JP2008086132A - 同期整流型電源装置の制御回路、同期整流型電源装置及びその制御方法 - Google Patents

同期整流型電源装置の制御回路、同期整流型電源装置及びその制御方法 Download PDF

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Abstract

【課題】スイッチング周波数を高周波数化させた場合に、スイッチング周期に占める時間遅れの割合を軽減させながら、スイッチング素子を高速でオンオフさせることができる同期整流型電源装置の制御回路、同期整流型電源装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】主スイッチ素子FET1がオフしたことに起因して逆並列ダイオードDを流れる電流I3に応じて、一定の周期で変化する接続点Pにおける第1信号FRの状態遷移を検出する検出部COMP1と、検出部COMP1によって検出された第1信号FRの位相と一周期前の第1信号に基づいて生成される第2信号FPの位相との位相差に応じて第2信号FPの出力タイミングを調整することにより、前記位相差を調整する位相差調整部30、40と、を備え、位相差調整部30、40によって出力タイミングが調整された第2信号FPに応じて整流用スイッチ素子FET2をオンさせる。
【選択図】図1

Description

この発明は、同期整流型電源装置の制御回路、同期整流型電源装置及びその制御方法に関する。
例えば、特許文献1に開示されているように、主スイッチ素子と整流用スイッチ素子とを備えた同期整流型電源装置が知られている。この同期整流型電源装置においては、直流電源に接続される主スイッチ素子を周期的にオンオフさせ、主スイッチ素子のオン期間において、エネルギ蓄積インダクタンス素子及び該エネルギ蓄積インダクタンス素子に並列に接続された同期整流インダクタンス素子に電力を蓄積すると共に、整流用スイッチ素子をオフする。また、この同期整流型電源装置においては、主スイッチ素子のオフ時間において、整流用スイッチ素子をオンさせ、エネルギ蓄積インダクタンス素子に蓄積された電力を、負荷に供給している。
上記の同期整流型電源装置は、エネルギ蓄積インダクタンス素子の蓄積電力の放出が完了する前に、同期整流インダクタンス素子の蓄積電力の放出を完了させ、該蓄積電力の放出を検出し、主スイッチ素子がオンする前に、整流用スイッチ素子をオフさせている。これにより、主スイッチ素子と整流用スイッチ素子とが同時にオンすることがなく、両スイッチ素子がオンして短絡電流が流れ、整流用スイッチ素子等が破壊することを防止することができる。
また、図5に示す同期整流型電源装置100は、主スイッチ素子FET1と、整流用スイッチ素子FET2と、比較器COMP101とを備えている。この同期整流型電源装置100においては、比較器COMP101が、整流用スイッチ素子FET2のドレイン電圧と、接地電圧とを比較する。比較器COMP101は、接地電圧が整流用スイッチ素子FET2のドレイン電圧よりも高いときに、ハイレベル信号を出力する。ハイレベル信号は、制御回路105の出力端子(DL1)を介し、整流用スイッチ素子FET2のゲートに入力される。これにより、整流用スイッチ素子FET2はオンする。
一方、比較器COMP101は、整流用スイッチ素子FET2のドレイン電圧が接地電圧よりも高いときに、ローレベル信号を出力する。ローレベル信号は、前記出力端子(DL1)を介し、整流用スイッチ素子FET2のゲートに入力される。これにより、整流用スイッチ素子FET2はオフする。
特開2004−135415号公報
ところで、近年の同期整流型電源装置は、スイッチ素子等を改良し、スイッチング周波数の高周波数化が進み、小型化されている。上記の同期整流型電源装置100では、スイッチング周波数の高周波数化が進むと、スイッチング周期を短くし、主スイッチ素子FET1及び整流用スイッチ素子FET2のオンオフ動作を高速に行なうことができる。
しかしながら、前記比較器COMP101では、接地電圧と整流用スイッチ素子FET2のドレイン電圧とを比較してから、ハイレベル信号又はローレベル信号を出力するまでには、時間遅れが生じる。特に、近年の同期整流型電源装置のように、スイッチング周期が短くなると、スイッチング周期に占める時間遅れの割合が大きくなり、時間遅れが、スイッチ素子を高速でオンオフさせる動作に支障をきたすことが懸念される。
この発明は、このような状況に鑑み提案されたものであって、スイッチング周波数を高周波数化させた場合に、スイッチング周期に占める時間遅れの割合を軽減させながら、スイッチング素子を高速でオンオフさせることができる同期整流型電源装置の制御回路、同期整流型電源装置及びその制御方法を提供することを目的とする。
請求項1の発明に係る同期整流型電源装置の制御回路及び請求項7の発明に係る同期整流型電源装置は、主スイッチ素子と逆並列ダイオードを有する整流用スイッチ素子との接続点にコイルが接続され、前記主スイッチ素子と前記整流用スイッチ素子とが一定の周期で交互にオンオフする同期整流型電源装置の制御回路及び同期整流型電源装置において、前記主スイッチ素子がオフしたことに起因して前記逆並列ダイオードを流れる電流に応じて、一定の周期で変化する前記接続点における第1信号の状態遷移を検出する検出部と、前記検出部によって検出された前記第1信号の位相と一周期前の前記第1信号に基づいて生成される第2信号の位相との位相差に応じて前記第2信号の出力タイミングを調整することにより、前記位相差を調整する位相差調整部と、を備え、前記位相差調整部によって出力タイミングが調整された前記第2信号に応じて前記整流用スイッチ素子をオンさせることを特徴とする。
請求項1の発明に係る同期整流型電源装置の制御回路及び請求項7の発明に係る同期整流型電源装置によれば、位相差調整部が、検出部によって検出された第1信号の位相と一周期前の第1信号に基づいて生成される第2信号の位相との位相差に応じて第2信号の出力タイミングを調整すると、第2信号の出力タイミングを第1信号の検出タイミングに近づけることができ、第2信号を、第1信号との位相差を縮小させたものにすることができる。
また、請求項1の発明及び請求項7の発明によれば、位相差調整部によって出力タイミングが調整された第2信号に応じて整流用スイッチ素子をオンさせると、整流用スイッチ素子がオンするタイミングを、主スイッチ素子がオフしたことに起因する第1信号の検出タイミングに近づけることができ、第1信号の検出から整流用スイッチ素子がオンするまでの時間遅れを軽減することができる。そこで、請求項1の発明及び請求項7の発明によれば、スイッチング周波数を高周波数化させた場合であっても、主スイッチ素子がオフしてから整流用スイッチ素子がオンするまでの時間遅れを軽減させることにより、スイッチング周期に占める時間遅れの割合を軽減させながら、主スイッチ素子及び整流用スイッチ素子を高速でオンオフさせることができる。
さらに、請求項1の発明及び請求項7の発明によれば、上述したように、整流用スイッチ素子がオンするタイミングを、主スイッチ素子がオフしたことに起因する第1信号の検出タイミングに近づけると、主スイッチ素子がオフした後に、整流用スイッチ素子の逆並列ダイオードに電流が流れる時間を短縮し、電流を整流用スイッチ素子に流すことができる。そこで、逆並列ダイオードに電流が流れることにより発生する電力損失を低減させることができる。
請求項10の発明に係る同期整流型電源装置の制御方法は、主スイッチ素子と逆並列ダイオードを有する整流用スイッチ素子との接続点にコイルが接続され、前記主スイッチ素子と前記整流用スイッチ素子とが一定の周期で交互にオンオフする同期整流型電源装置の制御方法において、前記主スイッチ素子がオフしたことに起因して前記逆並列ダイオードを流れる電流に応じて、一定の周期で変化する前記接続点における第1信号の状態遷移を検出する検出ステップと、前記検出ステップによって検出された前記第1信号の位相と一周期前の前記第1信号に基づいて生成される第2信号の位相との位相差に応じて前記第2信号の出力タイミングを調整することにより、前記位相差を調整する位相差調整ステップと、を備え、前記位相差調整ステップによって出力タイミングが調整された前記第2信号に応じて前記整流用スイッチ素子をオンさせることを特徴とする。
請求項10の発明に係る同期整流型電源装置の制御方法によれば、位相差調整ステップが、検出ステップによって検出された第1信号の位相と一周期前の第1信号に基づいて生成される第2信号の位相との位相差に応じて第2信号の出力タイミングを調整すると、第2信号の出力タイミングを第1信号の検出タイミングに近づけることができ、第2信号を、第1信号との位相差を縮小させたものにすることができる。
また、請求項10の発明によれば、位相差調整ステップによって出力タイミングが調整された第2信号に応じて整流用スイッチ素子をオンさせると、整流用スイッチ素子がオンするタイミングを、主スイッチ素子がオフしたことに起因する第1信号の検出タイミングに近づけることができ、第1信号の検出から整流用スイッチ素子がオンするまでの時間遅れを軽減することができる。そこで、請求項10の発明によれば、スイッチング周波数を高周波数化させた場合であっても、主スイッチ素子がオフしてから整流用スイッチ素子がオンするまでの時間遅れを軽減させることにより、スイッチング周期に占める時間遅れの割合を軽減させながら、主スイッチ素子及び整流用スイッチ素子を高速でオンオフさせることができる。
