TWI383948B - 用於ｍｅｍｓ裝置製造之抗粘著塗層的選擇性紫外光臭氧乾蝕刻 - Google Patents

Description

用於MEMS裝置製造之抗粘著塗層的選擇性紫外光臭氧乾蝕刻 【相關申請案的交互參照】

本專利申請案申請第61/186,958號美國臨時專利申請案，其係於2009年6月15日申請，在此以引用的方式併入本文。

本發明一般係關於MEMS裝置，且更特別地，本發明係關於在MEMS裝置製造中使用紫外光-臭氧乾蝕刻技術之抗粘著塗層的選擇性蝕刻。

半導體技術一般在微電機裝置(通常稱為〝MEMS裝置〞)上形成非常清潔的微型結構表面。不好的是，極度清潔的微型結構表面常常在假如它們互相接觸時粘在一起。當該些表面仍然粘在一起時，該裝置常常無法操作。在該技術中，表面粘在一起的此種概念被稱為〝粘著〞。

許多不同因素有助於粘著。例如，在其他事件中，粘著可由毛細、靜電與凡得瓦爾力造成。在一些情形中，粘著係由〝化學〞力造成，譬如氫鍵合與固體橋聯。於是，在MEMS裝置配送以前，MEMS製造商通常會進行許多測試，以決定粘著問題的可能性。

為了對付粘著，晶圓表面可塗以具有低表面能量的薄 抗粘著塗層。一般抗粘著塗層的實例包括用溶劑或經由化學蒸汽沈積來施加之以碳氫化合物與氟碳化合物為主的自組性有機矽烷與矽氧烷。抗粘著塗層基本上覆蓋整個晶圓表面，其係包括譬如使用於晶圓對晶圓粘結(例如晶圓敷蓋或晶圓堆疊)之粘結線以及用於電性與其他連接之粘結墊的此些事物。

MEMS裝置通常藉由將每一個別晶片放在密閉式封裝物中或將感應器封裝在晶圓層中而被密封在密閉外殼中。晶圓層封裝可減少封裝物尺寸與成本，而且它通常可藉由把封接玻璃(或者玻璃料)使用當作中間粘結層來得到。雖然該封裝玻璃粘結已經被併入包括加速計的許多MEMS產品中，但是它卻施加許多限制，包括大約100微米的更大晶片尺寸、在網版印刷期間內晶片外殼的污染、以及來自被使用來減少玻璃融化溫度之鉛的污染。

其他種類的粘結，譬如金屬對金屬、矽對矽、以及矽對金屬粘結，其係可被使用當作密封玻璃粘著的替代物。一些實例包括使用熱壓縮粘結計畫的銅對銅、鋁對鋁以及鋁/鍺-對-鋁粘結。此些替代粘結技術基本上會使得粘結線厚度減少，其係容許每一晶圓有更多的晶片以及因此每一晶片有更低的成本。

在將蓋子與裝置晶圓粘結在一起以後，蓋晶圓會被〝切單〞或切割成各別蓋裝置。在切單期間內，在該些蓋子之間的未粘結區域(通常視為〝柵格〞)會變鬆，且在切開以後，該柵格會例如藉由自頂部輕敲蓋晶圓以及脫下柵格而 被移除。定量的粘結產量與強度隨後會被評估，其係例如藉由使用XYZTEC(TM)切變測量功率來檢查柵格以決定粘結與非粘結柵格的百分比。

晶圓對晶圓粘結基本上以仍然完整無缺並且覆蓋粘結線的抗粘結塗層來進行，例如使用熱壓粘結。不過，在粘結線上之抗粘結塗層的存在會負面地影響附著並且減少粘結切變強度，其係會造成不完整或不充足的晶圓對晶圓粘結。這些事物會產生較低的產量(亦即，每一晶圓所實施的可接受裝置數目)並同樣地造成裝置失效。

