JP2010034547A - ゲッタ材料によりマイクロ電子デバイスを封入する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板102上に配置されているマイクロ電子デバイス100を封入する方法であって、a)マイクロ電子デバイス100の少なくとも一部を覆う犠牲材料を形成し、該犠牲材料の一部分の体積が、デバイス100が封入されることになるキャビティ114の少なくとも一部を形成することになる空間を占めるステップと、b)少なくとも1つのゲッタ材料を基礎とする層108を蒸着させて、犠牲材料の一部分の少なくとも一部を覆うステップと、c)少なくともゲッタ材料層108を貫通する少なくとも1つの開口部112を形成して、犠牲材料の一部分への進入路を形成するステップと、d)開口部112を経由して犠牲材料の一部分を除去して、マイクロ電子デバイス100が封入されるキャビティ114を形成するステップと、e)キャビティ114を密閉するステップと、を含む。
【選択図】図1E
Description
a)マイクロ電子デバイスの少なくとも一部または全体を覆う犠牲材料の一部分を形成するステップであって、該犠牲材料の一部分の体積が、デバイスが封入されることになるキャビティの少なくとも一部を形成することになる空間を占める、形成するステップと、
b)少なくとも1つのゲッタ材料を基礎とする層を蒸着させて、犠牲材料の一部分の少なくとも一部または全体を覆うステップと、
c)少なくともゲッタ材料層を貫通する少なくとも1つの開口部を形成して、犠牲材料の一部分への進入路を形成するステップと、
d)例えばエッチングにより、開口部を経由して犠牲材料の一部分を除去して、マイクロ電子デバイスが封入されるキャビティを形成するステップと、
e)例えば少なくとも開口部を遮断する材料の蒸着により、キャビティを密閉するステップと
を含む、基板上に配置されたマイクロ電子デバイスを封入する方法を提案する。
a1)犠牲材料を基礎とする層を基板上に蒸着させて、少なくともマイクロ電子デバイスを覆うステップと、
a2)犠牲層の一部を構成するステップであって、犠牲層の残りの部分が、上記犠牲材料の一部分を形成することができる、構成するステップと
の実施を含んでよい。
−ゲッタ材料層または密封層上に犠牲材料の第2の部分を形成するステップであって、該犠牲材料の第2の部分の体積が、第2のキャビティの少なくとも一部を形成することになる空間を占める、形成するステップと、
−少なくとも1つのゲッタ材料を基礎とする第2の層および/または犠牲材料の第2の部分の少なくとも一部を覆う密封層を蒸着させるステップと、
−少なくとも第2のゲッタ材料層および/または密封層を貫通する少なくとも1つの第2の開口部を形成して、犠牲材料の第2の部分への進入路を形成するステップと
を更に含んでもよく、
第2の開口部を形成するステップと除去するステップd)との間に、または除去するステップd)中に、または除去するステップd)と密閉するステップe)との間に、第2の開口部を経由して少なくとも犠牲材料の第2の部分を除去して、第2のキャビティを形成するステップを更に含んでよい。
−犠牲材料を基礎とする第2の層を、ゲッタ材料層上または密封層上のマイクロ電子デバイスの少なくとも一部に蒸着させるステップと、
−第2の犠牲層の一部を構成するステップであって、第2の犠牲層の残りの部分が上記犠牲材料の第2の部分を形成する、構成するステップと
の実施を含んでよい。
102 基板
104 犠牲材料の一部分、犠牲層
106 保護層
108 ゲッタ材料層
110 密封層
112 開口部
112a 開口部
112b 第2の開口部
114 キャビティ
114a 第1のキャビティ
114b 第2のキャビティ
116 (保護層の)残りの部分
118 栓
120 マイクロピラー
122 ゲッタ材料の一部分
126 (保護層の)残りの部分
Claims (18)
- 基板(102)上に配置されているマイクロ電子デバイス(100)を封入する方法であって、少なくとも
a)前記マイクロ電子デバイス(100)の少なくとも一部を覆う犠牲材料の一部分(104)を形成するステップであって、該犠牲材料の一部分の体積が、前記デバイス(100)が封入されることになるキャビティ(114、114a)の少なくとも一部を形成することになる空間を占めるステップと、
b)少なくとも1つのゲッタ材料を基礎とする層(108)を蒸着させて、前記犠牲材料の一部分(104)の少なくとも一部を覆うステップと、
c)少なくとも前記ゲッタ材料層(108)を貫通する少なくとも1つの開口部(112、112a)を形成して、前記犠牲材料の一部分(104)への進入路を形成するステップと、
d)前記開口部(112、112a)を経由して前記犠牲材料の一部分(104)を除去して、前記マイクロ電子デバイス(100)が封入される前記キャビティ(114、114a)を形成するステップと、
e)前記キャビティ(114、114a)を密閉するステップと
を含む、方法。 - 前記犠牲材料の一部分(104)を形成するステップa)が、少なくとも、
a1)犠牲材料を基礎とする層を前記基板(102)上に蒸着させて、少なくとも前記マイクロ電子デバイス(100)を覆うステップと、
a2)前記犠牲層の残留部分を前記犠牲材料の一部分(104)として形成し、前記犠牲層の一部を構成するステップと
の実施を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記犠牲材料の一部分(104)を形成するステップa)と前記ゲッタ材料層(108)を蒸着させるステップb)との間に、前記犠牲材料の一部分(104)を熱流動させるステップを更に含む、請求項1および2のいずれか一項に記載の方法。
- 前記犠牲材料の一部分(104)を形成するステップa)と前記ゲッタ材料層(108)を蒸着させるステップb)との間に、前記犠牲材料の一部分(104)上に保護層(106)を蒸着させるステップを更に含み、前記ゲッタ材料層(108)が、ステップb)中に、前記保護層(106)上に蒸着され、前記開口部(112、112a)が、ステップc)中に、前記保護層(106)を貫通して更に形成される、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記保護層(106)が、約10nmと1μmの間の厚さを有し、かつ/またはクロムおよび/または銅を基礎としている、請求項4に記載の方法。
