JP2005197151A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005197151A5 JP2005197151A5 JP2004003852A JP2004003852A JP2005197151A5 JP 2005197151 A5 JP2005197151 A5 JP 2005197151A5 JP 2004003852 A JP2004003852 A JP 2004003852A JP 2004003852 A JP2004003852 A JP 2004003852A JP 2005197151 A5 JP2005197151 A5 JP 2005197151A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forming
- cavity
- sacrificial layer
- substrate
- getter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 58
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 41
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating Effects 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking Effects 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 41
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 24
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 19
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 13
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910000986 non-evaporable getter Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- GRUMUEUJTSXQOI-UHFFFAOYSA-N vanadium dioxide Chemical compound O=[V]=O GRUMUEUJTSXQOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N TiO Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 TiO or VOx Chemical class 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003213 activating Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical group [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium(0) Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Substances [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HADKRTWCOYPCPH-UHFFFAOYSA-M trimethylphenylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C1=CC=CC=C1 HADKRTWCOYPCPH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Description
本発明は、真空パッケージに密閉されるセンサやフィールドエミッタなどの電子デバイスの製造方法に係り、特に、真空パッケージの小型化および真空度向上に関するものである。
赤外線センサ等のセンサなどの電子デバイスは、基板上でキャップ部によって真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気中に密封することによって感度の保持もしくは向上が可能なものがあることが知られている。これらの電子デバイスには、例えば、赤外線センサの他、圧力センサ,加速度センサ,流速センサ,電界放出素子(フィールドエミッタ)などが含まれる。
例えば、赤外線センサは、赤外線検出感度ひいては赤外線検出精度を高く維持するためには、赤外線検出部からの熱放散が小さいことが好ましい。このため、キャップ体中で真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気中に封入すると感度が向上する特性を有している。
また、圧力センサ,加速度センサは、空気の粘性抵抗を減少させると感度が向上し、キャップ体中で真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気に封入すると特性が向上するものがあることが知られている。
また、フィールドエミッタは真空中で電圧を印加したときに電子を放出する性質をもち、その電子の放出の有無もしくは大きさによってスイッチングなどを高速に行うものである。
以上の背景から、真空パッケージ内の真空度を向上する方法が開発されてきた。キャップ体内の真空度に高める手法としてゲッタを用いる方法がある(例えば、特許文献1参照)。
この従来の手段では、図6に示すように、シリコン基板上91に形成した貫通穴97を有する透過窓94を空隙(キャップ体内)93を有して配置し、透過窓94はシリコン基板1にハンダ92で接着して固定されている。貫通穴97を通して非蒸発型ゲッタ95を空隙内に置く。シリコン基板91を真空中に置いて、貫通穴97を通して空隙内を排気し、真空封止用ハンダ99を溶融することで貫通穴97を封止し、空隙93を真空にする。その後、非蒸発型ゲッタ95を活性化し空隙内93に高真空を得る。
非蒸発型ゲッタはたとえばジルコニウムを含む合金であり高温にすることにより表面が活性化してガスを吸着する性質をもつが、多孔質構造にして表面積を大きくして使用する必要があり、粉末を焼結したものをハンダなどで固定する方法が用いられている。
ところで、近年、電子デバイスの小型化が進み、上記の真空パッケージ(キャップ体)を超小型に形成する要望が強まっている。例えば、赤外線センサおよび可視光センサを備えたイメージセンサを1チップで形成するための方法として、例えば50um程度の大きさの赤外線センサ部だけを100um程度の大きさの超小型のマイクロ真空パッケージで封止して、赤外線センサ部と可視光センサ部をアレイ状に配置する方法について特開2003−17672に記載されている。また別の例としては、真空中で高速スイッチ動作を行うフィール
ドエミッタアレイ素子(FEA素子)とトランジスタを混載した電子デバイスを小型に製造
するために、基板上のFEA素子の部分だけに超小型の真空パッケージを形成することが例えば、下記文献に記載されている。
ドエミッタアレイ素子(FEA素子)とトランジスタを混載した電子デバイスを小型に製造
するために、基板上のFEA素子の部分だけに超小型の真空パッケージを形成することが例えば、下記文献に記載されている。
Silicon metal-oxcide-semiconductor field effect transistor/field emission array fabricated using chemical mechanical palishing, C. Y. Hong and A. I. Akinwande, J. Vac. Sci. Technol. B Vol. 21, No. 1, p500-505, Jan/Feb 2003.