電漿蝕刻可被使用來將抗粘結塗層材料自粘結線表面移除，但是電漿蝕刻一般為非選擇性，其係並且可造成抗粘結塗層材料自需要避免粘結的可移動MEMS結構移除。

本發明一般係關於MEMS裝置，而且更特別地，本發明係關於在MEMS裝置製造中使用紫外光臭氧乾蝕刻技術之抗粘著塗層的選擇性蝕刻。

在特定實施例中，MEMS製造方法包含將有機抗粘著材料層形成在第一晶圓上，抗粘著材料層覆蓋第一晶圓上的至少一個結構，將第一晶圓加熱以從至少一個結構的表面移除抗粘著材料，並且將第一晶圓暴露到至少兩波長的紫外光，以經由紫外光-臭氧蝕刻，將額外的抗粘著材料自至少一個結構的表面移除。

示範性有機抗粘著塗層包括以碳氫化合物與氟碳化合 物為主的自組性有機矽烷與矽氧烷。示範性實施例將第一晶圓暴露到兩波長的紫外光，包括大約184.9nm的波長與大約253.7nm的波長。抗粘著塗層被蝕刻的結構，包括晶圓粘結線或粘結墊、電極、或其他金屬或其他結構。紫外光-臭氧蝕刻包含遮蔽，譬如陰影遮罩，或者形成在抗粘著材料上的保護性材料，包括用於將抗粘著塗層選擇性暴露到紫外光之開口的排列。

該暴露結構表面會被粘結到第二晶圓上的相應結構。第二晶圓係為蓋晶圓或第二MEMS裝置晶圓，其係並且包括電子電路，且該相應的結構係為粘結線、電極或其他結構。或者，一材料層可形成在該結構的暴露表面上，或者可對該結構的暴露表面進行一電性或其他連接。

在示範性實施例中，第一晶圓可在大約攝氏200-460度的溫度加熱大約10-20分鐘，且第一晶圓可被暴露大約2-4分鐘。

實施例亦可包括由上述MEMS製造製程所形成的MEMS裝置。

替代性實施例亦包括具有一晶圓的一MEMS裝置，在該晶圓上至少有一個MEMS結構，以及一混合熱/紫外光-臭氧蝕刻有機抗粘著材料層，其係暴露一結構表面。

在本發明示範性實施例中，譬如例如用溶劑或經由化學蒸汽沈積來施加之以碳氫化合物與氟碳化合物為主之自 組性有機矽烷與矽氧烷的有機抗粘著塗層，其係可使用紫外光臭氧(UVO)乾蝕刻技術被選擇性蝕刻，其中欲被蝕刻的有機抗粘著塗層部分則同時被暴露於數波長的紫外光，其係從抗粘著塗層激發並解離有機分子，並從分子氧與臭氧產生原子氧，以致於有機分子能夠與原子氧反應以形成被耗散的揮發性產品，以造成抗粘著塗層之暴露部分的移除。陰影遮罩(例如玻璃或石英製)、保護性材料層、或其他機制，其係可被使用來選擇性暴露欲被紫外光臭氧蝕刻的抗粘著塗層部分。此選擇性紫外光臭氧蝕刻可例如被使用來在晶圓對晶圓粘結以前暴露晶圓粘結線，以便增加粘結切變與附著強度，以暴露粘結襯墊，以準備用於電性或其他連接，或者用於自金屬或其他材料表面來一般性移除抗粘著塗層材料。

在一種特定實施例中，選擇性紫外光臭氧蝕刻以兩種波長的紫外光來進行，一種大約184.9nm，且另一種大約253.7nm。在紫外光臭氧蝕刻期間內，譬如矽烷的有機分子會藉由短波長紫外光輻射的吸附被激發並解離。當分子氧藉由184.9nm輻射被解離且臭氧藉由253.7nm輻射被解離時，原子氧則同時會被產生。253.7nm輻射可被大部分的有機物，而且也可被臭氧吸附。有機分子會與原子氧反應，以形成被解離的揮發性產品，以造成抗粘著塗層之暴露部分的移除。

