JP2008077808A - 光半導体装置、その制御方法及び光ピックアップ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る光半導体装置は、信号処理回路にケーブルを介して信号を出力する光半導体装置100であって、受光した光を光電流に変換する受光素子111、121、131及び141と、受光素子111、121、131及び141の光電流を電圧に変換する電流電圧変換アンプ110、120、130及び140と、電流電圧変換アンプ110、120、130及び140が変換した電圧を加算し、加算した電圧を出力する加算アンプ150と、電流電圧変換アンプ110、120、130及び140が変換した電圧及び加算アンプ150が出力した電圧のうち、1以上の電圧をデジタル信号に変換し、デジタル信号を、ケーブルを介して信号処理回路に出力するデジタル化部160とを備える。
【選択図】図1
Description
図13は、特許文献1記載の従来の光半導体装置の構成を示す図である。図13に示す従来の光半導体装置は、受光素子a1〜a4、A1〜A4、E及びFと、電流電圧変換アンプ10a〜10fと、加算アンプ11と、アンプ12a及び12bとを備える。受光素子a1〜a4は、DVDに用いられる赤色レーザを受光する受光素子であり、受光素子A1〜A4は、CDに用いられる赤外レーザを受光する受光素子である。電流電圧変換アンプ10aは、受光素子a1またはA1の光電流を電圧に変換し、フォーカスエラー信号FE1を出力する。同様に、電流電圧変換アンプ10bは、受光素子a2またはA2の光電流を電圧に変換し、フォーカスエラー信号FE2を出力する。電流電圧変換アンプ10cは、受光素子a3またはA3の光電流を電圧に変換し、フォーカスエラー信号FE3を出力する。電流電圧変換アンプ10dは、受光素子a4またはA4の光電流を電圧に変換し、フォーカスエラー信号FE4を出力する。また、電流電圧変換アンプ10eは、受光素子Eの光電流を電圧に変換し、アンプ12aを介して、トラッキングエラー信号TE1を出力する。同様に、電流電圧変換アンプ10fは、受光素子Fの光電流を電圧に変換し、アンプ12bを介して、トラッキングエラー信号TE2を出力する。また、加算アンプ11は、4チャンネルのフォーカスエラー信号FE1〜FE4を加算して、RF信号を出力する。
この構成によれば、出力ダイナミックレンジを最大に広げることができる。
この構成によれば、CMOS回路の簡素化が図れる。
本発明の第1の実施の形態に係る光半導体装置は、後段の信号処理回路に、デジタル化した信号を出力する。これにより、後段の信号処理回路に精度良く信号を伝達することができる。
図1に示す光半導体装置100は、受光量に応じた信号を出力する、1つの半導体基板上に形成された半導体集積回路である。光半導体装置100は、電流電圧変換アンプ110、120、130及び140と、受光素子111、121、131及び141と、加算アンプ150と、デジタル化部160とを備える。
VRF=(Vout1+Vout2+Vout3+Vout4)/RA×RB
で表される。
本発明の第2の実施の形態では、デジタル信号及びアナログ信号を出力する光半導体装置について説明する。
本発明の第3の実施の形態に係る光半導体装置は、後段の信号処理回路に信号を出力する出力部の電源電圧を変更することで、後段の信号処理回路の入力電圧レベルに応じた電圧レベルのデジタル信号を出力することができる。
本発明の第4の実施の形態に係る光半導体装置は、光半導体装置の電源電圧とは異なる電圧の電源電圧を供給する電圧源を備えることで、外部からの2系統の電源電圧を供給することなく、出力部の出力ダイナミックレンジを変更することができる。
本発明の第5の実施の形態に係る光半導体装置は、基準電圧Vrefに応じて、出力するデジタル信号の出力ダイナミックレンジを変更する。
本発明の第6の実施の形態に係る光半導体装置は、赤外光を受光する受光素子と、赤色光を受光する受光素子とを備え、用いる受光素子に応じて、デジタル化部の比較部で用いられる閾値電圧を変更する。
図6に示す光半導体装置105は、受光素子401及び402と、電流電圧変換アンプ400と、加算アンプ150と、デジタル化部180と、受光切替制御部500とを備える。
Ipd1=30(μW)×0.35(A/W)=10.5(μA)
となる。この光電流Ipd1を変換抵抗404で電圧に変換するため、電流電圧変換アンプ400の出力電圧Vout1は、基準電圧Vref(2.5V)を基準として、
Vout1=10.5(μA)×50(kΩ)=525(mV)
