JP7274640B2 - マイクロヒータを備える薄膜ゲッタ構造及びその製造方法 - Google Patents
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Description
基板と、
前記基板の一方の主面の一側に形成されたヒータと、
前記ヒータの表面に形成されたゲッタ薄膜と、を含み、
前記ヒータが、
第1の絶縁薄膜と、
前記第1の絶縁薄膜の上表面に形成された薄膜抵抗と、
前記薄膜抵抗を覆う第2の絶縁薄膜と、を含み、
前記薄膜抵抗の両端は、前記第2の絶縁薄膜から露出された電極である、薄膜ゲッタ構造を提供する。
内部が真空チャンバに形成された真空パッケージケースと、
前記真空パッケージケース内部にパッケージングされるMEMSデバイスと、
一端が前記真空パッケージケースの内部に位置しており、他端が前記真空パッケージケースの外部に位置している導電端子と、
前記真空パッケージケースの内部にパッケージングされる、実施例の上記態様に記載の薄膜ゲッタ構造と、を含み、
前記薄膜ゲッタ構造の前記薄膜抵抗の電極が前記導電端子と電気的に接続されている、真空パッケージ構造を提供する。
基板の一方の主面にヒータが形成されるステップと、
前記ヒータの表面にゲッタ薄膜が形成されるステップと、を含み、
前記ヒータが形成されるステップが、
前記基板の一方の主面に第1の絶縁薄膜が形成されることと、
前記第1の絶縁薄膜の上表面に薄膜抵抗が形成されることと、
前記薄膜抵抗を覆う第2の絶縁薄膜が形成されることと、を含み、
前記薄膜抵抗の両端が、前記第2の絶縁薄膜から露出された電極に形成されている、薄膜ゲッタ構造の製造方法を提供する。
本発明の実施例1はゲッタ構造を提供する。このようなゲッタ構造は、自体にヒータを付ける。図1が本実施例を示す図である。本実施例において、本発明の主な思想を強調するために、図1の概略図が、最も基本的な要素のみを含む。図1のa)は、ゲッタ構造100の平面図であり、図1のb)は、図1のa)においてAA’によって示された線に沿って切断されたゲッタ構造100の断面図であり、図1のc)は、ゲッタ構造100の薄膜抵抗3の平面図である。
本発明の実施例2は、別のゲッタ構造を提供する。このようなゲッタ構造は、自体にヒータを付ける。図2は、本実施例を示す図である。本実施例において、本発明の主な思想を強調するために、図2の概略図が最も基本的な要素のみを含む。図2のa)は、ゲッタ構造100の平面図であり、図2のb)は、図2のa)においてAA’によって示された線に沿って切断されたゲッタ構造100の断面図であり、図2のc)は、ゲッタ構造100的薄膜抵抗3の平面図である。便宜のために、実施例1と類似的な内容が本実施例において贅言されない。
本発明の実施例3はゲッタ構造を提供する。このようなゲッタ構造は、自体にMEMSヒータを付ける。図3は、本実施例の平面図である。本実施例において、本発明の主な思想を強調するために、図3の概略図が最も基本的な要素のみを含む。本実施例3における実施例1と類似的な内容について、実施例1を参照することができ、ここで贅言されない。
本発明の実施例4は、別のゲッタ構造を提供する。このようなゲッタ構造は、自体にMEMSヒータを付ける。図4は、本実施例の平面図である。本実施例において、本発明の主な思想を強調するために、図4の概略図が最も基本的な要素のみを含む。本実施例4は、前述した実施例2、3と類似的な内容について、実施例2、3を参照することができ、ここで贅言されない。
本発明の実施例5は、ゲッタ構造の製造方法を提供する。図5は、本実施例の断面図である。本実施例の製造方法を用いるだけで、図1に記載された実施例1及び図3に記載された実施例3のゲッタ構造を製造することができる。本実施例において、本発明の主な思想を強調するために、図5の概略図が最も基本的な要素のみを含む。本実施例5に係る構造、材料等の実施例1、3と同じの内容について、実施例1、3を参照することができ、ここで贅言されない。便宜のために、本実施例5は、実施例1のゲッタ構造100を例として製造方法を説明する。
本発明の実施例6は、別のゲッタ構造の製造方法を提供する。図6は、本実施例の断面図である。本実施例の製造方法を用いて、図2に記載された実施例2及び図4に記載された実施例4のゲッタ構造100を製造することができる。本実施例において、本発明の主な思想を強調するために、図6の概略図が最も基本的な要素のみを含む。本実施例6に係る構造、材料等の、実施例2、4と同じの内容について、実施例2、4を参照することができ、ここで贅言されない。便宜のために、本実施例6は、実施例5と共通する内容があってもよく、ここで、詳しく説明されない。便宜のために、本実施例6は、実施例2のゲッタ構造100を例として製造方法を説明する。
本発明の実施例7は、MEMSデバイスの真空パッケージ構造を提供する。図7は本実施例の断面図である。本実施例において、本発明の主な思想を強調するために、図7の概略図が最も基本的な要素のみを含む。
