JP2006513046A - ゲッター物質のデポジットと組み込まれたヒーターを有するマイクロ機械デバイス又はマイクロオプトエレクトロニック・デバイス、及びその製造のためのサポート - Google Patents

Abstract

マイクロ機械デバイス（１０；２０）又はマイクロオプトエレクトロニック・デバイス（３０）であって、前記デバイスの動作に有害である気体を吸着するためのゲッター物質のデポジット（１７；２５；３５）と、該デバイスの寿命の間に必要なときいつでも外部から該ゲッター物質を加熱するための組み込まれたシステム（１８，１８’；１９，１９’）を含むマイクロ機械デバイス（１０；２０）又はマイクロオプトエレクトロニック・デバイス（３０）が記載される。これらのデバイスを製造するためのサポートのいろいろな実施の形態も記載される。

Description

本発明は、デバイスの動作に有害な気体を吸着するためのゲッター物質のデポジットを含み、デバイス自身の寿命の間にこのゲッター物質を活性化又は再活性化させるためのヒーターを組み込んだマイクロ機械デバイス又はマイクロオプトエレクトロニック・デバイスに関する；本発明は、また、これらのデバイスの製造に特に適するサポート（support）に関する。

マイクロ機械デバイス（その分野では、“マイクロマシン”又はMMsという呼び方でよく知られている）は、小型センサ又はアクチュエータなどの応用のために開発されている：MMsの典型的な例としては、自動車のエアーバッグを作動させるセンサとして用いられるマイクロ加速度計、数ミクロンというサイズの歯車やスプロケット・ホイールを有するマイクロモーター、又は数十ミクロンのサイズのミラー面を二つの異なる位置の間で動かして光線を二つの異なる方向に、その一方が光回路の“オン”状態に、他方が“オフ”状態に対応する二つの方向に向けることができる光スイッチ、などがあげられる。

マイクロオプトエレクトロニック・デバイスは、例えば新世代の赤外線（IR）センサを備え、これは従来のものと異なり動作のために低温工学的な温度を必要としない。これらのIRセンサは真空にしたチャンバに配列された半導体物質、例えばシリコン、のデポジットのアレーで構成される。これらのデバイスは、以下ではすべて小型デバイスという一般的な呼び方で呼ばれる。

小型デバイスは、一般にマイクロエレクトロニック産業で生まれたテクノロジー、平面支持層にいろいろな電気的（磁気的）機能の物質をデポジットする作業とその選択的な除去の作業を交互に行うという技術によって製造される。デバイスは一般に、同じ方法で作られるハウジングに収容される。これらの製造で最もよく用いられるサポートは、厚さが１mm未満で直径が３０cmにまで達するシリコン・ウエハである。これらのウエハのそれぞれに非常に多数のデバイスが製造される；製造工程の最後に、これらのウエハから、機械的切断又はレーザー切断によって、MMsの場合は単一のデバイスが、IRセンサの場合は数十のデバイスのアレーを含むパーツが分離される。

いろいろな層をデポジットするステップは、化学蒸着、一般に“CVD”と呼ばれる、又は物理蒸着（又は“PVD”）などの方法によって行われる。後者はまた、普通に“スパッタリング”と呼ばれる。一般に、選択的な除去は、当業者には周知のように、適当なマスクによる化学的又は物理的なエッチングによって行われる。

一般に、次にMMsは主として機械的な保護のために金属又はセラミックの容器に封入された後に目的とする最終的な装置（コンピューター、自動車、等）に組み込まれる。IRセンサは、一般にチャンバに、“窓”と呼ばれる赤外線に対して透過性の壁に面して、収められる。

小型デバイスの機能は望ましくない気体の存在によって変化することがある。MMsでは、気体分子と可動部分の間の機械的な摩擦が、後者のサイズが非常に小さいためにデバイスの理想的な動作からの感知できるほどのずれを生ずる可能性がある：さらに、水などの極性分子が可動部分とその他の部分、例えばその支持部、との間の付着という現象を生じ、デバイスの故障につながる可能性がある。IRセンサの場合、チャンバに存在する気体が赤外線の一部を吸収したり、対流によって窓からシリコン・デポジットのアレーへ熱を伝達したりして、測定を変化させる可能性がある。したがって、これらの小型デバイスのハウジングがデバイスの全寿命にわたって真空に保たれるようにすることが必要である。