となる。更に、加算アンプ150により、入力抵抗151とゲイン抵抗155との演算から加算アンプ150の出力電圧VRFは、基準電圧Vref(2.5V)を基準として、
VRF=−1×2(kΩ)/1(kΩ)×525(mV)=−1.05(V)
となる。接地電位(0V)基準で表すと、
VRF=−1.05(V)+2.5(V)=1.45(V)
となる。受光切替制御部500により、閾値設定部501のスイッチ504を電圧源502に接続するため、電圧源502の電位V1を1.5Vに設定しておけば、30μWの赤色入射光に対して、比較部201は反転動作し、ハイ電位(例えば5V)を出力する。
Ipd2=30(μW)×0.40(A/W)=12.0(μA)
となる。この光電流Ipd2を変換抵抗404で電圧に変換するため、電流電圧変換アンプ400の出力電圧Vout1は、基準電圧Vref(2.5V)を基準として、
Vout1=12.0(μA)×50(kΩ)=600(mV)
となる。更に、加算アンプ150により、入力抵抗151とゲイン抵抗155との演算から加算アンプ150の出力電圧VRFは、基準電圧Vref(2.5V)を基準として、
VRF=−1×2(kΩ)/1(kΩ)×600(mV)=−1.20(V)
となる。接地電位(0V)基準で表すと、
VoutRF(A)=−1.20(V)+2.5(V)=1.30(V)
となる。受光切替制御部500により、閾値設定部501のスイッチ504を電圧源503に接続するため、電圧源503の電位V2を1.35Vに設定しておけば、30μWの赤外入射光に対して、比較部201は反転動作し、ハイ電位(例えば5V)を出力する。従って、DVDの場合とCDの場合とで、最適な閾値を切り替えて設定することができる。
本発明の第7の実施の形態に係る光半導体装置は、電流電圧変換アンプのゲインに応じて、デジタル化部の閾値電圧を変更する。
本発明の第8の実施の形態に係る光半導体装置は、加算アンプの出力するアナログ信号の所定の周波数成分の信号に対してデジタル化を行い、デジタル化した信号を後段の信号処理回路に出力する。
本発明の第9の実施の形態に係る光半導体装置は、電流電圧変換アンプのゲインに応じて、デジタル化部の比較部のヒステリシス特性を変更する。
VTon1=R12/(R11+R12)×V1
で表される。一方、入力信号が上記閾値VTon1を超えた場合、比較部201がオンし(論理値「1」を出力し)、比較部201の閾値VToff1は、
VToff1=R11/(R11+R12)×(Vcc−V1)+V1
で表される。従って、比較部201のヒステリシス量ΔVhys1は、
ΔVhys1=VToff1−VTon1=R11/(R11+R12)×Vcc
となる。例えば、R11=200Ω、R12=100kΩ、Vcc=5Vとすると、ヒステリシス量ΔVhys1は、
ΔVhys1=200Ω/(200Ω+100kΩ)×5V=10.0mV
となる。
VTon2=R12×R13/((R12+R13)/(R11+R12×R13/(R12+R13)))×V2
で表される。一方、入力信号が上記閾値VTon2を超えた場合、比較部201がオンし(論理値「1」を出力し)、比較部201の閾値VToff2は、
VToff2=R11/(R11+R12×R13/(R12+R13))×(Vcc−V2)+V2
で表される。従って、コンパレータ回路201のヒステリシス量ΔVhys2は、
ΔVhys2=VToff2−VTon2=R11/(R11+R12×R13/(R12+R13))×Vcc
となる。例えば、R11=200Ω、R12=100kΩ、R13=16kΩ、Vcc=5Vとすると、ヒステリシス量ΔVhys2は、
ΔVhys2=200Ω/(200Ω+100kΩ×16kΩ/(100kΩ+16kΩ))×5V=71.5mV
となる。
本発明の実施の形態10では、上述した光半導体装置を、光ピックアップ装置に適用した実施例を説明する。
図12に示す光ピックアップ装置40は、DVD及びCDの両方に対応した光ピックアップ装置である。光ピックアップ装置40は、赤外レーザ41と、赤色レーザ42と、3ビームグレーティング43と、ビームスプリッタ44a及び44bと、コリメータレンズ45と、ミラー46と、対物レンズ47a及び47bと、受光用IC49とを備える。受光用IC49は、例えば、図6に示す第6の実施の形態に係る光半導体装置である。
Vee 負の電圧源
Vref 基準電圧
Vout1、Vout2、Vout3、Vout4 電流電圧変換アンプの出力電圧
VRF 加算アンプの出力電圧