其他實施例則可使用不同波長的紫外光。

在第一示範性實施例中，陰影遮罩可被使用來將抗粘 著塗層結構部分暴露到紫外光臭氧蝕刻。

第1圖係為描述根據本發明示範性實施例所設計、將使用陰影遮罩之MEMS裝置晶圓之抗粘著塗層結構暴露之選擇性紫外光臭氧蝕刻的概要性截面圖。在此，MEMS裝置晶圓包括結構106(例如晶圓粘結線或粘結墊)，其係被形成在晶圓102上並且被有機抗粘著塗層104所覆蓋。應該注意的是，MEMS裝置晶圓會被大幅簡化，其係並且會有許多層結構形成於上。陰影遮罩108會被放置在MEMS裝置晶圓與輻射源110之間，該輻射源會產生具有兩波長光線的輻射112，一種大約184.9nm，且另一種大約253.7nm。陰影遮罩108包括適當排列的開口，其係用於將覆蓋結構106的抗粘著塗層104部分選擇性暴露到輻射112。MEMS裝置晶圓會被暴露到輻射112達一充分的時間量，以蝕刻抗粘著塗層的暴露部分，以顯露底部結構106的表面。

應該注意的是，陰影遮罩108不限於任何特定材料。一般來說，陰影遮罩係由在紫外光臭氧蝕刻抗粘著塗層期間內實質阻擋所使用光線波長(在示範性實施例中，兩波長，一種大約184.9nm且另一種大約253.7nm)的材料所製成。示範性陰影遮罩材料包括玻璃與石英。同樣應該注意的是，在陰影遮罩中的開口會被排列，以解釋譬如到MEMS裝置晶圓之距離以及在紫外光臭氧蝕刻期間內溫度變化的此些事情。如在美國專利申請案第6821561號中所討論的，其係在此以引用的方式併入本文，陰影遮罩可以升高的製 程溫度來延伸，且該開口可被排列以解釋當紫外光臭氧蝕刻時所希望的延伸數量。

在第二示範性實施例中，保護性材料層可被使用來將抗粘著塗層結構部分選擇性地暴露到紫外光臭氧蝕刻。

第2圖係為描述根據本發明示範性實施例所設計、將使用圖案化保護材料層之MEMS裝置晶圓之抗粘著塗層結構暴露之選擇性紫外光臭氧蝕刻的概要性截面圖。誠如在第1圖，MEMS裝置晶圓包括結構106，其係被形成在晶圓102上並且由有機抗粘著塗層104所覆蓋。在此，保護性材料層116會被形成在抗粘著塗層104上，其係並以適當排列的開口來圖案化，以將覆蓋結構106之抗粘著塗層104部分選擇性暴露到由輻射源110所釋放的輻射112。如在第1圖，MEMS裝置晶圓會被暴露到輻射112達一充分的時間量，以蝕刻抗粘著塗層的暴露部分，以揭露底部結構106的表面。如以上所討論，輻射112包括兩種波長的光線，一種大約184.9nm，且另一種大約253.7nm。保護性材料層116隨後則會被移除。

應該注意的是，保護材料層116不限於任何特別材料。一般來說，保護性材料層是由在紫外光臭氧蝕刻抗粘著塗層期間內實質阻擋所使用之光線波長的材料所製成(在一個示範性實施例中，兩種波長，一種大約184.9nm且另一種大約253.7nm)，其係並且可在不傷害底部抗粘著塗層之下被移除。

使用遮蔽的實施例(例如陰影遮罩、圖案化保護材料 層或類似遮罩)一般會添加複雜性與成本到該製造製程。例如，陰影遮罩對製造與使用而言相當額貴，必須當產品佈局改變時改變，必須對準晶圓，其係並且依據形成陰影遮罩的材料而隨著時間退化，而且該蝕刻特性取決於許多因子，包括陰影遮罩的品質、陰影遮罩如何對準晶圓、以及陰影遮罩與欲蝕刻材料之間的距離(其係可在不同位置上變化，例如由於在晶圓表面上的高度變化)。保護性材料層可被沈積與圖案化。

