JP2009097753A - 熱処理炉、熱処理装置、および、ディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】適切な乾燥処理を高効率で実施できる熱処理装置を提供すること。
【解決手段】熱処理装置１００の炉体１３１に乾燥ゾーンＺ２と、焼成ゾーンＺ３とを設け、乾燥ゾーンＺ２内におけるセッタ１１０に対して下方となる位置に第１加熱手段１３３を設けている。このため、基板１の載置などを高速に実施するためのセッタ１１０としてリフトピン挿通孔１１１が設けられているものを適用しても、乾燥ゾーンＺ２においてセッタ１１０を下方のみから加熱するので、上方のみから加熱する構成と比べて、基板１におけるリフトピン挿通孔１１１に対向する孔部と、対向しない孔無部との孔有無温度差を小さくすることができ、孔部に形成された構造物形成層に乾燥むらが生じることを抑制することができる。乾燥処理と焼成処理と１個の炉体１３１で実施するので、適切な乾燥処理を高効率で実施できる。
【選択図】図１

Description

本発明は、熱処理炉、熱処理装置、および、ディスプレイパネルの製造方法に関する。

従来、例えばプラズマディスプレイパネルの製造において、誘電体材料層などの構造物形成層を含む基板を乾燥させた後、この構造物形成層を焼成して基板上に構造物を形成する構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。

この特許文献１に記載のものは、ペースト層を形成した基板を乾燥炉に投入して搬送することによりペースト層を乾燥させる。そして、乾燥炉の出口に到達した基板を、基板移載手段により移載装置の搬送ローラ上に置かれた支持基板上に載置して焼成炉に送り、ペースト層を焼成して誘電体層を基板上に形成する構成が採られている。

特開２００３−３３１７１５号公報

ところで、近年、ディスプレイパネルを高効率で生産することが望まれている。この高効率生産を実現するためには、特許文献１に記載の構成のように乾燥と焼成を別々の炉で実施せずに、乾燥と焼成を１個の炉で実施することが考えられる。このような構成では、焼成時に加え乾燥時にも、基板をセッタ（支持基板）上に載置することになる。そして、セッタに基板を載置する構成では、このセッタへの基板の載置、取出しを高速に実施するために、セッタにリフトピンが挿通される複数個の挿通孔を設けることが考えられる。

しかしながら、挿通孔が設けられたセッタを用いて構造物形成層の乾燥処理を実施すると、構造物形成層における挿通孔に対応する部分に乾燥むらが生じることがある。この乾燥むらは電圧のマージンや画質へ影響を及ぼすため、乾燥と焼成を１個の炉で実施する構成は、実用化が困難である。このことから、適切な乾燥処理を高効率で実施可能な構成が望まれている。

本発明は、上記のような問題に鑑みて、適切な乾燥処理を高効率で実施可能な熱処理炉、熱処理装置、および、ディスプレイパネルの製造方法を提供することを１つの目的とする。

請求項１に記載の発明は、セッタに載置されて搬送される構造物形成層を含む基板を熱処理する熱処理炉であって、前記セッタの搬送路の上流側に設けられた乾燥ゾーンおよび下流側に設けられた焼成ゾーンを備えた炉体と、前記セッタを略水平となる状態で前記炉体内において搬送する搬送手段と、前記乾燥ゾーンに配置された第１加熱手段と、前記焼成ゾーンに配置された第２加熱手段と、を具備し、前記第１加熱手段は、前記セッタに対して下方となる位置のみに配置されたことを特徴とする熱処理炉である。

請求項２に記載の発明は、構造物形成層を含む基板が載置される載置部に下方から支持して昇降させるリフトピンの挿通孔が複数個設けられたセッタと、このセッタに載置されて搬送される前記基板を熱処理する請求項１に記載の熱処理炉と、を具備したことを特徴とする熱処理装置である。

請求項４に記載の発明は、構造物形成層を含む基板が載置される載置部に下方から支持して昇降させるリフトピンの挿通孔が複数個設けられたセッタを、略水平となる状態で熱処理炉内において搬送しながら前記構造物形成層を乾燥させる乾燥工程と、この乾燥工程で乾燥された前記構造物形成層を焼成する焼成工程と、を含むディスプレイパネルの製造方法であって、前記乾燥工程では、前記セッタに対して下方となる位置のみに配置された加熱手段を用いて前記構造物形成層を乾燥させることを特徴とするディスプレイパネルの製造方法である。