VoutRF(A) アナログ出力信号
VoutRF(D)、VoutRF1(D)、VoutRF2(D)、VoutRF3(D)、VoutRF4(D)、Vout1(D)、Vout2(D)、Vout3(D)、Vout4(D) デジタル出力信号
100、101、105、106、107、108 光半導体装置
110、120、130、140、400、600 電流電圧変換アンプ
111、121、131、141、401、402、601 受光素子
112、122、132、142、156、403、602 増幅部
113、123、133、143、404、603、604 変換抵抗
150 加算アンプ
151、152、153、154、510 入力抵抗
155、511、512 ゲイン抵抗
160、161、162、163、164、180、191、192 デジタル化部
201、301 比較部
202、302、501 閾値設定部
210、220、230、240 出力部
211、213、221、223、231、233、241、243 PチャネルMOS
212、214、222、224、232、234、242、244 NチャネルMOS
310、320 電圧供給部
311、321、331 抵抗
312、322、332、333 定電流源
334、405、504、513、605 スイッチ
500 受光切替制御部
502、503 定電圧源
700 ゲイン切替制御部
801、802 周波数選択部
850、851 記録時ヒステリシス波形
852 再生時ヒステリシス波形
40 光ピックアップ装置
41 赤外レーザ
42 赤色レーザ
43 3ビームグレーティング
44a、44b ビームスプリッタ
45 コリメータレンズ
46 ミラー
47a、47b 対物レンズ
48 光ディスク(CD、DVD)
49 受光用IC
10a〜10f 電流電圧変換アンプ
11 加算アンプ
12a、12b アンプ
A1〜A4、a1〜a4、E、F 受光素子
FE1〜FE4 フォーカスエラー信号
TE1、TE2 トラッキングエラー信号
RF RF信号
901 光半導体装置
902 信号処理回路
903 FPC
904 FPCの配線間寄生容量
905 外来電磁ノイズ
910 FPCの周波数特性波形
911 FPCのピーキング波形
Claims (16)
- ケーブルを介して信号処理回路に信号を出力する光半導体装置であって、
受光した光を光電流に変換する受光素子と、
前記受光素子の光電流を電圧に変換する増幅回路と、
2以上の前記増幅回路が変換した電圧のうち、2以上の電圧を加算し、加算した電圧を出力する加算回路と、
前記増幅回路が変換した電圧及び前記加算回路が出力した電圧のうち、1以上の電圧をデジタル信号に変換し、当該デジタル信号を、前記ケーブルを介して前記信号処理回路に出力するデジタル変換回路とを備える
ことを特徴とする光半導体装置。 - 前記デジタル変換回路は、
前記増幅回路が変換した電圧及び前記加算回路が出力する電圧のうち、1つ以上の電圧と、閾値電圧とを比較することでデジタル化を行う第1の比較回路と、
前記第1の比較回路によってデジタル化された信号を、前記ケーブルを介して前記信号処理回路に出力する第1の出力回路とを備える
ことを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置。 - 前記光半導体装置は、さらに、
前記増幅回路、又は前記加算回路と前記デジタル変換回路との間にアナログ出力端子を備え、
前記増幅回路、又は前記加算回路は、出力電圧を前記アナログ出力端子及び前記ケーブルを介して前記信号処理回路に出力する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の光半導体装置。 - 前記第1の出力回路は、前記増幅回路及び前記加算回路の電源電圧の電位とは異なる電位の電圧が供給され、前記デジタル化された信号のハイ論理として当該電圧を出力する
ことを特徴とする請求項2に記載の光半導体装置。 - 前記デジタル変換回路は、さらに、
第1の電圧を出力する第1の電圧供給回路を備え、
前記第1の出力回路は、前記第1の電圧供給回路から第1の電圧が供給され、前記デジタル化された信号のハイ論理として前記第1の電圧を出力する
ことを特徴とする請求項4に記載の光半導体装置。 - 前記デジタル変換回路は、さらに、
第2の電圧を出力する第2の電圧供給回路と、
前記第1の比較回路によりデジタル化された信号を、前記ケーブルを介して前記信号処理回路に出力する第2の出力回路とを備え、