さらに、請求項10の発明によれば、上述したように、整流用スイッチ素子がオンするタイミングを、主スイッチ素子がオフしたことに起因する第1信号の検出タイミングに近づけると、主スイッチ素子がオフした後に、整流用スイッチ素子の逆並列ダイオードに電流が流れる時間を短縮し、電流を整流用スイッチ素子に流すことができる。そこで、逆並列ダイオードに電流が流れることにより発生する電力損失を低減させることができる。
本発明の同期整流型電源装置の制御回路、同期整流型電源装置及びその制御方法によれば、第1信号の位相と一周期前の第1信号に基づいて生成される第2信号の位相との位相差に応じて第2信号の出力タイミングを調整すると、第2信号の出力タイミングを第1信号の検出タイミングに近づけることができ、第2信号を、第1信号との位相差を縮小させたものにすることができる。
また、本発明によれば、出力タイミングが調整された第2信号に応じて整流用スイッチ素子をオンさせると、整流用スイッチ素子がオンするタイミングを、主スイッチ素子がオフしたことに起因する第1信号の検出タイミングに近づけることができ、第1信号の検出から整流用スイッチ素子がオンするまでの時間遅れを軽減することができる。そこで、本発明によれば、スイッチング周波数を高周波数化させた場合であっても、主スイッチ素子がオフしてから整流用スイッチ素子がオンするまでの時間遅れを軽減させることにより、スイッチング周期に占める時間遅れの割合を軽減させながら、主スイッチ素子及び整流用スイッチ素子を高速でオンオフさせることができる。
さらに、本発明によれば、上述したように、整流用スイッチ素子がオンするタイミングを、主スイッチ素子がオフしたことに起因する第1信号の検出タイミングに近づけると、主スイッチ素子がオフした後に、整流用スイッチ素子の逆並列ダイオードに電流が流れる時間を短縮し、電流を整流用スイッチ素子に流すことができる。そこで、逆並列ダイオードに電流が流れることにより発生する電力損失を低減させることができる。
本発明の実施形態を、図1ないし図4を参照しつつ説明する。図1は、本実施形態の同期整流型電源装置10の回路構成図である。同期整流型電源装置10は、メインスイッチングトランジスタFET1と、同期側スイッチングトランジスタFET2と、チョークコイルL1と、コンデンサC1と、制御回路20とを備えている。メインスイッチングトランジスタFET1は、本発明の主スイッチ素子に相当し、同期側スイッチングトランジスタFET2は、本発明の整流用スイッチ素子に相当する。
メインスイッチングトランジスタFET1のドレインは、入力端子(IN)が接続され、直流入力電圧VINが、入力端子(IN)を介し、メインスイッチングトランジスタFET1のドレインに印加される。メインスイッチングトランジスタFET1のソースは、同期側スイッチングトランジスタFET2のドレインに接続されている。同期側スイッチングトランジスタFET2のソースは、グランドに接続されている。同期側スイッチングトランジスタFET2のドレインとソースとの間には、ダイオードDが接続されている。ダイオードDのカソードは、同期側スイッチングトランジスタFET2のドレインに接続され、ダイオードDのアノードは、同期側スイッチングトランジスタFET2のソースに接続されている。ダイオードDは、本発明の逆並列ダイオードに相当する。
メインスイッチングトランジスタFET1のソースと同期側スイッチングトランジスタFET2のドレインとの接続点Pには、チョークコイルL1の一端が接続されている。チョークコイルL1の他端は、出力端子(OUT)に接続されている。また、コンデンサC1が、出力端子(OUT)とグランドとの間に接続されている。
制御回路20は、本発明の制御回路に相当する。制御回路20は、抵抗R1及び抵抗R2と、誤差増幅器ERA1と、PWM比較器PWM1と、三角波発信器OSC1と、第1比較器COMP1と、位相差検出回路30と、遅延回路40と、第1論理積ゲート回路AND1とを有する。
制御回路20では、抵抗R1と抵抗R2とが直列に接続されている。抵抗R1及び抵抗R2は、制御回路20の入力端子(FB1)とグランドとの間に接続されている。抵抗R1と抵抗R2との接続点は、誤差増幅器ERA1の反転入力端子に接続されている。この反転入力端子には、電圧VOUTを抵抗R1と抵抗R2とによって分圧した電圧V1が印加されている。誤差増幅器ERA1の非反転入力端子には、基準電圧e1が印加されている。
誤差増幅器ERA1の出力端子(N1)は、PWM比較器PWM1の非反転入力端子に接続されている。PWM比較器PWM1の反転入力端子には、三角波発信器OSC1が接続されている。さらに、PWM比較器PWM1の出力端子(N2)は、制御回路20の出力端子(DH1)を介し、メインスイッチングトランジスタFET1のゲートに接続されている。
制御回路20の入力端子(LX)は、前記接続点Pに接続されている。さらに、制御回路20の入力端子(LX)は、第1比較器COMP1の反転入力端子に接続されていると共に、図2に図示する位相差検出回路30の第1入力端子(IN1)に接続されている。第1比較器COMP1の非反転入力端子は、グランドに接続されている。第1比較器COMP1の出力端子(N3)は、図3に図示する遅延回路40の入力端子(IN3)に接続されている。遅延回路40の出力端子(OUT3)は、第1論理積ゲート回路AND1の第1入力に接続されていると共に、位相差検出回路30の第2入力端子(IN2)に接続されている。位相差検出回路30の出力端子(OUT2)は、第1論理積ゲート回路AND1の第2入力に接続され、第1論理積ゲート回路AND1の出力は、制御回路20の出力端子(DL1)を介し、同期側スイッチングトランジスタFET2のゲートに接続されている。位相差検出回路30の出力端子(OUT1)は、遅延回路40の入力端子(IN3)に接続されている。
次に、上記の位相差検出回路30及び遅延回路40の構成を、図2及び図3を用いて説明する。位相差検出回路30は、図2に図示するように、信号生成回路31と、電圧調整回路32と、電圧供給回路33と、第2論理積ゲート回路AND2と、Dフリップフロップ回路34とを有する。
信号生成回路31は、第1ラッチ回路31Aと、第2ラッチ回路31Bと、複数のNANDゲート回路NAND1〜NAND5と、複数のインバータ31C〜31Eとを有する。インバータ31Cの入力は、前記第1入力端子(IN1)に接続されている。インバータ31Cの出力は、NANDゲート回路NAND1の第1入力に接続され、NANDゲート回路NAND1の出力は、第1ラッチ回路31Aの第1入力に接続されると共に、3入力NANDゲート回路NAND2の第1入力及び4入力NANDゲート回路NAND3の第1入力に接続されている。また、第1ラッチ回路31Aの出力は、3入力NANDゲート回路NAND2の第2入力及び4入力NANDゲート回路NAND3の第2入力に接続されている。
4入力NANDゲート回路NAND3の出力は、3入力NANDゲート回路NAND2の第3入力及び3入力NANDゲート回路NAND5の第3入力に接続されている。さらに、4入力NANDゲート回路NAND3の出力は、第1ラッチ回路31Aの第2入力及び第2ラッチ回路31Bの第2入力に接続されている。
3入力NANDゲート回路NAND2の出力は、NANDゲート回路NAND1の第2入力に接続されていると共に、電圧調整回路32が備えるPMOSトランジスタM1のゲートに接続されている。
インバータ31Dの入力は、前記第2入力端子(IN2)に接続されている。インバータ31Dの出力は、NANDゲート回路NAND4の第1入力に接続され、NANDゲート回路NAND4の出力は、第2ラッチ回路31Bの第1入力に接続されると共に、4入力NANDゲート回路NAND3の第4入力及び3入力NANDゲート回路NAND5の第1入力に接続されている。また、第2ラッチ回路31Bの出力は、4入力NANDゲート回路NAND3の第3入力及び3入力NANDゲート回路NAND5の第2入力に接続されている。
3入力NANDゲート回路NAND5の出力は、インバータ31Eの入力及びNANDゲート回路NAND4の第2入力に接続され、インバータ31Eの出力は、電圧調整回路32が備えるNMOSトランジスタM2のゲートに接続されている。
電圧調整回路32は、PMOSトランジスタM1と、NMOSトランジスタM2とを有する。PMOSトランジスタM1のソースは、電源電圧Vddに接続されている。PMOSトランジスタM1のドレインは、NMOSトランジスタM2のドレインに接続されている。NMOSトランジスタM2のソースは、グランドに接続されている。さらに、PMOSトランジスタM1のドレイン及びNMOSトランジスタM2のドレインは、電圧供給回路33が備える抵抗R1の一端に接続されている。
電圧供給回路33は、積分回路によって構成され、抵抗R1と、コンデンサC2とを有する。抵抗R1の他端は、出力端子(OUT1)に接続されている。コンデンサC2は、出力端子(OUT1)とグランドとの間に接続されている。
第2論理積ゲート回路AND2の非反転入力は、前記3入力NANDゲート回路NAND2の出力に接続されている。第2論理積ゲート回路AND2の反転入力は、前記インバータ31Eの出力に接続されている。第2論理積ゲート回路AND2の出力は、Dフリップフロップ回路34の入力端子Dに接続されている。位相差検出回路30の第2入力端子(IN2)は、Dフリップフロップ回路34のクロック端子CKに接続されている。Dフリップフロップ回路34の出力端子Qは、位相差検出回路30の出力端子(OUT2)に接続されている。
遅延回路40は、図3に図示するように、遅延時間制御回路41と、遅延時間発生回路42とを有する。遅延時間制御回路41は、抵抗R11と、NMOSトランジスタM11及びNMOSトランジスタM12と、PMOSトランジスタM13及びPMOSトランジスタM14とを有する。抵抗R11の一端は、遅延回路40の入力端子(IN3)に接続されている。抵抗R11の他端は、NMOSトランジスタM11のドレインに接続されている。NMOSトランジスタM11のソースは、グランドに接続されている。