これらのデバイス中の気体の量をできるだけ少なくするために、その製造は通常真空中で、ポンプで排気してからパッケージングするというやり方で行われる。しかし、このやり方では問題は完全には解決されない。デバイスを作っている同じ物質が気体を放出したり、気体が外部から（例えば、溶接部を通って）侵入してくることがあるからである。

固体デバイスに寿命の間に侵入する気体を除去するために、ゲッター物質の利用が提案されている。ゲッター物質とは、ジルコニウム、チタン、バナジウム、ニオブ、又はタンタル、などの金属、又はそれらと他の遷移金属、希土類、又はアルミニウムとの合金、である。これらの金属又は合金は、水素、酸素、水、二酸化炭素、に対し、そしてある程度は下級炭化水素に対して、強い化学親和性を有する；一部のゲッター物質はまた窒素を吸収することができる。MMsにおけるゲッター物質の利用は、例えば、技術雑誌Sensors and Actuators A, vol. 43 (1994), 243-248ページ、のH. Henmi et al.,の論文、“Vacuum packaging for microsensors by glass-silicon anodic bonding”、及び特許US 5,155,778, US 5,952,572, 及びUS 6,469,821に開示されており、IRセンサにおけるゲッター物質の利用は、例えば、特許US 5,921,461及びUS 6,252,229に開示されている。

本出願者の名前による国際特許出願WO 03/009317, WO 03/009318,及び特許出願US 2003/0138656は、小型デバイスを製造するのに用いられるウエハであって；ウエハ上にすでに、多分一時的に保護された状態で、気体を吸着する物質の層があって、製造時に内部雰囲気にさらされるようになっているものを開示している。

公知のように、ゲッター物質が（金属も合金も）動作するには、最初に活性化するための熱処理が必要である。それによって物質の表面から不動態化層（一般に、その金属の酸化物、炭化物又は窒化物から成る）が除去され、新しい“クリーン”な表面が露出し、気体と相互作用することが可能になる。ゲッター物質を含む小型デバイスを製造する公知のプロセスでは、この活性化が封止のための熱処理のさいに行われる。その熱処理では、二つのパーツ（一般にシリコンから成る）が、直接のシリコン-シリコン溶接の場合は約1000 ℃で、又は二つのパーツの間に適当な物質、例えば約370 ℃で溶融する共融Au-Si合金、が介在する場合はもっと低い温度で、加熱することによって溶接される。

しかし、このプロセスで小型デバイスを形成する物質がゲッターによって吸着された気体を放出することがある。その結果、高温処理の間ゲッターはずっと絶えず気体にさらされるので、ゲッターの活性化は効果的に行われず、プロセスの最後にその表面が金属だけで構成されずに依然として酸化物、炭化物、又は窒化物によって覆われており、熱処理の間にゲッターの環境に含まれる気体の量が多いほど、密に覆われる。最悪の場合（高い気体負荷）、デバイスが封止されたときにゲッターは実際に葉ほとんど不活性になる。前記の特許出願US 2003/0138656は、ゲッター層が一時的に非常に薄い不活性物質の層、例えば金、で保護され、高温での溶接のステップでそれがゲッターに拡散してゲッターの新しい表面を露出させるウエハを記載している；しかし、この場合、その時間フレームや拡散の程度、は何もコントロールされず、それが早く起こってしまったり（したがって、実際にはプロセスの最後に使用済みのゲッターになるという問題は回避されない）、又はそれが非常に限定されたものにとどまり、最後に限定された量の自由なゲッターしか得られず、気体吸着活性が低くなることがある。

したがって、小型デバイスの動作段階で、ゲッターに再活性化処理を行う、又は約300 ℃の温度に保つという可能性を持たせることが必要である。しかし、このためにはデバイス全体を加熱する必要があるが、それは一般に実際的でなく、場合によってはゲッター活性化温度ではデバイスが損傷する危険があるので実行不可能である。

この問題を解決するために、特許出願US 2002/0149096は真空の下で動作する小型デバイスを製造する方法であって、デバイスの寿命の間に随時ゲッターを加熱できるものを提案している。この出願の教示によれば、活性（機械的又はオプトエレクトロニック）構造が設けられた基板上に、ゲッター物質のデポジットも形成され、基板に集積されたトランジスターによって必要なときにそれを活性化することができる。

