JP2008063157A - 半導体製造用石英ガラス部材 - Google Patents
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- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
【構成】少なくとも2層で形成される半導体製造用石英ガラス部材において、外層が1,280℃温度における粘度が1012.0ポイズ以上でナトリウム、カリウム及びリチウムのいずれも1ppm以下の天然石英ガラスからなり、最内層が1,280℃温度における粘度が1011.7ポイズ以上でナトリウム、カリウム及びリチウムのいずれも0.2ppm以下の合成石英ガラスからなる半導体製造用石英ガラス部材。
【選択図】 なし
Description
実施例1
不純物含有量が、Al:8ppm、Fe:0.2ppm、Na:0.1ppm、K:0.1ppmで、OH基濃度:200ppm、1,280℃における粘度が1012.4ポイズの天然石英ガラスを用いてサイズ300mmφ×1500mmL×3mmtの天然石英ガラスチューブを作成し、その外表面に、硝酸アルミニウムの30%溶液を塗布したのち乾燥させた。一方、不純物含有量が、Al:0.001ppm、Fe:0.001ppm、Na:0.001ppm、K:0.001ppm、OH濃度:80ppm、Cl濃度:25ppmで、1,280℃における粘度が1011.8ポイズの合成石英ガラスを用いてサイズ275mmφ×1500mmL×1mmtの合成石英ガラスチューブを作成し、この合成石英ガラスチューブを前記天然石英ガラス製のチューブに嵌合し、同一軸上に固定し、片端部から反対端部へ向けて、外部火炎加熱源を移動させながら、外層チューブ内面と内層チューブ外面の全面を溶接し、外層天然石英ガラス層と内層合成ガラス層からなる複合石英ガラス管を作成した。この複合石英ガラス管の外表面より深さ0.1mmまでには、アルミニウムが0.1wt%ドープされているのが検知された。
不純物含有量が、Al:8ppm、Fe:0.2ppm、Na:0.1ppm、K:0.1ppmで、OH基濃度:200ppm、1,280℃における粘度が1012.4ポイズの天然石英ガラスを用いてサイズ300mmφ×1500mmL×3mmtの天然石英ガラスチューブを作成し、その外表面に、硝酸アルミニウムの30%溶液を塗布したのち乾燥させた。一方、不純物含有量が、Al:0.001ppm、Fe:0.001ppm、Na:0.001ppm、K:0.001ppm、OH濃度:0.1ppm、Cl濃度:1ppmで、波長245nmにおける吸収係数が0.4/cmの1,280℃における粘度が1012.1ポイズである合成石英ガラスを用いてサイズ275mmφ×1500mmL×1mmtの合成石英ガラスチューブを作成し、この合成石英ガラスチューブを前記天然石英ガラス製のチューブに嵌合し、同一軸上に固定し、片端部から反対端部へ向けて、外部火炎加熱源を移動させながら、外層チューブ内面と内層チューブ外面の全面を溶接し、外層天然石英ガラス層と内層合成ガラス層からなる複合石英ガラス管を作成した。この複合石英ガラス管の外表面より深さ0.1mmまでには、アルミニウムが0.1wt%ドープされているのが検知された。
不純物濃度が、Al8ppm、Fe0.2ppm、Na0.1ppm、K0.1ppm、OH濃度200ppmで、1,280℃における粘度が1012.4ポイズの天然石英ガラスを用いて300mmφ×1500mmL×3mmtサイズの石英ガラスチューブを作成する一方、不純物濃度が、Al0.001ppm、Fe0.001ppm、Na0.001ppm、K0.001ppm、OH濃度1200ppm、Cl濃度600ppmで、1280℃における粘度が1011.5ポイズの合成石英ガラスを用いて275mmφ×1500mmL×1mmtサイズの合成石英ガラスチューブを作成し、この合成石英ガラスチューブを前記天然石英ガラスチューブに嵌合し、同一軸上に固定し、片端部から反対端部へ向けて、外部火炎加熱源を移動させながら、外層チューブ内面と内層チューブ外面の全面を溶接し、外部天然石英ガラス層と内部合成ガラス層からなる、複合石英ガラス管を作成した。
Claims (8)
- 少なくとも2層で形成される半導体製造用石英ガラス部材において、最外層が1,280℃温度における粘度が1012.0ポイズ以上の石英ガラスからなり、最内層が1,280℃温度における粘度が1011.7ポイズ以上の合成石英ガラスからなることを特徴とする半導体製造用石英ガラス部材。
- 最内層の合成石英ガラスのOH基濃度が100ppm以下、塩素濃度が500ppm以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体製造用石英ガラス部材。
- 最内層の合成石英ガラスが波長245nmの紫外線における吸収係数が0.01/cm以上であることを特徴する請求項1又は2記載の半導体製造用石英ガラス部材。
- 最内層を形成する合成石英ガラス層の厚さが部材の厚さの1〜99%であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の半導体製造用石英ガラス部材。
- 石英ガラスからなる最外層がアルミニウムを1ppm以上含有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の半導体製造用石英ガラス部材。
- 石英ガラスからなる最外層が天然石英ガラスからなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の半導体製造用石英ガラス部材。
- 最外層の外表面から0.1mmの深さにアルミニウム、バリウム又はガリウムが0.1wt%以上含有されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の半導体製造用石英ガラス部材。
- 最外層を形成する石英ガラスがナトリウム、カリウム及びリチウムのいずれも1ppm以下含有し、最内層を形成する合成石英ガラスがナトリウム、カリウム及びリチウムのいずれも0.2ppm以下含有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の半導体製造用石英ガラス部材。
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