第三示範性實施例在沒有經由〝混合〞蝕刻計畫的遮蔽下進行抗粘著塗層的選擇性紫外光臭氧蝕刻，其係在沒有遮蔽之下使用熱，之後接著紫外光臭氧。本實施例對將抗粘著材料從譬如粘結線、粘結墊與/或電極之金屬性(例如金屬與金屬氧化物)結構選擇性移除特別有用，其係同時將充分數量的抗粘著塗層留在矽結構上(例如可移動MEMS元件)。

特別是，在將抗粘著塗層沈積以後(基本上，厚度大約8至25埃)，整個晶圓會在預定溫度被加熱一預定數量的充分時間，其係能夠將全部薄膜自金屬結構實質地移除，同時將大部分薄膜留在矽結構上。因為抗粘著塗層基本上具有到金屬結構的較弱(物理)粘結，其係相較於憑藉矽表面上自然存在豐富氫氧根(-OH)群之到矽結構的較強(化學)粘結，且同樣因為相較於矽結構，金屬結構的更高熱梯度，加熱製程傾向於將抗粘著塗層更快且更完整地從金屬結構移除。溫度與加熱時間因此係為製程特定參 數，其係一般取決於尤其譬如抗粘著塗層種類、抗粘著塗層厚度以及欲將抗粘著塗層移除之金屬結構種類與厚度的此些事物。

溫度與加熱時間參數可根據實驗來決定，以用於一假設的應用，其係例如經由在不同溫度與/或時間來加熱晶圓並且測量每一重複之水接觸角或潤濕角的重複製程，以決定適當的溫度與時間，在此可將抗粘著塗層從金屬結構而非從矽結構充分地移除。例如，抗粘著塗層的最初水接觸角大約120度，且在加熱以後，水接觸角在金屬結構上會低到零，但卻在矽結構上大約80-90度，其係顯示實質全部的抗粘著塗層從金屬結構被移除，同時將充分數量的抗粘著材料留在矽結構上。在示範性實施例中，溫度在大約攝氏200-460度之間，其係並且基本上在大約攝氏200-400度之間，而且在特定實施例中，其係大約在攝氏200-300度之間，且加熱時間基本上在大約10-20分鐘之間，而且更基本地其係大約15分鐘。

在加熱製程以後，晶圓表面的頂部會暴露於紫外光臭氧達一預定數量的時間，以從暴露的金屬結構將所有剩餘薄膜實質移除，同時將一充分數量的薄膜留在矽結構上，以保留其抗粘著特性。再者，紫外光臭氧暴露時間係為可根據實驗決定的一製程特定參數。在一示範性實施例中，紫外光臭氧暴露時間在大約2-4分鐘之間，其係基本上大約3分鐘。

第3圖係為根據本發明示範性實施例所設計、將抗粘 著塗層〝混合〞蝕刻的製程流程圖，其係在沒有遮蔽之下使用熱，之後接著為紫外光臭氧。在形成抗粘著材料層以覆蓋晶圓上至少一個結構以後(例如金屬結構，譬如粘結線、粘結墊或電極)，在方塊302中，該晶圓會在預定溫度上(例如在大約攝氏200-460度並且基本上在大約攝氏200-400度，且在特定實施例中在大約攝氏200-300度)加熱達一預定時間量(例如在大約10-20分鐘之間，且更基本地在大約15分鐘)，以從至少一個結構的表面移除抗粘著材料，在方塊304中。然後，晶圓表面會被暴露到至少兩種波長的紫外光達一預定數量的時間(例如在大約2-4分鐘之間且基本上大約3分鐘)，以經由紫外光臭氧蝕刻，從至少一個結構的表面將額外的抗粘著材料移除，在方塊306中。

應該注意的是，假如需要或希望的話，選擇性遮罩(例如陰影遮罩或圖案化保護材料)可在〝混合〞蝕刻製程的紫外光臭氧暴露相位內被使用，以用於一特定的應用。假如使用的話，遮罩用的參數(例如陰影遮罩的對準)會由於紫外光臭氧暴露的簡短持續時間而比較不嚴格。