NMOSトランジスタM11は、ゲートとドレインとの間が短絡されている。NMOSトランジスタM11のゲートは、NMOSトランジスタM12のゲートに接続されている。また、NMOSトランジスタM12のソースは、グランドに接続されている。NMOSトランジスタM11及びNMOSトランジスタM12は、カレントミラー回路を構成する。
PMOSトランジスタM13及びPMOSトランジスタM14の各ソースは、電源電圧Vddに接続されている。PMOSトランジスタM13のゲートは、PMOSトランジスタM14のゲートに接続されている。PMOSトランジスタM13は、ゲートとドレインとの間が短絡されている。PMOSトランジスタM13のドレインは、NMOSトランジスタM12のドレインに接続されている。NNOSトランジスタM13及びNMOSトランジスタM14は、カレントミラー回路を構成する。
遅延時間発生回路42は、定電流回路CGと、NMOSトランジスタM15と、インバータ42Aと、コンデンサC3と、第2比較器COMP2とを有する。定電流回路CGは、電源電圧Vddに接続されている。NMOSトランジスタM15のドレインは、定電流回路CGに接続されると共に、前記PNOSトランジスタM14のドレインに接続されている。NMOSトランジスタM15のゲートは、インバータ42Aを介し、前記制御回路20が有する第1比較器COMP1の出力端子(N3)に接続され、NMOSトランジスタM15のソースは、グランドに接続されている。
コンデンサC3の一端は、定電流回路CGに接続されると共に、前記遅延時間制御回路41が有するPMOSトランジスタM14のドレインに接続されている。第2比較器COMP2の非反転入力端子は、コンデンサC3の一端に接続され、コンデンサC3の他端は、グランドに接続されている。一方、第2比較器COMP2の反転入力端子には、基準電圧VREFが印加されている。第2比較器COMP2の出力端子(N4)は、遅延回路40の出力端子(OUT3)を介し、前記制御回路20が有する第1論理積ゲート回路AND1の第2入力に接続されている。
続いて、本実施形態の同期整流型電源装置10の動作を説明する。図1に示す同期整流型電源装置10は、メインスイッチングトランジスタFET1及び同期側スイッチングトランジスタFET2を交互にオンオフ制御することにより、出力電圧VOUTを、出力端子(OUT)に接続される負荷回路に供給する。本実施形態の同期整流型電源装置10では、一周期に対するPWM信号のオン時間TONの比(デューティー比)を変化させることにより、直流入力電圧VINに対し、出力電圧VOUTを目標電圧値に制御することができる。
直流入力電圧VINと出力電圧VOUTとの関係は、下記の数式のように表される。
VOUT={TON/(TON+TOFF)}×VIN
ここで、TON/(TON+TOFF):デューティー比
誤差増幅器ERA1は、前記電圧V1と基準電圧e1とを比較し、誤差増幅器出力電圧VOPを、PWM比較器PWM1に出力する。誤差増幅器出力電圧VOPは、基準電圧e1に対して電圧V1を誤差増幅したものである。出力電圧VOUTの値を目標電圧値にするため、基準電圧e1の値は、誤差増幅器ERA1の反転入力端子に印加される電圧V1の値と同じ値に設定されている。
三角波発信器OSC1は、三角波信号VSを、PWM比較器PWM1に出力する。
PWM比較器PWM1の非反転入力端子には、誤差増幅器出力電圧VOPが入力され、PWM比較器PWM1の反転入力端子には、三角波信号VSが入力される。PWM比較器PWM1は、誤差増幅器出力電圧VOPと三角波信号VSの電圧値とを比較する。
誤差増幅器出力電圧VOPが、三角波信号VSの電圧値よりも高いときに、PWM比較器PWM1は、出力端子(DH1)からハイレベルのPWM信号を出力する。これに対し、誤差増幅器出力電圧VOPが、三角波信号VSの電圧値よりも低いときに、PWM比較器PWM1は、出力端子(DH1)からローレベルのPWM信号を出力する。
電圧V1が基準電圧e1に比べて低い場合には、誤差増幅器出力電圧VOPが大きくなり、PWM信号がハイレベルになる期間(TON)が長くなる。これによって、前記デューティー比が大きくなり、出力電圧VOUTが上昇する。これに対し、電圧V1が基準電圧e1に比べて高い場合には、誤差増幅器出力電圧VOPが小さくなり、PWM信号がローレベルになる期間(TOFF)が長くなる。これによって、前記デューティー比が小さくなり、出力電圧VOUTが下降する。
本実施形態の同期整流型電源装置10においては、遅延回路40により、前記入力端子(LX)に入力される一周期前の入力信号FRを遅延させた遅延信号FPが生成され、遅延信号FP1が、第1論理積ゲート回路AND1を介して出力される。さらに、この同期整流型電源装置10においては、位相差検出回路30により、入力信号FRの位相と前記遅延信号FPの位相とを比較し、入力信号FRの位相と遅延信号FPの位相との位相差に応じ、制御電圧VCを発生させている。制御電圧VCは、本発明の制御電圧に相当する。加えて、位相差検出回路30は、入力信号FRの位相と遅延信号FPの位相とが一致したことを検出すると、位相確認信号LOCKを出力する。位相確認信号LOCKは、本発明の位相確認信号に相当する。
位相差検出回路30は、図2に図示するように、第1入力端子(IN1)に前記入力信号FR、第2入力端子(IN2)に前記遅延信号FPが、それぞれ入力され、出力端子(OUT1)から前記制御電圧VCを出力する。入力信号FRは、インバータ31Cを介し、NANDゲート回路NAND1の第1入力に供給されている。遅延信号FRは、インバータ31Dを介し、NANDゲート回路NAND4の第1入力に供給されている。
NANDゲート回路NAND1の出力は、第1ラッチ回路31Aの第1入力に供給されている。さらに、NANDゲート回路NAND1の出力は、3入力NANDゲート回路NAND2の第1入力及び4入力NANDゲート回路NAND3の第1入力に供給されている。また、第1ラッチ回路31Aの出力は、3入力NANDゲート回路NAND2の第2入力及び4入力NANDゲート回路NAND3の第2入力に供給されている。
NANDゲート回路NAND4の出力は、第2ラッチ回路31Bの第1入力に供給されている。さらに、NANDゲート回路NAND4の出力は、4入力NANDゲート回路NAND3の第4入力及び3入力NANDゲート回路NAND5の第1入力に供給されている。また、第2ラッチ回路31Bの出力は、4入力NANDゲート回路NAND3の第3入力及び3入力NANDゲート回路NAND5の第2入力に供給されている。
4入力NANDゲート回路NAND3の出力は、3入力NANDゲート回路NAND2の第3入力及び3入力NANDゲート回路NAND5の第3入力に供給されている。さらに、4入力NANDゲート回路NAND3の出力は、第1ラッチ回路31Aの第2入力及び第2ラッチ回路31Bの第2入力に供給されている。
3入力NANDゲート回路NAND2の出力は、NANDゲート回路NAND1の第2入力及び前記PMOSトランジスタM1のゲートに供給されている。また、3入力NANDゲート回路NAND5の出力は、インバータ31E及びNANDゲート回路NAND4の第2入力に供給されている。そして、インバータ31Eの出力は、前記NMOSトランジスタM2のゲートに供給されている。
図4は、位相差検出回路30の動作を示すタイミングチャートである。位相差検出回路30は、入力信号FRの位相と遅延信号FPの位相との位相差を検出し、検出された位相差に応じ、以下に説明するような動作を行う。位相差検出回路30は、入力信号FRの位相と遅延信号FPの位相との位相差を検出するから、本発明の位相差検出部に相当する。また、入力信号FRの位相と遅延信号FPの位相との位相差を検出することは、本発明の位相差検出ステップに相当する。なお、図4中の(1)は、遅延信号FPの位相遅れ量を示し、(2)は遅延信号FPの位相進み量を示す。
位相差検出回路30は、遅延信号FPの位相が入力信号FRの位相よりも遅れていることを検出すると、次のように動作する。図2に図示する信号生成回路31は、入力信号FRの立ち上がりエッジのタイミング(図4中のt1及びt3)で、3入力NANDゲート回路NAND2の出力信号である信号ΦPを、ローレベルに変化させ、信号ΦPをPMOSトランジスタM1のゲートに出力する。信号ΦPがローレベルのときは、PMOSトランジスタM1がオン状態になり、電圧調整回路32は、電圧供給回路33に電流を供給する。図4中の信号DOは、電圧供給回路33に供給される電流を示し、信号DOがレベル2のときは、電圧供給回路33に電流が供給されている状態を示している。
電圧供給回路33に電流が供給されると、コンデンサC2の両端の電圧が時間の経過と共に上昇し、制御電圧VCが上昇する。制御電圧VCは、図3に図示するように、入力端子(IN3)を介し、遅延回路40に印加される。信号ΦPがローレベルの状態を継続すると、上記のように、制御電圧VCが上昇し、後述するように、遅延信号FPの位相遅れ量を小さくすることができるため、信号ΦPがローレベルの状態を継続することが、本発明の遅れ量調整状態に相当する。これに対し、信号ΦPがローレベルの状態を継続しないときは、遅延信号FPの位相遅れ量を変化させることがないため、信号ΦPがローレベルの状態を継続しないことが、本発明の遅れ量非調整状態に相当する。