この方法は、溶接ステップにおける受動的な活性化、及びデバイス全体を加熱する能動的な活性化、の欠点を解決するものであるが、デバイスの構造がかなり複雑になる。実際、活性化トランジスター（又は他の同様な半導体デバイス）が基板に最初に、たぶんいろいろな層の重畳として形成され、それが誘電体の層で覆われるが、これも多分いろいろな層の重畳として形成され、下にあるトランジスターと結合するための開口をそこに形成しなければならない。誘電体物質の上に導電物質の層が作られ、それが前記開口を通してトランジスターに結合され、さらに上にあるゲッター物質の層に直接に、又はヒーターとして働く電気抵抗性物質の別の層を通して、電流を流す。

このような構造は製造の時間やコストが高くなると共に、ゲッター活性化ステップのさいに動作に不具合が生ずる可能性があることは明らかである。誘電体層は実際、約400 ℃の温度で性能が低下するトランジスターやその他の半導体を保護するために必要である。さらに、予め定められた閾値を超えたときにゲッター加熱システムを不活性化する信号を送ることができる温度センサの存在が仮定されている。これは明らかに、デバイスのコストと複雑さをさらに高める。

工程に関しては、トランジスターとゲッター物質の両方に同じ製造工具を用いることがゲッター膜に存在するジルコニウムやその他の重金属による汚染を生じ、その結果、いろいろなトランジスターの他の半導体層の導電性が変化する可能性がある。

最後に、このような構造を作るためには、上記の国際出願に係わるゲッター物質が予め被膜されたウエハを用いることは、ゲッター物質を被膜させるためには特定の製造ステップが常に必要であり、それを用いることは不可能であることを考えなければならない。

本発明の目的は、従来のデバイスの上記の欠点を解決して、デバイスの寿命の間いつでもゲッター物質だけを加熱することが可能な単純な構造を有するマイクロ機械的又はマイクロオプトエレクトロニック・デバイスを提供することである。

この目的は、ゲッター物質のデポジットとゲッター物質を加熱するための組み込まれた部材を含むデバイスによって達成され、この部材はデバイス構造の全体にわたりゲッター物質に直接又はヒーターを通して結合された電気接点の形をしており、多分誘電体の層が設けられる。他の優れた特徴は、従属請求項に示されている。

本発明によるデバイスの基本的な利点は、実際、半完成エレメントから有利に作ることができ経済的に製造される単純な構造を維持しながら、デバイスの寿命の間いつでもゲッターを活性化できるということ、にある。

本発明によるデバイスのこのような利点及びその他の利点は、いくつかの実施の形態についての添付図面を参照した詳しい説明によって当業者には明らかになるであろう。

まず図１と１aを参照すると、同図にはゲッター物質とゲッター物質のための組み込まれたヒーター部材を含むMMが示されている。MM １０は、空所１２が形成された第一の部分１１（キャップ）と第二の部分１３（ベース）を含み、それらは周縁１４に沿って互いに溶接されて内部スペース１５を画定している。このスペースに、図では部材１６として概略で示されたMMの可動部分が収められている；分かりやすくするために、可動部分に給電するための、又はMMがセンサ（例えば、加速度計）である場合に部材１６によって検出される信号を外部に送るための電気接点は図示されていない。スペース１５にはゲッター物質のデポジット１７もあって、そこから気体分子が出てMMの正しい動作を妨げる。

図１aに示されているように、デポジット１７の二つの対向する端に、二つの電気接点１８，１８’がベース１３に形成された貫通孔１９，１９’によって結合されている。孔１９，１９’とデポジット１７は構造の気密性を確保するように構成しなければならない。このために、孔１９，１９’を金属で充填しベース１３の外側表面に出た金属をケーブルなどとの電気結合を行うために（その端を、例えば金属中に埋め込んでもよい）利用することもできる、又はエレクトロニクスの分野での通常のやり方に従って前記ベース１３の外側表面に形成された導電“路”との電気結合を行うために利用してもよい。

図２は、本発明によるMMの別の実施の形態を示す断面図である。この場合、MM２０は、周縁で溶接されたベース２１とキャップ２２で構成され、それがスペース２３を画定している：スペース２３では、ベース２１の内側の面にMMの可動部分２４が形成されている（この場合も、この部分を外部と結合する電気接点は図示されない）。