Claims (8)
- マイクロヒータを備える薄膜ゲッタ構造であって、
基板と、
前記基板の一方の主面の一側に形成されたヒータと、
前記ヒータの表面に形成されたゲッタ薄膜と、を含み、
前記ヒータが、
第1の絶縁薄膜と、
前記第1の絶縁薄膜の上表面に形成された薄膜抵抗と、
前記薄膜抵抗を覆う第2の絶縁薄膜と、を含み、
前記薄膜抵抗の両端は、前記第2の絶縁薄膜から露出された電極であり、
前記第2の絶縁薄膜は、第1の部分と第2の部分とを含み、前記第1の部分と前記第2の部分とが分離溝によって互いに分離されており、
前記第1の部分が前記薄膜抵抗の領域を覆っている、薄膜ゲッタ構造。 - 前記第2の絶縁薄膜の前記第1の部分に形成された前記ゲッタ薄膜の面積が前記第2の絶縁薄膜の前記第1の部分の面積よりも小さい、請求項1に記載の薄膜ゲッタ構造。
- 2つ以上の前記ヒータと、2つ以上の前記ゲッタ薄膜とを含み、
各前記ゲッタ薄膜が、対応する前記ヒータの上表面に設けられている、請求項1に記載の薄膜ゲッタ構造。 - 前記基板の前記一方の主面には空洞があり、
前記ヒータの前記ゲッタ薄膜を担持する部分が、前記空洞の上方に位置しており、
接続部によって前記空洞周囲の前記一方の主面に支持されている、請求項1に記載の薄膜ゲッタ構造。 - MEMSデバイスの真空パッケージ構造であって、
内部が真空チャンバに形成された真空パッケージケースと、
前記真空パッケージケース内部にパッケージングされるMEMSデバイスと、
一端が前記真空パッケージケースの内部に位置しており、他端が前記真空パッケージケースの外部に位置している導電端子と、
前記真空パッケージケースの内部にパッケージングされる、請求項1に記載の薄膜ゲッタ構造と、を含み、
前記薄膜ゲッタ構造の前記薄膜抵抗の電極が前記導電端子と電気的に接続されている、真空パッケージ構造。 - マイクロヒータを備える薄膜ゲッタ構造の製造方法であって、
基板の一方の主面にヒータが形成されるステップと、
前記ヒータの表面にゲッタ薄膜が形成されるステップと、を含み、
前記ヒータが形成されるステップが、
前記基板の一方の主面に第1の絶縁薄膜が形成されることと、
前記第1の絶縁薄膜の上表面に薄膜抵抗が形成されることと、
前記薄膜抵抗を覆う第2の絶縁薄膜が形成されることと、を含み、
前記薄膜抵抗の両端が、前記第2の絶縁薄膜から露出された電極に形成されており、
前記ヒータが形成されるステップが、
前記第2の絶縁薄膜には、前記第2の絶縁薄膜の第1の部分と第2の部分とを互いに分離させる分離溝が形成されることを、さらに含み、
前記第1の部分が前記薄膜抵抗の領域を覆っている、薄膜ゲッタ構造の製造方法。 - 前記第2の絶縁薄膜の前記第1の部分に形成された前記ゲッタ薄膜の面積が前記第2の絶縁薄膜の前記第1の部分の面積よりも小さい、請求項6に記載の製造方法。
- 前記ヒータの表面には前記ゲッタ薄膜が形成される前に、接続部と、前記ヒータの前記ゲッタ薄膜を担持するための部分のパターンとを形成するように、前記ヒータをエッチングするとともに、前記ヒータの前記ゲッタ薄膜を担持するための部分を吊るように、前記基板の前記主面を加工する、請求項6に記載の製造方法。
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US20120228733A1 (en) | 2011-03-11 | 2012-09-13 | Institut National D'optique | Mems-based getter microdevice |
US20150158720A1 (en) | 2011-06-27 | 2015-06-11 | Invensense, Inc. | Integrated heater for gettering or outgassing activation |
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- 2021-04-16 CN CN202110414599.3A patent/CN115215284A/zh active Pending
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2022
- 2022-03-31 EP EP22165761.2A patent/EP4074650A3/en active Pending
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- 2022-04-18 US US17/659,542 patent/US20220340412A1/en active Pending
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