その後、信号生成回路31は、遅延信号FPの立ち上がりエッジのタイミング(図4中のt2及びt4)で信号ΦPをハイレベルに変化させ、信号ΦPをPMOSトランジスタM1のゲートに出力する。信号ΦPがハイレベルのときは、PMOSトランジスタM1がオフ状態になり、電圧調整回路32は、電圧供給回路33への電流の供給を停止する。図4中の信号DOがレベル1のときは、電圧供給回路33に電流が供給されていない状態を示している。なお、位相差検出回路30が、遅延信号FPの位相が入力信号FRの位相よりも遅れていることを検出すると、ローレベルの信号ΦPが、信号生成回路31から出力されるから、該信号ΦPは、本発明の位相遅れ検出信号に相当する。
また、位相差検出回路30は、遅延信号FPの位相が入力信号FRの位相よりも進んでいることを検出すると、次のように動作する。信号生成回路31は、遅延信号FPの立ち上がりエッジのタイミング(図4中のt6及びt8)で、インバータ31Eの出力信号である信号ΦRを、ハイレベルに変化させ、信号ΦRをNMOSトランジスタM2のゲートに出力する。信号ΦRがハイレベルのときは、NMOSトランジスタM2がオン状態になり、コンデンサC2が放電し、電圧供給回路33の抵抗R1及びNMOSトランジスタM2を介し、電流がグランドに流れる。信号DOがレベル3のときは、電流が電圧供給回路33から電圧調整回路32に向けて流れた後に、該電流がグランドに流れる状態を示している。
コンデンサC2が放電し、電流がグランドに流れると、コンデンサC2の両端の電圧が時間の経過と共に下降し、遅延回路40に印加される制御電圧VCが下降する。信号ΦRがハイレベルの状態を継続すると、上記のように、制御電圧VCが下降し、後述するように、遅延信号FPの位相進み量を小さくすることができるため、信号ΦRがハイレベルの状態を継続することが、本発明の進み量調整状態に相当する。これに対し、信号ΦRがハイレベルの状態を継続しないときは、遅延信号FPの位相進み量を変化させることがないため、信号ΦRがハイレベルの状態を継続しないことが、本発明の進み量非調整状態に相当する。
その後、信号生成回路31は、入力信号FRの立ち上がりエッジのタイミング(図4中のt7及びt9)で信号ΦRをローレベルに変化させ、信号ΦRをNMOSトランジスタM2のゲートに出力する。信号ΦRがローレベルのときは、NNOSトランジスタM2がオフ状態になり、電圧供給回路33の抵抗R1及びNMOSトランジスタM2を介し、電流がグランドに流れることがない。なお、位相差検出回路30が、遅延信号FPの位相が入力信号FRの位相よりも進んでいることを検出すると、ハイレベルの信号ΦRは、信号生成回路31から出力されるものであるから、該信号ΦRは、本発明の位相進み検出信号に相当する。
さらに、位相差検出回路30は、遅延信号FPの位相が入力信号FRの位相と一致したことを検出すると、次のように動作する。入力信号FRの立ち上がりエッジのタイミングと遅延信号FPの立ち上がりタイミングとが一致する時間(図4中のt5)では、電圧調整回路32は、電圧供給回路33に電流を供給しない。なお、時間t5では、信号ΦPがローレベルの状態を継続せず、信号ΦRがハイレベルの状態を継続しないため、時間t5は、本発明の遅れ量非調整状態及び本発明の進み量非調整状態に相当する。
位相差検出回路30が、遅延信号FPの位相と入力信号FRの位相とが一致したことを検出すると、Dフリップフロップ回路34は、次のように動作する。第2論理積ゲート回路AND2の非反転入力には、ハイレベルの信号ΦPが入力され、第2論理積ゲート回路AND2の反転入力には、ローレベルの信号ΦRが入力される。このとき、第2論理積ゲート回路AND2は、ハイレベル信号を出力する。ハイレベル信号は、Dフリップフロップ回路34の入力端子Dに入力される。なお、ハイレベル信号は、本発明の論理積信号に相当する。また、Dフリップフロップ回路34は、本発明のDフリップフロップに相当し、入力端子Dは、本発明のDフリップフロップの入力端子に相当する。
Dフリップフロップ回路34のクロック端子CKには、遅延信号FPが入力される。クロック端子CKは、本発明のDフリップフロップのクロック入力端子に相当する。Dフリップフロップ回路34は、遅延信号FPがクロック端子CKに入力されると、出力端子Qから、ハイレベルの位相確認信号LOCKを出力する。
信号生成回路31は、上述したように、遅延信号FPの位相が入力信号FRの位相よりも遅れているときに、ローレベルの信号ΦPを出力すると共に、遅延信号FPの位相が入力信号FRの位相よりも進んでいるときに、ハイレベルの信号ΦRを出力するから、本発明の信号生成部に相当する。また、遅延信号FPの位相が入力信号FRの位相よりも遅れているときに、ローレベルの信号ΦPを出力することは、本発明の位相遅れ検出信号生成ステップに相当し、遅延信号FPの位相が入力信号FRの位相よりも進んでいるときに、ハイレベルの信号ΦRを出力することは、本発明の位相進み検出信号生成ステップに相当する。
また、電圧調整回路32は、上述したように、信号ΦPがローレベル(遅れ量調整状態)及び信号ΦRがローレベル(進み量非調整状態)のときに、PMOSトランジスタM1をオン状態かつNMOSトランジスタM2をオフ状態にし、制御電圧VCを上昇させ、信号ΦPがハイレベル(遅れ量非調整状態)及び信号ΦRがハイレベル(進み量調整状態)のときに、PMOSトランジスタM1をオフ状態かつNMOSトランジスタM2をオン状態にし、制御電圧を下降させる。したがって、電圧調整回路32は、各信号ΦP及びΦRのレベルに応じ、制御電圧VCを上昇又は下降させるから、本発明の制御電圧調整部に相当する。各信号ΦP及びΦRのレベルに応じ、制御電圧VCを上昇又は下降させることは、本発明の電圧調整ステップに相当する。
電圧供給回路33は、上述したように、信号ΦPがローレベル(遅れ量調整状態)及び信号ΦRがローレベル(進み量非調整状態)のときに、PMOSトランジスタM1をオン状態かつNMOSトランジスタM2をオフ状態にし、制御電圧VCを上昇させ、該制御電圧VCを遅延回路40に印加する。また、電圧供給回路33は、上述したように、信号ΦPがハイレベル(遅れ量非調整状態)及び信号ΦRがハイレベル(進み量調整状態)のときに、PMOSトランジスタM1をオフ状態かつNMOSトランジスタM2をオン状態にし、制御電圧を下降させ、該制御電圧VCを遅延回路40に印加する。したがって、電圧供給回路33は、各信号ΦP及びΦRのレベルに応じ、制御電圧VCを上昇又は下降させ、該制御電圧VCを遅延回路40に印加するから、本発明の制御電圧供給部に相当する。また、各信号ΦP及びΦRのレベルに応じ、制御電圧VCを発生させることは、本発明の電圧発生ステップに相当する。
遅延回路40は、前記電圧供給回路33によって印加される制御電圧VCに応じ、以下に説明するように動作する。遅延時間制御回路41では、NMOSトランジスタM11及びNMOSトランジスタM12により、カレントミラー回路が構成されており、NMOSトランジスタM11のドレインに流入した電流I2が、NMOSトランジスタM12のドレインから出力される。
さらに、遅延時間制御回路41では、PMOSトランジスタM13及びPMOSトランジスタM14により、カレントミラー回路が構成されており、NMOSトランジスタM12のドレインに流入した電流I2は、PMOSトランジスタM14のドレインから出力される。
遅延時間発生回路42では、定電流回路CGから出力される電流I1及び遅延時間制御回路41から出力される電流I2により、コンデンサC3を充電することができる。
図1から理解できるように、メインスイッチングトランジスタFET1がオフ状態になると、ダイオードDからチョークコイルL1に向けて電流I3が流れ、前記接続点Pの電圧が接地電圧よりも低下する。接続点Pの電圧が接地電圧よりも低下することにより、第1比較器COMP1は、出力端子(N3)からハイレベルの比較信号Sを遅延回路40に出力する。第1比較器COMP1は、前記トランジスタFET1がオフ状態になったときに、接続点Pの電圧が変化して接地電圧よりも低下することを検出するから、本発明の検出部に相当する。また、接続点Pの電圧が変化して接地電圧よりも低下することを検出することは、本発明の検出ステップに相当する。なお、信号FRは、接続点Pの電圧の変化を表す信号であり、本発明の第1信号に相当する。
ハイレベルの信号Sは、図3に図示するように、インバータ42Aを介し、前記NMOSトランジスタM15のゲートに入力される。これにより、NMOSトランジスタM15のゲートには、ローレベル信号が入力され、NMOSトランジスタM15はオフ状態になる。
NMOSトランジスタM15がオフ状態になると、電流I1及び電流I2により、コンデンサC3が充電される。これにより、コンデンサC3の両端の電圧が上昇する。コンデンサC3の両端の電圧が基準電圧VREFよりも高くなると、第2比較器COMP2は、出力端子(N4)から出力端子(OUT3)を介し、ハイレベルの遅延信号FPを、第1論理積ゲート回路AND1の第1入力及び位相差検出回路30の第2入力端子(IN2)に出力する。なお、第1比較器COMP1により、一周期前の接続点Pの電圧が接地電圧と比較され、前記比較信号Sが前記遅延時間発生回路42のNMOSトランジスタM15をオンオフ制御し、遅延信号FPは、遅延時間発生回路42の第2比較器COMP2によって出力されるものであるから、該遅延信号FPは、本発明の第2信号に相当する。