第4圖係為顯示在將抗粘著塗層選擇性紫外光臭氧蝕刻以暴露該結構以後之一MEMS裝置晶圓的概要性截面圖，其係根據顯示於第1與2圖的示範性實施例。在此，暴露結構106係以在蝕刻抗粘著塗層104上面延伸來顯示，雖然這不需要，而且暴露結構106與蝕刻抗粘著塗層的頂表面一樣平，或者仍然凹入蝕刻抗粘著塗層之頂表面 以下。應該注意的是，除了頂表面(例如側表面)以外，結構106的表面可藉由選擇性紫外光臭氧蝕刻被暴露，例如藉由種種元件的適當架構與/或定向。

在將抗粘著塗層選擇性紫外光臭氧蝕刻以將結構暴露以後，額外的製造製程可被進行。例如，可將另一材料層形成在暴露表面上，電性或其他連接則可進行到該暴露表面，或者該暴露表面可被使用於晶圓對晶圓粘結，譬如用於晶圓敷蓋、堆疊或貫通晶圓互連。

第5圖係為顯示根據本發明示範性實施例所設計之第4圖MEMS裝置晶圓的概要性截面圖，其係包括經由該暴露結構106粘結到裝置晶圓的蓋子114。該裝置與蓋晶圓會例如經由金屬對金屬、矽對矽、或者矽對金屬粘結而粘結在一起，以舉例一些晶圓粘結技術。在此，蓋子14包括在面對裝置晶圓之邊側上的壓痕，以便能夠形成一腔室，在其內一可移動MEMS結構可被罩住，雖然應該注意的是，其他種類的蓋組態則可被使用(例如蓋子是平的以及/或者包括開口以允許MEMS結構暴露到外部環境，譬如在MEMS麥克風或壓力感應器中)。應該注意的是，蓋子114係為空白晶片，其係或者包括譬如積體MEMS裝置用的MEMS結構與/或電子電路。

應該注意的是，本發明不限於任何特定種類的MEMS裝置。因此，MEMS裝置晶圓包括譬如慣性感應器(例如電容、壓電與對流加速計與振動與音叉陀螺儀)、麥克風、壓力感應器、射頻裝置與光學裝置(例如，光學切換器)的 此些事物。

因此，本發明可以MEMS製造方法來實施，其中，有機抗粘著材料層會被沈積在第一晶圓上，以致於能夠覆蓋第一晶圓上的至少一個結構。第一晶圓可被加熱，以從該結構實質移除全部的抗粘著材料。一些或全部的抗粘著材料層可被暴露到使用至少兩波長紫外光的紫外光臭氧蝕刻，以暴露結構表面。

在各種替代性實施例中，有機抗粘著塗層包括以碳氫化合物或氟碳化合物為主的自組性有機矽烷或矽氧烷。該兩波長大約184.9nm與大約253.7nm。該至少一結構則包括晶圓粘結線、電極、或其他結構，其係並且由金屬或其他材料製成。

在特定實施例中，紫外光臭氧蝕刻包含陰影遮罩之使用，該陰影遮罩包括開口的排列，以用於將抗粘著塗層選擇性暴露到紫外光。

在其他實施例中，紫外光臭氧蝕刻包含形成在抗粘著材料層之保護性材料的使用，其係並且包括用於將抗粘著塗層選擇性暴露到紫外光之一開口的排列。該保護性材料可在紫外光臭氧蝕刻以後被移除，或者仍留在該裝置上。

在仍另一實施例中，在沒有遮罩的情形下，〝混合〞蝕刻製程可使用熱，之後接著是紫外光臭氧暴露。

在紫外光臭氧蝕刻以暴露該結構表面以後，額外的製造製程可被進行。例如，該結構的暴露表面可被粘結到第二晶圓上的相應結構，譬如蓋晶圓、第二MEMS晶圓、具 有電子電路的晶圓、或其他晶圓，且在第二晶圓上的相應結構係為晶圓粘結線、電極、或其他結構，其係並且由金屬或其他材料製成。或者，另一材料層可形成在該結構的暴露表面上，例如，絕緣材料、傳導材料、鈍化材料、或其他材料可被形成在該結構的暴露表面上。或者，電性或其他連接則可進行到該結構的暴露表面。