特開平11−326037号公報
上記のような電子デバイスにおいて、例えば赤外線センサは、キャップ体中で真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気中に封入すると感度が向上する特性を有しており、特に10Pa以下の圧力で用いたときの感度向上の効果が大きい。また、フィールドエミッタは真空中で電圧を印加したときに電子を放出する性質をもち、その電子の放出の有無もしくは大きさによってスイッチングなどを高速に行うものであり、フィールドエミッタは0.1Pa以下の圧力で電子放出を行うものである。
ところが、赤外線センサおよびフィールドエミッタは上記のようにそれぞれ10Pa以下、0.1Pa以下の高真空に保つことが必要であるが、これまでに開発された10Pa以下の高真空を長時間保持できる真空パッケージ技術はいずれも1mm以上の大きさであり、上記のように赤外線センサ部やFEA素子部だけを1mm以下の大きさで局所的に真空封止す
る場合などには適用できない。
る場合などには適用できない。
次に従来方法によって1mm以下の超小型の真空パッケージを形成できない理由について説明する。超小型の真空パッケージの場合、内部空洞の体積に対する空洞壁部の表面積の比率が大きいため、真空封止した後に空洞壁部から生じる出ガスによって真空度が劣化する問題が生じる。このため、真空封止を長時間保つためには内部にゲッタをいれて真空度を向上する必要があるが、従来のように非蒸発型ゲッタをハンダなどで固定する方法では、1mm以下の超小型の真空パッケージに位置ずれすることなく固定するのは非効率であり量産に不向きである。また非蒸発型ゲッタは多孔質にする必要があるので、内部空洞に直接製膜して形成することが困難である。そこで従来方法の真空パッケージでは1mm以下の超小型の真空パッケージにおいて10Pa以下の高真空を長時間保つことはできない。また非蒸発型ゲッタは真空度向上の限界があり0.1Pa以下の高真空を得られないという問題もある。
上記のように、本発明の解決しようとする課題は、赤外線センサおよびフィールドエミッタなどのデバイスに適用可能な1mm以下の大きさの超小型の真空パッケージを形成することである。
本発明の電子デバイスの製造方法は、基板と、前記基板上部に配置されており、上面部と壁部とで構成され、内部に空洞を有し、外部との気体の出入りを遮断する空洞壁部と、
前記空洞壁部の空洞内に配置されている薄膜であるゲッタ部とを備え、前記ゲッタ部は、加熱されることにより蒸発して、前記空洞壁部内部に存在する気体を吸着する電子デバイスの製造方法であって、前記基板上部の一部を覆うように下部犠牲層を形成する工程と、
前記下部犠牲層上部の一部に、前記ゲッタ部を形成する工程と、前記下部犠牲層上部と、前記ゲッタ部上部とを覆うように、上部犠牲層を形成する工程と、前記上部犠牲層上部に、前記空洞壁部の上面部の一部を構成する薄膜を形成する工程と、前記薄膜に開口部を形成する工程と、前記開口部を介して、前記上部犠牲層の少なくとも一部と前記下部犠牲層の少なくとも一部とを除去することにより、前記空洞を形成するとともに、前記上部犠牲層と前記下部犠牲層とにより構成される前記壁部を形成する工程と、前記開口部を覆うように、前記空洞壁部の上面部の一部を構成する薄膜を形成することで、前記空洞壁部を形成する工程とを含む電子デバイス製造方法である。
前記空洞壁部の空洞内に配置されている薄膜であるゲッタ部とを備え、前記ゲッタ部は、加熱されることにより蒸発して、前記空洞壁部内部に存在する気体を吸着する電子デバイスの製造方法であって、前記基板上部の一部を覆うように下部犠牲層を形成する工程と、
前記下部犠牲層上部の一部に、前記ゲッタ部を形成する工程と、前記下部犠牲層上部と、前記ゲッタ部上部とを覆うように、上部犠牲層を形成する工程と、前記上部犠牲層上部に、前記空洞壁部の上面部の一部を構成する薄膜を形成する工程と、前記薄膜に開口部を形成する工程と、前記開口部を介して、前記上部犠牲層の少なくとも一部と前記下部犠牲層の少なくとも一部とを除去することにより、前記空洞を形成するとともに、前記上部犠牲層と前記下部犠牲層とにより構成される前記壁部を形成する工程と、前記開口部を覆うように、前記空洞壁部の上面部の一部を構成する薄膜を形成することで、前記空洞壁部を形成する工程とを含む電子デバイス製造方法である。
本発明の製造方法によれば、薄膜蒸発型ゲッタ部は加熱して蒸発すると空洞壁部の一部に付着して表面積が大きくなるために、効率的なガス吸着を持続することができる電子デバイスを提供することができる。このために、超小型の真空パッケージにおいて高真空を長時間保持可能である。
(実施形態1)
以下、図面を参照しながら、本発明の第1の実施形態を説明する。
以下、図面を参照しながら、本発明の第1の実施形態を説明する。
ここでは、例として電界放出素子(フィールドエミッタ)に適用した場合について述べる。
図1に示すように、本実施形態における電子デバイスは、シリコン基板部1と、その表
面上に電界放出部2と、MOS回路部3、配線部4から成る。ただし、図1は各部の関係を
模式的に示したものであり、実際のデバイスを効率よく設計する場合には各部の配置に工夫が必要である。
面上に電界放出部2と、MOS回路部3、配線部4から成る。ただし、図1は各部の関係を
模式的に示したものであり、実際のデバイスを効率よく設計する場合には各部の配置に工夫が必要である。
図2(a)は図1に於いて破線で示した部分(A−A)の断面図を示している。電界放出部(フィールドエミッタ部)2はシリコン基板1上に尖塔型の形状をもつ。またフィールドエミッタ部2は空洞5を介して空洞壁部6に囲まれており、空洞内部5は高真空に保たれている。
本実施形態では、空洞壁部6はシリコン基板1とポリシリコン6aとシリコン酸化膜6
bとアルミニウム(Al)6cからなる。アルミニウム6cは、アノードの役割もはたし、