位相差検出回路30は、上述したように、第1入力端子(IN1)から入力された入力信号FRの位相と、第2入力端子(IN2)から入力された遅延信号FPの位相とを比較する。位相差検出回路30は、遅延信号FPの位相が入力信号FRの位相よりも遅れていることを検出すると、上述したように、制御電圧VC(図2参照。)を上昇させ、遅延時間制御回路41を流れる電流I2(図3参照。)を増加させる。これによって、コンデンサC3の両端の電圧が基準電圧VREFよりも高くなる時間を短縮し、遅延回路40がハイレベルの遅延信号FPを出力するタイミングを早める。そこで、図4に示す遅延信号FPの位相遅れ量(図中の(1))を小さくし、遅延信号FPの位相と入力信号FRの位相とが一致するように調整される。
一方、位相差検出回路30は、遅延信号FPの位相が入力信号FRの位相よりも進んでいることを検出すると、上述したように、制御電圧VCを下降させ、遅延時間制御回路41を流れる電流I2を減少させる。これによって、コンデンサC3の両端の電圧が基準電圧VREFよりも高くなる時間を長くし、遅延回路40がハイレベルの遅延信号FPを出力するタイミングを遅らせる。そこで、遅延信号FPの位相進み量(図4中の(2))を小さくし、遅延信号FPの位相と入力信号FRの位相とが一致するように調整される。
位相差検出回路30が、遅延信号FPの位相が入力信号FRの位相と一致したことを検出すると、上述したように、Dフリップフロップ回路34が、ハイレベルの位相差確認信号LOCKを、第1論理積ゲート回路AND1の第2入力に出力し、ハイレベルの位相差確認信号LOCKは、第1論理積ゲート回路AND1の第2入力に入力される。
ハイレベルの位相差確認信号LOCKが、第1論理積ゲート回路AND1の第2入力に入力されたときには、第1論理積ゲート回路AND1の第1入力には、ハイレベルの遅延信号FPが入力されている。第1論理積ゲート回路AND1は、第2入力に位相差確認信号LOCKが入力されると、前記遅延信号FPを通過させ、遅延信号FP1を、制御回路20の出力端子(DL1)を介し、同期側スイッチングトランジスタFET2のゲートに出力する。これにより、同期側スイッチングトランジスタFET2はオン状態になる。第1論理積ゲート回路AND1は、位相差確認信号LOCKが入力されたことを条件として、遅延信号FPと同期する遅延信号FP1を、同期側スイッチングトランジスタFET2のゲートに出力するから、本発明の第2信号出力部に相当する。
位相差検出回路30及び遅延回路40は、上述したように、ハイレベルの遅延信号FPを出力するタイミングを変化させることにより、遅延信号FPの位相遅れ量又は遅延信号FPの位相進み量を小さくし、遅延信号FPの位相と入力信号FRの位相とが一致するように調整するから、本発明の位相差調整部に相当する。また、ハイレベルの遅延信号FPを出力するタイミングを変化させることにより、遅延信号FPの位相遅れ量又は遅延信号FPの位相進み量を小さくし、遅延信号FPの位相と入力信号FRの位相とが一致するように調整することは、本発明の位相差調整ステップに相当する。
遅延回路40は、上述したように、印加される制御電圧VCに応じ、第2比較器COMP2がハイレベルの遅延信号FPを出力するタイミングを変化させているから、本発明の遅延部に相当する。また、制御電圧VCに応じ、第2比較器COMP2がハイレベルの遅延信号FPを出力するタイミングを変化させることは、本発明の遅延ステップに相当する。また、図4中のコンデンサC3は、本発明の遅延部が有するコンデンサに相当する。遅延時間制御回路41は、制御電圧VCに応じた電流I2をコンデンサC3に出力し、コンデンサC3の両端の電圧を変化させるから、本発明の電流供給部に相当する。第2比較器COMP2は、コンデンサC3の両端の電圧を基準電圧VREFと比較し、コンデンサC3の両端の電圧が基準電圧VREFよりも高くなると、出力端子(N4)からハイレベルの遅延信号FPを出力するから、本発明の電圧比較部に相当する。
本実施形態の同期整流型電源装置10及びその制御回路20においては、位相差検出回路30が、第1比較器COMP1によって検出される入力信号FRの位相と、一周期前の入力信号FRを遅延させた遅延信号FPの位相との位相差に応じ、制御電圧VCを遅延回路40に出力する。その後、遅延回路40は、印加される制御電圧VCに応じ、遅延時間制御回路41を流れる電流I2を増減させ、コンデンサC3の両端の電圧が基準電圧VREFよりも高くなる時間を変化させ、遅延信号FPの出力タイミングを調整している。これにより、遅延回路40が遅延信号FPを位相差検出回路30に出力するタイミングを、位相差検出回路30が入力信号FRを検出するタイミングに近づけることができ、遅延信号FPを、入力信号FRとの位相差を縮小させたものにすることができる。
また、本実施形態の同期整流型電源装置10及びその制御回路20によれば、位相差検出回路30及び遅延回路40により、出力タイミングが調整された遅延信号FPに同期した遅延信号FP1に応じ、同期側スイッチングトランジスタFET2をオン状態にすると、同期側スイッチングトランジスタFET2がオンするタイミングを、メインスイッチングトランジスタFET1がオフしたときに位相差検出回路30が入力信号FRを検出するタイミングに近づけることができ、入力信号FRの検出から同期側スイッチングトランジスタFET2がオンするまでの時間遅れを軽減することができる。そこで、本実施形態によれば、両トランジスタFET1及びFET2のスイッチング周波数を高周波数化させた場合であっても、メインスイッチングトランジスタFET1がオフしてから同期側スイッチングトランジスタFET2がオンするまでの時間遅れを軽減させることにより、トランジスタのスイッチング周期に占める時間遅れの割合を軽減させながら、両トランジスタFET1及びFET2を高速でオンオフさせることができる。
さらに、本実施形態の同期整流型電源装置10及びその制御回路20によれば、同期側スイッチングトランジスタFET2がオンするタイミングを、メインスイッチングトランジスタFET1がオフしたときに位相差検出回路30が入力信号FRを検出するタイミングに近づけると、メインスイッチングトランジスタFET1がオフした後に、同期側スイッチングトランジスタFET2のドレインとソースとの間に接続されたダイオードDに電流が流れる時間を短縮し、電流を同期側スイッチングトランジスタFET2に流すことができる。そこで、ダイオードDに電流が流れることにより発生する電力損失を低減させることができる。
本実施形態の同期整流型電源装置10の制御方法によれば、入力信号FRの位相と、一周期前の入力信号FRを遅延させた遅延信号FPの位相との位相差に応じ、制御電圧VCを遅延回路40に出力する。その後、本実施形態の制御方法では、制御電圧VCに応じ、遅延時間制御回路41を流れる電流I2を増減させ、コンデンサC3の両端の電圧が基準電圧VREFよりも高くなる時間を変化させ、遅延信号FPの出力タイミングを調整している。これにより、遅延信号FPを出力するタイミングを、入力信号FRを検出するタイミングに近づけることができ、遅延信号FPを、入力信号FRとの位相差を縮小させたものにすることができる。
また、本実施形態の同期整流型電源装置の制御方法によれば、出力タイミングが調整された遅延信号FPに同期した遅延信号FP1に応じて同期側スイッチングトランジスタFET2をオン状態にすると、同期側スイッチングトランジスタFET2がオンするタイミングを、メインスイッチングトランジスタFET1がオフしたときに入力信号FRを検出するタイミングに近づけることができ、入力信号FRの検出から同期側スイッチングトランジスタFET2がオンするまでの時間遅れを軽減することができる。そこで、本実施形態の制御方法によれば、両トランジスタFET1及びFET2のスイッチング周波数を高周波数化させた場合であっても、メインスイッチングトランジスタFET1がオフしてから同期側スイッチングトランジスタFET2がオンするまでの時間遅れを軽減させることにより、トランジスタのスイッチング周期に占める時間遅れの割合を軽減させながら、両トランジスタFET1及びFET2を高速でオンオフさせることができる。
さらに、本実施形態の同期整流型電源装置の制御方法によれば、同期側スイッチングトランジスタFET2がオンするタイミングを、メインスイッチングトランジスタFET1がオフしたときに入力信号FRを検出するタイミングに近づけると、メインスイッチングトランジスタFET1がオフした後に、同期側スイッチングトランジスタFET2のドレインとソースとの間に接続されたダイオードDに電流が流れる時間を短縮し、電流を同期側スイッチングトランジスタFET2に流すことができる。そこで、ダイオードDに電流が流れることにより発生する電力損失を低減させることができる。
本実施形態の同期整流型電源装置10及びその制御回路20においては、遅延回路40が、印加される制御電圧VCに応じ、遅延時間制御回路41を流れる電流I2を増減させ、遅延信号FPを出力するタイミングを変化させると、遅延信号FPの位相を変化させ、前記遅延信号FPの位相遅れ量(図4中の(1))又は前記遅延信号FPの位相進み量(図4中の(2))を小さくし、遅延信号FPの位相と入力信号FRの位相との位相差を縮小させることができる。
また、本実施形態の同期整流型電源装置10及びその制御回路20によれば、位相差検出回路30が、遅延回路40によって該遅延回路40から出力するタイミングが変更された遅延信号FPの位相と、入力信号FRの位相との位相差を繰り返し検出すると、検出結果は前記位相差がより縮小されたものになり、検出結果に基づいて変化する制御電圧VCに応じ、遅延回路40は、前記位相遅れ量又は前記位相進み量を小さくし、遅延信号FPの位相と入力信号FRの位相との位相差を縮小させる状態を継続させることができる。
