JP2008085114A - 固体電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents

固体電解コンデンサおよびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008085114A
JP2008085114A JP2006264092A JP2006264092A JP2008085114A JP 2008085114 A JP2008085114 A JP 2008085114A JP 2006264092 A JP2006264092 A JP 2006264092A JP 2006264092 A JP2006264092 A JP 2006264092A JP 2008085114 A JP2008085114 A JP 2008085114A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid electrolytic
electrolytic capacitor
capacitor element
conductive polymer
substituted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006264092A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4800891B2 (ja
Inventor
Kunihisa Kijima
邦久 来嶋
Akihiro Matsuda
晃啓 松田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichicon Corp
Original Assignee
Nichicon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichicon Corp filed Critical Nichicon Corp
Priority to JP2006264092A priority Critical patent/JP4800891B2/ja
Publication of JP2008085114A publication Critical patent/JP2008085114A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4800891B2 publication Critical patent/JP4800891B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)

Abstract

【課題】低ESR、低漏れ電流および高耐電圧を実現できる固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】
表面に陽極酸化皮膜が形成された陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子に、導電性高分子を保持させた固体電解コンデンサにおいて、
前記コンデンサ素子に導電性高分子とともにポリビニルエーテル骨格を有する化合物を含有させたことを特徴とする固体電解コンデンサであり、
前記コンデンサ素子を、モノマーと酸化剤とポリビニルエーテル骨格を有する化合物とを混合した溶液に浸漬し、化学重合させる工程を含むことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法である。
【選択図】図1

