JP2008057887A - 被加熱物の熱処理方法、ディスプレイパネルの製造方法、および、ディスプレイパネルの製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】被加熱物を目標温度まで好適に加熱できる被加熱物の熱処理方法、この熱処理方法を焼成工程に用いたディスプレイパネルの製造方法、および、ディスプレイパネルの製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の被加熱物の熱処理方法では、熱容量算出工程と、条件設定工程と、熱処理工程とを実施する。熱容量算出工程では、セッタＡ〜Ｄを熱処理炉４３内に搬入する前に、セッタＡ〜Ｄの総熱容量を予め算出する。条件設定工程では、当該総熱容量に応じて、ヒータ４３３の温度条件を設定する。熱処理工程では、当該温度条件に基づいてヒータ４３３の温度を所定温度に制御した後に、熱処理炉４３内にセッタＡ〜Ｄを搬入して、当該セッタＡ〜Ｄを一定時間加熱する。予め算出したセッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じてヒータ４３３の温度を制御することで、各セッタＡ〜Ｄ上の基板を同一の目標温度まで好適に加熱できる。
【選択図】図５

Description

本発明は、被加熱物の熱処理方法、ディスプレイパネルの製造方法、および、ディスプレイパネルの製造装置に関する。

従来、ディスプレイパネルとして、例えばＰＤＰ（Plasma Display Panel：プラズマディスプレイパネル）や液晶表示パネル、有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネル、ＦＥＤ（Field Emission Display）、電気泳動ディスプレイパネルなどがある。これらディスプレイパネルは、表示面を構成する前面基板、および、この背面側に設けられた背面基板を備えており、これら基板上には発光領域を構成する様々な構造物が適宜設けられている。このような構造物としては、例えば、ＰＤＰにおいては、発光領域を複数の単位発光領域に区画する隔壁や、各単位発光領域において放電発光させるためのアドレス電極およびバス電極等、これら電極等を被覆する誘電体層等が挙げられる。

このような構造物は、例えばオフセット印刷法やスクリーン印刷法、ディスペンサ法、ダイコータ法等を用いて、各種構造物となるペースト材料を基板上に塗布した後、この基板に対して焼成工程を実施することにより形成されることがある。
また、例えばＰＤＰの製造においては、前面基板および背面基板をパネル化する際、前面基板および背面基板間の内部空間をシールフリットにて封着する封着工程が実施される。この封着工程では、背面基板の外周縁に沿ってガラスペーストを設け、両基板を所定の位置関係で重ね合わせた後、これら基板に対して焼成工程が実施される。

上記のような基板の焼成工程では、通常、セッタと呼ばれる基台上に基板を載せて、このセッタを熱処理炉内において搬送させながら所定の温度で焼成する。ここにおいて、装置トラブルや基板のサイズ等によって、例えば図１に示すように、基板が載置されていないセッタＡ（図１（Ａ））や、基板が１枚のみ載置されたセッタＢ（図１（Ｂ））、基板が２枚載置されたセッタＣ（図１（Ｃ）参照）、基板が３枚載置されたセッタＤ（図１（Ｄ））等、様々なセッタが熱処理炉内に搬入される。

このように、様々なセッタＡ〜Ｄを熱処理炉内で一律に同条件で熱処理した場合、それぞれのセッタＡ〜Ｄ毎に総熱容量が異なるため、例えば図２に示すように、熱処理後の各セッタＡ〜Ｄ上の基板の焼上り温度にばらつきが生じてしまう。なお、図２は、図１（Ａ）〜（Ｄ）に示す各セッタＡ〜Ｄを同一熱処理条件で焼成した場合における、各セッタ上の基板の温度プロファイルを示したものである。図２中、実線は各セッタＡ〜Ｄ上の基板温度を示し、破線は熱処理炉内のヒータ設定温度を示す。
この図２に示したように各セッタＡ〜Ｄ毎に基板の焼上り温度が異なってしまうと、焼成後の各構造物の形成状態が異なって、ディスプレイパネルの表示特性が変わってしまうなど、一定の品質のディスプレイパネルを製造できないおそれがある。

ここで、従来、被加熱物の温度変化率を温度センサにより検出しながら、被加熱物の加熱温度を目標温度に一致させるようにフィードバック制御を行う熱処理方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
このような熱処理方法をディスプレイパネルの基板の焼成工程に適用した場合、セッタ毎に基板の載置枚数が異なったとしても、温度センサにより検出した基板温度に基づいて加熱温度を調整できるため、セッタ毎に基板の焼上り温度が異なってしまう（図２参照）という上述の問題を解決できるものと考えられる。

特開２００３−３０３０２５号公報

しかしながら、上記特許文献１のように、被加熱物の温度を検出しながらフィードバック制御する構成では、熱処理装置の制御系が複雑になってしまい、熱処理装置の製造コストが高くなってしまうおそれがある。
また、使用する温度センサや被加熱物の種類によっては、被加熱物の温度を検出できない場合もあり、このような場合は被加熱物を目標温度まで加熱することができない。

また、一般的に、被加熱物を熱処理炉内に搬入した直後は炉内温度が低下するが、上記した従来構成では、被加熱物が熱処理装置内に搬入されてから被加熱物の温度変化率を検出して温度制御するので、例えば、被加熱物が熱容量の大きなガラス基板等である場合、通常のヒータでは温度制御が間に合わない。このため、例えば図３中実線で示す温度プロファイルのようにセッタＡ〜Ｄ上の基板を目的温度まで加熱するためには、図中破線で示す温度プロファイルのように短時間のうちにヒータ設定温度を大きく上昇させる必要があり、これには高出力のヒータが必要となる。しかし、かかるヒータは高価であるため、熱処理装置の製造コストが高くなってしまう問題がある。
さらに、使用するヒータが、例えば赤外線セラミックヒータや熱風加熱式ヒータ等、被加熱物と直接接触しない非接触型のヒータである場合は、ヒータの熱が被加熱物に伝わるのに長時間を要してしまう。このため、ヒータ温度を変化させても被加熱物の温度はすぐには追従せず、フィードバック制御が困難となるため、被加熱物を目標温度まで加熱できないおそれがある。

本発明は、上述したような問題点に鑑みて、被加熱物を目標温度まで好適に加熱できる被加熱物の熱処理方法、この熱処理方法を焼成工程に用いたディスプレイパネルの製造方法、および、ディスプレイパネルの製造装置を提供することを１つの目的とする。

請求項１に記載の発明は、熱処理炉の内部に被加熱物を搬入し、当該熱処理炉の内部に設置されたヒータにより当該被加熱物を加熱する熱処理方法であって、前記被加熱物を前記熱処理炉内に搬入する前に、前記被加熱物の総熱容量を予め算出する熱容量算出工程と、この熱容量算出工程にて算出された総熱容量に応じて、前記ヒータの温度および前記熱処理炉内での加熱時間のうち少なくともいずれか一方の条件を設定する条件設定工程と、この条件設定工程の後に前記被加熱物を前記熱処理炉内に搬入し、当該条件設定工程にて設定した条件に基づいて当該被加熱物を加熱する熱処理工程と、を含むことを特徴とする被加熱物の熱処理方法である。

請求項９に記載の発明は、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の被加熱物の熱処理方法を、ディスプレイパネルを構成する基板の焼成工程に用いることを特徴とするディスプレイパネルの製造方法である。

請求項１１に記載の発明は、ディスプレイパネルを構成する基板を焼成するディスプレイパネルの製造装置であって、内部に前記基板を含む被加熱物が搬入され、内部に設置されたヒータにより当該被加熱物を加熱する熱処理炉と、この熱処理炉内に搬入される被加熱物の総熱容量を予め算出する熱容量算出部と、この熱容量算出部にて算出された総熱容量に応じて、前記ヒータの温度および前記熱処理炉内での加熱時間のうち少なくともいずれか一方の条件を設定する条件設定部と、前記熱処理炉内に搬入された前記被加熱物を、当該条件設定部にて設定した条件に基づいて前記ヒータにより加熱させる加熱制御部と、を具備したことを特徴とするディスプレイパネルの製造装置である。

（１）第１実施形態
以下、本発明の第１実施形態について図面に基づいて説明する。図４に、本実施形態におけるＰＤＰの内部構造を示す。
なお、本実施形態では、ディスプレイパネルとしてＰＤＰを例示するが、これに限らず、本発明は液晶表示パネルや、有機ＥＬパネル、ＦＥＤ、電気泳動ディスプレイパネルなどのディスプレイパネルに対しても適用可能である。

(1-1)ＰＤＰの構成
図４において、ＰＤＰ１は、プラズマ放電による発光を利用して画像を表示するディスプレイパネルであり、放電空間（発光領域）Ｈを介して対向配置された背面基板２および前面基板３を備えている。
これら背面基板２および前面基板３は、それぞれの外周縁部に図示しないシールフリットが設けられて封着されており、封着された空間内部は減圧状態とされた上で不活性ガスが充填されている。

背面基板２は、例えばガラス板材等の透明板を略長方形状に形成したものである。この背面基板２の内面上には、図４に示すように、アドレス電極２１と、アドレス電極保護層２２と、隔壁２３と、蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）等がそれぞれ設けられている。
アドレス電極２１は、例えばアルミニウムなどの導電性材料にて、背面基板２の長手方向（行方向）に直交する方向（列方向）に略沿う直線状に形成され、行方向に一定の間隔を置いて複数本配設されている。
アドレス電極保護層２２は、例えば誘電体ペーストなどにてアドレス電極２１を被覆する状態に形成され、背面基板２の略全面に亘り設けられている。
隔壁２３は、例えば誘電体ペーストなどにて略梯子状に形成され、アドレス電極保護層２２上に積層して設けられている。この隔壁２３により放電空間Ｈが複数に区画され、これにて複数の矩形状の放電セル２３１（単位発光領域）が形成されている。
蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）は、複数の放電セル２３１内部にそれぞれ順に充填された赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペースト層である。これら蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）は、それぞれの放電セル２３１で放電発光した際の紫外光により励起され、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の可視光を発光するようになっている。