アノードとフィールドエミッタ部2とアノードの間に高電圧を印加されたときに、フィールドエミッタ部2からアノードに向かって電子が放出される。この電子放出のオンオフもしくは強度を用いて高速スイッチングが行われる。なお、ここではフィールドエミッタを高速スイッチに応用する例について述べたが、ディスプレイへの応用も可能である。
bとアルミニウム(Al)6cからなる。アルミニウム6cは、アノードの役割もはたし、
アノードとフィールドエミッタ部2とアノードの間に高電圧を印加されたときに、フィールドエミッタ部2からアノードに向かって電子が放出される。この電子放出のオンオフもしくは強度を用いて高速スイッチングが行われる。なお、ここではフィールドエミッタを高速スイッチに応用する例について述べたが、ディスプレイへの応用も可能である。
空洞内の薄膜蒸発型ゲッタ部7がシリコン基板1との間に第2の空洞層となる下部空洞9があるブリッジ形状に形成されている。このようにシリコン基板1と薄膜蒸発型ゲッタ部7との間に第2の空洞層を有することにより、例えばシリコン基板からの断熱機能をもつ断熱部を有するものである。
薄膜蒸発型ゲッタ部7はチタン(Ti)の薄膜からなり、高温に加熱されたときに蒸発して空洞内部のガス吸着を行う薄膜蒸発型ゲッタ部7として機能する。図2(b)は図2(a)のB−B断面を示したものである。薄膜蒸発型ゲッタ部7は空洞の外部に形成された
配線を介して通電を行うことにより加熱される。具体的には図2(b)に示すように薄膜
蒸発型ゲッタ部7は配線8を介してスイッチング素子となるMOS回路部3に電気的に接続され、通電により加熱する機能を有する。
配線を介して通電を行うことにより加熱される。具体的には図2(b)に示すように薄膜
蒸発型ゲッタ部7は配線8を介してスイッチング素子となるMOS回路部3に電気的に接続され、通電により加熱する機能を有する。
MOS回路部3はソースとドレインとゲートとアルミ(Al)の電極で構成される一般的なMOS回路である。
本実施形態においては、例えばチタンの薄膜蒸発型ゲッタ部7の膜厚が200nm、長さ100um、幅8umである。この場合の抵抗は約10Ω、この場合の熱コンダクタンスは1E-6W/Kと見積もられる。空洞部は基板平面に垂直な方向からみたときの大きさ(平面の大きさ)は20um×100μmであり、基板厚さ方向からみた高さは2umである。空洞内の空気を介した熱伝導および対流による薄膜蒸発型ゲッタ部7と外部との熱コンダクタンスは1E-4W/K以下である。このとき、薄膜蒸発型ゲッタ部7に10V通電するとゲッタリング薄膜の温度上昇は1000度以上であり薄膜蒸発型ゲッタ部7が蒸発し空洞内のガスを吸着する。
チタンに代表される蒸発型ゲッタ部はガスの吸着能力が高く高真空を達成することができるので、本発明では微小な空洞内を高真空(例えば〇〇MPa以下)にすることができる。結果としてディスプレイや高速スイッチに応用が期待されている電界放出部(フィールドエミッタ部)に求められる真空度0.1Pa以下が実現できる。0.1Pa以上の圧力である場合、フィールドエミッタ部からの電子放出が効率よく行われない。
なお、薄膜蒸発型ゲッタ部7を活性化するためには1000度以上の高温にする必要があるが、シリコン基板上の電子回路に悪影響を与えないためにシリコン基板との間は断熱していることが望ましい。本実施例ではブリッジ構造にしてシリコン基板との間の断熱をとっているので、少ない電力で薄膜蒸発型ゲッタ部7を蒸発させることができて、デバイスへの悪影響も防止できる。
(マイクロヒータおよびマイクロ真空パッケージの製造方法)
本実施例の電子デバイスの製造方法を図3に示す。特に電界放出部2および空洞壁部6の製造方法を中心に説明する。
本実施例の電子デバイスの製造方法を図3に示す。特に電界放出部2および空洞壁部6の製造方法を中心に説明する。
まず、シリコン基板1上に読み出し回路部を形成する。これは一般的なCMOSプロセスによって形成可能である。
次に、フィールドエミッタ部2の形成領域に酸化膜パターニング10としてシリコン酸化膜をCVDもしくは熱酸化によって形成し、円形にパターニングをする(図3(a)参照
)。
)。
次にSF6によってシリコン基板をエッチングする。シリコンは等方的にエッチングされるのでシリコン基板表面に図のような尖塔形状のフィールドエミッタ部2が形成される(図3(b)参照)。
次にシリコン酸化膜をエッチングで除去する(図3(c)参照)。
次にエミッタおよびシリコン基板表面に熱酸化膜11を形成する。この結果、フィールドエミッタ部2の先の形状がさらに鋭くなる(図3(d)参照)。また熱酸化膜11はフィールドエミッタ部2とアノード間の絶縁を行う機能も果たす。
次に第1のポリシリコン膜12を例えば約1um堆積する。このポリシリコン膜12は後の工程で一部がエッチングされて空洞を形成するために用いられる犠牲層の役割を持つ。またエッチング除去されない部は空洞壁部として空洞内部を気密に保つ役割も果たす。
次にスパッタや蒸着などの方法で薄膜蒸発型ゲッタ部7として機能するTiを堆積させパターニングをする(図3(e)参照)。
次に第2のポリシリコン膜13を例えば約1um堆積する。この膜は第1のポリシリコ
ン膜と同様の機能を果たす(図3(f)参照)。
ン膜と同様の機能を果たす(図3(f)参照)。
次に、スパッタなど方法でアルミニウムを堆積することにより第1のアルミ膜14を形
成する。この部分は空洞壁部6として空洞内部の気密にたもつ働きをもつ(図3(g)参照)。
成する。この部分は空洞壁部6として空洞内部の気密にたもつ働きをもつ(図3(g)参照)。
次に、第1のアルミ膜14に約1um〜0.3umの大きさのエッチングホール15(開口
部)を形成する。後の犠牲層エッチの工程においてこの開口部からエッチング材を導入してエッチングを行う。またアルミニウムは犠牲層エッチにおいてエッチ耐性をもちエッチングされないために、小さな開口部に対して大きな空洞を形成することができる(図3(h)参照)。
部)を形成する。後の犠牲層エッチの工程においてこの開口部からエッチング材を導入してエッチングを行う。またアルミニウムは犠牲層エッチにおいてエッチ耐性をもちエッチングされないために、小さな開口部に対して大きな空洞を形成することができる(図3(h)参照)。