Description

本発明は、導電性高分子を電解質に用いた固体電解コンデンサおよびその製造方法に関する。
電解コンデンサは、アルミニウム、タンタル、またはニオブ等の弁作用金属からなる陽極を備えており、この陽極の表面にはエッチングピットや微細孔が形成されている。また、陽極の表面には誘電体となる酸化皮膜が形成されている。
ここで、陰極側の電気的な引き出しは、導電性を有する電解質層によって行われる。つまり、電解コンデンサにおいて真の陰極はこの電解質層が担うこととなる。この真の陰極として機能する電解質層は、電解コンデンサの電気特性に大きな影響を及ぼすため、数々の電解質層の形成方法が提案されている。
このような電解コンデンサのうち、電解液を用い、耐電圧向上のため、ポリビニルエーテル骨格を有する化合物を溶解させたものが開示されている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、上記の電解コンデンサは液状の電解質を用いるため、高周波領域におけるインピーダンス特性の悪化は避けられなかった。
一方、固体電解コンデンサとしては、ポリチオフェンの誘導体であるポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等の導電性高分子を電解質として用いるものがあり、液状の電解質を用いた電解コンデンサに比較して高周波領域におけるインピーダンス特性に優れている(例えば、特許文献2参照)。
近年、各種電子機器等でデジタル化が進み、固体電解コンデンサには、高周波領域での低インピーダンス化、大容量化、小形化が求められている。このような要求を満たすために様々な取り組みが行われている。
例えば、陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回し、当該セパレータに導電性高分子を保持させて巻回型の固体電解コンデンサを構成することが検討されている。このような巻回型の固体電解コンデンサでは電極面積を広く確保できるという利点がある。なお、陽極箔としてアルミニウム等が用いられる。
上記のような固体電解コンデンサは、従来、以下の方法で製造される。
まず、素子作製工程において、化成済みの陽極箔と陰極箔とがマニラ紙等の紙繊維からなるセパレータを介して巻回されたコンデンサ素子が作製される。
そして、このように作製されたコンデンサ素子の陽極箔に化成処理が施される修復化成と、コンデンサ素子を200℃以上の温度に加熱する熱処理とが行われる。
その後、保持層形成工程において化学重合が行われ、コンデンサ素子のセパレータ層に導電性高分子が保持される。このようにして、コンデンサ素子において導電性高分子を保持した保持層が形成される。
なお、上記の熱処理は、紙繊維を細くすることによりセパレータ層の密度を小さくして、ESR(Equivalent Series Resistance;等価直列抵抗)を低減する目的で行われる。
その後、コンデンサ素子は有底かつ筒状の外装ケースに収納され、陽極および陰極のリード線が封口ゴムに形成した貫通孔から引き出されるとともに、外装ケースの開口部が封口ゴムで密封される。
特開2004−311579号公報 特開2001−189242号公報
上記のように、巻回型の固体電解コンデンサを製造する際、ESRを低減することを目的にセパレータ層に対して熱処理が施される。
しかしながら、このような熱処理が施されると、コンデンサ素子の巻きが緩んで耐電圧が低下し、漏れ電流が増大したり、エージング工程においてショートパンクが発生する等の問題が生じるおそれがある。
また、上記工程以外でも化学重合工程の加熱処理等、コンデンサ素子に熱処理が施されると、電極箔に加わる熱的ストレスや機械的ストレスによって、漏れ電流が増大するおそれがある。
以上の問題点に鑑みて、本発明の目的は、低ESR、低漏れ電流および高耐電圧が実現された固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明は、表面に陽極酸化皮膜が形成された陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子に、導電性高分子を保持させた固体電解コンデンサにおいて、
前記コンデンサ素子に、導電性高分子とともにポリビニルエーテル骨格を有する化合物を含有させたことを特徴とする。
また、本発明においては、前記ポリビニルエーテル骨格を有する化合物が、下記の化学式1および化学式2の何れかで表されるものであることが好ましい。
Figure 2008085114
Figure 2008085114
ただし、上記の化学式1および化学式2のそれぞれにおいて、Rは、置換もしくは非置換の低級アルキル、置換もしくは非置換のシクロアルキル、置換もしくは非置換のアリールまたは置換もしくは非置換のアラルキルを表す。
また、RおよびRは、水素原子、置換もしくは非置換の低級アルキル、置換もしくは非置換のシクロアルキル、置換もしくは非置換のアリール、または置換もしくは非置換のアラルキルをそれぞれ表す。RおよびR同士は互いに同一であってもよいし異なっていてもよい。
また、nは、500以下の自然数を表す。ここで、nが2以上の場合にR同士は互いに同一であっても異なっていてもよい。また、R同士は互いに同一であっても異なっていてもよく、R同士も互いに同一であっても異なっていてもよい。
また、本発明において、前記導電性高分子が、アニリンもしくはその誘導体、ピロールもしくはその誘導体、またはチオフェンもしくはその誘導体を重合してなるものであってもよい。
また、本発明は、表面に陽極酸化皮膜が形成された陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子に導電性高分子を保持させる固体電解コンデンサの製造方法において、