前面基板３は、ＰＤＰ１の表示面を構成し、背面基板２と同様に、例えばガラス板材等の透明板を略長方形状に形成したものである。この前面基板３の内面上には、図４に示すように、表示電極対３１と、ブラックストライプ３２と、誘電体層３３と、保護層３４となどがそれぞれ設けられている。
表示電極対３１は、前面基板３上において、アドレス電極２１と略直交して列方向に一定の間隔で複数配列されており、それぞれ複数対の透明電極３１１ａ，３１１ｂと、一対のバス電極３１２ａ，３１２ｂとを備えて構成されている。
透明電極３１１ａ，３１１ｂは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜で略Ｔ字形状に形成されており、所定の放電セル２３１に対応して一対ずつ設けられている。
バス電極３１２ａ，３１２ｂは、例えば銀などの導電性材料にて直線状に形成され、複数対の透明電極３１１ａ，３１１ｂの一端部にそれぞれ積層して設けられている。
ブラックストライプ３２は、例えば黒色無機顔料などにて直線状に形成され、複数の表示電極対３１間にそれぞれ設けられている。
誘電体層３３は、例えば誘電体ペーストなどにて表示電極対３１およびブラックストライプ３２を被覆する状態に形成され、背面基板２の略全面に亘り設けられている。この誘電体層３３上におけるバス電極３１２ａ，３１２ｂに対向する部分には、放電空間Ｈ側に向かって突出した嵩上げ誘電体層３３１が設けられている。この嵩上げ誘電体層３３１により、列方向に互いに隣接する放電セル２３１同士間での誤放電が防止されるようになっている。
保護層３４は、例えばＭｇＯ（酸化マグネシウム）などの透明層であり、誘電体層３３の略全面を被覆する状態に設けられている。

(1-2)ＰＤＰの製造方法
上述した構成のＰＤＰ１の製造方法について説明する。
まず、背面基板２の製造ラインにおいて、十分に洗浄された透明基板上に、例えばオフセット印刷法や凸版印刷法、凹版印刷法、グラビア印刷法などの各種印刷法、ディスペンサ法、ダイコータ法等を用いて、アドレス電極２１となる導電性ペーストパターンを形成する。そして、この状態の背面基板２に対して後述する焼成工程を実施して、アドレス電極２１を形成する。
次に、アドレス電極２１上にガラスペーストを塗布して、このガラスペーストを所定形状に成形する。このような状態の背面基板２に対しても焼成工程を実施し、これにてアドレス電極保護層２２および隔壁２３を形成する。
さらに、放電セル２３１内部にスクリーン印刷法などにより赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストを塗布する。そして、この状態の背面基板２に対しても焼成工程を実施し、蛍光体層（２４Ｒ,２４Ｇ,２４Ｂ）を形成する。これにて、ＰＤＰ１の背面基板２が完成する。

次に、前面基板３の製造ラインでは、十分に洗浄された透明基板上に透明電極材料層を形成して、例えばフォトリソグラフィ法などにより複数の透明電極３１１ａ，３１１ｂを形成する。
そして、これら透明電極３１１ａ，３１１ｂ上に、例えばオフセット印刷法などにより、バス電極３１２ａ，３１２ｂとなる導電性ペーストの印刷パターンを積層形成した後、これに対して後述する焼成工程を実施する。これにより、バス電極３１２ａ，３１２ｂが形成される。
さらに、透明電極３１１ａ，３１１ｂおよびバス電極３１２ａ，３１２ｂにて構成される複数の表示電極対３１間に、例えばスクリーン印刷法などにより黒色ペーストのパターンを形成し、これに対して後述する焼成工程を実施する。これにより、複数のブラックストライプ３２が形成される。
次に、例えばダイコータなどにより表示電極対３１およびブラックストライプ３２を被覆する状態にガラスペーストを塗布した後に、このガラスペーストを所定形状に成形する。これに対しても焼成工程を実施し、嵩上げ誘電体層３３１を有した誘電体層３３を形成する。
この後、誘電体層３３の上に例えば蒸着法やスパッタリング法などによりＭｇＯ層を成膜して保護層３４を形成する。これにて、ＰＤＰ１の前面基板３が完成する。

上記のようにして製造した背面基板２および前面基板３に対して封着工程を実施する。この封着工程では、まず背面基板２の外周縁にガラスペーストを設けた後に、所定の位置関係で背面基板２および前面基板３を重ね合わせる。そして、この状態の両基板に対して焼成工程を実施し、これにて背面基板２および前面基板３間の内部空間をシールフリットにて封着する。
この封着工程の後は、当該内部空間の気体を排気してから、当該内部空間に放電ガスを注入する。これにてＰＤＰ１が完成する。

(1-3)熱処理装置
上述したＰＤＰの製造方法における焼成工程を実施する熱処理装置について、図面に基づいて説明する。図５に、本実施形態における熱処理装置の概略構成を示した模式図を示す。
図５において、熱処理装置４は、被加熱物の総熱容量を予め算出し、当該総熱容量に応じてヒータ温度を制御することにより、被加熱物を加熱する装置である。このような熱処理装置４は、搬送装置４１と、搬入前バッファ４２と、熱処理炉４３と、制御装置４４とを備えて構成されている。

搬送装置４１は、図１に示した所定枚数の背面基板２あるいは前面基板３（以下、基板２，３と適宜称す）が載置面上に載置されたセッタＡ〜Ｄ（被加熱物）を搬送するものである。この搬送装置４１は、セッタＡ〜Ｄが載置される複数の回転部材４１１と、これら回転部材４１１を回転させるモータ等を有した駆動手段４１２とを備えている。
複数の回転部材４１１は、搬入前バッファ４２の搬入側、搬入前バッファ４２の内部、熱処理炉４３の内部、および熱処理炉４３の搬出側のそれぞれにおいて、互いに並列する状態で配設されている。このような回転部材４１１により、セッタＡ〜Ｄを一定の搬送方向へと搬送する搬送路４１３が形成されている。すなわち、搬送路４１３は、セッタＡ〜Ｄを、搬入前バッファ４２の外部から搬入窓４２１を介して搬入前バッファ４２内に搬入する。そして、この搬入前バッファ４２内のセッタＡ〜Ｄを、搬入前バッファ４２の搬出窓４２２および熱処理炉４３の搬入窓４３１を介して、熱処理炉４３内に搬入する。さらに、熱処理炉４３内のセッタＡ〜Ｄを、搬出窓４３２を介して熱処理炉４３の外部に搬出するように構成されている。
駆動手段４１２は、制御装置４４に各種信号が送受信可能な状態で接続されており、制御装置４４の制御により、複数の回転部材４１１を所定の回転速度で回転させる。これにより、回転部材４１１上に載置されたセッタＡ〜Ｄは所定の搬送速度で搬送されるようになっている。

搬入前バッファ４２は、熱処理炉４３の搬送方向上流側（図中左側）に設けられており、その内部には、搬入前バッファ４２内を搬送中のセッタＡ〜Ｄの重量を測定する重量測定手段４２３が設けられている。この重量測定手段４２３は、制御装置４４に各種信号が送受信可能な状態で接続されており、セッタＡ〜Ｄの重量情報を制御装置４４へ送信する。
このような重量測定手段４２３としては、例えば、搬入前バッファ４２内における回転部材４１１の軸受部に取り付けられた重量センサや、複数の回転部材４１１間に設けられたロードセル等が挙げられる。この場合、セッタＡ〜Ｄの重量から基板２，３の数量を把握することが可能であり、この基板２，３の数量と基板２，３およびセッタの材質とからセッタＡ〜Ｄ全体の総熱容量を算出することが可能となる。

熱処理炉４３は、その内部に、熱処理炉４３内にて搬送中のセッタＡ〜Ｄを加熱可能なヒータ４３３を備えている。このヒータ４３３は、熱処理炉４３内における回転部材４１１の上方および下方の少なくともいずれか一方に、搬送路４１３に略沿って設けられている。そして、ヒータ４３３は、制御装置４４に各種信号が送受信可能な状態で接続されており、制御装置４４により所定温度に制御可能に構成されている。
このようなヒータ４３３としては、セッタＡ〜Ｄをマッフル等の等温壁を使用せずに均一に加熱できるものが好ましく、例えば、輻射加熱方式の赤外線セラミックヒータや、熱風加熱式ヒータ、誘導加熱コイルを備えた誘導加熱式ヒータなどが挙げられる。
なお、例えば電熱コイルを有する電気加熱式ヒータ等は、ヒータの温度分布に偏りがあるためマッフル等を使用する必要があり、即時応答性に劣るので好ましくない。

制御装置４４は、熱処理装置４全体の動作を制御する装置であり、搬送速度制御部４４１と、熱容量算出部４４２と、ヒータ温度設定部４４３（条件設定部）と、ヒータ制御部４４４（加熱制御部）とを備えて構成されている。

搬送速度制御部４４１は、駆動手段４１２に各種信号が送受信可能な状態で接続されており、駆動手段４１２の駆動を制御して、熱処理炉４３内の回転部材４１１上に載置されたセッタＡ〜Ｄを一定の搬送速度で搬送する。これにより、セッタＡ〜Ｄは、熱処理炉４３内において、所定の搬路長さを有した搬送路４１３にて一定の搬送速度で搬送されるため、一定時間加熱されることになる。

熱容量算出部４４２は、重量測定手段４２３に各種信号が送受信可能な状態で接続されており、セッタＡ〜Ｄが熱処理炉４３内に搬入される前に、重量測定手段４２３よりセッタＡ〜Ｄの重量情報を受信する。そして、セッタＡ〜Ｄの重量情報から、セッタ上に載置された基板２，３の有無を判断し、基板２，３が載置されていると判断した場合はその数量を算出する。さらに、基板２，３の数量と、基板２，３およびセッタの材質とに応じて、例えば、以下の表１に示すように、セッタＡ〜Ｄ全体の総熱容量を算出する。