図１に示されているデバイスと異なり、この場合、ゲッター物質のデポジット５はキャップ２２の内側表面に形成される。デポジット２５は、電流でそれを加熱するためにキャップ２２に形成された二つの孔２６、２６’を通して電気接点２７、２７’に結合されている。この場合も、孔２６、２６’を金属で充填してスペース２３の気密性を確保することができる。２０のタイプの構造は、他の構造がない表面にデポジット２５を形成するとすべての製造ステップが容易になり、またデポジット２５のために利用できる表面が増加し、気体除去の効率も高まるので好ましい。

図３は、マイクロオプトエレクトロニック・デバイスの場合における、例示された場合にはIRマイクロセンサにおける、本発明の利用を概略図で示している。マイクロセンサ３０はベース３１とキャップ３２で構成され、それによって真空に保たれるべき内部スペース３３が画定され、このスペースから微量の気体をゲッター物質によって除去しなければならない。キャップ３２はIR線に透過性であり、それが波状の矢印で記号的に表されている。ベース３１の内側部分に、IR線に応答する部材３４，３４’が形成され、この場合もこれらの部材を外部に結合するのに用いられる回路は図示されない。ベース３１の内側表面でセンサ部材が含まれない部分に、ゲッター物質のデポジット３５が形成されており、この場合もベース３１に形成された孔によって電気接点３６，３６’に結合されている（図面を分かりやすくするために孔を図示していない）。

マイクロオプトエレクトロニック・デバイスの場合、キャップ３２のIR線に対する透過性という特徴に影響を及ぼさないようにするために図２の形態を採用することは不可能である。いずれにしてもゲッター物質をキャップ３２の周縁フレームに沿って、又はベース３１の垂直な壁に沿って配置してベース３１の水平な面全体をセンサ部材３４，３４’・・のために利用できるように残すことは可能である。

上で説明したすべてのデバイスにおいて、ゲッター物質のデポジットの特性が、電流によって効果的に加熱できないようなものである場合、図４に示されているような本発明の変形を採用することができる。同図はこの変形例の要部だけを断面図で示している。

この場合、ゲッター物質のデポジット４０はベース４１（これはエレメント１１，１３，２１，２２，３１、又は３２のいずれであってもよい）上に直接形成されず、電流によって加熱するのに適当な電気的性質を有する付加的な層４２に形成される。層４２は接点４３，４３’に結合され、それはさらに貫通孔４４，４４’によって図１に関連して説明したような外部電気結合と接触している。

図示されない別の変形例では、用いるゲッター物質が化学的及び／又は物理的な理由によって加熱層４２と直接に接触できない場合、電気的に絶縁性の、しかし熱的には伝導性の別の層（例えば二酸化ケイ素の層）をゲッター物質と加熱層４２の間に介在させることができる。

本発明において使用できるゲッター物質はきわめて多様であり、Zr, Ti, Nb, Ta, Vなどの金属、これらの金属の間の合金、これらの金属とCr, Mn, Fe, Co, Ni, Al, Y, La 及び希土類、から選ばれた一つ以上の元素との合金、を含む。例としては、次のものがあげられる、二元合金Ti-V, Zr-V, Zr-Fe, 及びZr-Ni、三元合金Zr-Mn-Fe, Zr-V-Fe, 又はZr-Co-A（ここでAは混合希土金属、イットリウム、ランタン、及び希土類の商業的混合物を表す）、又は前述の金属と合金の混合物；これらの混合物はその機械的特性が、特に粒子の減少（loss of particles）に関して優れているので好ましい。

ゲッター物質のデポジットはいろいろな方法で得られる、例えば、冷間圧延、これはデポジットを形成するサポートがあまり弱くない場合に可能である；電気泳動法、これはサポートが電気胴体である場合に可能であり、適当な絶縁物質でマスキングしてデポジットを局限し、デポジット形成後にそれを除去するもの；スクリーン印刷法、これは機械的マスキングによってデポジットを局限する；又はスパッタリング法、この場合もデポジット形成後に除去される化学的マスキングによってデポジットを所望する領域に局限する、などの方法である。横方向サイズが数ミリメートルの小型デバイスの場合、上記のすべての方法を用いることができる。横方向サイズが１ミリメートル以下のデバイスの場合、好ましい方法はスパッタリングである。