前記コンデンサ素子を、少なくともモノマー、酸化剤、ドーパントのうちいずれかを含む溶液にポリビニルエーテル骨格を有する化合物を混合した溶液に浸漬し、化学重合させる工程を含むことを特徴とする。
本発明の固体電解コンデンサは、導電性高分子とともにポリビニルエーテル骨格を有する化合物を含有している。このポリビニルエーテル骨格を有する化合物は、側鎖にエーテル結合を有するので、メタノール等の溶媒に対する溶解度が高い。
そして、固体電解コンデンサを構成するアルミニウム電極箔の酸化皮膜は、電解コンデンサの使用温度が上昇し、印加される電流または電圧が高くなると、化学反応を起こし、劣化して耐電圧が低下するが、本発明による化合物を導電性高分子とともに電極間に存在させれば、その構造中に存在するエーテル結合の酸素原子が酸化皮膜と配位結合して、電極箔表面に存在することで、電極箔の化学反応を抑え、結果として固体電解コンデンサの耐電圧を向上できると考えられる。
本発明によるポリビニルエーテル骨格を有する化合物を導電性高分子内に含有させることで、ESRが低減され、耐電圧が高く、漏れ電流の小さい固体電解コンデンサを提供することが可能となる。また、本発明の固体電解コンデンサの製造方法によると、かかる固体電解コンデンサを製造することが可能となる。
以下、図1〜3を参照して、本発明の一実施形態である固体電解コンデンサについて説明する。図1は、本実施形態に係る固体電解コンデンサに用いたコンデンサ素子の説明図、図2は、本発明に係る固体電解コンデンサの陽極、セパレータ、および陰極の積層構造を示す説明図、図3は、本実施形態に係る固体電解コンデンサの製造方法を示す工程フロー図である。
(固体電解コンデンサの構造)
図1に示すように、本実施形態に係る固体電解コンデンサに用いられるコンデンサ素子4は、陽極箔1と陰極箔3とを備えており、陽極箔1と陰極箔3とがセパレータ2を介して巻回された構造を有する。
陽極箔1は、アルミニウム等の弁作用金属で形成されており、図2に示すように、陽極箔1の表面はエッチング処理により粗面化されるとともに酸化皮膜(図示せず)が形成されている。陰極箔3は、陽極箔1と同様、アルミニウム等で形成されており、その表面も粗面化されている。なお、粗面化は、エッチング処理に替えて蒸着か塗布によって行ってもよい。
セパレータ2の両面には導電性高分子7からなる固体電解質が保持されている。これによって、陽極箔1と陰極箔3との間に導電性高分子7の層が形成されている。
ここで、導電性高分子7としては、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、またはポリチオフェンもしくはその誘導体を用いることができ、その代表的な例がポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)である。
このような導電性高分子7は、アニリンもしくはその誘導体、ピロールもしくはその誘導体、またはチオフェンもしくはその誘導体の化学重合により生成される。
なお、図1に示すように、陽極箔1および陰極箔3にはそれぞれリードタブが接続され、リードタブを介して陽極箔1と陰極箔3からリード線5、6が引き出されている。
このように構成した固体電解コンデンサにおいて、導電性高分子とともにポリビニルエーテル骨格を有する化合物が含有されている。
(固体電解コンデンサの製造方法)
次に、図1〜3を参照して、本発明を適用した固体電解コンデンサの製造方法を説明する。
まず、電極の実効表面積を大きくするために、陽極箔1および陰極箔3を形成するためのアルミニウム箔等の表面にエッチング処理を施して粗面化する。
次に、粗面化された陽極箔1に化成処理を施して酸化皮膜を形成する。そして、巻回工程(素子作製工程)において、酸化皮膜が形成された陽極箔1と陰極箔3にそれぞれ電極タブを介してリード線5、6を接続するとともに、これら陽極箔1と陰極箔3とをセパレータ2を介して巻回し、円筒状のコンデンサ素子4を作製する。
次に、修復化成工程において、コンデンサ素子4の状態で陽極箔1に化成処理を施し、陽極箔1の切口や酸化皮膜の欠陥を修復する。
次に、セパレータ2が天然繊維からなる場合は低密度化するため、熱処理を行うのが好ましい。合成繊維を含む場合は適宜、熱処理を省略してもよい。そして、モノマー溶液の含浸および化学重合を行うことにより導電性高分子7を形成し、セパレータ2にかかる導電性高分子7を保持させる(保持層形成工程)。ここで、導電性高分子7を形成するには、チオフェンもしくはその誘導体、アニリンもしくはその誘導体、ピロールもしくはその誘導体を化学重合させる。
上記のチオフェン誘導体としては、チオフェン骨格3位、3位と4位またはS位に、水酸基、アセチル基、カルボキシル基、アルキル基、アルコキシ基のうち少なくとも1種を置換基として有するチオフェン誘導体、または3,4−アルキレンジオキシチオフェンを挙げることができる。アニリン誘導体としては、アニリン骨格を有しアルキル基、フェニル基、アルコキシ基、エステル基、チオエーテル基のうち少なくとも1種を置換基として有するアニリン誘導体を挙げることができる。ピロール誘導体としては、ピロール骨格の3位、3位と4位またはN位に、水酸基、アセチル基、カルボキシル基、アルキル基、アルコキシ基のうち少なくとも1種を置換基として有するピロール誘導体を挙げることができる。
そして、これらのチオフェンもしくはその誘導体、アニリンもしくはその誘導体、ピロールもしくはその誘導体を以下に説明する方法により化学重合させると、導電性高分子7が形成される。なお、導電性高分子7を形成するにあたっては、電解重合が組み合わされてもよい。
まず、1液法では、モノマー、ドーパント、酸化剤を混合した溶液、またはモノマーと酸化作用を有するドーパントとを混合した溶液に、ポリビニルエーテル骨格を有する化合物を添加して、コンデンサ素子に含浸し、溶液から引き上げた後、化学重合を行わせる。