ヒータ温度設定部４４３は、熱容量算出部４４２に各種信号が送受信可能な状態で接続されており、熱容量算出部４４２にて算出されたセッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じて、ヒータ４３３の温度条件を設定する、すなわち、例えばヒータ４３３の出力値を算出する。具体的に、温度条件を設定する際には、セッタＡ〜Ｄを一定時間加熱した場合に各セッタＡ〜Ｄ上の基板が同一の目標温度に到達するようなヒータ４３３の温度条件を設定する。特に、セッタＡ〜Ｄの総熱容量が大きい場合は、セッタＡ〜Ｄの総熱容量が小さい場合に比して、ヒータ４３３の温度条件が高くなるように設定する。例えば、基板サイズが６０インチである場合、セッタＡについては５００℃、セッタＢについては５２０℃、セッタＣについては５３５℃、セッタＤについては５４５℃となるようにヒータ４３３の温度条件を設定する。
なお、一般的に、セッタＡ〜Ｄを熱処理炉４３内に搬入した直後は、セッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じて炉内温度が降下する。このため、ヒータ温度設定部４４３は、予めセッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じて当該降下温度を把握しておき、当該降下温度に対応する分だけ、ヒータ４３３の温度条件を高く設定することが好ましい。

ヒータ制御部４４４は、ヒータ温度設定部４４３およびヒータ４３３に各種信号が送受信可能な状態で接続されており、ヒータ温度設定部４４３より設定された温度条件に基づいて、ヒータ４３３の温度を所定温度に制御する。また、ヒータ制御部４４４は、熱容量算出部４４２にてセッタＡ〜Ｄ上に基板２，３が載置されていないと判断された場合は、当該セッタについては加熱を停止するようにヒータ４３３を制御する。

(1-4)焼成工程（被加熱物の熱処理方法）
上記の熱処理装置４による焼成工程について、図面に基づいて説明する。図６（Ａ）は各セッタＡ〜Ｄに対するヒータ設定温度を示した模式図であり、図６（Ｂ）は各セッタＡ〜Ｄ上における基板の温度と加熱時間との関係を示したグラフである。

まず、図５に示した熱処理装置４は、制御装置４４の制御により駆動手段４１２を駆動させて、前工程からのセッタＡ〜Ｄを搬入前バッファ４２内に搬入する。この搬入前バッファ４２内では、重量測定手段４２３によりセッタＡ〜Ｄの重量が計測される。そして、熱容量算出部４４２は、重量測定手段４２３からのセッタＡ〜Ｄの重量情報に基づいて、セッタ上に載置された基板２，３の有無を判断し、基板２，３が載置されている場合はセッタＡ〜Ｄ全体の総熱容量を算出する（熱容量算出工程）。
そして、ヒータ温度設定部４４３は、図６（Ａ）に示すように、熱容量算出部４４２にて算出されたセッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じて、ヒータ４３３の温度条件を設定する（条件設定工程）。

次に、ヒータ制御部４４４は、ヒータ温度設定部４４３にて設定された温度条件に基づいて、ヒータ４３３の温度を所定温度に制御する。そして、搬送速度制御部４４１は駆動手段４１２を制御して、セッタＡ〜Ｄを熱処理炉４３内へと搬入した後、熱処理炉４３内における搬送路４１３により当該セッタＡ〜Ｄを一定の搬送速度で搬送する（熱処理工程）。
なお、この熱処理工程では、熱容量算出部４４２によりに基板２，３が載置されていないと判断されたセッタＡ〜Ｄについては、当該セッタが熱処理炉４３内に搬入された際には、ヒータ４３３による加熱を停止する。

上記の各工程を経ることにより、各セッタＡ〜Ｄ上の基板は、図６（Ｂ）に示すような略同様の温度プロファイルで加熱されることになる。すなわち、熱容量算出工程にて予め各セッタＡ〜Ｄの総熱容量を算出し、条件設定工程では当該総熱容量に応じて、各セッタＡ〜Ｄ上の基板が一定の加熱時間で同一の目標温度に到達するようにヒータ４３３の温度条件を設定する。そして、熱処理工程では、当該温度条件に基づいてヒータ４３３の温度を制御したところで、熱処理炉４３内にセッタＡ〜Ｄを搬入するため、各セッタＡ〜Ｄ上の基板は、それぞれ総熱容量が異なるものの、同一の加熱時間（図中ｔ）で同一の目標温度まで加熱されるようになる。

(1-5)第１実施形態の作用効果
上述した第１実施形態によれば、次の作用効果を奏することができる。
(1-5-1)本実施形態における被加熱物の熱処理方法では、熱容量算出工程と、条件設定工程と、熱処理工程とを実施する。熱容量算出工程では、セッタＡ〜Ｄを熱処理炉４３内に搬入する前に、セッタＡ〜Ｄの総熱容量を予め算出する。条件設定工程では、当該総熱容量に応じて、ヒータ４３３の温度条件を設定する。熱処理工程では、当該温度条件に基づいてヒータ４３３の温度を所定温度に制御した後に、熱処理炉４３内にセッタＡ〜Ｄを搬入して、当該セッタＡ〜Ｄを一定時間加熱する。
このように、セッタＡ〜Ｄを熱処理炉４３内に搬入する前に、セッタＡ〜Ｄの総熱容量を予め算出し、当該総熱容量に応じてヒータ４３３の温度を制御することで、各セッタＡ〜Ｄ上の基板を同一の目標温度まで加熱することができる。そして、上記特許文献１に記載のような複雑な制御系を採用しなくて済む。また、ヒータ４３３に安価な低出力のヒータを用いても、熱容量の大きな被加熱物を十分に加熱できる。したがって、熱処理装置４の装置コストが上昇することなく、様々な熱容量を有する被加熱物を同一の目標温度まで好適に加熱できる。

(1-5-2)熱容量算出工程では、セッタＡ〜Ｄ上の基板２，３の数量と、基板２，３およびセッタの材質とに応じて、セッタＡ〜Ｄ全体の総熱容量を算出する。
ここで、一般的な連続搬送式の熱処理装置では、炉内に搬入されるセッタ上の基板数量によって炉内温度の低下度合いが異なるため、当該基板数量が一定となるまでは炉内温度が安定しない。このため、従来、初期に搬入される数個のセッタにはダミー被加熱物を使用する必要があった。また、基板２，３が一枚も載置されいないセッタが炉内に搬入された場合にも、当該セッタの前後のセッタにおいて、炉内温度が不安定となる問題が生じていた。そして、これらは生産性の低下の要因となっていた。
この点、本実施形態によれば、熱処理前に予めセッタＡ〜Ｄ上の基板２，３の数量を把握し、搬入数量に応じて加熱制御するので、常に基板２，３の熱履歴を安定させることができる。このため、ダミー被加熱物を使用する必要がなく、基板２，３が載置されていないセッタが搬入された場合でも安定した熱処理が実現できるので、生産性を向上することができる。

(1-5-3)熱処理炉４３内には、セッタＡ〜Ｄをヒータ４３３により加熱可能な状態で、セッタＡ〜Ｄを一定の搬送速度で搬送する搬送路４１３が設けられている。熱処理工程では、条件設定工程にて設定した温度条件に基づいてヒータ４３３の温度を所定温度に制御した後、熱処理炉４３内にセッタＡ〜Ｄを搬入して一定の搬送速度で搬送する。
これにより、様々な総熱容量を有するセッタＡ〜Ｄにおいて、各セッタ上の基板２，３を、同一の加熱時間で同一の目標温度まで加熱することができる。したがって、熱処理装置４が連続搬送式の熱処理装置である場合、個々のセッタＡ〜Ｄにより搬送ライン全体の流れが乱されることなく、効率良く基板２，３を熱処理できる。

(1-5-4)条件設定工程では、セッタＡ〜Ｄの総熱容量が大きい場合、セッタＡ〜Ｄの総熱容量が小さい場合に比して、ヒータ４３３の温度条件を高く設定する。
一般に、セッタＡ〜Ｄの総熱容量が大きい場合は、セッタＡ〜Ｄを熱処理炉４３内に搬入した直後の炉内温度変化が非常に大きく不安定になりやすいが、本実施形態では、この場合予めヒータ４３３の温度を高温にしておくので、炉内温度を安定化させることができる。したがって、良好な熱処理が実現できる。

(1-5-5)条件設定工程では、セッタＡ〜Ｄを熱処理炉４３内に搬入した直後の炉内の降下温度を予め把握しておき、当該降下温度に対応する分だけ、ヒータ４３３の温度条件を高く設定することが好ましい。
これにより、セッタＡ〜Ｄを熱処理炉４３内に搬入した際に炉内温度が降下しても、予めセッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じた降下温度を把握しておき、セッタＡ〜Ｄの搬入前からヒータ４３３の温度を制御しておくので、安定した熱処理が実現できる。そして、より高い精度で各セッタＡ〜Ｄ上の基板２，３を同一の目標温度まで加熱することができる。

(1-5-6)本実施形態におけるＰＤＰ１の製造方法によれば、上記した被加熱物の熱処理方法をＰＤＰ１を構成する基板２，３の焼成工程に用いる。
このような焼成工程では、様々な熱容量を有するセッタＡ〜Ｄ上の基板２，３を同一の目標温度まで好適に加熱できる。このため、各セッタＡ〜Ｄの総熱容量に関わりなく、焼成後の基板２，３上に形成された各構造物の状態を一定の状態とすることができ、一定品質のＰＤＰ１を製造することができる。

(1-5-7)熱容量算出工程では、熱処理炉４３内に搬入されるセッタＡ〜Ｄ上に基板２，３が載置されているか否かを判断する。熱処理工程では、熱容量算出工程において基板２，３がセッタ上に載置されていないと判断された場合、ヒータ４３３による加熱を停止する。
このように、基板２，３が載置されていないセッタＡについては熱処理する必要がなく、かかる場合にヒータ４３３による加熱を停止することで、省エネルギーに繋がる。