本発明の目的には、ゲッターのデポジットは約200 ℃から400 ℃までの温度、好ましくは約250 ℃から350 ℃までの温度、に電流によって加熱できなければならない。コンパクトなデポジット、例えばスパッタリングによって得られるデポジットの場合、電流によって所望の温度に直接加熱できる。

これに反し、多孔質のデポジット、例えば電気泳動法やスクリーン印刷法によって得られるデポジットは電流によって直接加熱することが困難なことがあり、この場合、図４に示されるように適当な特性の付加的な層４２にデポジットされたゲッター物質を利用することが好ましい。この場合、付加的な層４２は、アルミニウムなどの金属、又は多結晶シリコンなどの半導体物質、で作ることができる。金属デポジットは、スクリーン印刷、蒸着、電解法、又はスパッタリングなど、金属成膜の分野で広く知られているほうほうによって適当なマスキングを用いて作ることができる。

小型デバイスによるが、ゲッター物質のデポジットが形成される部材は、金属、セラミック、半導体、ガラス、などいろいろな物質で作ることができる。好ましい物質はシリコンである。シリコンは、マイクロ機械デバイスやマイクロオプトエレクトロニック・デバイスにおいて普通の方法、現在ではマイクロエレクトロニクス分野で十分に確立された方法、すなわち、サポート上に薄い層を形成し、それを部分的、局所的に除去してきわめて小さなサイズの構造を精密にかつ高い再現性で作成するという方法を適用できるからである。

シリコンを用いる場合、供給する電流をゲッター物質デポジット又は層４２に導く貫通孔（１９、１９’；２６，２６’’；４４，４４’）もマイクロエレクトロニクス分野で典型的となっている方法、すなわち、一般にフッ素イオンを含む溶液を用いる非等方エッチングによって作られる。これらの溶液にシリコンが溶解するスピードは、この元素の単結晶のいろいろな格子方向によって大きく異なり、したがってエッチングはほとんど専ら最大溶解スピードの方向に進行する。この特性を利用して、シリコンの薄板を結晶軸に対して適当な方向の面で切り出し、この薄板のエッチングを回避したい領域に保護物質によるマスキングを施して、予め選んだ領域でだけ有向エッチングを行うことによって、精密なサイズと方向の孔を作ることができる。

本発明はその第二の様態で、マイクロ機械デバイス又はマイクロオプトエレクトロニック・デバイスをゲッター物質のデポジットとそれを加熱する部材を組み込む形で製造するためのサポートに関する。

本発明によるサポートは、金属、セラミック、ガラス、で、又は半導体で作られる：後者の選択が重要なので、以下では半導体サポートを参照する。このサポートは、好ましくは国際特許出願WO 03/009317及びWO 03/009318に記載されていると同様なシリコン・ウエハであるが、その上にはすでに、ゲッター物質のデポジットに対応して、貫通孔と電気接点、及び多分、電流で加熱可能な物質の層がゲッター物質と接触して設けられている。上記の特許出願に記載されているように、ゲッター物質のデポジットは一時的に保護されており、小型デバイスを製造するときに露出されるようにすることができる。

図５は、本発明による一つの可能なサポートの一部分を断面図で示す（いろいろな部分、特に厚さ、の寸法の比は正確な縮尺ではない）。サポート５０ハ、例えばシリコンの、ベース５１から成り、その上にゲッター物質の連続な層１２がデポジットされる。ベース５１の面５３に、いくつかの孔５４，５４’が対で形成され、それによって電気結線が層５２と接触できる。この場合、層５２は連続なので、このサポートは前に図２を参照して説明した形態で、すなわち、ゲッター物質が可動部分２４の反対側のMM部分に存在している形態で用いることができる。面５３に示されている破線に沿ってこれを切断してサポート５０からいくつかのMMsを形成できる。

可能な第二のサポートが図６に示されている。この場合、サポート６０は異なる物質のいくつかの層から成り、それは順番にいうと、例えばシリコンの、ベース６１；電流で用意に加熱可能な物質（例えばアルミニウム）の層６２；ゲッター物質の層６３；及び、大気中の気体から層６３を一時的に防護するための、例えば酸化ケイ素の、層６４；である。ベース６１には一対の孔６５，６５’が形成され、これによって層６２に加熱のための電流供給が可能になる。破線は、サポート６０を切断して複数のMMsにするための線である；製造時に、層６４も全部又は一部が除去され、ゲッター物質がMMの内部雰囲気にさらされるようになる。