次に、2液法では、モノマー溶液をコンデンサ素子に含浸し、続いて、ドーパントと酸化剤との混合液をコンデンサ素子に含浸し、化学重合させる。
また、モノマーとドーパントとを混合した溶液をコンデンサ素子に含浸し、続いて、モノマーと酸化剤との混合溶液をコンデンサ素子に含浸し、化学重合させてもよい。
さらに、モノマー液をコンデンサ素子に含浸し、続いて、ドーパントと酸化剤とを混合した液をコンデンサ素子に含浸し、化学重合させてよい。
また、ドーパントと酸化剤を混合した溶液をコンデンサ素子に含浸し、続いて、モノマー溶液をコンデンサ素子に含浸し、化学重合させてもよい。
上記において、ポリビニルエーテル骨格を有する化合物はどの溶液に添加してもよい。
次に、3液法では、ドーパントを含む液をコンデンサ素子に含浸し、続いて、モノマー液をコンデンサ素子に含浸し、最後に、酸化剤を含む液をコンデンサ素子に含浸して、化学重合を行わせる。このとき、ポリビニルエーテル骨格を有する化合物はどの溶液に添加してもよい。
本実施形態において、ドーパントは、特に限定されないが、良好な特性を持つ固体電解コンデンサを得るためにはスルホン酸化合物が好ましい。
例えば、1,5−ナフタレンジスルホン酸、1,6−ナフタレンジスルホン酸、1−オクタンスルホン酸、1−ナフタレンスルホン酸、2−ナフタレンスルホン酸、2,6−ナフタレンジスルホン酸、2,7−ナフタレンジスルホン酸、2−メチル−5−イソプロピルベンゼンスルホン酸、4−オクチルベンゼンスルホン酸、4−ニトロトルエン−2−スルホン酸、m−ニトロベンゼンスルホン酸、n−オクチルスルホン酸、n−ブタンスルホン酸、n−ヘキサンスルホン酸、o−ニトロベンゼンスルホン酸、p−エチルベンゼンスルホン酸、p−クロロベンゼンスルホン酸、p−デシルベンゼンスルホン酸、p−ドデシルベンゼンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、p−ニトロベンゼンスルホン酸、p−ペンチルベンゼンスルホン酸、エタンスルホン酸、カンファースルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、アセチルスルホン酸、ドデシルスルホン酸、トリクロロベンゼンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ハイドロオキシベンゼンスルホン酸、ブチルナフタレンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、メタンスルホン酸等があり、その塩としては、リチウム塩、カリウム塩、ナトリウム塩、銀塩、銅塩、鉄塩、アルミニウム塩、セリウム塩、タングステン塩、クロム塩、マンガン塩、スズ塩、メチルアンモニウム塩、ジメチルアンモニウム塩、トリメチルアンモニウム塩、テトラメチルアンモニウム塩、エチルアンモニウム塩、ジエチルアンモニウム塩、トリエチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩、エチルメチルアンモニウム塩、ジエチルメチルアンモニウム塩、ジメチルエチルアンモニウム塩、トリエチルメチルアンモニウム塩、トリメチルエチルアンモニウム塩、ジエチルジメチルアンモニウム塩、プロピルアンモニウム塩、ジプロピルアンモニウム塩、イソプロピルアンモニウム塩、ジイソプロピルアンモニウム塩、ブチルアンモニウム塩、ジブチルアンモニウム塩、メチルプロピルアンモニウム塩、エチルプロピルアンモニウム塩、メチルイソプロピルアンモニウム塩、エチルイソプロピルアンモニウム塩、メチルブチルアンモニウム塩、エチルブチルアンモニウム塩、テトラメチロールアンモニウム塩、テトラ−n−ブチルアンモニウム塩、テトラ−sec−ブチルアンモニウム塩、テトラ−t−ブチルアンモニウム塩、ピペリジウム塩、ピロリジウム塩、モノホリニウム塩、ピペラジニウム塩、ピリジニウム塩、α−ピコリニウム塩、β−ピコリニウム塩、γ−ピコリニウム塩、キノリニウム塩、イソキノリニウム塩、ピロリニウム塩、アンモニウム塩等がある。
このような工程により導電性高分子保持層が形成された後に、組立工程において、コンデンサ素子4を有底筒状の外装ケースに収納し、開口部を封口ゴム等により密封する。
そして、エージングを行う。エージング工程では、例えば、温度が100℃の条件下で60分間、定格電圧を印加する。これによって固体電解コンデンサが完成する。
(本実施形態の主な効果)
以上説明したように、本形態では、導電性高分子とともにポリビニルエーテル骨格を有する化合物を含有している。
かかるポリビニルエーテル骨格を有する化合物は、その構造中に存在するエーテル結合の酸素原子がアルミニウム酸化皮膜と配位結合して、電極表面に存在することで、電極箔の化学反応を抑え、結果として固体電解コンデンサの耐電圧を向上させることができる。
それ故、ESRを損なうことなく、漏れ電流の低減、および耐電圧の向上を可能とした固体電解コンデンサを提供することができる。
[実施例1]
実施例1では、陽極箔(化成電圧47V)と陰極箔とを、ヘンプ紙の単抄からなるセパレータを介して巻回することにより、円筒形のコンデンサ素子を得る。
次に、アジピン酸二アンモニウム水溶液に浸漬し、修復化成工程として、47Vの電圧印加を60分間行った後、コンデンサ素子を300℃で90分間の熱処理を行った。
次に、3,4−エチレンジオキシチオフェンとp−トルエンスルホン酸鉄(III)と下記の化学式3で表される化合物Aとをn−ブタノールに溶解した溶液(モノマーと酸化剤と化合物Aとブタノールの重量比 1:1:0.01:1)にコンデンサ素子を浸漬後、温度150℃の条件で5分間保持して化学重合によりPEDOTを形成する。