本実施形態の同期整流型電源装置10の制御方法によれば、入力信号FRの位相と、一周期前の入力信号FRを遅延させた遅延信号FRとの位相差に応じ、制御電圧VCを出力する。そして、本実施形態の制御方法は、制御電圧VCに応じ、遅延時間制御回路41を流れる電流I2を増減させ、遅延信号FPを出力するタイミングを変化させると、遅延信号FPの位相を変化させ、前記遅延信号FPの位相遅れ量又は前記遅延信号FPの位相進み量を小さくし、遅延信号FPの位相と入力信号FRの位相との位相差を縮小させることができる。
また、本実施形態の同期整流型電源装置10の制御方法によれば、遅延回路40から出力するタイミングが変更された遅延信号FPの位相と、入力信号FRの位相との位相差を繰り返し検出すると、検出結果は前記位相差がより縮小されたものになり、検出結果に基づいて変化する制御電圧VCに応じ、前記位相遅れ量又は前記位相進み量を小さくし、遅延信号FPの位相と入力信号FRの位相との位相差を縮小させる状態を継続させることができる。
本実施形態の同期整流型電源装置10及びその制御回路20においては、電圧供給回路33により、遅延信号FPの位相遅れ量を小さくするために、電圧値を上昇させた制御電圧VC、又は遅延信号FPの位相進み量を小さくするために、電圧値を下降させた制御電圧VCが、それぞれ遅延回路40に印加される。そこで、印加された制御電圧VCに応じ、遅延回路40は、上述したように、遅延信号FPの出力タイミングを変化させ、遅延信号FPの位相遅れ量又は遅延信号FPの位相進み量を小さくし、遅延信号FPの位相と入力信号FRの位相との位相差を縮小させることができる。
本実施形態の同期整流型電源装置10の制御方法によれば、遅延信号FPの位相遅れ量を小さくするために、電圧値を上昇させた制御電圧VC、又は遅延信号FPの位相進み量を小さくするために、電圧値を下降させた制御電圧VCを、それぞれ発生させている。そこで、本実施形態の制御方法によれば、発生させた制御電圧VCに応じ、遅延信号FPの出力タイミングを変化させ、遅延信号FPの位相遅れ量又は遅延信号FPの位相進み量を小さくし、遅延信号FPの位相と入力信号FRの位相との位相差を縮小させることができる。
本実施形態の同期整流型電源装置10及びその制御回路20においては、メインスイッチングトランジスタFET1がオフしたときに位相差検出回路30によって検出される入力信号FRの位相が、同期側スイッチングトランジスタFET2をオン状態にする遅延信号FP1に同期する遅延信号FPの位相に一致したときに、第1論理積ゲート回路AND1は、遅延信号FPを通過させ、遅延信号FP1を、同期側スイッチングトランジスタFET2のゲートに出力する。そこで、本実施形態では、メインスイッチングトランジスタFET1がオフしたときに、遅延信号FP1が同期側スイッチングトランジスタFET2のゲートに出力されて該トランジスタFET2がオンし、両トランジスタFET1及びFET2が同時にオンすることを防ぐことができる。
本実施形態の同期整流型電源装置10の制御方法によれば、メインスイッチングトランジスタFET1がオフしたときに検出される入力信号FRの位相が、同期側スイッチングトランジスタFET2をオン状態にする遅延信号FP1に同期する遅延信号FPの位相に一致したときに、遅延信号FP1を、同期側スイッチングトランジスタFET2のゲートに出力する。そこで、本実施形態の制御方法によれば、メインスイッチングトランジスタFET1がオフしたときに、遅延信号FP1が同期側スイッチングトランジスタFET2のゲートに出力されて該トランジスタFET2をオンさせ、両トランジスタFET1及びFET2が同時にオンすることを防ぐことができる。
本実施形態の同期整流型電源装置10及びその制御回路20においては、遅延時間制御回路41が、制御電圧VCに応じて増減する電流I2をコンデンサC3に出力すると、コンデンサC3に出力される電流値の違いにより、コンデンサC3の充電時間を調整することができる。そこで、本実施形態では、コンデンサC3の充電時間を調整することにより、コンデンサC3の両端の電圧が上昇する時間を変化させ、該電圧が上昇する時間に応じ、第2比較器COMP2がハイレベルの遅延信号FPを出力するタイミングを調整し、該遅延信号FPが出力されるタイミングに合わせ、前記遅延信号FPの遅延時間を変更することができる。
本実施形態の同期整流型電源装置10及びその制御回路20では、入力信号FRの立ち上がりエッジのタイミングと遅延信号FPの立ち上がりタイミングとが一致する時間(図4中のt5)において、Dフリップフロップ回路34の入力端子Dには、第2論理積ゲート回路AND2によって出力されたハイレベル信号が入力される。そして、Dフリップフロップ回路34は、遅延信号FPがクロック端子CKに入力されると、出力端子Qから、ハイレベルの位相確認信号LOCKを出力する。そこで、本実施形態では、入力信号FRの立ち上がりエッジのタイミングと遅延信号FPの立ち上がりエッジのタイミングとが一致し、入力信号FRの位相と遅延信号FPの位相との位相差がなく、遅延信号FPの位相遅れ量又は遅延信号FPの位相進み量を調整する必要がないときに、前記遅延信号FPに同期して、Dフリップフロップ回路34が、位相確認信号LOCKを出力することができる。
本実施形態の同期整流型電源装置10の制御方法のように、入力信号FRの立ち上がりエッジのタイミングと遅延信号FPの立ち上がりエッジのタイミングとが一致する時間において、遅延信号FPに同期して、位相確認信号FPを出力すれば、入力信号FRの位相と遅延信号FPの位相との位相差がなく、遅延信号FPの位相遅れ量又は遅延信号FPの位相進み量を調整する必要がないときに、前記遅延信号FPに同期して、位相確認信号LOCKを出力することができる。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において構成の一部を適宜変更して実施することができる。上述した実施形態の同期整流型電源装置10の制御回路20は、単一の半導体チップ又は複数の半導体チップにより構成してもよい。また、同期整流型電源装置10は、単一の半導体チップ又は複数の半導体チップにより構成してもよい。さらに、電子機器を、制御回路を備える同期整流型電源装置を用いるものとしてもよい。
本発明の技術思想により背景技術における課題を解決するための手段を、以下に列記する。
(付記1) 主スイッチ素子と逆並列ダイオードを有する整流用スイッチ素子との接続点にコイルが接続され、前記主スイッチ素子と前記整流用スイッチ素子とが一定の周期で交互にオンオフする同期整流型電源装置の制御回路において、
前記主スイッチ素子がオフしたことに起因して前記逆並列ダイオードを流れる電流に応じて、一定の周期で変化する前記接続点における第1信号の状態遷移を検出する検出部と、
前記検出部によって検出された前記第1信号の位相と一周期前の前記第1信号に基づいて生成される第2信号の位相との位相差に応じて前記第2信号の出力タイミングを調整することにより、前記位相差を調整する位相差調整部と、を備え、
前記位相差調整部によって出力タイミングが調整された前記第2信号に応じて前記整流用スイッチ素子をオンさせることを特徴とする同期整流型電源装置の制御回路。
(付記2) 前記位相差調整部は、前記第1信号の位相と前記第2信号の位相との位相差を繰り返し検出する位相差検出部と、前記位相差検出部の検出結果に応じて、一周期前の前記第1信号を遅延させる遅延時間を変化させて前記第2信号を出力する遅延部と、を備えることを特徴とする付記1に記載の同期整流型電源装置の制御回路。
(付記3) 前記位相差検出部は、
前記第2信号の位相が前記第1信号の位相よりも遅れていることを検出したことを条件に、前記第2信号の位相遅れ量を調整しない遅れ量非調整状態から前記位相遅れ量を小さくする遅れ量調整状態に遷移する位相遅れ検出信号を生成すると共に、前記第2信号の位相が前記第1信号の位相よりも進んでいることを検出したことを条件に、前記第2信号の位相進み量を調整しない進み量非調整状態から前記位相進み量を小さくする進み量調整状態に遷移する位相進み検出信号を生成する信号生成部と、
前記遅れ量調整状態又は前記進み量調整状態に応じた制御電圧を発生し該制御電圧を前記遅延部に供給する制御電圧供給部と、
前記遅れ量調整状態又は前記進み量調整状態を択一的に前記制御電圧供給部に指示し前記制御電圧を変化させる制御電圧調整部と、
を備えることを特徴とする付記2に記載の同期整流型電源装置の制御回路。
(付記4) 前記位相差検出部は、前記位相遅れ検出信号が前記遅れ量非調整状態であり、かつ、前記位相進み検出信号が前記進み量非調整状態であるときに、前記第1信号の位相と前記第2信号の位相とが一致したと判断する位相確認信号を出力し、前記位相確認信号が入力されたことを条件として、前記第2信号を前記整流用スイッチ素子に出力する第2信号出力部を備えることを特徴とする付記3に記載の同期整流型電源装置の制御回路。
(付記5) 前記遅延部は、コンデンサと、前記制御電圧に応じて前記コンデンサに対して電流を流し該コンデンサの出力電圧を変化させる電流供給部と、前記出力電圧と基準電圧とを比較して前記第2信号を出力する電圧比較部と、を備えることを特徴とする付記3に記載の同期整流型電源装置の制御回路。
(付記6) 前記位相差検出部は、前記位相遅れ検出信号が前記遅れ量非調整状態であり、かつ、前記位相進み検出信号が前記進み量非調整状態であるときに、前記位相遅れ検出信号と前記位相進み検出信号との論理積信号が入力される入力端子及び前記第2信号が入力されるクロック入力端子を有するDフリップフロップを備え、
前記Dフリップフロップは、前記第2信号に同期して前記位相確認信号を出力することを特徴とする付記4に記載の同期整流型電源装置の制御回路。
(付記7) 主スイッチ素子と逆並列ダイオードを有する整流用スイッチ素子との接続点にコイルが接続され、前記主スイッチ素子と前記整流用スイッチ素子とが一定の周期で交互にオンオフする同期整流型電源装置において、