次に、エッチングホール15を介してSF6やXeF2などのエッチングガスを導入して、エッチングホール15下方の第1および第2のポリシリコン膜(12、13)を図に示すように一部除去する。この工程によりシリコン基板1とポリシリコン(12、13)とアルミニウム14からなる空洞壁部6に囲まれた空洞部分が形成され、空洞中には薄膜蒸発型ゲッタ部7がブリッジ構造に形成される。さらに、CHF3によるドライエッチングを行いエミッタ表面のシリコン酸化膜も除去する。なお、ポリシリコンなどをエッチング除去して空洞を形成する方法を一般的に犠牲層エッチという(図3(i)参照)。
次に、約2um〜3umの膜厚のアルミニウム膜16をスパッタや真空蒸着などのPVDの方
法で真空中において製膜することによって、第1のアルミ膜14の上部に第2のアルミ膜16を形成しエッチングホール15を封止する。第1と第2のアルミ膜(14,16)はシール部材となり、空洞部分は外気と遮断されて、空洞内部は低圧に封止される(図3(j)参照)。
法で真空中において製膜することによって、第1のアルミ膜14の上部に第2のアルミ膜16を形成しエッチングホール15を封止する。第1と第2のアルミ膜(14,16)はシール部材となり、空洞部分は外気と遮断されて、空洞内部は低圧に封止される(図3(j)参照)。
次に、アルミニウム膜16をパターニングして、アノードおよび配線を形成する。(図省略)。
次に、薄膜蒸発型ゲッタ部7となるチタンに電流を流すことによって発熱してチタンを蒸発させることによって、内部圧力を10Pa以下の高真空にすることができる。
なお、エッチングホール15を封止する方法としてはアルミニウム膜16以外の材料(例えば金属やポリシリコン)をスパッタする方法も考えられる。また、封止材料を製膜する方法としてはスパッタ以外にも真空蒸着などのほかのPVDの方法や、CVDを用いる方法も考えられる。PVDもしくはCVDの製膜の方法でエッチングホールを封止する場合には、内部の真空度を向上するために10Pa以下の圧力で製膜することが望ましい。
スパッタや真空蒸着などのPVDの方法はCVDの方法と異なり10Pa以下の圧力で製膜することができるので、空洞内部を低圧に封止ことが可能である。ゲッタを用いたガスの吸着には限界があるため、最終的な真空度を向上するためには、低圧での封止が望ましい。一般的にCVDにおいて10Pa以上の圧力で製膜を行うのに対して、PVDにおいては10Pa以下の圧力で製膜を行うことができるので、PVDで製膜することによって封止したほうがより
内部を高真空にすることができる。
内部を高真空にすることができる。
また、空洞壁部6すなわち真空パッケージの製造方法については、キャップ体と基板をはんだなどの封止材料で接着する方法や、キャップ体と基板を陽極接合や常温接合(接合表面を活性化処理後、接合する方法)など他の方法についても適用可能である。ただし、上記のように犠牲層エッチで空洞を形成して、製膜によって真空封止を行う方法を用いれば、超小型の真空パッケージをより精度よく低価格に形成可能である。
本実施形態では、蒸発型ゲッタ材料として、チタン(Ti)を用いたがバリウム(Ba)の単金属、あるいは化合物を用いてもよい。
以上のように本発明の方法によれば、以下の効果がある。
まず、チタンはスパッタおよびドライエッチングによって容易に微細構造が形成可能であることから、超小型の空洞内部にゲッタを形成可能であり、結果として1mm以下の大きさの超小型の真空パッケージを形成可能である。
またチタンは加熱して蒸発すると空洞壁部の一部に付着して表面積が大きくなるために、効率的なガス吸着を持続することができる。このために、超小型の真空パッケージにおいて高真空を長時間保持可能である。また、デバイス使用後でも定期的に通電してゲッタを蒸発することによって内部真空度の維持および向上が可能である。
また、チタンに代表される蒸発型ゲッタ部はガス吸着能力が高く内部を10Pa以下の高真空にすることができる。またPVDで製膜することによって真空封止を行うなどの工夫を
すれば、内部真空度を0.1Pa以下にすることが可能である。このように超小型の真空パッケージの内部圧力を10Pa以下もしくは0.1Pa以下に保つことが可能である。
すれば、内部真空度を0.1Pa以下にすることが可能である。このように超小型の真空パッケージの内部圧力を10Pa以下もしくは0.1Pa以下に保つことが可能である。
また、上記のように犠牲層エッチと真空中での製膜による真空封止を行うことによって超小型真空パッケージを形成する方法をあわせて用いれば、超小型で高真空の真空パッケージをより精度よく低価格に形成可能である。
また、上記のように犠牲層エッチを行いチタンと基板の間に空洞を設けるなどの方法によって、基板とチタンとの間の断熱を行うことによって、少ない電力でチタンを蒸発することができる。また高温によるデバイスへの悪影響も防止できる。
また、本発明の方法は半導体プロセスを用いて作成可能であり、低価格に真空パッケージを形成可能である。
以上から、本発明の方法を用いることによって、ディスプレイや高速スイッチに応用が期待されている電界放出素子(フィールドエミッタ)をMOS回路と同一チップ上に集積し
たような構成や、低コスト小型に形成することが可能となる。
たような構成や、低コスト小型に形成することが可能となる。
なお、空洞を形成するエッチング(犠牲層エッチ)の方法は上記以外にもCF4などのほ
かのガスや、TMAHやヒドラジンなどの薬液を使用することも可能である。
かのガスや、TMAHやヒドラジンなどの薬液を使用することも可能である。
本実施例ではゲッタリング薄膜7を活性化するために直接Tiに通電したが、ゲッタリング薄膜7に密着してゲッタリング薄膜7を加熱するヒータの役割をなす活性化部を別に設けてもよい。活性化部としては例えば、シリコン、Ptなどの金属や、TiOやVOxなどの金属酸化物、Si以外のやSiGeなどの半導体なども考えられる。半導体を用いる場合、PN接合を形成して順方向の電流を流す方法も考えられる。また、これらのヒータやチタンゲッタなどに通電したときの電気抵抗から、温度を計測して、外部との断熱度および真空度を評価する方法も考えられる。この場合、内部真空度および断熱度が目標値より劣化している場合はゲッタを再び蒸発させて内部真空度を向上することが考えられる。