このようにして得られたコンデンサ素子を有底筒状の外装ケースに収納し、開口部をゴムパッキング等により密封した後、エージングを行い定格16V−220μFの固体電解コンデンサを作製した。
Figure 2008085114
[実施例2]
実施例2では、陽極箔(化成電圧47V)と陰極箔とを、マニラ麻紙からなるセパレータを介して巻回することにより、円筒形のコンデンサ素子を得る。次に、実施例1と同様の修復化成と熱処理を行った後、3,4−エチレンジオキシチオフェンとp−トルエンスルホン酸鉄(III)と下記の化学式4で表される化合物Bとをn−ブタノールに溶解した溶液(モノマーと酸化剤と化合物Bとブタノールの重量比 1:1:0.05:1)に上記コンデンサ素子を浸漬後、温度200℃の条件で6分間保持して化学重合によりPEDOTを形成する。
このようにして得られたコンデンサ素子を有底筒状の外装ケースに収納し、実施例1と同様にして、定格16V−220μFの固体電解コンデンサを作製した。
Figure 2008085114
[実施例3]
実施例3では、実施例1と同様にして作製したコンデンサ素子に実施例1と同様の修復化成と熱処理を行った後、p−トルエンスルホン酸鉄(III)と下記の化学式5で表される化合物Cとをn−ブタノールに溶解した溶液(酸化剤と化合物Cとブタノールの重量比 2:0.05:3)に上記コンデンサ素子を浸漬後、温度150℃の条件で10分間保持してブタノールを蒸散させ、その後、3,4−エチレンジオキシチオフェンをメタノールに溶解した溶液(モノマーとメタノールの重量比 1:1)に浸積し、温度200℃の条件で6分間保持して化学重合によりPEDOTを形成する。
このようにして得られたコンデンサ素子を有底筒状の外装ケースに収納し、実施例1と同様にして、定格16V−220μFの固体電解コンデンサを作製した。
Figure 2008085114
[実施例4]
実施例4では、実施例1と同様にして作製したコンデンサ素子に実施例1と同様の修復化成と熱処理を行った後、p−トルエンスルホン酸鉄(III)をn−ブタノールに溶解した溶液(酸化剤とブタノールの重量比 2:3)にコンデンサ素子を浸漬後、温度180℃の条件で5分間保持してブタノールを蒸散させ、その後、3,4−エチレンジオキシチオフェンと下記の化学式6で表される化合物Dとをメタノールに溶解した溶液(モノマーと化合物Dとメタノールの重量比 1:0.01:1)を浸積し、温度200℃の条件で6分間保持して化学重合によりPEDOTを形成する。
このようにして得られたコンデンサ素子を有底筒状の外装ケースに収納し、実施例1と同様にして、定格16V−220μFの固体電解コンデンサを作製した。
Figure 2008085114
(従来例1)
従来例1では、陽極箔(化成電圧47V)と陰極箔とを、ヘンプ紙の単抄からなるセパレータを介して巻回することにより、円筒形のコンデンサ素子を得る。
次に、実施例1と同様の修復化成と熱処理を行った後、3,4−エチレンジオキシチオフェンとp−トルエンスルホン酸鉄(III)とをn−ブタノールに溶解した溶液(モノマーと酸化剤とブタノールの重量比 1:1:1)にコンデンサ素子を浸漬後、温度150℃の条件で5分間保持して化学重合によりPEDOTを形成する。
このようにして得られたコンデンサ素子を有底筒状の外装ケースに収納し、実施例1と同様にして、定格16V−220μFの固体電解コンデンサを作製した。
(従来例2)
従来例2では、陽極箔(化成電圧47V)と陰極箔とを、マニラ麻紙からなるセパレータを介して巻回することにより、円筒形のコンデンサ素子を得る。
次に、実施例1と同様の修復化成と熱処理を行った後、3,4−エチレンジオキシチオフェンとp−トルエンスルホン酸鉄(III)とをn−ブタノールに溶解した溶液(モノマーと酸化剤とブタノールの重量比 1:1:1)にコンデンサ素子を浸漬後、温度150℃の条件で5分間保持して化学重合によりPEDOTを形成する。
このようにして得られたコンデンサ素子を有底筒状の外装ケースに収納し、実施例1と同様にして、定格16V−220μFの固体電解コンデンサを作製した。
以上の実施例1〜4および従来例1、2の製造方法によってそれぞれ得られた固体電解コンデンサの電気特性の測定結果、およびショート発生率を下記の表1に示す。表1において、tanδはコンデンサの損失角の正接であり、LC(Leakage Current)は定格電圧印加2分後の漏れ電流値である。
Figure 2008085114
表1に示すように、導電性高分子内にポリビニルエーテル骨格を有する化合物を含有している実施例1〜4によれば、ポリビニルエーテル骨格を有する化合物を含有していない従来例と比べ、いずれの電気特性も改善され、ショート発生率も低減していることが分かる。
上記の効果は、ヘンプ紙の単抄からなるセパレータを使用した場合も、マニラ麻紙からなるセパレータを使用した場合も、同様であった。
[その他の実施例]
上記の実施例においては、PEDOTを固体電解質として用いたが、PEDOT以外の公知の導電性高分子(例えばポリアニリンやポリピロール)を固体電解質として用いた場合にも同様の効果が得られることが確認された。
また、上記の実施例においては、1液法および2液法を用いて実施されているが、上記の実施例以外の2液法および3液法を用いた場合にも同様の効果が得られた。
また、上記の実施例では、陽極としてアルミニウムを用いた固体電解コンデンサを説明したが、タンタルやニオブを陽極として用いた場合でも、同様な効果が得られることが確認された。
本発明の実施の形態に係る固体電解コンデンサ素子の概略斜視図である。 図1の固体電解コンデンサの積層構造の模式断面図である。 図1の固体電解コンデンサの製造方法を示す工程フロー図である。
符号の説明
1 陽極箔
2 セパレータ
3 陰極箔
4 コンデンサ素子
5 陽極リード棒
6 陰極リード棒
7 導電性高分子

