JP2008066220A - 有機el素子 - Google Patents
有機el素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008066220A JP2008066220A JP2006245279A JP2006245279A JP2008066220A JP 2008066220 A JP2008066220 A JP 2008066220A JP 2006245279 A JP2006245279 A JP 2006245279A JP 2006245279 A JP2006245279 A JP 2006245279A JP 2008066220 A JP2008066220 A JP 2008066220A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- organic
- layer
- light emitting
- terminal electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】 透明基板1と、該基板の上に設けられた透明電極3と、該透明電極の上に設けられた有機発光層4と、該有機発光層の上に設けられた背面電極5と、該基板の上に設けられた端子電極6であって、プラズマ処理により設けられた酸化保護層7を有し、該酸化保護層を介して該背面電極と電気的に接触している、端子電極とを有する有機EL素子が提供される。
【選択図】 図1
Description
透明基板と、
該基板の上に設けられた透明電極と、
該透明電極の上に設けられた有機発光層と、
該有機発光層の上に設けられた背面電極と、
該基板の上に設けられた端子電極であって、酸化保護層を有し、該酸化保護層を介して該背面電極と電気的に接触している、端子電極と
を有する有機EL素子が提供される。
透明基板と、
該基板の上に設けられた透明電極と、
該透明電極の上に設けられた有機発光層と、
該有機発光層の上に設けられた背面電極と、
該基板の上に設けられた端子電極であって、フッ素を含む酸化保護層を有し、該酸化保護層を介して該背面電極と電気的に接触している、端子電極と
を有する有機EL素子が提供される。
図1に示すように、本発明にかかる有機EL素子は、
透明基板1と、
該基板の上に設けられた透明電極(下部透明電極)3と、
該基板の上に設けられた絶縁層(SM1層)2と、
該透明電極の上に設けられた有機発光層4と、
該有機発光層の上に設けられた背面電極(陰極)5と、
該基板の上に設けられた端子電極6であって、酸化保護層7を有し、該酸化保護層を介して該背面電極と電気的に接触している、端子電極と
を有する。
・陽極/正孔注入輸送層/発光層/陰極
・陽極/正孔注入輸送層/発光層/電子注入輸送層/陰極
・陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入輸送層/陰極
実施例として、図1に準じた有機EL素子を作成した。具体的には、実施例にかかる有機EL素子は、基板1の上に、端子電極/Mo層6を製膜した。その後、基板1上に更に下部透明電極/絶縁層/正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/背面電極を順に設けた。
エッチングガス:CF4/O2=9/1混合
ガス圧:20Pa
RFパワー:3000W
エッチング時間:300sec
プラズマ処理しないことを除いて実施例と同様に、比較例にかかる有機EL素子を作成した。
実施例および比較例について、Mo表面のXPSによる波形解析から求めたMo表面のMo,C,O,Fの割合を以下の表1に示す。プラズマ処理を行った実施例のMo表面にはO原子の割合が少なく、酸化が防止できていることが分かる。
2:絶縁層
3:下部透明電極
4:有機発光層
5:背面電極
6:端子電極
7:酸化保護層
Claims (4)
- 透明基板と、
該基板の上に設けられた透明電極と、
該透明電極の上に設けられた有機発光層と、
該有機発光層の上に設けられた背面電極と、
該基板の上に設けられた端子電極であって、プラズマ処理により設けられた酸化保護層を有し、該酸化保護層を介して該背面電極と電気的に接触している、端子電極と
を有する有機EL素子。 - 透明基板と、
該基板の上に設けられた透明電極と、
該透明電極の上に設けられた有機発光層と、
該有機発光層の上に設けられた背面電極と、
該基板の上に設けられた端子電極であって、フッ素を含む酸化保護層を有し、該酸化保護層を介して該背面電極と電気的に接触している、端子電極と
を有する有機EL素子。 - 前記酸化保護層が、プラズマ処理により設けられた酸化保護層である請求項2に記載の有機EL素子。
- 前記端子電極がMoまたはMo合金を含み、前記酸化保護層がMoまたはMo合金と5at%以下のフッ素とを含む、請求項1〜3のいずれかに記載の有機EL素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006245279A JP2008066220A (ja) | 2006-09-11 | 2006-09-11 | 有機el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006245279A JP2008066220A (ja) | 2006-09-11 | 2006-09-11 | 有機el素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008066220A true JP2008066220A (ja) | 2008-03-21 |
Family
ID=39288734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006245279A Withdrawn JP2008066220A (ja) | 2006-09-11 | 2006-09-11 | 有機el素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008066220A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010135097A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機el素子およびその製造方法 |
