JP2005197151A - 電子デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】真空パッケージ内にチタン薄膜からなる薄膜蒸発型ゲッタ部を形成し、薄膜蒸発型ゲッタ部と基板との間に空洞を設けて断熱して、薄膜蒸発型ゲッタ部に通電して加熱蒸発させることによって超小型真空パッケージの内部真空度を向上する。
【選択図】図2
Description
以下、図面を参照しながら、本発明の第1の実施形態を説明する。
本実施例の電子デバイスの製造方法を図3に示す。特に電界放出部2および空洞壁部6の製造方法を中心に説明する。
本発明の第2の実施形態では、赤外線センサおよび可視光センサを備えたイメージセンサに適用した場合について述べる。赤外線センサおよび可視光センサを備えたイメージセンサは、例えば特開2003−17672に開示されている。図4に示すように、本実施形態における電子デバイスは、シリコン基板部と、その表面上にアレイ状に配置された赤外線検出部21と、可視光検出部22と、読み出し回路部23と、微小な空洞部分であるマイクロ真空パッケージ部24からなる。ただし、図4は各部の関係を模式的に示したものであり、実際のデバイスを効率よく設計する場合には各部の配置に工夫が必要である。すなわち、一般的に赤外線検出部はある一定の感度を得るために50um程度の大きさに設計する必要があるため、赤外線検出部21が可視光検出部22よりも大きくなるので、これらを効率よく並べて多画素化するためには各検出部の配置を工夫する必要がある。図4には示すように、赤外線検出部21は、赤外線吸収部25と、発熱部26と、発熱部支持部27からなる。図5はマイクロ真空パッケージ部24の断面を示した図である。赤外線検出部分では発熱部26の下に薄膜蒸発型ゲッタ部28を備えている。発熱部26は、抵抗変化材料によって形成された抵抗体であり、本実施形態ではジュール熱によって発熱する機能を有する。発熱によって薄膜蒸発型ゲッタ部28は蒸発し空洞内のガスを吸着する。従って、先のフィールドエミッタの実施例と同様に、空洞内の圧力を下げることができる。
2 電界放出部
3 MOS回路部
4 配線部
5 空洞
6 空洞璧部
7 薄膜蒸発型ゲッタ部
Claims (27)
- 内部に空洞をもつ形状であり、外部と気体の出入りを遮断し、内部気体の気密を保持する機能を有する空洞壁部と、
前記空洞壁部の空洞に位置して、薄膜からなり、加熱されたときに蒸発して前記空洞壁部の空洞内のガスを吸着する機能を有する薄膜蒸発型ゲッタ部と
を有する電子デバイス。 - 請求項1に記載の電子デバイスであって、
前記空洞壁部の空洞内に位置して発熱を行う機能を有する発熱部を有する電子デバイス。 - 請求項1又は2に記載の電子デバイスであって、
基板上に前記薄膜蒸発型ゲッタ部と前記空洞壁部が形成されている電子デバイス。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の電子デバイスであって、
前記空洞壁部もしくは前記基板の一部に、前記薄膜蒸発型ゲッタ部と同材料の薄膜が付着していることを特徴とする電子デバイス。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の電子デバイスであって、
前記薄膜蒸発型ゲッタ部と基板との間の断熱を保つ機能を有する断熱部を有する電子デバイス。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の電子デバイスであって、前記断熱部は空洞であることを特徴とする電子デバイス。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の電子デバイスであって、前記断熱部は多孔質材料であることを特徴とするデバイス。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の電子デバイスであって、前記多孔質材料はポーラスシリコンであることを特徴とする電子デバイス。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の電子デバイスであって、前記断熱部は絶縁物であることを特徴とする電子デバイス。
- 請求項2〜9のいずれかに記載の電子デバイスであって、前記発熱部は電気抵抗を有する導体からなりことを特徴とする電子デバイス。
- 請求項1〜10のいずれかに記載の電子デバイスであって、前記薄膜蒸発型ゲッタ部が電気抵抗を持つ導体からなり、ジュール熱を発生することによって発熱することを特徴とする電子デバイス。
- 請求項1〜11のいずれかに記載の電子デバイスであって、前記薄膜蒸発型ゲッタ部はチタンからなることを特徴とする電子デバイス。
