＲＡＭセルの測定されたアナログ特性と前記データベースに保存されたアナログ特性とを比較して、不良の原因となった欠陥を判別することを含む不良分析方法。
9. 第２ウエハの製造工程中には、第２ウエハに対して欠陥検査を実施しない請求項８に記載の不良分析方法。
10. 相関関係のある欠陥とアナログ特性とを保存しているデータベースと、
    前記ウエハ内の不良ビットを探し出す電気的テスタと、
    前記ウエハ内の不良ビットのアナログ特性を測定するアナログ特性テスタと、
    前記測定されたアナログ特性と、前記データベースに保存されたアナログ特性とを比較して不良の原因となった欠陥を判別する分析器と、を備える不良分析システム。