前記主スイッチ素子がオフしたことに起因して前記逆並列ダイオードを流れる電流に応じて、一定の周期で変化する前記接続点における第1信号の状態遷移を検出する検出部と、
前記検出部によって検出された前記第1信号の位相と一周期前の前記第1信号に基づいて生成される第2信号の位相との位相差に応じて前記第2信号の出力タイミングを調整することにより、前記位相差を調整する位相差調整部と、を備え、
前記位相差調整部によって出力タイミングが調整された前記第2信号に応じて前記整流用スイッチ素子をオンさせることを特徴とする同期整流型電源装置。
(付記8) 前記位相差調整部は、前記第1信号の位相と前記第2信号の位相との位相差を繰り返し検出する位相差検出部と、前記位相差検出部の検出結果に応じて、一周期前の前記第1信号を遅延させる遅延時間を変化させて前記第2信号を出力する遅延部と、を備えることを特徴とする付記7に記載の同期整流型電源装置。
(付記9) 前記位相差検出部は、
前記第2信号の位相が前記第1信号の位相よりも遅れていることを検出したことを条件に、前記第2信号の位相遅れ量を調整しない遅れ量非調整状態から前記位相遅れ量を小さくする遅れ量調整状態に遷移する位相遅れ検出信号を生成すると共に、前記第2信号の位相が前記第1信号の位相よりも進んでいることを検出したことを条件に、前記第2信号の位相進み量を調整しない進み量非調整状態から前記位相進み量を小さくする進み量調整状態に遷移する位相進み検出信号を生成する信号生成部と、
前記遅れ量調整状態又は前記進み量調整状態に応じた制御電圧を発生し該制御電圧を前記遅延部に供給する制御電圧供給部と、
前記遅れ量調整状態又は前記進み量調整状態を択一的に前記制御電圧供給部に指示し前記制御電圧を変化させる制御電圧調整部と、
を備えることを特徴とする付記8に記載の同期整流型電源装置。
(付記10) 前記位相差検出部は、前記位相遅れ検出信号が前記遅れ量非調整状態であり、かつ、前記位相進み検出信号が前記進み量非調整状態であるときに、前記第1信号の位相と前記第2信号の位相とが一致したと判断する位相確認信号を出力し、前記位相確認信号が入力されたことを条件として、前記第2信号を前記整流用スイッチ素子に出力する第2信号出力部を備えることを特徴とする付記9に記載の同期整流型電源装置。
(付記11) 前記遅延部は、コンデンサと、前記制御電圧に応じて前記コンデンサに対して電流を流し該コンデンサの出力電圧を変化させる電流供給部と、前記出力電圧と基準電圧とを比較して前記第2信号を出力する電圧比較部と、を備えることを特徴とする付記9に記載の同期整流型電源装置の制御回路。
(付記12) 前記位相差検出部は、前記位相遅れ検出信号が前記遅れ量非調整状態であり、かつ、前記位相進み検出信号が前記進み量非調整状態であるときに、前記位相遅れ検出信号と前記位相進み検出信号との論理積信号が入力される入力端子及び前記第2信号が入力されるクロック入力端子を有するDフリップフロップを備え、
前記Dフリップフロップは、前記第2信号に同期して前記位相確認信号を出力することを特徴とする付記10に記載の同期整流型電源装置。
(付記13) 主スイッチ素子と逆並列ダイオードを有する整流用スイッチ素子との接続点にコイルが接続され、前記主スイッチ素子と前記整流用スイッチ素子とが一定の周期で交互にオンオフする同期整流型電源装置の制御方法において、
前記主スイッチ素子がオフしたことに起因して前記逆並列ダイオードを流れる電流に応じて、一定の周期で変化する前記接続点における第1信号の状態遷移を検出する検出ステップと、
前記検出ステップによって検出された前記第1信号の位相と一周期前の前記第1信号に基づいて生成される第2信号の位相との位相差に応じて前記第2信号の出力タイミングを調整することにより、前記位相差を調整する位相差調整ステップと、を備え、
前記位相差調整ステップによって出力タイミングが調整された前記第2信号に応じて前記整流用スイッチ素子をオンさせることを特徴とする同期整流型電源装置の制御方法。
(付記14) 前記位相差調整ステップは、前記第1信号の位相と前記第2信号の位相との位相差を繰り返し検出する位相差検出ステップと、前記位相差検出ステップの検出結果に応じて、一周期前の前記第1信号を遅延させる遅延時間を変化させて前記第2信号を出力する遅延ステップと、を備えることを特徴とする付記13に記載の同期整流型電源装置の制御方法。
(付記15) 前記位相差検出ステップは、
前記第2信号の位相が前記第1信号の位相よりも遅れていることを検出したことを条件に、前記第2信号の位相遅れ量を調整しない遅れ量非調整状態から前記位相遅れ量を小さくする遅れ量調整状態に遷移する位相遅れ検出信号を生成する位相遅れ検出信号生成ステップと、
前記第2信号の位相が前記第1信号の位相よりも進んでいることを検出したことを条件に、前記第2信号の位相進み量を調整しない進み量非調整状態から前記位相進み量を小さくする進み量調整状態に遷移する位相進み検出信号を生成する位相進み検出信号生成ステップと、
前記遅れ量調整状態又は前記進み量調整状態に応じた制御電圧を発生させる電圧発生ステップと、
前記遅れ量調整状態又は前記進み量調整状態を択一的に指示し前記電圧発生ステップによって発生させる前記制御電圧を変化させる電圧調整ステップと、
を備えることを特徴とする付記14に記載の同期整流型電源装置の制御方法。
(付記16) 前記位相差検出ステップは、前記位相遅れ検出信号が前記遅れ量非調整状態であり、かつ、前記位相進み検出信号が前記進み量非調整状態であるときに、前記第1信号の位相と前記第2信号の位相とが一致したと判断する位相確認信号を出力するステップと、前記位相確認信号が入力されたことを条件として、前記第2信号を前記整流用スイッチ素子に出力するステップと、を備えることを特徴とする付記15に記載の同期整流型電源装置の制御方法。
(付記17) 前記位相差検出ステップは、前記位相遅れ検出信号が前記遅れ量非調整状態であり、かつ、前記位相進み検出信号が前記進み量非調整状態であるときに、前記第2信号に同期して前記位相確認信号を出力するステップを備えることを特徴とする付記16に記載の同期整流型電源装置の制御方法。
本発明の一実施形態に係る同期整流型電源装置の回路構成図である。 位相差検出回路の回路構成図である。 遅延回路の回路構成図である。 位相差検出回路の動作を示すタイミングチャートである 従来の同期整流型電源装置の回路構成図である。
符号の説明
10 同期整流型電源装置
20 制御回路
30 位相差検出回路
31 信号生成回路
32 電圧調整回路
33 電圧供給回路
34 Dフリップフロップ回路
40 遅延回路
41 遅延時間制御回路
AND1 第1論理積ゲート回路
C3 コンデンサ
COMP1 第1比較器
COMP2 第2比較器
D ダイオード
FET1 メインスイッチングトランジスタ
FET2 同期側スイッチングトランジスタ
FP 遅延信号
FR 入力信号
LOCK 位相確認信号
VC 制御電圧
VREF 基準電圧

Claims (10)

  1. 主スイッチ素子と逆並列ダイオードを有する整流用スイッチ素子との接続点にコイルが接続され、前記主スイッチ素子と前記整流用スイッチ素子とが一定の周期で交互にオンオフする同期整流型電源装置の制御回路において、
    前記主スイッチ素子がオフしたことに起因して前記逆並列ダイオードを流れる電流に応じて、一定の周期で変化する前記接続点における第1信号の状態遷移を検出する検出部と、
    前記検出部によって検出された前記第1信号の位相と一周期前の前記第1信号に基づいて生成される第2信号の位相との位相差に応じて前記第2信号の出力タイミングを調整することにより、前記位相差を調整する位相差調整部と、を備え、
    前記位相差調整部によって出力タイミングが調整された前記第2信号に応じて前記整流用スイッチ素子をオンさせることを特徴とする同期整流型電源装置の制御回路。
  2. 前記位相差調整部は、前記第1信号の位相と前記第2信号の位相との位相差を繰り返し検出する位相差検出部と、前記位相差検出部の検出結果に応じて、一周期前の前記第1信号を遅延させる遅延時間を変化させて前記第2信号を出力する遅延部と、を備えることを特徴とする請求項1に記載の同期整流型電源装置の制御回路。
  3. 前記位相差検出部は、
    前記第2信号の位相が前記第1信号の位相よりも遅れていることを検出したことを条件に、前記第2信号の位相遅れ量を調整しない遅れ量非調整状態から前記位相遅れ量を小さくする遅れ量調整状態に遷移する位相遅れ検出信号を生成すると共に、前記第2信号の位相が前記第1信号の位相よりも進んでいることを検出したことを条件に、前記第2信号の位相進み量を調整しない進み量非調整状態から前記位相進み量を小さくする進み量調整状態に遷移する位相進み検出信号を生成する信号生成部と、
    前記遅れ量調整状態又は前記進み量調整状態に応じた制御電圧を発生し該制御電圧を前記遅延部に供給する制御電圧供給部と、
    前記遅れ量調整状態又は前記進み量調整状態を択一的に前記制御電圧供給部に指示し前記制御電圧を変化させる制御電圧調整部と、
    を備えることを特徴とする請求項2に記載の同期整流型電源装置の制御回路。
  4. 前記位相差検出部は、前記位相遅れ検出信号が前記遅れ量非調整状態であり、かつ、前記位相進み検出信号が前記進み量非調整状態であるときに、前記第1信号の位相と前記第2信号の位相とが一致したと判断する位相確認信号を出力し、前記位相確認信号が入力されたことを条件として、前記第2信号を前記整流用スイッチ素子に出力する第2信号出力部を備えることを特徴とする請求項3に記載の同期整流型電源装置の制御回路。