また薄膜蒸発型ゲッタ部7や活性化部に接するように活性化支持部を備えている構成がある。この場合、ポリシリコンと酸化膜などで活性化支持部を設けることにより薄膜蒸発型ゲッタ部7と活性化部の中空形状を補強することができ、信頼性が増す。例えばポリシリコンと酸化膜と窒化膜をもちいて活性化支持部材を構成すると、ポリシリコンと酸化膜の応力と酸化膜の応力が相殺され、歪みの小さい安定した活性化支持部材を構成することができ、より信頼性の高い電子デバイスが提供できる。
また、シリコン基板と薄膜蒸発型ゲッタ部7との間の断熱は、シリコン酸化膜などの絶縁物やポーラスシリコンなどの多孔質材料を用いても達成することができる。
またゲッタを加熱するのに、ジュール熱をもちいる方法以外に、ペルチェ素子を用いる方法も考えられる。
また、空洞外部もしくは内部にレーザ源を設置して、レーザをゲッタに照射することによって蒸発することも可能である。本発明では空洞およびゲッタが超小型に形成されているためにレーザを少ない面積に照射することによって内部真空度を向上可能である。
(実施形態2)
本発明の第2の実施形態では、赤外線センサおよび可視光センサを備えたイメージセンサに適用した場合について述べる。赤外線センサおよび可視光センサを備えたイメージセンサは、例えば特開2003−17672に開示されている。図4に示すように、本実施形態にお
ける電子デバイスは、シリコン基板部と、その表面上にアレイ状に配置された赤外線検出部21と、可視光検出部22と、読み出し回路部23と、微小な空洞部分であるマイクロ真空パッケージ部24からなる。ただし、図4は各部の関係を模式的に示したものであり、実際のデバイスを効率よく設計する場合には各部の配置に工夫が必要である。すなわち、一般的に赤外線検出部はある一定の感度を得るために50um程度の大きさに設計する必要があるため、赤外線検出部21が可視光検出部22よりも大きくなるので、これらを効率よく並べて多画素化するためには各検出部の配置を工夫する必要がある。図4には示すように、赤外線検出部21は、赤外線吸収部25と、発熱部26と、発熱部支持部27からなる。図5はマイクロ真空パッケージ部24の断面を示した図である。赤外線検出部分では発熱部26の下に薄膜蒸発型ゲッタ部28を備えている。発熱部26は、抵抗変化材料によって形成された抵抗体であり、本実施形態ではジュール熱によって発熱する機能を有する。発熱によって薄膜蒸発型ゲッタ部28は蒸発し空洞内のガスを吸着する。従って、先のフィールドエミッタの実施例と同様に、空洞内の圧力を下げることができる。
本発明の第2の実施形態では、赤外線センサおよび可視光センサを備えたイメージセンサに適用した場合について述べる。赤外線センサおよび可視光センサを備えたイメージセンサは、例えば特開2003−17672に開示されている。図4に示すように、本実施形態にお
ける電子デバイスは、シリコン基板部と、その表面上にアレイ状に配置された赤外線検出部21と、可視光検出部22と、読み出し回路部23と、微小な空洞部分であるマイクロ真空パッケージ部24からなる。ただし、図4は各部の関係を模式的に示したものであり、実際のデバイスを効率よく設計する場合には各部の配置に工夫が必要である。すなわち、一般的に赤外線検出部はある一定の感度を得るために50um程度の大きさに設計する必要があるため、赤外線検出部21が可視光検出部22よりも大きくなるので、これらを効率よく並べて多画素化するためには各検出部の配置を工夫する必要がある。図4には示すように、赤外線検出部21は、赤外線吸収部25と、発熱部26と、発熱部支持部27からなる。図5はマイクロ真空パッケージ部24の断面を示した図である。赤外線検出部分では発熱部26の下に薄膜蒸発型ゲッタ部28を備えている。発熱部26は、抵抗変化材料によって形成された抵抗体であり、本実施形態ではジュール熱によって発熱する機能を有する。発熱によって薄膜蒸発型ゲッタ部28は蒸発し空洞内のガスを吸着する。従って、先のフィールドエミッタの実施例と同様に、空洞内の圧力を下げることができる。
発熱部26は例えばシリコンなどの半導体、TiO(チタニア)やVOx(酸化バナジウム
)などの金属酸化物、Ti(チタン)やPt(白金)などの金属もしくはそれらのSi化合物などで構成される。これらは抵抗変化係数が大きい材料として知られている。またこれらの材料にB、As、Sr、Cuなどの不純物を混入した材料でもよい。例えばBを混入したポリシリコンやSrなどを混入したTiOなどであって、これらの混入により抵抗値を適当な値に調節す
ることが可能である。発熱部の形状は1mm以下の大きさであり、典型的には上部からみた形状は1辺が50umの大きさの正方形の中をつづら状に折り返された形状であり、基板
表面から1umの位置に支持されている。1mm以上の大きさになれば、発熱部の歪みの問題から基板表面からの距離も大きくする必要があり、基板表面方向と垂直方向の両面において、デバイスの小型化に不具合が生じる。
)などの金属酸化物、Ti(チタン)やPt(白金)などの金属もしくはそれらのSi化合物などで構成される。これらは抵抗変化係数が大きい材料として知られている。またこれらの材料にB、As、Sr、Cuなどの不純物を混入した材料でもよい。例えばBを混入したポリシリコンやSrなどを混入したTiOなどであって、これらの混入により抵抗値を適当な値に調節す
ることが可能である。発熱部の形状は1mm以下の大きさであり、典型的には上部からみた形状は1辺が50umの大きさの正方形の中をつづら状に折り返された形状であり、基板
表面から1umの位置に支持されている。1mm以上の大きさになれば、発熱部の歪みの問題から基板表面からの距離も大きくする必要があり、基板表面方向と垂直方向の両面において、デバイスの小型化に不具合が生じる。
