JP2008072091A - 少なくとも1つのゲッターを備えた密閉超小型部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】密閉超小型部品は、基板2によって支持されたパッシブ部分1と、パッシブ部分を覆いパッシブ部分が収容される空洞4を画定するカバー3を有する。カバー3は基板2と接触していて、少なくとも1つの孔5を備えている。この孔5は空洞4の内側に露出されるゲッター材料からなる部分を有するプラグ6によってふさがれている。
【選択図】図1B
Description
超小型部品のパッシブ部分を支持する基板を犠牲材料で覆う段階。この犠牲材料は、超小型部品カバーの型材として働く。
空洞を画定するカバーを形成するように、密閉材料を犠牲材料上に堆積させる段階。
密閉材料中に1つまたは複数の孔を開ける段階。
孔を通して犠牲材料を除去する段階。
ゲッター材料を、それが空洞内側に露出されて孔を全体的または部分的にふさぐように、カバー上に堆積させる段階。
S=(P×V)/(a×C)
ただし、aはゲッター材料の活性化レベル、Cはゲッター材料のポンプ容量で単位がPa/cm3/cm-2である。チタンの理論上のポンプ容量は非常に高く、5.2×104Pa/cm3/mg-1であり、これは1マイクロメートルの厚さでは2.7×104Pa/cm3/mg-1になる。
S=[6.7×10-1×(200×10-4)2×4×10-4]/0.5×133.3
S=1.6×10-7cm2
2 基板
3 カバー
3.1 中央部分
3.2 周辺部分
4 空洞
4.1 上部壁
4.2 側壁
40.1 活性空洞
40.2 ポンプチャネル
5 孔
6 プラグ
6.1 ゲッター材料部分
6.2 再結晶部分、結晶化構造領域
7 封止部分
7.1 第1の封止層
7.2 第2の封止層
9.1 電極
9.2 電極
9.3 誘電体材料
10 犠牲材料
10.1 犠牲材料層
10.2 犠牲材料層
Claims (23)
- プラグ(6)が設けられた少なくとも1つの孔(5)を備え封止空洞(4)を画定するカバーを有する密閉超小型部品であって、前記プラグが、前記空洞の内側に露出されるゲッター材料から成る部分(6.1)を含むことを特徴とする、密閉超小型部品。
- 前記プラグ(6)がまた、前記ゲッター材料部分(6.1)の上に載せられる少なくとも1つの封止部分(7)も含むことを特徴とする、請求項1に記載の超小型部品。
- 前記ゲッター材料部分(6.1)のゲッター材料がコラム構造を有することを特徴とする、請求項1に記載の超小型部品。
- 前記ゲッター材料部分(6.1)の材料が、第2の結晶化構造領域(6.2)によって拡張された第1のコラム構造領域を、前記結晶化構造領域よりも前記カバーから遠くに有することを特徴とする、請求項1に記載の超小型部品。
- 前記ゲッター材料が、チタン、バナジウム、ジルコニウム、バリウム、またはそれらの混合物から選択されることを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の超小型部品。
- 前記封止部分(7)が、金、白金、クロム、アルミニウム、またはそれらの混合物から選択された金属材料、あるいは窒化シリコンまたは酸化シリコンから選択された誘電体材料からなることを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載の超小型部品。
- 前記カバー(3)が基板(2)と接触し、前記プラグ(6)が、そのゲッター材料部分(6.1)の基準面で前記基板(2)と接触することを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記載の超小型部品。
- 前記カバー(3)が、アクティブ空洞(40.1)を画定する部分と、前記アクティブ空洞よりも薄い厚さのポンプチャネル(40.2)を画定する部分とを含むことを特徴とし、前記アクティブ空洞が前記ポンプチャネルと連通し、前記孔(5)が、前記ポンプチャネルおよび/またはパッシブ部分に通じている、請求項1から7のいずれか一項に記載の超小型部品。
- 前記カバー(3)が、前記プラグ(6)の位置する上部壁(4.1)を含むことを特徴とする、請求項1から8のいずれか一項に記載の超小型部品。