(1-5-8)本実施形態における熱処理装置４（ＰＤＰ１の製造装置）は、熱処理炉４３と、重量測定手段４２３および熱容量算出部４４２（熱容量算出部）と、ヒータ温度設定部４４３（条件設定部）と、ヒータ制御部４４４（加熱制御部）とを具備している。
このような熱処理装置４によれば、装置コストが上昇することなく、様々な熱容量を有するセッタＡ〜Ｄ上の各基板２，３を同一の目標温度まで好適に加熱できる。そして、一定品質のＰＤＰ１を製造することができる。

（２）第２実施形態
次に、本発明の第２実施形態について図面に基づいて説明する。図７に、本実施形態における熱処理装置の概略構成を示した模式図を示す。
なお、本第２実施形態における熱処理装置は、上述した第１実施形態の熱処理装置と略同様の構成であるが、熱処理炉が２つ並設されて、セッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じて一方の熱処理炉におけるヒータ温度を制御する点で異なる。このため、第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付して説明を適宜省略する。

(2-1)熱処理装置の構成
図７において、熱処理装置４Ａは、搬送装置４１と、搬入前バッファ４２と、第一熱処理炉４５と、第二熱処理炉４６と、制御装置４４Ａとを備えて構成されている。

図７に示すように、第一熱処理炉４５は搬入前バッファ４２の搬送方向下流側（図中右側）に設けられており、第二熱処理炉４６は第一熱処理炉４５の搬送方向下流側（図中右側）に設けられている。そして、第一熱処理炉４５および第二熱処理炉４６には、それぞれ搬入窓４５１，４６１および搬出窓４５２，４６２が設けられている。これにより、搬送路４１３は、第一熱処理炉４５および第二熱処理炉４６のそれぞれの内部を貫通するように形成されている。
なお、以下において、搬送路４１３のうち第一熱処理炉４５内部におけるものを第一搬送路４１４と称し、搬送路４１３のうち第二熱処理炉４６内部におけるものを第二搬送路４１５と称す。これら第一搬送路４１４および第二搬送路４１５は、図７に示すように、それぞれ複数のセッタＡ〜Ｄを同時に搬送可能に構成されている。

第一熱処理炉４５の内部には第一ヒータ４５３が設けられ、第二熱処理炉４６の内部には第二ヒータ４６３が設けられている。これら第一ヒータ４５３および第二ヒータ４６３には、図５に示した第一実施形態におけるヒータ４３３と同様のヒータを使用することができ、それぞれの搬送路において搬送中のセッタＡ〜Ｄを加熱可能とされている。このような第一ヒータ４５３および第二ヒータ４６３は、それぞれ制御装置４４Ａに各種信号が送受信可能な状態で接続されており、制御装置４４Ａの制御により、第一ヒータ４５３は第一温度に制御可能とされ、第二ヒータ４６３は第二温度に制御可能とされている。

また、第二熱処理炉４６の内部には、第二搬送路４１５により搬送中の複数のセッタＡ〜Ｄの温度を検出可能な温度センサ４６４が設けられている。かかる温度センサ４６４としては、例えば非接触型の赤外線温度センサ等が挙げられる。そして、温度センサ４６４は、制御装置４４Ａに各種信号が送受信可能な状態で接続されており、複数のセッタＡ〜Ｄの温度を検出するとこの温度情報を制御装置４４Ａに送信する。

制御装置４４Ａは、図７に示すように、搬送速度制御部４４１と、熱容量算出部４４２と、ヒータ温度設定部４４３Ａ（条件設定部）と、ヒータ制御部４４４Ａ（加熱制御部）とを備えて構成されている。

ヒータ温度設定部４４３Ａは、熱容量算出部４４２に各種信号が送受信可能な状態で接続されている。このヒータ温度設定部４４３Ａは、第一ヒータ４５３については、セッタＡ〜Ｄの総熱容量に関わらず、一定の第一温度（例えば４００℃）となる温度条件を設定する。一方、第二ヒータ４６３については、上記の第一実施形態におけるヒータ温度設定部４４３（図５参照）と同様にして、熱容量算出部４４２にて算出されたセッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じて、所定の第二温度となる温度条件を設定する。

ヒータ制御部４４４Ａは、ヒータ温度設定部４４３Ａと、第一ヒータ４５３と、第二ヒータ４６３と、温度センサ４６４とに、各種信号が送受信可能な状態で接続されている。このヒータ制御部４４４Ａは、ヒータ温度設定部４４３Ａにより設定された温度条件に基づいて、第一ヒータ４５３の温度を一定の第一温度に制御し、第二ヒータ４６３の温度をセッタＡ〜Ｄの総熱容量に基づく所定の第二温度に制御する。
また、ヒータ制御部４４４Ａは、上記の第一実施形態におけるヒータ制御部４４４（図５参照）と同様にして、熱容量算出部４４２にてセッタＡ〜Ｄ上に基板２，３が載置されていないと判断された場合は、当該セッタについては加熱を停止するように第一ヒータ４５３および第二ヒータ４６３を制御する。
さらに、ヒータ制御部４４４Ａは、温度センサ４６４から複数のセッタＡ〜Ｄの温度情報を受信すると、第二搬送路４１５にて搬送中の複数のセッタＡ〜Ｄ上における各基板２，３がそれぞれ均一な温度となるように、当該温度情報に基づいて第二ヒータ４６３の温度を調整するＰＩＤ制御を実施する。

(2-2)焼成工程（被加熱物の熱処理方法）
上記の熱処理装置４Ａによる焼成工程について、図面に基づいて説明する。図８（Ａ）は各セッタＡ〜Ｄに対するヒータ設定温度を示した模式図であり、図８（Ｂ）は各セッタＡ〜Ｄ上における基板の温度と加熱時間との関係を示したグラフである。

まず、図７に示した熱処理装置４Ａは、制御装置４４Ａの制御により駆動手段４１２を駆動させて、前工程からのセッタＡ〜Ｄを搬入前バッファ４２内に搬入する。この搬入前バッファ４２内では、重量測定手段４２３によりセッタＡ〜Ｄの重量が計測される。そして、熱容量算出部４４２は、当該セッタＡ〜Ｄの重量情報に基づいて、セッタ上に載置された基板２，３の有無を判断し、セッタＡ〜Ｄ全体の総熱容量を算出する（熱容量算出工程）。
そして、ヒータ温度設定部４４３Ａは、図８（Ａ）に示すように、第一ヒータ４５３の温度条件については、セッタＡ〜Ｄの総熱容量に関わらず一定の温度条件（図中Ｔ１）に設定する。一方、第二ヒータ４６３の温度条件については、熱容量算出部４４２にて算出されたセッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じて、所定の温度条件（図中Ｔ２Ａ〜Ｔ２Ｄ）に設定する（条件設定工程）。

次に、ヒータ制御部４４４Ａは、ヒータ温度設定部４４３Ａにて設定された温度条件に基づいて、第一ヒータ４５３については一定の第一温度に制御し、第二ヒータ４６３についてはセッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じた第二温度に制御する。そして、搬送速度制御部４４１は駆動手段４１２を制御して、セッタＡ〜Ｄを第一熱処理炉４５内へと搬入した後、第一搬送路４１４により一定の搬送速度で搬送する。次いで、当該セッタＡ〜Ｄを第二熱処理炉４６へと搬入した後、第二搬送路４１５により一定の搬送速度で搬送する（熱処理工程）。
なお、この熱処理工程では、熱容量算出部４４２により基板２，３が載置されていないと判断されたセッタＡ〜Ｄについては、当該セッタが第一熱処理炉４５内あるいは第二熱処理炉４６内に搬入された際に、第一ヒータ４５３あるいは第二ヒータ４６３による加熱を適宜停止する。

上記の各工程を経ることにより、各セッタＡ〜Ｄ上の基板は、図８（Ｂ）に示すような各温度プロファイルで加熱されることになる。すなわち、熱処理工程において、セッタＡ〜Ｄは、第一ヒータ４５３にて一定の第一温度Ｔ１（図８（Ａ）参照）で一定時間加熱されるため、各セッタＡ〜Ｄ上の基板は図８（Ｂ）に示すようにそれぞれの総熱容量に応じた勾配で温度上昇する。そして、セッタＡ〜Ｄは、第二ヒータ４６３にて各セッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じた第二温度Ｔ２Ａ〜Ｔ２Ｄ（図８（Ａ）参照）で一定時間加熱されるため、各セッタＡ〜Ｄ上の基板は、それぞれ総熱容量が異なるものの、同一の目標温度まで加熱されるようになる。
また、上記の熱処理工程では、温度センサ４６４により第二搬送路４１５にて搬送中の複数のセッタＡ〜Ｄの温度を検出し、ヒータ制御部４４４Ａにより、この温度センサ４６４からの温度信号に基づいて第二ヒータ４６３の温度を調整するＰＩＤ制御を実施する。これにより、搬送中の複数のセッタＡ〜Ｄにおける各基板の温度が均一化される。

(2-3)第２実施形態の作用効果
上述した第２実施形態によれば、第１実施形態の上記(1-5-1)〜(1-5-8)に記載の作用効果と略同様の作用効果に加え、次の作用効果を奏することができる。
(2-3-1)第一，第二熱処理炉４５，４６内には、第一温度に制御可能な第一ヒータ４５３が設けられた第一搬送路４１４と、この第一搬送路４１４の下流側に連続して設けられ、第一温度よりも高い第二温度に制御可能な第二ヒータ４６３が設けられた第二搬送路４１５とが設けられている。条件設定工程では、熱容量算出工程にて算出された総熱容量に応じて、第二ヒータ４６３の温度条件を設定する。熱処理工程では、第一ヒータ４５３の温度を第一温度に制御し、第二ヒータ４６３の温度を当該温度条件に基づいて第二温度に制御して、熱処理炉内に搬入した被加熱物を、第一搬送路４１４および第二搬送路４１５により一定の搬送速度で搬送する。
このように、第二搬送路４１５において各セッタＡ〜Ｄをそれぞれの総熱容量に応じた第二温度で加熱するので、各セッタＡ〜Ｄ上の基板を同一の目標温度まで加熱することができる。また、各セッタＡ〜Ｄを第二熱処理炉４６内に搬入する前に、予め第一搬送路４１４にて各セッタＡ〜Ｄを加熱しておくことで、各セッタＡ〜Ｄの搬入により第二熱処理炉４６内の温度が不安定化する事態を防ぐことができ、好適な熱処理が実現できる。