赤外線検出部21に、赤外線が入射すると赤外線吸収部25で吸収される。赤外線吸収部25は例えばSiO2などで構成される。赤外線吸収部25で赤外線が吸収されるとその温度が上昇し、それに伴い発熱部26も温度上昇する。発熱部26は抵抗変化材料によって形成された抵抗体であり、温度上昇を抵抗変化によって検出する機能もあわせもつ。基板および発熱部26との間の熱コンダクタンスは例えば3×10−7W/Kでありこの値が小さいほど赤外線入射時の温度上昇が大きくなり検出感度が向上する。上記の小型の発熱部支持部27は例えばMEMS(MicroElectroMechanical Systems)の技術を用いて製造可能で
ある。可視光検出部22は例えばフォトダイオードなどによって構成されて可視光の入射量を検出する。赤外線検出部21と可視光検出部22それぞれによって検出された赤外線入射量と可視光線入射量は読み出し回路23によって順次読み出され、赤外線イメージと可視光イメージを得る。これらの読み出しの方法は例えば特開平11−326037号公報に詳しく記載されている。マイクロ真空パッケージ部24は、赤外線検出部21を囲む形の空洞壁部28および基板で空洞内部を気密にたもつように形成される。空洞内部の真空度が高いほど発熱部26と外部との間の熱コンダクタンスが低減し、赤外線検出感度が向上する。感度を向上するためには内部真空度は10Pa以下にすることが望ましく、内部圧力は例えば50mTorr(=6.7Pa)に設定される。形状は例えば表面から見た場合は1辺約100umの正方形であり、空洞部の高さは例えば3um以上1mm以下に形成される。
ある。可視光検出部22は例えばフォトダイオードなどによって構成されて可視光の入射量を検出する。赤外線検出部21と可視光検出部22それぞれによって検出された赤外線入射量と可視光線入射量は読み出し回路23によって順次読み出され、赤外線イメージと可視光イメージを得る。これらの読み出しの方法は例えば特開平11−326037号公報に詳しく記載されている。マイクロ真空パッケージ部24は、赤外線検出部21を囲む形の空洞壁部28および基板で空洞内部を気密にたもつように形成される。空洞内部の真空度が高いほど発熱部26と外部との間の熱コンダクタンスが低減し、赤外線検出感度が向上する。感度を向上するためには内部真空度は10Pa以下にすることが望ましく、内部圧力は例えば50mTorr(=6.7Pa)に設定される。形状は例えば表面から見た場合は1辺約100umの正方形であり、空洞部の高さは例えば3um以上1mm以下に形成される。
以上のように本実施形態の方法によれば、以下の効果がある。
まず、チタンはスパッタおよびドライエッチングによって容易に微細構造が形成可能であることから、超小型の空洞内部にゲッタを形成可能であり、結果として1mm以下の大きさの超小型の真空パッケージを形成可能である。
またチタンは加熱して蒸発すると空洞壁部の一部に付着して表面積が大きくなるために、効率的なガス吸着を持続することができる。このために、超小型の真空パッケージにおいて高真空を長時間保持可能である。
また、デバイス使用後でも定期的に通電してゲッタを蒸発することによって内部真空度の維持および向上が可能である。
また、チタンに代表される蒸発型ゲッタはガス吸着能力が高く内部を10Pa以下の高真空にすることができる。またPVDで製膜することによって真空封止を行うなどの工夫をす
れば、内部真空度を0.1Pa以下にすることが可能である。このように超小型の真空パッケージの内部圧力を10Pa以下もしくは0.1Pa以下に保つことが可能である。
れば、内部真空度を0.1Pa以下にすることが可能である。このように超小型の真空パッケージの内部圧力を10Pa以下もしくは0.1Pa以下に保つことが可能である。
また、上記のように犠牲層エッチと真空中での製膜による真空封止を行うことによって超小型真空パッケージを形成する方法をあわせて用いれば、超小型で高真空の真空パッケージをより精度よく低価格に形成可能である。
また、上記のように犠牲層エッチを行いチタンと基板の間に空洞を設けるなどの方法によって、基板とチタンとの間の断熱を行うことによって、少ない電力でチタンを蒸発することができる。また高温によるデバイスへの悪影響も防止できる。
また、本発明の方法は半導体プロセスを用いて作成可能であり、低価格に真空パッケージを形成可能である。
以上から、本発明の方法を用いることによって、ディスプレイや高速スイッチに応用が期待されている電界放出素子(フィールドエミッタ)をMOS回路と同一チップ上に集積し
たような構成や、赤外線と可視光線を同時撮像可能なイメージセンサを、低コスト小型に形成することが可能となる。
たような構成や、赤外線と可視光線を同時撮像可能なイメージセンサを、低コスト小型に形成することが可能となる。
以上のように本発明の方法によれば、以下の効果がある。
チタンに代表される蒸発型ゲッタはガス吸着能力が高く内部を10Pa以下の高真空にすることができる。またPVDで製膜することによって真空封止を行うなどの工夫をすれば、
内部真空度を0.1Pa以下にすることが可能である。このように超小型の真空パッケージの内部圧力を10Pa以下もしくは0.1Pa以下に保つことが可能である。
内部真空度を0.1Pa以下にすることが可能である。このように超小型の真空パッケージの内部圧力を10Pa以下もしくは0.1Pa以下に保つことが可能である。
以上から、本発明の方法を用いることによって、ディスプレイや高速スイッチに応用が期待されている電界放出素子(フィールドエミッタ)をMOS回路と同一チップ上に集積し
たような構成や、赤外線と可視光線を同時撮像可能なイメージセンサを、低コスト小型に形成することが可能となる。
たような構成や、赤外線と可視光線を同時撮像可能なイメージセンサを、低コスト小型に形成することが可能となる。
1 シリコン基板
2 電界放出部
3 MOS回路部
4 配線部
5 空洞
6 空洞璧部
7 薄膜蒸発型ゲッタ部
2 電界放出部
3 MOS回路部
4 配線部
5 空洞
6 空洞璧部
7 薄膜蒸発型ゲッタ部
Claims (7)