本發明亦可以使用上述任一製程來形成的MEMS裝置來實施。示範性MEMS裝置包括譬如慣性感應器(例如電容、壓電與對流加速計與振動與音叉陀螺儀)、麥克風、壓力感應器、射頻裝置與光學裝置(例如，光學切換器)的此些事物。此些裝置經常包括被鬆開以便能夠移動的許多結構。鬆開結構的實例包括麥克風振膜與慣性感應器檢測質量與梭子。紫外光臭氧蝕刻可在加蓋或其他晶圓對晶圓粘結以前被使用，以便能夠從譬如粘結線或電極的此些事物移除抗粘著塗層。

雖然以上討論揭露本發明的種種示範性實施例，但是應該理解的是，那些熟請該技藝者可進行種種變更，該些變更將在不背離本發明真實範圍下得到本發明的一些優點。

102‧‧‧晶圓

104‧‧‧有機抗粘著塗層

106‧‧‧結構

108‧‧‧陰影遮罩

110‧‧‧輻射源

112‧‧‧輻射

114‧‧‧蓋子

116‧‧‧保護性材料層

上文與本發明的優點將可從參考附圖的以下進一步說明更進一步地理解，其中：第1圖係為描述根據本發明示範性實施例所設計、將 使用陰影遮罩之MEMS裝置晶圓之抗粘著塗層結構暴露之選擇性紫外光臭氧蝕刻的概要性截面圖；第2圖係為描述根據本發明示範性實施例所設計、將使用圖案化保護材料層之MEMS裝置晶圓之抗粘著塗層結構暴露之選擇性紫外光臭氧蝕刻的概要性截面圖；第3圖係為根據本發明示範性實施例所設計、將抗粘著塗層〝混合〞蝕刻的製程流程圖，其係在沒有遮罩之下使用熱接著為紫外光臭氧；第4圖係為顯示在選擇性紫外光臭氧蝕刻抗粘著塗層以暴露該結構以後之一MEMS裝置晶圓的概要性截面圖；以及第5圖係為顯示根據本發明示範性實施例所設計之第4圖MEMS裝置晶圓的概要性截面圖，其係包括經由該暴露結構粘結到裝置晶圓的蓋子。

應該注意的是，在此所描述的以上圖式與元件不一定按一致的比例或任何比例繪製。除非以別的方式來建議的上下文，不然相同的元件仍以相同的數字表示。

102‧‧‧晶圓

104‧‧‧有機抗粘著塗層

106‧‧‧結構

108‧‧‧陰影遮罩

110‧‧‧輻射源

112‧‧‧輻射

Claims (19)