(2-3-2)第二熱処理炉４６の内部には、第二搬送路４１５により搬送中の複数のセッタＡ〜Ｄの温度を検出可能な温度センサ４６４が設けられている。熱処理工程では、温度センサ４６４により第二搬送路４１５にて搬送中の複数のセッタＡ〜Ｄの温度を検出する。そして、ヒータ制御部４４４Ａは、この温度センサ４６４からの温度信号に基づいて、複数のセッタＡ〜Ｄ上の各基板の温度が均一となるように第二ヒータ４６３の温度を調整するＰＩＤ制御を実施する。
これにより、複数のセッタＡ〜Ｄを第二搬送路４１５において同時に搬送した場合でも、複数のセッタＡ〜Ｄ上の各基板を目的温度まで加熱することができる上に、さらに当該各基板の焼き上がり状態を均質化することができる。したがって、高い処理効率で基板２，３を焼成することができ、また処理後の製品も高品質のものとすることができる。

（３）第３実施形態
次に、本発明の第３実施形態について図面に基づいて説明する。図９に、本実施形態における熱処理装置の概略構成を示した模式図を示す。
本第３実施形態は、熱処理炉内に高温側の第二搬送路および低温側の第一搬送路を順に設けて、セッタＡ〜Ｄの熱容量に応じて高温側の第二搬送路におけるセッタＡ〜Ｄの搬送速度のみを制御することにより、基板２，３を目的温度まで加熱するものである。
そして、この第３実施形態における熱処理装置は、上述した第２実施形態の熱処理装置４Ａのうち、第一熱処理炉４５および第二熱処理炉４６の配置、温度センサ４６４を備えていない点、および制御装置４４Ａの構成のみ異なるものである。このため、第２実施形態と同様の構成については同一の符号を付して説明を適宜省略する。

(3-1)熱処理装置の構成
図９において、熱処理装置４Ｂは、搬送装置４１と、搬入前バッファ４２と、第一熱処理炉４５と、第二熱処理炉４６と、制御装置４４Ｂとを備えて構成されている。

図９に示すように、第一熱処理炉４５および第二熱処理炉４６の配置は、上述した第二実施形態（図７参照）における第一熱処理炉４５および第二熱処理炉４６の配置とは逆となっている。すなわち、搬入前バッファ４２の搬送方向下流側（図中右側）に第二熱処理炉４６が設けられており、この第二熱処理炉４６の搬送方向下流側（図中右側）に第一熱処理炉４５が設けられている。なお、第二熱処理炉４６の内部には、上述した第二実施形態（図７参照）における温度センサ４６４が設けられていない。

制御装置４４Ｂは、搬送速度制御部４４１Ｂ（加熱制御部）と、熱容量算出部４４２と、ヒータ温度設定部４４３Ｂ（条件設定部）と、ヒータ制御部４４４Ｂ（加熱制御部）と、速度条件設定部４４５（条件設定部）を備えて構成されている。

ヒータ温度設定部４４３Ｂは、セッタＡ〜Ｄの総熱容量に関わらず、第一ヒータ４５３については一定の第一温度（例えば５００℃）となる温度条件を設定し、第二ヒータ４６３については当該第一温度よりも高温の第二温度（例えば７００℃）となる温度条件を設定する。このヒータ温度設定部４４３Ｂは、ヒータ制御部４４４Ｂおよび速度条件設定部４４５のそれぞれに各種信号が送受信可能な状態で接続されており、設定した温度条件に関する情報をそれぞれに向けて送信する。

ヒータ制御部４４４Ｂは、ヒータ温度設定部４４３Ｂ、第一ヒータ４５３および第二ヒータ４６３に各種信号が送受信可能な状態で接続されており、ヒータ温度設定部４４３Ｂにより設定された温度条件に基づいて、第一ヒータ４５３の温度を第一温度に制御し、第二ヒータ４６３の温度を第二温度に制御する。
また、ヒータ制御部４４４Ｂは、ヒータ温度設定部４４３Ｂおよび速度条件設定部４４５を介して、熱容量算出部４４２に各種信号が送受信可能な状態で接続されており、熱容量算出部４４２にてセッタＡ〜Ｄ上に基板２，３が載置されていないと判断された場合は、当該セッタについては加熱を停止するように第一ヒータ４５３あるいは第二ヒータ４６３を適宜制御する。

速度条件設定部４４５は、熱容量算出部４４２およびヒータ温度設定部４４３Ｂに各種信号が送受信可能な状態で接続されており、熱容量算出部４４２よりセッタＡ〜Ｄの総熱容量に関する情報を取得し、ヒータ温度設定部４４３Ｂより第一ヒータ４５３および第二ヒータ４６３の温度条件に関する情報を取得する。
そして、速度条件設定部４４５は、第一搬送路４１４におけるセッタＡ〜Ｄの搬送速度条件については、セッタＡ〜Ｄの総熱容量に関わらず一定の条件を設定する。一方、第二搬送路４１５におけるセッタＡ〜Ｄの搬送速度条件については、熱容量算出部４４２により算出されたセッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じて設定する。具体的には、速度条件設定部４４５は、セッタＡ〜Ｄを第二温度で所定時間加熱しさらに第一温度で一定時間加熱した場合に、各セッタＡ〜Ｄ上の基板が同一の目標温度に到達するような加熱時間条件を算出する。そして、この加熱時間条件と第二搬送路４１５の搬路長さとに基づいて、第二搬送路４１５におけるセッタＡ〜Ｄの搬送速度条件を設定する。特に、セッタＡ〜Ｄの総熱容量が大きい場合は、セッタＡ〜Ｄの総熱容量が小さい場合に比して、搬送速度条件が遅くなるように設定する。例えば、基板サイズが６０インチである場合、セッタＡについては１００ｍｍ／ｍｉｎ、セッタＢについては８０ｍｍ／ｍｉｎ、セッタＣについては７０ｍｍ／ｍｉｎ、セッタＤについては５０ｍｍ／ｍｉｎとなるように搬送速度条件を設定する。
なお、一般的に、セッタＡ〜Ｄを第二熱処理炉４６内に搬入した直後は、セッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じて炉内温度が降下する。このため、速度条件設定部４４５は、予めセッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じて当該降下温度を把握しておき、当該降下温度に対応する分だけ、第二搬送路４１５におけるセッタＡ〜Ｄの搬送速度条件を遅く設定することが好ましい。

搬送速度制御部４４１Ｂは、速度条件設定部４４５に各種信号が送受信可能な状態で接続されており、速度条件設定部４４５にて設定された搬送速度条件に基づいて、駆動手段４１２の駆動を制御し、第一，第二熱処理炉４５，４６内の回転部材４１１上に載置されたセッタＡ〜Ｄを所定の搬送速度で搬送する。これにより、セッタＡ〜Ｄは、所定の搬路長さを有した第二搬送路４１５にて、それぞれの総熱容量に応じた所定の搬送速度で搬送されるため、第二熱処理炉４６内においてそれぞれの総熱容量に応じた所定時間だけ加熱される。さらに、当該セッタＡ〜Ｄは、所定の搬路長さを有した第一搬送路４１４にて一定の搬送速度で搬送されるため、第一熱処理炉４５内において一定時間だけ加熱されることになる。

(3-2)焼成工程（被加熱物の熱処理方法）
上記の熱処理装置４Ｂによる焼成工程について、図面に基づいて説明する。図１０（Ａ）は各セッタＡ〜Ｄに対するヒータ設定温度を示した模式図であり、図１０（Ｂ）は各セッタＡ〜Ｄ上における基板の温度と加熱時間との関係を示したグラフである。

まず、図９に示した熱処理装置４Ｂは、制御装置４４Ｂの制御により駆動手段４１２を駆動させて、前工程からのセッタＡ〜Ｄを搬入前バッファ４２内に搬入する。この搬入前バッファ４２内では、重量測定手段４２３によりセッタＡ〜Ｄの重量を計測する。そして、熱容量算出部４４２により、当該セッタＡ〜Ｄの重量情報に基づいて、セッタ上に載置された基板２，３の有無を判断し、セッタＡ〜Ｄ全体の総熱容量を算出する（熱容量算出工程）。
そして、速度条件設定部４４５により、熱容量算出部４４２にて算出されたセッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じて、第二搬送路４１５におけるセッタＡ〜Ｄの搬送速度条件を設定する（条件設定工程）。なお、この条件設定工程では、ヒータ温度設定部４４３Ｂは、図１０（Ａ）に示すように、第一ヒータ４５３および第二ヒータ４６３の温度条件については、セッタＡ〜Ｄの総熱容量に関わらず一定の温度条件（図中Ｔ１，Ｔ２）に設定する。また、速度条件設定部４４５は第一搬送路４１４におけるセッタＡ〜Ｄの搬送速度条件については、セッタＡ〜Ｄの総熱容量に関わらず一定の条件を設定する。

次に、ヒータ制御部４４４Ｂにより、ヒータ温度設定部４４３Ｂにて設定された温度条件に基づいて、第一ヒータ４５３の温度を一定の第一温度に制御し、第二ヒータ４６３の温度を一定の第二温度に制御する。そして、搬送速度制御部４４１Ｂは駆動手段４１２を制御して、セッタＡ〜Ｄを第二熱処理炉４６内へと搬入した後、速度条件設定部４４５にて設定された搬送速度条件に基づいて、第二搬送路４１５において当該セッタＡ〜Ｄを所定の搬送速度で搬送する。次いで、当該セッタＡ〜Ｄを第一熱処理炉４５内へと搬入した後、第一搬送路４１４により一定の搬送速度で搬送する（熱処理工程）。
なお、この熱処理工程では、熱容量算出部４４２により基板２，３が載置されていないと判断されたセッタＡ〜Ｄについては、当該セッタが第一熱処理炉４５内あるいは第二熱処理炉４６内に搬入された際に、第一ヒータ４５３あるいは第二ヒータ４６３による加熱を適宜停止する。