本発明のサポートの他の変形例では、層６２と６４は一緒に存在できない、例えば、ゲッター物質の層がすでに電流による加熱に適した特性を有する場合、層６２の存在を回避できる、又はサポートが層６２を有するが保護層６４はないということも可能である。

最後に、本発明によるサポートの最後の実施の形態が図７に断面図で示されている。この場合、サポート７０は、ベース７１を含み、そこにいくつかのゲッター物質の局所的なデポジット７２，７２’，７２”・・・が存在する；ベース７１に形成された一対の孔７３，７３’はこれらのデポジットのそれぞれと結びついており、そのデポジットを外部に電気的に結合する。ベース７１の領域７４，７４’，７４”・・・は、小型デバイスの活性構造の構成のために自由に残され、破線はやはりサポート７０を切断していくつかの小型デバイスを製造するための切断線である。

また、この場合、図６を参照して説明した手段を採用することができる。すなわち、ベース７１とデポジット７２，７２’，７２”・・・の間に抵抗の層を用いて、これらのデポジットの加熱を促進したり；その上に層を用いて大気からデポジットを一時的に保護したりすることができる。７０のタイプのサポートはMMsを製造するのに用いることができるが、マイクロオプトエレクトロニック・デバイスの場合に特に好ましい、この場合、上述のように活性構造が作られた部分に対向するハウジング部分は放射に対して透過性でなければならず、ゲッター物質のデポジットを自身の全面にわたって作る事はできない。

上で説明し図示した本発明によるデバイスの実施形態は、単なる例であって、いろいろな変更が可能である。特に、可動部材やセンサ部材、及びゲッター物質デポジットの精密な形や配置はニーズに応じて自由に変えることができ、用いる材料及びハウジングの空所の形も自由に変えることができる。ハウジングの空所はベースに形成しても、キャップに形成しても、その両方の部分に形成してもよい。

ゲッターのデポジットを電流を流して直接加熱する場合に（すなわち、４２の種類の付加的な層が存在しない場合に）本発明によって得られるもう一つの利点は、同じ電気接点（例えば、１８，１８’又は２７，２７’）によってゲッター物質の残留気体吸着能力をモニターすることが可能であるということである。ゲッター物質の電気抵抗はこの物質の表面に形成される酸化物、窒化物、又は炭化物の分子種の量と共に増加するということが知られている；したがって、プローブとして同じ接点を用いてゲッター・デポジットの電気抵抗の値を時々チェックして、この値をゲッターの消尽を示す予め設定された値と比較することによって、ゲッター・デポジットの再活性化がいつ必要であるかを知り、必要なときにだけデポジットを再活性化するということが可能になる。

本発明の範囲から逸脱することなく、本発明の目的であるデバイスに対して追加及び/又は変更が可能である。

図１は、本発明に係わる小型デバイスの第一の実施形態を示し、MMの場合を表す断面図である。 図１aは、図１のデバイスで、ゲッター物質が存在する領域を示す拡大図である。 図２は、本発明に係わるMMの第二の実施形態を示す断面図である。 図３は、本発明に係わる小型デバイスの第三の実施形態を示し、小型IRセンサの場合を表す断面図である。 図４は、本発明の上記実施形態に適用される変形を示す断面図である。 図５は、本発明に係わる小型デバイスの製造のためのサポートのいくつかの実施形態を示す断面図である。 図６は、本発明に係わる小型デバイスの製造のためのサポートのいくつかの実施形態を示す断面図である。 図７は、本発明に係わる小型デバイスの製造のためのサポートのいくつかの実施形態を示す断面図である。

Claims (16)