前記第2の電圧供給回路から第2の電圧が供給され、前記デジタル化された信号のハイ論理として前記第2の電圧を出力する
ことを特徴とする請求項5に記載の光半導体装置。 - 前記増幅回路は、
前記受光素子に反転入力端子が接続され、非反転入力端子に基準電圧が入力される差動増幅器と、
前記差動増幅器の出力端子と、反転入力端子との間に接続される抵抗とを備え、
前記デジタル変換回路は、さらに、
前記基準電圧と、第2の閾値電圧との大小を判定する第2の比較回路と、
前記第2の比較回路により、前記第2の閾値電圧より前記基準電圧が大きいと判定された場合に、第1の電圧を出力し、前記第2の閾値電圧より前記基準電圧が小さいと判定された場合に、前記第1の電圧より小さい第2の電圧を出力する電圧供給回路とを備え、
前記第1の出力回路は、前記電圧供給回路が出力する前記第1の電圧または前記第2の電圧が供給され、前記デジタル化された信号のハイ論理として前記第1の電圧又は前記第2の電圧を出力する
ことを特徴とする請求項4に記載の光半導体装置。 - 前記増幅回路は、第1の受光素子及び第2の受光素子の光電流を選択的に電圧に変換し、
前記デジタル変換回路は、さらに、
前記増幅回路が前記第1の受光素子の光電流を電圧に変換している場合は、第1の電圧を前記閾値電圧として前記第1の比較回路に供給し、前記増幅回路が前記第2の受光素子の光電流を電圧に変換している場合は、第2の電圧を前記閾値電圧として前記第1の比較回路に供給する閾値電圧供給回路を備える
ことを特徴とする請求項2に記載の光半導体装置。 - 前記増幅回路は、可変な電流電圧変換のゲインを有する増幅器であり、
前記デジタル変換回路は、さらに、
前記ゲインに応じて、異なる電圧の前記閾値電圧を前記第1の比較回路に供給する閾値電圧供給回路を備える
ことを特徴とする請求項2に記載の光半導体装置。 - 前記光半導体装置は、さらに、
前記増幅回路が変換した電圧及び前記加算回路が出力する電圧のうち、1つ以上の電圧から第1の周波数成分の信号を抽出する第1の周波数選択回路を備え、
前記デジタル変換回路は、前記第1の周波数選択回路により抽出された信号を、デジタル信号に変換し、当該デジタル信号を、前記ケーブルを介して前記信号処理回路に出力する
ことを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置。 - 前記光半導体装置は、さらに、
前記増幅回路が変換した電圧及び前記加算回路が出力する電圧のうち、1つ以上の電圧から第2の周波数成分の信号を抽出する第2周波数選択回路を備え、
前記デジタル変換回路は、
前記第1周波数選択回路が抽出した信号を、デジタル信号に変換し、当該デジタル信号を、前記ケーブルを介して前記信号処理回路に出力する第1のデジタル変換回路と、
前記第2周波数選択回路が抽出した信号を、デジタル信号に変換し、当該デジタル信号を、前記ケーブルを介して前記信号処理回路に出力する第2のデジタル変換回路とを備える
ことを特徴とする請求項10に記載の光半導体装置。 - 前記増幅回路は、第1のゲインと、前記第1のゲインより大きい第2のゲインとに可変な電流電圧変換のゲインを有する増幅器であり、
前記第1の比較回路は、入出力特性にヒステリシスを有し、
前記デジタル変換回路は、さらに、
前記ゲインが前記第1のゲインの場合に、前記第1の比較回路のヒステリシスの幅を第1のヒステリシス幅にし、前記ゲインが前記第2のゲインの場合に、前記第1の比較回路のヒステリシスの幅を前記第1のヒステリシス幅より大きい第2のヒステリシス幅にするヒステリシス幅制御回路を備える
ことを特徴とする請求項2に記載の光半導体装置。 - 前記第1の出力回路は、CMOSで構成される
ことを特徴とする請求項2に記載の光半導体装置。 - 前記第1の出力回路は、CMOSインバータを含む
ことを特徴とする請求項13に記載の光半導体装置。 - 請求項1〜14のいずれか1項に記載の光半導体装置を備える
ことを特徴とする光ピックアップ装置。 - 受光した光を光電流に変換する受光素子と、前記受光素子の光電流を電圧に変換する増幅回路と、2以上の前記増幅回路が変換した電圧のうち、2以上の電圧を加算し、加算した電圧を出力する加算回路とを備える光半導体装置の制御方法であって、
前記増幅回路が変換した電圧及び前記加算回路が出力した電圧のうち、1以上の電圧をデジタル信号に変換し、当該デジタル信号を、ケーブルを介して信号処理回路に出力する
ことを特徴とする光半導体装置の制御方法。
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