上記の各工程を経ることにより、各セッタＡ〜Ｄ上の基板は、図１０（Ｂ）に示すような各温度プロファイルで加熱されることになる。すなわち、熱処理工程において、セッタＡ〜Ｄは、第二ヒータ４６３により一定の第二温度Ｔ２（図１０（Ａ）参照）で加熱される。この際、各セッタＡ〜Ｄは、それぞれの総熱容量に応じた所定時間だけ加熱されるため、各セッタＡ〜Ｄ上の基板は図１０（Ｂ）に示すようにそれぞれの総熱容量に応じた勾配で温度上昇する。そして、セッタＡ〜Ｄは、第一ヒータ４５３にて一定の第一温度Ｔ１（図１０（Ａ）参照）で一定時間加熱される。この結果、各セッタＡ〜Ｄ上の基板は、それぞれ総熱容量が異なるものの、所定の加熱時間（図中ｔ_Ａ〜ｔ_Ｄ）で同一の目標温度まで加熱されるようになる。

(3-3)第３実施形態の作用効果
上述した第３実施形態によれば、第１実施形態の上記(1-5-2)、(1-5-6)および(1-5-7)に記載の作用効果と略同様の作用効果に加え、次の作用効果を奏することができる。
(3-3-1)第一，第二熱処理炉４５，４６内には、第一温度に制御可能な第一ヒータ４５３が設けられた第一搬送路４１４と、この第一搬送路４１４の上流側に連続して設けられ、第一温度よりも高い第二温度に制御可能な第二ヒータ４６３が設けられた第二搬送路４１５とが設けられている。条件設定工程では、熱容量算出工程にて算出された総熱容量に応じて、第二搬送路４１５によるセッタＡ〜Ｄの搬送速度条件を設定する。熱処理工程では、第一ヒータ４５３の温度を第一温度に制御し、第二ヒータ４６３の温度を第二温度に制御して、第一，第二熱処理炉４５，４６内に搬入したセッタＡ〜Ｄを、第二搬送路４１５により当該搬送速度条件に基づいて所定の搬送速度で搬送し、第一搬送路４１４により一定の搬送速度で搬送する。
このように、セッタＡ〜Ｄを第二熱処理炉４６内に搬入する前に、セッタＡ〜Ｄの総熱容量を予め算出しておき、この総熱容量に応じて第二搬送路４１５における各セッタＡ〜Ｄの搬送速度を制御することで、各セッタＡ〜Ｄ上の基板を同一の目標温度まで加熱することができる。そして、上記特許文献１に記載のような複雑な制御系を採用しなくて済む。また、第一，第二ヒーター４５３，４６３に安価な低出力のヒータを用いても、熱容量の大きな被加熱物を十分に加熱できる。したがって、熱処理装置４Ｂの装置コストが上昇することなく、様々な熱容量を有する被加熱物を同一の目標温度まで好適に加熱できる。

(3-3-2)条件設定工程では、セッタＡ〜Ｄの総熱容量が大きい場合、セッタＡ〜Ｄの総熱容量が小さい場合に比して、第二搬送路４１５によるセッタＡ〜Ｄの搬送速度条件を遅く設定する。
このように加熱が困難な総熱容量の大きなセッタＡ〜Ｄについては、第二搬送路４１５にて遅く搬送し、加熱が容易な総熱容量の小さなセッタＡ〜Ｄについては、第二搬送路４１５にて速く搬送する。このようにして、高温の第二搬送路４１５においてセッタＡ〜Ｄの搬送速度を制御するだけで、各セッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じて加熱時間を調整でき、各セッタＡ〜Ｄ上の基板を同一の目標温度まで加熱することができる。

(3-3-3)条件設定工程では、セッタＡ〜Ｄを第二熱処理炉４６内に搬入した直後の炉内の降下温度を予め把握しておき、当該降下温度に対応する分だけ、第二搬送路４１５におけるセッタＡ〜Ｄの搬送速度条件を遅く設定することが好ましい。
これにより、セッタＡ〜Ｄを第二熱処理炉４６内に搬入した際に炉内温度が降下しても、予めセッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じた降下温度を把握しておき、第二熱処理炉４６におけるセッタＡ〜Ｄの搬送速度を制御するので、当該炉内温度の低下により大きな影響を受けることなく熱処理できる。そして、より高い精度で各セッタＡ〜Ｄ上の基板２，３を同一の目標温度まで加熱することができる。

(3-3-4)本実施形態における熱処理装置４Ｂ（ＰＤＰ１の製造装置）は、第一，第二熱処理炉４５，４６と、重量測定手段４２３および熱容量算出部４４２（熱容量算出部）と、ヒータ温度設定部４４３Ｂおよび速度条件設定部４４５（条件設定部）と、ヒータ制御部４４４Ｂおよび搬送速度制御部４４１Ｂ（加熱制御部）とを具備している。
このような熱処理装置４Ｂによれば、装置コストが上昇することなく、様々な熱容量を有するセッタＡ〜Ｄ上の各基板２，３を同一の目標温度まで好適に加熱できる。そして、一定品質のＰＤＰ１を製造することができる。

（４）第４実施形態
次に、本発明の第４実施形態について図面に基づいて説明する。
本第４実施形態は、上記の第三実施形態と略同様の構成であるが、第一，第二搬送路４１４，４１５の双方におけるセッタＡ〜Ｄの搬送速度を、セッタＡ〜Ｄの熱容量に応じて制御する点で異なっている。これにより、各セッタＡ〜Ｄ上の基板２，３を目的温度まで加熱すると共に、第一，第二搬送路４１４，４１５によるセッタＡ〜Ｄの搬送時間を統一することを図ったものである。
なお、第４実施形態における熱処理装置は上記の第三実施形態のものと略同様であるため、図９を代用して装置構成を説明する。そして、第４実施形態と同様の構成については同一の符号を付して説明を適宜省略する。

(4-1)熱処理装置の構成
図９に示すように、本第４実施形態における熱処理装置４Ｂは、搬送装置４１と、搬入前バッファ４２と、第一熱処理炉４５と、第二熱処理炉４６と、制御装置４４Ｂとを備えて構成されている。
そして、制御装置４４Ｂは、搬送速度制御部４４１Ｂ（加熱制御部）と、熱容量算出部４４２と、ヒータ温度設定部４４３Ｂ（条件設定部）と、ヒータ制御部４４４Ｂ（加熱制御部）と、速度条件設定部４４５（条件設定部）を備えて構成されている。

速度条件設定部４４５は、熱容量算出部４４２により算出されたセッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じて、第一搬送路４１４および第二搬送路４１５のそれぞれにおけるセッタＡ〜Ｄの搬送速度条件を設定する。具体的には、速度条件設定部４４５は、セッタＡ〜Ｄを第二温度で所定時間加熱し、さらに第一温度で所定時間加熱した場合に、各セッタＡ〜Ｄ上の基板が同一の目標温度に到達するような加熱時間条件を算出する。そして、この加熱時間条件と、第一搬送路４１４および第二搬送路４１５の搬路長さとに基づいて、第一搬送路４１４および第二搬送路４１５におけるセッタＡ〜Ｄの搬送速度条件を設定する。この際、当該搬送速度条件は、第一搬送路４１４および第二搬送路４１５によるセッタＡ〜Ｄの搬送時間の合計、すなわち加熱時間の合計が一定となる条件で設定する。

(4-2)焼成工程（被加熱物の熱処理方法）
上記の熱処理装置４Ｂによる焼成工程について、図面に基づいて説明する。図１１（Ａ）は各セッタＡ〜Ｄに対するヒータ設定温度を示した模式図であり、図１１（Ｂ）は各セッタＡ〜Ｄ上における基板の温度と加熱時間との関係を示したグラフである。

まず、図９に示した熱処理装置４Ｂは、上記(3-2)に記載した熱容量算出工程を実施する。
そして、速度条件設定部４４５は、熱容量算出部４４２により算出されたセッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じて、第一搬送路４１４および第二搬送路４１５のそれぞれにおけるセッタＡ〜Ｄの搬送速度条件を設定する（条件設定工程）。なお、この条件設定工程では、ヒータ温度設定部４４３Ｂは、図１１（Ａ）に示すように、第一ヒータ４５３および第二ヒータ４６３の温度条件については、セッタＡ〜Ｄの総熱容量に関わらず一定の温度条件（図中Ｔ１，Ｔ２）に設定する。

次に、ヒータ制御部４４４Ｂにより、ヒータ温度設定部４４３Ｂにて設定された温度条件に基づいて、第一ヒータ４５３の温度を一定の第一温度に制御し、第二ヒータ４６３の温度を一定の第二温度に制御する。そして、搬送速度制御部４４１Ｂは駆動手段４１２を制御して、セッタＡ〜Ｄを第二熱処理炉４６内へと搬入した後、速度条件設定部４４５にて設定された搬送速度条件に基づいて、第二搬送路４１５において当該セッタＡ〜Ｄを所定の搬送速度で搬送する。次いで、当該セッタＡ〜Ｄを第一熱処理炉４５内へと搬入した後、速度条件設定部４４５にて設定された搬送速度条件に基づいて、第一搬送路４１４において当該セッタＡ〜Ｄを所定の搬送速度で搬送する（熱処理工程）。