Claims (4)

  1. 表面に陽極酸化皮膜が形成された陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子に、導電性高分子を保持させた固体電解コンデンサにおいて、
    前記コンデンサ素子に、導電性高分子とともにポリビニルエーテル骨格を有する化合物を含有させたことを特徴とする固体電解コンデンサ。
  2. 前記ポリビニルエーテル骨格を有する化合物が、下記の化学式1および化学式2の何れかで表されるものであることを特徴とする請求項1に記載の固体電解コンデンサ。
    Figure 2008085114
    Figure 2008085114
    ただし、上記の化学式1および化学式2のそれぞれにおいて、
    は、置換もしくは非置換の低級アルキル、置換もしくは非置換のシクロアルキル、置換もしくは非置換のアリールまたは置換もしくは非置換のアラルキルを表し、
    およびRは、互いに同一または異なって、水素原子、置換もしくは非置換の低級アルキル、置換もしくは非置換のシクロアルキル、置換もしくは非置換のアリール、または置換もしくは非置換のアラルキルをそれぞれ表し、
    nは500以下の自然数を表し、
    nが2以上の場合にR同士は互いに同一であっても異なっていてもよく、R同士は互いに同一であっても異なっていてもよく、R同士は互いに同一であっても異なっていてもよい。
  3. 前記導電性高分子が、アニリンもしくはその誘導体、ピロールもしくはその誘導体、またはチオフェンもしくはその誘導体を重合してなることを特徴とする請求項1または2に記載の固体電解コンデンサ。
  4. 表面に陽極酸化皮膜が形成された陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子に導電性高分子を保持させる固体電解コンデンサの製造方法において、
    前記コンデンサ素子を、少なくともモノマー、酸化剤、ドーパントのうちいずれかを含む溶液にポリビニルエーテル骨格を有する化合物を混合した溶液に浸漬し、化学重合させる工程を含むことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
JP2006264092A 2006-09-28 2006-09-28 固体電解コンデンサおよびその製造方法 Active JP4800891B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006264092A JP4800891B2 (ja) 2006-09-28 2006-09-28 固体電解コンデンサおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006264092A JP4800891B2 (ja) 2006-09-28 2006-09-28 固体電解コンデンサおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008085114A true JP2008085114A (ja) 2008-04-10
JP4800891B2 JP4800891B2 (ja) 2011-10-26