- 基板と、
前記基板上部に配置されており、上面部と壁部とで構成され、内部に空洞を有し、外部との気体の出入りを遮断する空洞壁部と、
前記空洞壁部の空洞内に配置されている薄膜であるゲッタ部とを備え、
前記ゲッタ部は、加熱されることにより蒸発して、前記空洞壁部内部に存在する気体を吸着する電子デバイスの製造方法であって、
前記基板上部の一部を覆うように下部犠牲層を形成する工程と、
前記下部犠牲層上部の一部に、前記ゲッタ部を形成する工程と、
前記下部犠牲層上部と、前記ゲッタ部上部とを覆うように、上部犠牲層を形成する工程と、
前記上部犠牲層上部に、前記空洞壁部の上面部の一部を構成する薄膜を形成する工程と、
前記薄膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部を介して、前記上部犠牲層の少なくとも一部と前記下部犠牲層の少なくとも一部とを除去することにより、前記空洞を形成するとともに、前記上部犠牲層と前記下部犠牲層とにより構成される前記壁部を形成する工程と、
前記開口部を覆うように、前記空洞壁部の上面部の一部を構成する薄膜を形成することで、前記空洞壁部を形成する工程とを含む電子デバイスの製造方法。 - 基板と、
前記基板上部に形成されたフィールドエミッタ部と、
前記基板と前記フィールドエミッタ部との上部に配置されており、上面部と壁部とで構成され、内部に空洞を有し、外部との気体の出入りを遮断する空洞壁部と、
前記空洞壁部の空洞内に配置されている薄膜であるゲッタ部とを備え、
前記ゲッタ部は、加熱されることにより蒸発して、前記空洞壁部内部に存在する気体を吸着する電子デバイスの製造方法であって、
前記基板上部の一部にフィールドエミッタ部を形成する工程と、
前記基板上部の一部と、前記フィールドエミッタ部上部の一部とを覆うように下部犠牲層を形成する工程と、
前記下部犠牲層上部の一部に、前記ゲッタ部を形成する工程と、
前記下部犠牲層上部と、前記ゲッタ部上部とを覆うように、上部犠牲層を形成する工程と、
前記上部犠牲層上部に、前記空洞壁部の上面部の一部を構成する薄膜を形成する工程と、
前記薄膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部を介して、前記上部犠牲層の少なくとも一部と前記下部犠牲層の少なくとも一部とを除去することにより、前記空洞を形成するとともに、前記上部犠牲層と前記下部犠牲層とにより構成される前記壁部を形成する工程と、
前記開口部を覆うように、前記空洞壁部の上面部の一部を構成する薄膜を形成することで、前記空洞壁部を形成する工程とを含む電子デバイスの製造方法。 - 基板と、
前記基板上部に配置されており、上面部と壁部とで構成され、内部に空洞を有し、外部との気体の出入りを遮断する空洞壁部と、
前記空洞壁部の空洞内に配置されている薄膜であるゲッタ部とを備え、
前記ゲッタ部は、加熱されることにより蒸発して、前記空洞壁部の内部に存在する気体を吸着する電子デバイスの製造方法であって、
前記基板上部の一部を覆うように下部犠牲層を形成する工程と、
前記下部犠牲層上部の一部に、前記ゲッタ部を形成する工程と、
前記下部犠牲層の少なくとも一部を除去することにより、前記ゲッタ部と前記基板との間に、前記空洞の一部を形成する工程と、
前記基板上にキャップ体を接合もしくは接着して、前記空洞を形成するとともに、前記キャップ体により構成される上面部と壁部とを形成することにより、前記空洞壁部を形成する工程とを含む電子デバイスの製造方法。 - 基板と、
前記基板上部に形成されたフィールドエミッタ部と、
前記基板と前記フィールドエミッタ部との上部に配置されており、上面部と壁部とで構成され、内部に空洞を有し、外部との気体の出入りを遮断する空洞壁部と、
前記空洞壁部の空洞内に配置されている薄膜であるゲッタ部とを備え、
前記ゲッタ部は、加熱されることにより蒸発して、前記空洞壁部の内部に存在する気体を吸着する電子デバイスの製造方法であって、
前記基板上部の一部にフィールドエミッタ部を形成する工程と、
前記基板上部の一部と、前記フィールドエミッタ部上部の一部とを覆うように下部犠牲層を形成する工程と、
前記下部犠牲層上部の一部に、前記ゲッタ部を形成する工程と、
前記下部犠牲層の少なくとも一部を除去することにより、前記ゲッタ部と前記基板との間に、前記空洞の一部を形成する工程と、
前記基板上にキャップ体を接合もしくは接着して、前記空洞を形成するとともに、前記キャップ体により構成される上面部と壁部とを形成することにより、前記空洞壁部を形成する工程とを含む電子デバイスの製造方法。 - 請求項1から4のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記ゲッタ部を加熱して蒸発させることにより、前記空洞部内部の真空度を向上させる真空度向上工程を含む、
電子デバイスの製造方法。 - 請求項5に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記真空度向上工程において、レーザを前記ゲッタ部に照射することにより加熱を行うことを特徴とする
電子デバイスの製造方法。 - 請求項5に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記真空度向上工程において、前記ゲッタ部に電流を流してジュール熱を発生させることにより加熱を行うことを特徴とする
電子デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004003852A JP4411974B2 (ja) | 2004-01-09 | 2004-01-09 | 電子デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004003852A JP4411974B2 (ja) | 2004-01-09 | 2004-01-09 | 電子デバイスの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005197151A JP2005197151A (ja) | 2005-07-21 |