- 前記空洞(4)内に収容され、かつ前記カバー(3)が接触する基板(2)によって支持されたパッシブ部分(1)を含むことを特徴とし、前記ゲッター材料部分(6.1)が、前記パッシブ部分(1)内に設けられた穴(8)を貫通する、請求項1から9のいずれか一項に記載の超小型部品。
- 前記カバー(3)が前記基板(2)と接触し、前記ゲッター材料の活性化用素子内の電極対(9.1、9.2)の一方の電極(9.1)が、前記プラグ(6)の前記ゲッター材料部分(6.1)と前記基板(2)の間に挿入されていることを特徴とする、請求項1から10のいずれか一項に記載の超小型部品。
- 前記ゲッター材料の前記活性化用素子の前記電極対の他方の電極(9.2)が前記カバー(3)によって支持され、この他方の電極(9.2)が前記空洞の内側または前記空洞(4)の外側のどちらかで伸長し、孔(5)の近くでゲッター材料と接触していることを特徴とする、請求項11に記載の超小型部品。
- 前記ゲッター材料の前記活性化用素子の前記電極対の前記他方の電極(9.2)が、封止部分として働くことを特徴とする、請求項12に記載の超小型部品。
- 密閉超小型部品を製造する方法であって、
前記超小型部品のパッシブ部分(1)を支持する基板(2)を、前記超小型部品カバーの型材として働く犠牲材料(10)で覆う段階と、
空洞(4)を画定するカバー(3)を形成するために、密閉材料を前記犠牲材料上に堆積させる段階と、
前記密閉材料中に1つまたは複数の孔(5)を開ける段階と、
前記孔(5)を通して前記犠牲材料を除去する段階と、
ゲッター材料が前記空洞内側に露出されて孔(5)を全体的または部分的にふさぐように、前記ゲッター材料を前記カバー(3)上に堆積させる段階とを含むことを特徴とする、方法。 - 前記ゲッター材料のコラム堆積構造を得るために、前記ゲッター材料が真空蒸着によって、少なくともその開始時に、ケルビン度で表される温度が前記ゲッター材料の融解温度の約0.2〜0.5倍である表面に堆積されることを特徴とする、請求項14に記載の密閉超小型部品を製造する方法。
- 前記ゲッター材料の結晶化堆積構造を得るために、前記ゲッター材料がその後、同一の圧力のもとであるが、温度が前記ゲッター材料の融解温度の約0.5倍よりも高い表面に堆積されることを特徴とする、請求項15に記載の密閉超小型部品を製造する方法。
- 第1の封止層(7.1)を堆積させる段階と、任意選択で第2の封止層(7.2)を前記第1の封止層上に堆積させる段階とを含むことを特徴とし、前記第1および第2の封止層が前記ゲッター材料上に載せられる、請求項14から16のいずれか一項に記載の密閉超小型部品を製造する方法。
- 前記第1の封止層(7.1)が、前記ゲッター材料の堆積とほぼ同じ圧力で堆積されることを特徴とする、請求項17に記載の密閉超小型部品を製造する方法。
- 各孔の基準面にプラグ(6)のみを残しておくように、前記ゲッター材料ならびに、存在すれば、第1の封止層(7.1)をエッチングする段階を含むことを特徴とする、請求項14から18のいずれか一項に記載の密閉超小型部品を製造する方法。
- 前記プラグ(6)を完全なものにするために、前記第2の封止層(7.2)をエッチングする段階を含むことを特徴とする、請求項19に記載の密閉超小型部品を製造する方法。
- 前記ゲッター材料の活性化用素子の、各孔に対する電極(9.1)を前記基板(2)上に堆積させる段階を含むことを特徴とし、前記電極が、前記孔(5)の反対側に位置して前記ゲッター材料と電気的に接触することを意図した端部を有する、請求項14から20のいずれか一項に記載の密閉超小型部品を製造する方法。
- 前記ゲッター材料の前記活性化用素子の別の電極(9.2)を前記犠牲材料(10)の上、または前記密閉材料の上のどちらかに堆積させる段階を含むことを特徴とし、前記別電極が、前記孔の近くで前記ゲッター材料と接触しなければならない、請求項21に記載の密閉超小型部品を製造する方法。
- 前記犠牲材料を除去する前記段階の後で、かつ前記ゲッター材料を堆積させる前記段階の前にガス抜き段階を含むことを特徴とする、請求項14から22のいずれか一項に記載の密閉超小型部品を製造する方法。
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