1. 一種MEMS製造方法，包含：形成一有機抗粘著材料層在一第一晶圓上，該抗粘著材料層覆蓋第一晶圓上的複數個結構；加熱該第一晶圓，以從一第一結構的一表面實質地移除全部的抗粘著材料，同時將大部分該抗粘著材料留在一第二結構上；以及暴露該第一晶圓到至少兩種波長的紫外光，以經由紫外光臭氧蝕刻將額外的抗粘著材料從該第一結構的表面移除，同時將一充分數量的抗粘著材料留在該第二結構上以保留其抗粘著特性。
2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該有機抗粘著塗層包括以下至少一者：一以碳氫化合物為主的自組性有機矽烷；一以碳氫化合物為主的自組性矽氧烷；一以氟碳化合物為主的自組性有機矽烷；以及一以氟碳化合物為主的自組性矽氧烷。
3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中至少兩種波長的紫外光包括大約184.9nm波長與大約253.7nm波長。
4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中至少一者：該第一結構包括一晶圓粘結線； 該第一結構包括一電極；該第一結構包括一金屬結構；以及該第二結構包括一矽結構。
5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中紫外光臭氧蝕刻包含以下至少一者：一陰影遮罩，包括一開口的排列，其係用於將該抗粘著塗層選擇性地暴露到紫外光；以及一保護性材料，其係形成在該抗粘著材料層上，該保護性材料包括一開口的排列，以用於將該抗粘著塗層選擇性暴露到紫外光。
6. 如申請專利範圍第1項之方法，進一步包含：將該第一結構的該暴露表面粘結到在一第二晶圓上的相應結構。
7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中至少一者：該第二晶圓係為一蓋晶圓；該第二晶圓係為一第二MEMS裝置晶圓；該第二晶圓包括電子電路；該相應結構係為一晶圓粘結線；以及該相應結構係為一電極。
8. 如申請專利範圍第1項之方法，進一步包含至少一者： 將一材料層形成在該第一結構的暴露表面上；以及對該第一結構的暴露表面進行一電性或其他連接。
9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中在溫度大約攝氏200-460度將該第一晶圓加熱約10-20分鐘，且其中將該第一晶圓暴露大約2-4分鐘。
10. 一種由以下製程所形成的MEMS裝置，其係包含：形成一有機抗粘著材料層在一第一晶圓上，該抗粘著材料層覆蓋第一晶圓上的複數個結構；加熱該第一晶圓，以從一第一結構的一表面實質地移除全部的抗粘著材料，同時將大部分該抗粘著材料留在一第二結構上；以及暴露該第一晶圓到至少兩種波長的紫外光，以經由紫外光臭氧蝕刻將額外的抗粘著材料從該第一結構的表面移除，同時將一充分數量的抗粘著材料留在該第二結構上以保留其抗粘著特性。
11. 如申請專利範圍第10項之MEMS裝置，其中該有機抗粘著塗層包括至少一者：一以碳氫化合物為主的自組性有機矽烷；一以碳氫化合物為主的自組性矽氧烷；一以氟碳化合物為主的自組性有機矽烷；以及一以氟碳化合物為主的自組性矽氧烷。
12. 如申請專利範圍第10項之MEMS裝置，其中紫外光的至少兩種波長包括大約184.9nm波長與大約253.7nm波長。
13. 如申請專利範圍第10項之MEMS裝置，其中至少一者：該第一結構包括一晶圓粘結線；該第一結構包括一電極；該至少一個結構包括一金屬結構；以及該第二結構包括一矽結構。
14. 如申請專利範圍第10項之MEMS裝置，其中紫外光-臭氧蝕刻包含以下至少一者：一陰影遮罩，包括一開口的排列，其係用於將該抗粘著塗層選擇性地暴露到紫外光；以及一保護性材料，其係形成在該抗粘著材料層上，該保護性材料包括一開口的排列，以用於將該抗粘著塗層選擇性暴露到紫外光。
15. 如申請專利範圍第10項之MEMS裝置，進一步包含：一相應結構在一第二晶圓上，其係粘結到該第一結構的該暴露表面。
16. 如申請專利範圍第15項之MEMS裝置，其中至少一者：該第二晶圓係為一蓋晶圓； 該第二晶圓係為一第二MEMS裝置晶圓；該第二晶圓包括電子電路；該相應結構係為一晶圓粘結線；以及該相應結構係為一電極。
17. 如申請專利範圍第10項之MEMS裝置，進一步包含至少一者：一材料層，其係配置在該第一結構的暴露表面上；以及一電性或其他連接，其係到該第一結構的暴露表面。
18. 如申請專利範圍第10項之MEMS裝置，其中該第一晶圓在溫度大約攝氏200-460度加熱約10-20分鐘，且其中該第一晶圓會被暴露大約2-4分鐘。
19. 一種MEMS裝置，包含：一晶圓；複數個MEMS結構，其係在晶圓上；以及一混合加熱/紫外光-臭氧蝕刻有機抗粘著材料層，其係暴露一第一結構的一表面，同時將一充分數量的抗粘著材料留在一第二結構上以保留其抗粘著特性。