上記の各工程を経ることにより、各セッタＡ〜Ｄ上の基板は、図１１（Ｂ）に示すような各温度プロファイルで加熱されることになる。すなわち、熱処理工程において、セッタＡ〜Ｄは、第二ヒータ４６３により一定の第二温度Ｔ２（図１１（Ａ）参照）で加熱される。この際、各セッタＡ〜Ｄは、それぞれの総熱容量に応じた所定時間だけ加熱されるため、各セッタＡ〜Ｄ上の基板は図１１（Ｂ）に示すようにそれぞれの総熱容量に応じた勾配で温度上昇する。そして、セッタＡ〜Ｄは、第一ヒータ４５３にて一定の第一温度Ｔ１（図１１（Ａ）参照）で加熱される。この際も、各セッタＡ〜Ｄは、それぞれの総熱容量に応じた所定時間だけ加熱されるため、各セッタＡ〜Ｄ上の基板は図１１（Ｂ）に示すようにそれぞれの総熱容量に応じた勾配で温度上昇する。この結果、各セッタＡ〜Ｄ上の基板は、それぞれ総熱容量が異なるものの、同一の加熱時間（図中ｔ）で同一の目標温度まで加熱されるようになる。

(4-3)第４実施形態の作用効果
上述した第４実施形態によれば、第１実施形態の上記(1-5-2)、(1-5-6)、(1-5-7)、第３実施形態の上記(3-3-2)〜(3-3-4)に記載の作用効果と略同様の作用効果に加え、次の作用効果を奏することができる。
(4-3-1)第一，第二熱処理炉４５，４６内には、第一温度に制御可能な第一ヒータ４５３が設けられた第一搬送路４１４と、この第一搬送路４１４の上流側に連続して設けられ、第一温度よりも高い第二温度に制御可能な第二ヒータ４６３が設けられた第二搬送路４１５とが設けられている。条件設定工程では、熱容量算出工程にて算出された総熱容量に応じて、第一搬送路４１４および第二搬送路４１５のそれぞれによるセッタＡ〜Ｄの搬送速度条件を、第一搬送路４１４および第二搬送路４１５によるセッタＡ〜Ｄの搬送時間の合計が一定となる条件で設定する。熱処理工程では、第一ヒータ４５３の温度を第一温度に制御し、第二ヒータ４６３の温度を第二温度に制御して、第一，第二熱処理炉４５，４６内に搬入した被加熱物を、第一搬送路４１４および第二搬送路４１５によりそれぞれの搬送速度条件に基づいて所定の搬送速度で搬送する。
このように、セッタＡ〜Ｄを第二熱処理炉４６内に搬入する前に、セッタＡ〜Ｄの総熱容量を予め算出しておき、この総熱容量に応じて第一，第二搬送路４１４，４１５における各セッタＡ〜Ｄの搬送速度を制御することで、各セッタＡ〜Ｄ上の基板を同一の目標温度まで加熱することができる。そして、上記特許文献１に記載のような複雑な制御系を採用しなくて済む。また、第一，第二ヒーター４５３，４６３に安価な低出力のヒータを用いても、熱容量の大きな被加熱物を十分に加熱できる。熱処理装置４Ｂの装置コストが上昇することなく、様々な熱容量を有する被加熱物を同一の目標温度まで好適に加熱できる。
しかも、セッタＡ〜Ｄの総熱容量に関わらず、第一，第二搬送路４１４，４１５における各セッタＡ〜Ｄの搬送時間が一定になるので、熱処理工程の前後の工程における搬送ラインの流れが乱されることなくＰＤＰ１を安定して製造できる。

（５）実施形態の変形
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲で以下に示される変形をも含むものである。

前記実施形態では、被加熱物として基板２，３が所定枚数載置されたセッタＡ〜Ｄ（図１参照）を挙げたが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、セッタに設置される基板の枚数は０〜４枚に限らず、基板枚数は４枚を超えてもよい。また、基板２，３はセッタに載置されずにそのままの状態で搬送されてもよく、この場合、被加熱物の総熱容量は基板のサイズや材質により決定される。さらに、本発明は、ＰＤＰの基板以外にも、例えばガラス容器などの様々な被加熱物に対しても適用できる。

前記実施形態では、熱容量算出部４４２にてセッタＡ〜Ｄ全体の総熱容量を算出するために、搬入前バッファ４２内に重量測定手段４２３を設けたが、これに限定されるものではない。
すなわち、例えば、搬入前バッファ４２内の上方にＣＣＤカメラ等の撮像手段を設けて、この撮像手段により搬入前バッファ４２内を搬送中のセッタＡ〜Ｄを撮像する構成としてもよい。このような構成でもセッタ上に載置された基板２，３の数量を把握することができ、かかる基板数量と、基板およびセッタの材質とからセッタＡ〜Ｄ全体の総熱容量を算出することが可能である。
また、例えば、基板２，３に付されたアライメントマークを検出可能なマーク検出センサを搬入前バッファ４２内に設けて、搬入前バッファ４２内を搬送中のセッタＡ〜Ｄ上の基板数量を当該マーク検出センサにて計測する構成としてもよい。このような構成でもセッタＡ〜Ｄ全体の総熱容量を算出することが可能である。
さらに、重量測定手段４２３および搬入前バッファ４２を設けない構成としてもよい。すなわち、例えば、熱容量算出部４４２を、焼成工程の前工程における各種装置（例えばセッタ上に基板を載置するロボット等）に各種信号が送受信可能な状態で接続し、かかる装置から熱容量算出部４４２へと、セッタ上に載置された基板の枚数についての情報を送信する構成としてもよい。このような場合でも、セッタＡ〜Ｄ全体の総熱容量を算出することが可能であり、また、熱処理装置の構成がより簡易になるので装置コストをさらに抑えることができる。

前記第１実施形態では、セッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じてヒータ４３３の温度を制御する構成を例示したが、これに限定されない。すなわち、例えば、図５に示した熱処理装置４と略同様の装置構成において、ヒータ４３３は一定温度に制御し、セッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じて、熱処理炉４３内におけるセッタＡ〜Ｄの搬送速度を制御する構成としてもよい。このような構成でも、セッタＡ〜Ｄはそれぞれの総熱容量に応じて所定時間加熱されることになるので、各セッタＡ〜Ｄ上の基板を同一の目標温度まで加熱することができる。

前記第２〜４実施形態では、第一熱処理炉４５内に第一ヒータ４５３を設け、第二熱処理炉４６内に第二ヒータ４６３を設ける構成（図７，９参照）を例示したが、これに限らない。すなわち、例えば図１２に示す熱処理装置４Ｃのように、１つの熱処理炉４３内に第一ヒータ４３４および第二ヒータ４３５の双方を設ける構成としてもよい。この場合、図中二点鎖線で示すように、熱処理炉４３内の搬送路４１３には第二ヒータ４３５による高温ゾーン４１６が形成され、かかる高温ゾーン４１６は前記第２〜４実施形態における第二搬送路４１５（図７，９参照）と同様に機能し得る。ここにおいて、例えば前記第三実施形態と同様にして、セッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じて、高温ゾーン４１６内におけるセッタＡ〜Ｄの搬送速度を制御する構成とすれば、各セッタＡ〜Ｄ上の基板２，３を同一の目標温度まで加熱することができる。

前記第３，４実施形態では、搬送方向に沿って、搬入前バッファ４２、第二熱処理炉４６、第一熱処理炉４５の順で配置する構成を例示したが、これに限定されない。すなわち、図７に示す第２実施形態の熱処理装置４Ａのように、搬入前バッファ４２、第一熱処理炉４５、第二熱処理炉４６の順で配置する構成としてもよい。この場合でも、搬送速度制御部４４１Ｂにより、セッタＡ〜Ｄの総熱容量に応じて、第二搬送路４１５のみ、あるいは第一搬送路４１４および第二搬送路４１５の双方における各セッタＡ〜Ｄの搬送速度条件を設定すれば、前記第３実施形態の上記(3-3)あるいは前記第４実施形態の上記(4-3)に記載の作用効果と略同様の作用効果を奏することができる。

（６）実施形態の作用効果
上述したように、前記実施実施形態における焼成工程（被加熱物の熱処理方法）では、熱容量算出工程と、条件設定工程と、熱処理工程とを実施する。熱容量算出工程ではセッタＡ〜Ｄを熱処理炉内に搬入する前に、セッタＡ〜Ｄの総熱容量を予め算出する。条件設定工程では、熱容量算出工程にて算出された総熱容量に応じて、ヒータの温度および熱処理炉内での加熱時間の少なくともいずれか一方の条件を設定する。熱処理工程では、条件設定工程の後にセッタＡ〜Ｄを熱処理炉内に搬入し、当該条件設定工程にて設定した条件に基づいて当該セッタＡ〜Ｄを加熱する。
このように、セッタＡ〜Ｄに対して熱処理工程を実施する前に、セッタＡ〜Ｄの総熱容量を予め算出しておき、この総熱容量に応じてヒータ温度および加熱時間の少なくともいずれか一方を制御することで、各セッタＡ〜Ｄ上の基板を同一の目標温度まで加熱することができる。また、熱処理装置に複雑な制御系を採用しなくて済み、熱処理炉内のヒーターにも安価な低出力のヒータを使用できる。したがって、熱処理装置の装置コストが上昇することなく、様々な熱容量を有する被加熱物を同一の目標温度まで好適に加熱できる。

また、前記実施形態におけるＰＤＰ１の製造方法では、上記した被加熱物の熱処理方法をＰＤＰ１を構成する基板２，３の焼成工程に用いる。
このような焼成工程では、様々な熱容量を有するセッタＡ〜Ｄ上の基板２，３を同一の目標温度まで好適に加熱できる。このため、各セッタＡ〜Ｄの総熱容量に関わりなく、焼成後の基板２，３上に形成された各構造物の状態を一定の状態とすることができ、一定品質のＰＤＰ１を製造することができる。

また、前記実施形態における熱処理装置４〜４Ｃ（ＰＤＰ１の製造装置）は、熱処理炉と、熱容量算出部と、条件設定部と、加熱制御部とを具備している。熱処理炉は、内部に基板２，３が載置されたセッタＡ〜Ｄが搬入され、内部に設置されたヒータにより当該セッタＡ〜Ｄを加熱する。熱容量算出部は、熱処理炉内に搬入されるセッタＡ〜Ｄの総熱容量を予め算出する。条件設定部は、当該総熱容量に応じて、ヒータの温度および熱処理炉内での加熱時間のうち少なくともいずれか一方の条件を設定する。加熱制御部は、熱処理炉内に搬入されたセッタＡ〜Ｄを、条件設定部にて設定した条件に基づいてヒータにより加熱させる。
このような熱処理装置４〜４Ｃによれば、装置コストが上昇することなく、様々な熱容量を有するセッタＡ〜Ｄ上の各基板２，３を同一の目標温度まで好適に加熱できる。そして、一定品質のＰＤＰ１を製造することができる。