WO2010132715A2 (en) * | 2009-05-14 | 2010-11-18 | Sri International | Low cost high efficiency transparent organic electrodes for organic optoelectronic devices |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001351778A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Tohoku Pioneer Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示デバイス及びその製造方法 |
JP2005108437A (ja) * | 2002-04-11 | 2005-04-21 | Optrex Corp | 有機エレクトロルミネセンス表示素子、有機エレクトロルミネセンス表示装置および有機エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法 |
-
2006
- 2006-09-11 JP JP2006245279A patent/JP2008066220A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001351778A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Tohoku Pioneer Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示デバイス及びその製造方法 |
JP2005108437A (ja) * | 2002-04-11 | 2005-04-21 | Optrex Corp | 有機エレクトロルミネセンス表示素子、有機エレクトロルミネセンス表示装置および有機エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010135097A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機el素子およびその製造方法 |
WO2010132715A2 (en) * | 2009-05-14 | 2010-11-18 | Sri International | Low cost high efficiency transparent organic electrodes for organic optoelectronic devices |
WO2010132715A3 (en) * | 2009-05-14 | 2011-03-10 | Sri International | Low cost high efficiency transparent organic electrodes for organic optoelectronic devices |
CN102460766A (zh) * | 2009-05-14 | 2012-05-16 | 思研(Sri)国际顾问与咨询公司 | 用于有机光电子装置的低成本高效率透明有机电极 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI485898B (zh) | 有機發光元件 | |
US20050249974A1 (en) | Organic electroluminescent element | |
JP2004349138A (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
JP2004139991A (ja) | 有機el素子 | |
JP2007265792A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP3943548B2 (ja) | エレクトロルミネセンス・デバイス | |
JP4515735B2 (ja) | 表示素子およびその製造方法 | |
JP2004171951A (ja) | 有機半導体素子用陽極 | |
JP4797361B2 (ja) | 有機el素子 | |
JP4367132B2 (ja) | パッシブマトリクス駆動トップエミッション型有機el素子およびその製造方法 | |
US7628669B2 (en) | Organic light emitting devices with conductive layers having adjustable work function and fabrication methods thereof | |
JP2008066220A (ja) | 有機el素子 | |
JP2002246173A (ja) | 有機elデバイスおよびこの製造方法 | |
JP3891430B2 (ja) | 有機el発光素子およびその製造方法 | |
JP2004146136A (ja) | 有機電界発光素子用電極基板およびその製造方法並びに有機el発光装置 | |
JP5435522B2 (ja) | 有機発光素子および有機発光素子の製造方法 | |
JP2011223001A (ja) | 有機発光装置及びその製造方法 | |
JP5173769B2 (ja) | 有機el素子の製造方法 | |
JP4268161B2 (ja) | 有機電界発光素子用電極基板および有機el発光装置 | |
JP4241003B2 (ja) | 有機電界発光素子用電極基板および有機el発光装置 | |
JP2008198491A (ja) | 有機elディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
JP2004296234A (ja) | 有機el素子およびその製造方法 | |
JPH11135264A (ja) | 有機el素子 | |
JP4824776B2 (ja) | 有機発光素子の製造方法およびこれによって製造された有機発光素子 | |
WO2003105539A1 (ja) | 有機el発光素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090714 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110308 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20110819 |