JP2005197151A5 true JP2005197151A5 (ja) | 2007-02-01 |
JP4411974B2 JP4411974B2 (ja) | 2010-02-10 |
Family
ID=34818634
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004003852A Expired - Fee Related JP4411974B2 (ja) | 2004-01-09 | 2004-01-09 | 電子デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4411974B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4862325B2 (ja) * | 2005-09-07 | 2012-01-25 | 日産自動車株式会社 | 真空パッケージおよびその製造方法 |
JP4784399B2 (ja) * | 2006-05-29 | 2011-10-05 | 日産自動車株式会社 | 赤外線センサおよびその製造方法 |
JP5023716B2 (ja) * | 2007-01-25 | 2012-09-12 | カシオ計算機株式会社 | 蒸発型ゲッター材、ゲッターポンプ、減圧構造、反応装置、発電装置及び電子機器 |
JP5194510B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2013-05-08 | パナソニック株式会社 | センサ装置 |
FR2933389B1 (fr) * | 2008-07-01 | 2010-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Structure a base d'un materiau getter suspendu |
FR2933390B1 (fr) * | 2008-07-01 | 2010-09-03 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'encapsulation d'un dispositif microelectronique par un materiau getter |
JP5123223B2 (ja) * | 2009-01-27 | 2013-01-23 | パナソニック株式会社 | 赤外線センサ素子のパッケージ |
-
2004
- 2004-01-09 JP JP2004003852A patent/JP4411974B2/ja not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7045430B2 (ja) | ウェハレベルパッケージ内の熱赤外線センサアレイ | |
US8395229B2 (en) | MEMS-based getter microdevice | |
JP3703480B2 (ja) | 電子デバイスおよびその製造方法 | |
US6923625B2 (en) | Method of forming a reactive material and article formed thereby | |
KR102401863B1 (ko) | 기밀하게 밀봉된 진공 하우징 및 게터를 포함하는 장치의 제조 방법 | |
US5921461A (en) | Vacuum package having vacuum-deposited local getter and its preparation | |
JP5507349B2 (ja) | 電磁波の検出及び/又は放射装置、並びにそのような装置の製造方法 | |
JPWO2005015637A1 (ja) | 電子デバイスおよびその製造方法 | |
TW201542443A (zh) | 製造微機械構件的方法 | |
WO2010032569A1 (ja) | 電子装置 | |
US7279682B2 (en) | Device for maintaining an object under vacuum and methods for making same, use in non-cooled infrared sensors | |
JP4411974B2 (ja) | 電子デバイスの製造方法 | |
US20090001537A1 (en) | Gettering material for encapsulated microdevices and method of manufacture | |
JP2005197151A5 (ja) | ||
US11685645B2 (en) | Micro-electromechanical system and method for producing same | |
CA2822484C (en) | Mems-based getter microdevice | |
JP4784399B2 (ja) | 赤外線センサおよびその製造方法 | |
JP3324395B2 (ja) | 電界型真空管とそれを用いた圧力センサ、加速度センサおよびそれらの製造方法 | |
JP3094943B2 (ja) | 赤外線検知器 | |
JP7274640B2 (ja) | マイクロヒータを備える薄膜ゲッタ構造及びその製造方法 | |
JP2013254916A (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
WO2022254838A1 (ja) | 半導体センサ及びその製造方法 | |
JPH103850A (ja) | 真空気密容器 | |
JP2009032577A (ja) | 電子装置 | |
CN115215283A (zh) | 一种具有微型加热器的薄膜吸气剂结构及其制造方法 |