1. ゲッター物質のデポジット（１７；２５；３５）と該ゲッター物質を加熱するための組み込まれた部材を含み、前記部材は前記デポジット（１７；２５；３５）及び該デバイスの外部と結合されているマイクロ機械デバイス（１０；２０）又はマイクロオプトエレクトロニック・デバイス（３０）であって、前記組み込まれた部材が該ゲッター物質のデポジット（１７；２５；３５）の対向する二つの端に結合された二つの電気接点から成り、該デバイス・ボディーに形成された貫通孔によって電気的に該デバイスの外部に結合され、前記電気接点、貫通孔、及びゲッター物質デポジットで形成されるアセンブリが気密であることを特徴とするデバイス。
2. 前記貫通孔が金属で充填されていることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
3. 該ゲッター物質を加熱するための前記組み込まれた部材が、また、電流によって加熱可能な物質の付加的な層（４２）を含み、前記付加的な層（４２）は該電気接点と該ゲッター物質の間に介在することを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
4. 前記付加的な層（４２）は金属又は半導体物質で作られていることを特徴とする請求項３に記載のデバイス。
5. 前記付加的な層（４２）はアルミニウム又は多結晶シリコンで作られていることを特徴とする請求項４に記載のデバイス。
6. 該ゲッター物質を加熱するための前記組み込まれた部材が、また、該付加的な層（４２）と該ゲッター物質デポジットの間に介在する電気的に絶縁性であるが熱的に導体である物質の層を含むことを特徴とする請求項３に記載のデバイス。
7. 前記絶縁層が二酸化シリコンから作られることを特徴とする請求項６に記載のデバイス。
8. 前記ゲッター物質のデポジットが、ジルコニウム、チタン、ニオブ、タンタル、バナジウム、から選択される一つ以上の金属、これらの金属の間の合金、又はこれらの金属とクロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、アルミニウム、イットリウム、ランタン、及び希土類から選択される一つ以上の元素との間の合金、によって形成されることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
9. 前記ゲッター物質が二元合金Ti-V, Zr-V, Zr-Fe, 及びZr-Ni、三元合金Zr-Mn-Fe, Zr-V-Fe, 又はZr-Co-A（ここでAは、イットリウム、ランタン、及び希土類の混合物を表す）の間から選ばれる合金であることを特徴とする請求項８に記載のデバイス。
10. 前記ゲッター物質が、ジルコニウム、チタン、ニオブ、タンタル、バナジウム、から選択される金属元素、これらの金属の間の合金、又はこれらの金属とクロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、アルミニウム、イットリウム、ランタン、及び希土類から選択される一つ以上の他の元素との間の合金、の混合物であることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
11. 空所（１２）が形成されたキャップ（１１）と可動部材（１６）が固定されたベース（１３）から成り、該ベース上に該ゲッター物質のデポジット（１７）、貫通孔（１９，１９’）及び電気接点（１８，１８’）も形成されていることを特徴とする請求項１に記載のマイクロ機械デバイス（１０）。
12. 空所が形成されたキャップ（２２）と可動部材（２４）が固定されたベース（２１）から成り、該ゲッター物質のデポジット（２５）、貫通孔（２６，２６’）及び電気接点（２７，２７’）が前記キャップ（２２）上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のマイクロ機械デバイス（２０）。
13. 電磁放射に対して透過性のキャップ（３２）と、空所が形成され、空所に電磁放射に応答する部材（３４，３４’、・・・）及びゲッター物質のデポジット（３５）が配置されたベース（３１）から成り、電気接点（３６，３６’）と貫通孔が前記ベース（３１）に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のマイクロオプトエレクトロニック・デバイス（３０）。
14. 少なくともゲッター物質のデポジット（５２；７２．７２’，７２”）と少なくとも一対の貫通孔（５４，５４’；７３．７３’）があるベース（５１；７１）を含み、この貫通孔は前記ゲッター物質のデポジットの前記ベース（５１；７１）に面する側の異なる二点へのアクセスを与えることを特徴とする請求項１に記載のデバイスを製造するためのサポート（５０；７０）。
15. ベース（６１）、前記ベース（６１）に重なる電流によって加熱可能な物質の層（６２）、前記加熱可能な物質の層（６２）の上にあるゲッター物質のデポジット（６３）、及び前記加熱可能な物質の層（６２）の前記ベース（６１）に面する側の異なる二点へのアクセスを与える少なくとも一対の貫通孔（６５，６５’）を含むことを特徴とする請求項３に記載のデバイスを製造するためのサポート（６０）。
16. さらに、該ゲッター物質のデポジット上に前記ゲッター物質のデポジットの一時的保護のための層（６４）を含むとを特徴とする請求項１４又は１５のいずれかに記載のサポート。

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