  5. 前記遅延部は、コンデンサと、前記制御電圧に応じて前記コンデンサに対して電流を流し該コンデンサの出力電圧を変化させる電流供給部と、前記出力電圧と基準電圧とを比較して前記第2信号を出力する電圧比較部と、を備えることを特徴とする請求項3に記載の同期整流型電源装置の制御回路。
  6. 前記位相差検出部は、前記位相遅れ検出信号が前記遅れ量非調整状態であり、かつ、前記位相進み検出信号が前記進み量非調整状態であるときに、前記位相遅れ検出信号と前記位相進み検出信号との論理積信号が入力される入力端子及び前記第2信号が入力されるクロック入力端子を有するDフリップフロップを備え、
    前記Dフリップフロップは、前記第2信号に同期して前記位相確認信号を出力することを特徴とする請求項4に記載の同期整流型電源装置の制御回路。
  7. 主スイッチ素子と逆並列ダイオードを有する整流用スイッチ素子との接続点にコイルが接続され、前記主スイッチ素子と前記整流用スイッチ素子とが一定の周期で交互にオンオフする同期整流型電源装置において、
    前記主スイッチ素子がオフしたことに起因して前記逆並列ダイオードを流れる電流に応じて、一定の周期で変化する前記接続点における第1信号の状態遷移を検出する検出部と、
    前記検出部によって検出された前記第1信号の位相と一周期前の前記第1信号に基づいて生成される第2信号の位相との位相差に応じて前記第2信号の出力タイミングを調整することにより、前記位相差を調整する位相差調整部と、を備え、
    前記位相差調整部によって出力タイミングが調整された前記第2信号に応じて前記整流用スイッチ素子をオンさせることを特徴とする同期整流型電源装置。
  8. 前記位相差調整部は、前記第1信号の位相と前記第2信号の位相との位相差を繰り返し検出する位相差検出部と、前記位相差検出部の検出結果に応じて、一周期前の前記第1信号を遅延させる遅延時間を変化させて前記第2信号を出力する遅延部と、を備えることを特徴とする請求項7に記載の同期整流型電源装置。
  9. 前記位相差検出部は、
    前記第2信号の位相が前記第1信号の位相よりも遅れていることを検出したことを条件に、前記第2信号の位相遅れ量を調整しない遅れ量非調整状態から前記位相遅れ量を小さくする遅れ量調整状態に遷移する位相遅れ検出信号を生成すると共に、前記第2信号の位相が前記第1信号の位相よりも進んでいることを検出したことを条件に、前記第2信号の位相進み量を調整しない進み量非調整状態から前記位相進み量を小さくする進み量調整状態に遷移する位相進み検出信号を生成する信号生成部と、
    前記遅れ量調整状態又は前記進み量調整状態に応じた制御電圧を発生し該制御電圧を前記遅延部に供給する制御電圧供給部と、
    前記遅れ量調整状態又は前記進み量調整状態を択一的に前記制御電圧供給部に指示し前記制御電圧を変化させる制御電圧調整部と、
    を備えることを特徴とする請求項8に記載の同期整流型電源装置。
  10. 主スイッチ素子と逆並列ダイオードを有する整流用スイッチ素子との接続点にコイルが接続され、前記主スイッチ素子と前記整流用スイッチ素子とが一定の周期で交互にオンオフする同期整流型電源装置の制御方法において、
    前記主スイッチ素子がオフしたことに起因して前記逆並列ダイオードを流れる電流に応じて、一定の周期で変化する前記接続点における第1信号の状態遷移を検出する検出ステップと、
    前記検出ステップによって検出された前記第1信号の位相と一周期前の前記第1信号に基づいて生成される第2信号の位相との位相差に応じて前記第2信号の出力タイミングを調整することにより、前記位相差を調整する位相差調整ステップと、を備え、
    前記位相差調整ステップによって出力タイミングが調整された前記第2信号に応じて前記整流用スイッチ素子をオンさせることを特徴とする同期整流型電源装置の制御方法。
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US11/902,706 US7948219B2 (en) 2006-09-28 2007-09-25 Control circuit of synchronous rectification type power supply unit, synchronous rectification type power supply unit and control method thereof
KR1020070097403A KR100948328B1 (ko) 2006-09-28 2007-09-27 동기 정류형 전원 장치의 제어 회로, 동기 정류형 전원장치 및 그 제어 방법
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101741231B (zh) * 2008-11-07 2012-05-23 环旭电子股份有限公司 相位异常检知装置及具相位异常检知功能的电源供应器
TWI385510B (zh) * 2008-12-31 2013-02-11 Asustek Comp Inc 自動調整驅動器輸入電源之裝置
CN102158098A (zh) * 2010-02-12 2011-08-17 刘建坤 相位同步电源控制器及电源供应器
US10821542B2 (en) * 2013-03-15 2020-11-03 Mks Instruments, Inc. Pulse synchronization by monitoring power in another frequency band
TWI496389B (zh) 2013-05-16 2015-08-11 Upi Semiconductor Corp 用於電源轉換器之時間產生器及時間信號產生方法
CN104579246B (zh) * 2013-10-10 2017-10-17 成都振芯科技股份有限公司 一种占空比调整电路
US9654002B2 (en) * 2014-10-23 2017-05-16 Qualcomm Incorporated Circuits and methods providing dead time adjustment at a synchronous buck converter
CN113162440B (zh) * 2021-04-25 2022-11-25 深圳市力生美半导体股份有限公司 开关电源及其同步整流控制电路

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000092824A (ja) * 1998-09-10 2000-03-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd スイッチングレギュレータおよびlsiシステム
JP2006254588A (ja) * 2005-03-10 2006-09-21 Fujitsu Ltd 電流モード制御型dc−dcコンバータの制御回路および制御方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001078446A (ja) 1999-06-29 2001-03-23 Toshiba Corp 電源装置
JP4313016B2 (ja) 2002-10-09 2009-08-12 シャープ株式会社 スイッチング電源
US6958592B2 (en) * 2003-11-26 2005-10-25 Power-One, Inc. Adaptive delay control circuit for switched mode power supply
US7031175B2 (en) * 2003-12-16 2006-04-18 Intersil Americas Inc. System and method of detecting phase body diode using a comparator in a synchronous rectified FET driver
JP4651977B2 (ja) 2004-06-25 2011-03-16 富士通セミコンダクター株式会社 Dc−dcコンバータの制御回路、およびその制御方法
JP4628056B2 (ja) 2004-09-30 2011-02-09 富士通セミコンダクター株式会社 Dc−dcコンバータの制御回路、およびその制御方法
JP2006148515A (ja) 2004-11-19 2006-06-08 Ricoh Co Ltd 遅延回路及び発振回路
JP4640984B2 (ja) * 2005-12-07 2011-03-02 富士通セミコンダクター株式会社 Dc−dcコンバータの制御回路および制御方法
JP4640985B2 (ja) * 2005-12-20 2011-03-02 富士通セミコンダクター株式会社 Dc−dcコンバータの制御回路および制御方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000092824A (ja) * 1998-09-10 2000-03-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd スイッチングレギュレータおよびlsiシステム
JP2006254588A (ja) * 2005-03-10 2006-09-21 Fujitsu Ltd 電流モード制御型dc−dcコンバータの制御回路および制御方法

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