一般的な基板の焼成工程において使用されるセッタを模式的に示した平面図であり、（Ａ）は基板が載置されていないセッタＡであり、（Ｂ）は基板が１枚のみ載置されたセッタＢであり、（Ｃ）は基板が２枚載置されたセッタＣであり、（Ｄ）は基板が３枚載置されたセッタＤである。 図１（Ａ）〜（Ｄ）に示す各セッタＡ〜Ｄを同一熱処理条件で焼成した場合における、各セッタ上の基板の温度プロファイルを示したものである。 従来技術を用いて図１（Ａ）〜（Ｄ）に示す各セッタＡ〜Ｄを焼成した場合における、各セッタ上の基板の温度プロファイルと、ヒータ設定温度の温度プロファイルとを示したものである。 本発明の第１〜第４実施形態におけるＰＤＰの内部構造を示す分解斜視図である。 前記第１実施形態における熱処理装置の概略構成を示した模式図を示す。 前記第１実施形態における焼成工程を説明するための図であり、（Ａ）は各セッタＡ〜Ｄに対するヒータ設定温度を示した模式図であり、（Ｂ）は各セッタＡ〜Ｄ上における基板の温度と加熱時間との関係を示したグラフである。 前記第２実施形態における熱処理装置の概略構成を示した模式図を示す。 前記第２実施形態における焼成工程を説明するための図であり、（Ａ）は各セッタＡ〜Ｄに対するヒータ設定温度を示した模式図であり、（Ｂ）は各セッタＡ〜Ｄ上における基板の温度と加熱時間との関係を示したグラフである。 前記第３実施形態における熱処理装置の概略構成を示した模式図を示す。 前記第３実施形態における焼成工程を説明するための図であり、（Ａ）は各セッタＡ〜Ｄに対するヒータ設定温度を示した模式図であり、（Ｂ）は各セッタＡ〜Ｄ上における基板の温度と加熱時間との関係を示したグラフである。 前記第４実施形態における焼成工程を説明するための図であり、（Ａ）は各セッタＡ〜Ｄに対するヒータ設定温度を示した模式図であり、（Ｂ）は各セッタＡ〜Ｄ上における基板の温度と加熱時間との関係を示したグラフである。 前記第２〜４実施形態における熱処理装置の変形例を示した模式図を示す。

符号の説明

１…ＰＤＰ（ディスプレイパネル）
２…背面基板（被加熱物）
３…前面基板（被加熱物）
４，４Ａ〜４Ｃ…熱処理装置（ディスプレイパネルの製造装置）
４１…搬送装置
４１３…搬送路
４１４…第一搬送路
４１５…第二搬送路
４１６…高温ゾーン（第二搬送路）
４２…搬入前バッファ
４２３…重量測定手段（熱容量算出部の一部として機能する）
４３…熱処理炉
４３３…ヒータ
４３４…第一ヒータ
４３５…第二ヒータ
４４，４４Ａ，４４Ｂ…制御装置
４４１，４４１Ｂ…搬送速度制御部
４４２…熱容量算出部
４４３，４４３Ａ，４４３Ｂ…ヒータ温度設定部（条件設定部）
４４４，４４４Ａ，４４４Ｂ…ヒータ制御部（加熱制御部）
４４５…速度条件設定部（加熱制御部）
４５…第一熱処理炉
４５３…第一ヒータ
４６…第二熱処理炉
４６３…第二ヒータ
Ａ-Ｄ…セッタ（被加熱物）
Ｔ１…第一温度
Ｔ２，Ｔ２Ａ-Ｔ２Ｄ…第二温度

Claims (11)

1. 熱処理炉の内部に被加熱物を搬入し、当該熱処理炉の内部に設置されたヒータにより当該被加熱物を加熱する熱処理方法であって、
   前記被加熱物を前記熱処理炉内に搬入する前に、前記被加熱物の総熱容量を予め算出する熱容量算出工程と、
   この熱容量算出工程にて算出された総熱容量に応じて、前記ヒータの温度および前記熱処理炉内での加熱時間のうち少なくともいずれか一方の条件を設定する条件設定工程と、
   この条件設定工程の後に前記被加熱物を前記熱処理炉内に搬入し、当該条件設定工程にて設定した条件に基づいて当該被加熱物を加熱する熱処理工程と、を含む
   ことを特徴とする被加熱物の熱処理方法。
2. 請求項１に記載の被加熱物の熱処理方法において、
   前記熱容量算出工程では、前記被加熱物の材質および数量に応じて前記総熱容量を算出する
   ことを特徴とする被加熱物の熱処理方法。
3. 請求項１または請求項２に記載の被加熱物の熱処理方法において、
   前記条件設定工程では、前記熱容量算出工程にて算出された総熱容量に応じて、前記ヒータの温度条件を設定し、
   前記熱処理工程では、当該温度条件に基づいて前記ヒータの温度を所定温度に制御した後に、前記熱処理炉内に前記被加熱物を搬入して、当該被加熱物を所定時間加熱する
   ことを特徴とする被加熱物の熱処理方法。
4. 請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の被加熱物の熱処理方法において、
   前記熱処理炉内には、第一温度に制御可能な第一ヒータが設けられた第一搬送路と、この第一搬送路の下流側に連続して設けられ、前記第一温度よりも高い第二温度に制御可能な第二ヒータが設けられた第二搬送路とが設けられており、
   前記条件設定工程では、前記熱容量算出工程にて算出された総熱容量に応じて、前記第二ヒータの温度条件を設定し、
   前記熱処理工程では、前記第一ヒータの温度を前記第一温度に制御し、前記第二ヒータの温度を前記温度条件に基づいて前記第二温度に制御して、前記熱処理炉内に搬入した前記被加熱物を、前記第一搬送路および前記第二搬送路により一定の搬送速度で搬送する
   ことを特徴とする被加熱物の熱処理方法。
5. 請求項３または請求項４に記載の被加熱物の熱処理方法において、
   前記条件設定工程では、前記被加熱物の総熱容量が大きい場合、前記被加熱物の総熱容量が小さい場合に比して、前記ヒータの温度条件を高く設定する
   ことを特徴とする被加熱物の熱処理方法。
6. 請求項１または請求項２に記載の被加熱物の熱処理方法において、
   前記熱処理炉内には、第一温度に制御可能な第一ヒータが設けられた第一搬送路と、この第一搬送路に連続して設けられ、前記第一温度よりも高い第二温度に制御可能な第二ヒータが設けられた第二搬送路とが設けられており、
   前記条件設定工程では、前記熱容量算出工程にて算出された総熱容量に応じて、前記第二搬送路による前記被加熱物の搬送速度条件を設定し、
   前記熱処理工程では、前記第一ヒータの温度を前記第一温度に制御し、前記第二ヒータの温度を前記第二温度に制御して、前記熱処理炉内に搬入した前記被加熱物を、前記第一搬送路により一定の搬送速度で搬送し、前記第二搬送路により前記搬送速度条件に基づいて所定の搬送速度で搬送する
   ことを特徴とする被加熱物の熱処理方法。
7. 請求項１または請求項２に記載の被加熱物の熱処理方法において、
   前記熱処理炉内には、第一温度に制御可能な第一ヒータが設けられた第一搬送路と、この第一搬送路に連続して設けられ、前記第一温度よりも高い第二温度に制御可能な第二ヒータが設けられた第二搬送路とが設けられており、
   前記条件設定工程では、前記熱容量算出工程にて算出された総熱容量に応じて、前記第一搬送路および前記第二搬送路のそれぞれによる前記被加熱物の搬送速度条件を、前記第一搬送路および前記第二搬送路による前記被加熱物の搬送時間の合計が一定となる条件で設定し、
   前記熱処理工程では、前記第一ヒータの温度を前記第一温度に制御し、前記第二ヒータの温度を前記第二温度に制御して、前記熱処理炉内に搬入した前記被加熱物を、前記第一搬送路および前記第二搬送路によりそれぞれの前記搬送速度条件に基づいて所定の搬送速度で搬送する
   ことを特徴とする被加熱物の熱処理方法。
8. 請求項６または請求項７に記載の被加熱物の熱処理方法において、
   前記条件設定工程では、前記被加熱物の総熱容量が大きい場合、前記被加熱物の総熱容量が小さい場合に比して、前記第二搬送路による前記被加熱物の搬送速度条件を遅く設定する
   ことを特徴とする被加熱物の熱処理方法。
9. 請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の被加熱物の熱処理方法を、ディスプレイパネルを構成する基板の焼成工程に用いることを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
10. 請求項９に記載のディスプレイパネルの製造方法において、
    前記熱容量算出工程では、前記熱処理炉内に搬入される前記被加熱物中に前記基板が含まれているか否かを判断し、
    前記熱処理工程では、前記熱容量算出工程において前記基板が含まれていないと判断された場合、前記ヒータによる加熱を停止する
    ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
11. ディスプレイパネルを構成する基板を焼成するディスプレイパネルの製造装置であって、
    内部に前記基板を含む被加熱物が搬入され、内部に設置されたヒータにより当該被加熱物を加熱する熱処理炉と、
    この熱処理炉内に搬入される被加熱物の総熱容量を予め算出する熱容量算出部と、
    この熱容量算出部にて算出された総熱容量に応じて、前記ヒータの温度および前記熱処理炉内での加熱時間のうち少なくともいずれか一方の条件を設定する条件設定部と、
    前記熱処理炉内に搬入された前記被加熱物を、当該条件設定部にて設定した条件に基づいて前記ヒータにより加熱させる加熱制御部と、を具備した
    ことを特徴とするディスプレイパネルの製造装置。

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