Family

ID=39355649

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006264092A Active JP4800891B2 (ja) 2006-09-28 2006-09-28 固体電解コンデンサおよびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4800891B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013042118A (ja) * 2011-07-08 2013-02-28 Eternal Chemical Co Ltd 電解質材料配合物、それから形成される電解質材料組成物、及びその使用
JP2017174916A (ja) * 2016-03-23 2017-09-28 カーリットホールディングス株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1174158A (ja) * 1997-08-27 1999-03-16 Hitachi Chem Co Ltd 固体電解質形成用ペースト組成物、これを用いた固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2001102259A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Nippon Chemicon Corp 固体電解コンデンサとその製造方法
JP2003100560A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Nippon Chemicon Corp 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2004307462A (ja) * 2003-07-25 2004-11-04 Kyowa Hakko Chemical Co Ltd 新規なポリビニルエーテル
JP2005136336A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Tdk Corp 固体電解質およびその製造方法、ならびに電解コンデンサおよびその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1174158A (ja) * 1997-08-27 1999-03-16 Hitachi Chem Co Ltd 固体電解質形成用ペースト組成物、これを用いた固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2001102259A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Nippon Chemicon Corp 固体電解コンデンサとその製造方法
JP2003100560A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Nippon Chemicon Corp 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2004307462A (ja) * 2003-07-25 2004-11-04 Kyowa Hakko Chemical Co Ltd 新規なポリビニルエーテル
JP2005136336A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Tdk Corp 固体電解質およびその製造方法、ならびに電解コンデンサおよびその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013042118A (ja) * 2011-07-08 2013-02-28 Eternal Chemical Co Ltd 電解質材料配合物、それから形成される電解質材料組成物、及びその使用
JP2017174916A (ja) * 2016-03-23 2017-09-28 カーリットホールディングス株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4800891B2 (ja) 2011-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2015119020A1 (ja) 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2012191178A (ja) 電解コンデンサおよび電解コンデンサの製造方法
JP6547133B2 (ja) 電解コンデンサ
TWI483274B (zh) 複合電極及電解電容器
JPWO2020017530A1 (ja) 固体電解コンデンサ
JP6487285B2 (ja) ゲル電解質用組成物ならびにそれを用いたゲル電解質および電解コンデンサ
JP2009054925A (ja) 導電性高分子コンデンサの製造方法
JP2005251885A (ja) アルミ電解コンデンサ
JP4800891B2 (ja) 固体電解コンデンサおよびその製造方法
JP2007273751A (ja) 固体電解コンデンサおよびその製造方法
JP4809417B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JP4475669B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JP7400123B2 (ja) 高信頼性用途のためのポリマーコンデンサの製造プロセス
JP2008288342A (ja) 電解コンデンサ用電解質の形成方法
TW202203271A (zh) 固體電解電容器及其製造方法
JP2007273692A (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
CN114342022A (zh) 具有增强的内部传导性和更高击穿电压能力的铝聚合物电容器
JP4795331B2 (ja) 固体電解コンデンサおよびその製造方法
JP4891140B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JP4668825B2 (ja) 固体電解コンデンサ
JP2006210837A (ja) 固体電解コンデンサおよびその製造方法。
EP4386797A1 (en) Solid electrolyte capacitor and method for manufacturing same
WO2024070603A1 (ja) 固体電解コンデンサ及び製造方法
JP2008042009A (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
JP5023940B2 (ja) 固体電解コンデンサ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090317

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110104

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110303

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110802

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110804

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4800891

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250