- 請求項1〜12のいずれかに記載の電子デバイスであって、前記空洞壁部の内部圧力は10Pa以下であることを特徴とする電子デバイス。
- 請求項1〜13のいずれかに記載の電子デバイスであって、前記空洞壁部の内部圧力は0.1Pa以下であることを特徴とする電子デバイス。
- 請求項1〜14のいずれかに記載の電子デバイスであって、前記空洞壁部の内部にフィールドエミッタをもつことを特徴とする電子デバイス。
- 請求項1〜15のいずれかに記載の電子デバイスであって、前記空洞壁部の内部に赤外線センサをもつことを特徴とする電子デバイス。
- 前記熱発生部がペルチェ素子であることを特徴とする請求項1〜16のいずれかに記載の電子デバイス。
- 前記空洞壁部が薄膜である請求項1〜17のいずれかに電子デバイス。
- 内部に空洞をもつ形状であり、外部と気体の出入りを遮断し、内部気体の気密を保持する機能を有する空洞壁部を形成する工程と、
前記空洞壁部の内部空洞内に位置して、
加熱されたときに蒸発してガスを吸着する機能を有する薄膜蒸発型ゲッタ部をPVDもしくはCVDで形成する工程と、
発熱を行う機能を有する熱発生部を形成する工程と、
含む電子デバイスの製造方法。 - 請求項19に記載の電子デバイスの製造方法であって、
電子デバイスを設けるための基板を用意する工程と、
前記基板の一部を覆う形状であり、後の工程で一部が除去される犠牲層を前記基板の選択された領域上に形成する工程と
前記犠牲層の上部に加熱されたときに蒸発してガスを吸着する機能を有する薄膜蒸発型ゲッタ部をPVDもしくはCVDで形成する工程と、
犠牲層の少なくとも一部を除去して前記内部空洞の一部である下部空洞部を形成する工程と
含む電子デバイスの製造方法。 - 請求項19または20に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記熱発生部と前記薄膜蒸発型ゲッタ部の上部に後の工程で一部が除去される上部犠牲層を形成する工程と、
前記上部犠牲層もしくは前記犠牲層を除去する工程でエッチング耐性をもつ空洞壁部を前記上部犠牲層もしくは前記犠牲層の表面の一部に接して、かつ、前記上部犠牲層もしくは前記犠牲層の表面の一部に開口部を持つ形状をもつ空洞壁部を形成する工程と、
前記開口部からエッチング材を導入することにより、
前記上部犠牲層および前記犠牲層の一部を除去する工程と、
前記開口部にPVDもしくはCVDの方法で薄膜を形成して、前記空洞部を低圧で封止する工程と、
含む電子デバイスの製造方法。 - 請求項19〜21のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法であって、
基板を用意する工程で前記犠牲層および前記上部犠牲層の一部を形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 請求項19〜22のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法であって、
フィールドエミッタ部を形成する工程をもち、
前記犠牲層もしくは前記上部犠牲層の一部がフィールドエミッタ部に接する形状であることを特徴とする、
電子デバイスの製造方法。 - 請求項19〜23のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法であって、
赤外線検出部を形成する工程をもち、
前記犠牲層もしくは前記上部犠牲層の一部が赤外線検出部に接する形状であることを特徴とする、
電子デバイスの製造方法。 - 請求項19〜24のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記薄膜蒸発型ゲッタ部を加熱して蒸発させることにより、前記空洞部の真空度を向上させる真空度向上工程を含む、
電子デバイスの製造方法。 - 請求項19〜25のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記発熱部は電気抵抗をもつ導体で形成されており、
前記真空度向上工程において、前記発熱部に通電したときのジュール熱により加熱を行うことを特徴とする
電子デバイスの製造方法。 - 請求項19〜26のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記真空度向上工程において、レーザを前記薄膜蒸発型ゲッタに照射することにより加熱を行うことを特徴とする
電子デバイスの製造方法。
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