- 前記ゲッタ材料層(108)を蒸着させるステップb)と前記開口部(112、112a)を形成するステップc)との間に、密封層(110)を前記ゲッタ材料層(108)上に蒸着させるステップを更に含み、前記開口部(112、112a)が、ステップc)中に、前記密封層(110)を貫通して更に形成される、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ゲッタ材料層(108)を蒸着させるステップb)と前記密封層(110)を蒸着させる前記ステップとの間に、前記ゲッタ材料層(108)の一部をエッチングするステップを更に含み、前記ゲッタ材料層(108)の残留部分(122)が、前記犠牲材料の一部分(104)を部分的に覆っている、請求項6に記載の方法。
- 前記密封層(110)は、約500nmと10μmの間の厚さを有し、かつ/またはチタンおよび/またはクロムおよび/または銅および/または少なくとも1つの金属を基礎としており、かつ/または前記マイクロ電子デバイス(100)の動作波長の範囲まで透明な材料を基礎としている、請求項6または7に記載の方法。
- 前記ゲッタ材料層(108)を蒸着させるステップb)と前記開口部(112、112a)を形成するステップc)との間に、前記犠牲材料の一部分(104)上に形成されている1つまたは複数の前記層(106、108、110)の一部をエッチングするステップを更に含み、前記蒸着された層(1つまたは複数の)(106、108、110)の残りの部分が、前記犠牲材料の一部分(104)を覆うカバーまたはカバーの一部を形成する、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
- 密閉するステップe)が、材料の層(118)を蒸着させる段階と、および/または少なくとも1つの栓(118)を形成して、前記ゲッタ材料(108、122)上もしくは前記密封層(110)上の前記開口部(112)を遮断する段階とを含む、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記開口部(112)を遮断する前記材料および/または前記栓(118)が、金属および/または酸化物および/またはゲッタ材料を基礎としている、請求項10に記載の方法。
- 前記犠牲材料の一部分(104)を形成するステップa)中に、少なくとも1つの第2の開口部を前記犠牲材料の一部分(104)に形成する段階を更に含み、また、後続のステップ中に蒸着される前記層(106、108、110、118)が、前記第2の開口部に蒸着され、前記キャビティ(114)内に少なくとも1つのマイクロピラー(120)を形成する、請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記犠牲材料の一部分(104)の厚さが、約1μmと20μmの間であり、かつ/または前記犠牲材料が、感光性樹脂もしくは少なくとも1つの金属を基礎としている、請求項1から12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ゲッタ材料層(108)の厚さが、約200nmと5μmの間であり、かつ/または前記ゲッタ材料が、チタンおよび/またはジルコニウムおよび/またはハフニウムを基礎としている、請求項1から13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記キャビティ(114、114a)を密閉するステップe)の後に、前記ゲッタ材料(108、122)を熱活性化するステップを更に含む、請求項1から14のいずれか一項に記載の方法。
- 前記開口部(112、112a)を形成するステップc)と除去するステップd)との間に、または除去するステップd)と密閉するステップe)との間に、
前記ゲッタ材料層(108)上または前記密封層(110)上に犠牲材料の第2の部分を形成するステップであって、該犠牲材料の第2の部分の体積が、第2のキャビティ(114b)の少なくとも一部を形成することになる空間を占めるステップと、
少なくとも1つのゲッタ材料を基礎とする第2の層および/または前記犠牲材料の第2の部分の少なくとも一部を覆う密封層(110b)を蒸着させるステップと、
少なくとも前記第2のゲッタ材料層および/または前記密封層(110b)を貫通する少なくとも1つの第2の開口部(112b)を形成して、前記犠牲材料の第2の部分への進入路を形成するステップと
を更に含み、
前記第2の開口部を形成する前記ステップと除去するステップd)との間に、または除去するステップd)中に、または除去するステップd)と密閉するステップe)との間に、前記第2の開口部(112b)を経由して少なくとも前記犠牲材料の第2の部分を除去して、前記第2のキャビティ(114b)を形成するステップを更に含む、請求項1から15のいずれか一項に記載の方法。 - 前記第2のゲッタ材料層および/または前記密封層(110b)を蒸着させる前記ステップと前記第2の開口部(112b)を形成する前記ステップとの間に、前記犠牲材料の第2の部分上に形成されている1つまたは複数の前記層の一部をエッチングするステップを更に含み、前記蒸着された層(1つまたは複数の)の残りの部分は、前記犠牲材料の第2の部分を覆うカバーまたはカバーの一部を形成する、請求項16に記載の方法。
- 密閉するステップe)が、材料の層(118)を蒸着させる段階と、および/または少なくとも1つの栓(118)を形成して、前記第2のゲッタ材料層上かつ/もしくは前記密封層(110b)上の前記第2の開口部(112b)を遮断する段階とを含む、請求項16または17のいずれか一項に記載の方法。
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