以下、本発明に係る一実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、本実施形態ではプラズマディスプレイパネルを例示するが、これに限らず、本発明は液晶表示パネルや、有機ＥＬパネル、ＦＥＤ、電気泳動ディスプレイパネルなどのディスプレイパネルのガラス基板などにも適用可能である。

［プラズマディスプレイパネル］
まず、本実施形態において製造するプラズマディスプレイパネルの概略構成について以下に説明する。
一般に、プラズマディスプレイパネルにおいては、放電空間を介して前面基板と背面基板とが対向配置されている。
前面基板の内面側には、例えば、複数の透明電極、複数のバス電極、複数のブラックストライプ、誘電体層および保護膜がそれぞれ設けられている。
例えば、背面基板の内面側には、この背面基板上に複数のアドレス電極がそれぞれ平行に設けられ、これらアドレス電極を覆うように背面基板の内面側に絶縁体層であるアドレス電極保護層が設けられ、さらにこのアドレス電極保護層上に例えばストライプ形状の隔壁が設けられ、これら隔壁により、複数個の放電セルが区画形成される。なお、隔壁としては、ストライプ形状に限らず、井桁形状などでもよい。
複数個の放電セルの内部には、例えば、それぞれ赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体層が順に形成されている。放電空間の内部、すなわちそれぞれの放電セルの内部は、ネオンガスなどの放電ガスが充填され、外気との間で密閉されている。
そして、プラズマディスプレイパネルは、例えば、複数個の放電セル内で選択的に放電発光させることにより画像を表示する。

［ディスプレイパネルの製造に用いる装置］
次に、上記プラズマディスプレイパネルを製造する製造装置の概略構成について以下に説明する。

〔全体構成〕
本実施形態においては、製造装置として、無機物や有機物を含む材料層を基板上に形成するための図示しない材料層形成装置と、材料層に対して熱処理を施して構造物を形成する基板製造装置と、を備えている。

材料層形成装置は、例えば、オフセット印刷法や凸版印刷法、凹版印刷法、グラビア印刷法などの各種印刷法、ディスペンサ法、ダイコータ法、スピンコート法、ナイフコート法などにより、基板上に構造物形成用の材料層を塗布可能に構成された印刷機、ディスペンサ、ダイコータ、スピンコータ、ナイフコータなどの装置が挙げられる。また、例えば、フィルム状に形成された構造物形成用の材料を基板上にラミネートするラミネータなどの装置も使用することができる。

〔熱処理装置の構成〕
次に、熱処理装置の詳細な構成について、図面を参照して以下に説明する。
図１は、熱処理装置の概略構成を示すブロック図である。

図１において、１００は熱処理装置である。
この熱処理装置１００は、材料層形成装置により構造物形成層としての誘電体層が形成された基板１が載置される複数のセッタ１１０と、このセッタ１１０上に基板１を載置して搬送する基板投入部１２０と、この基板投入部１２０で搬送される基板１を乾燥、焼成する熱処理炉１３０と、この熱処理炉１３０で焼成された基板１をセッタ１１０から取り出して排出する基板排出部１４０と、この基板排出部１４０で基板が取り出されたセッタ１１０を基板投入部１２０へ返送する図示しないセッタ返送部と、熱処理装置１００全体を制御する図示しない制御装置と、を備えている。

セッタ１１０は、ガラス製の耐熱性基板により、基板１よりも大きい長方形板状に形成されている。このセッタ１１０における基板１が載置される載置部の四隅近傍には、基板投入部１２０の後述するリフトピン１２１Ａが挿通可能なリフトピン挿通孔１１１がそれぞれ開口形成されている。このリフトピン挿通孔１１１は、直径が１５ｍｍ以下の円形に形成されている。なお、図１では、構成を理解しやすくするために、リフトピン挿通孔１１１を基板１に対して大きく示している。また、リフトピン挿通孔１１１の個数としては、４個に限らず基板１を支持可能な個数であればいずれの個数であってもよい。

基板投入部１２０は、基板投入ゾーンＺ１を構成し、昇降装置１２１と、複数の投入搬送ローラ１２２と、を備えている。
昇降装置１２１は、セッタ１１０のリフトピン挿通孔１１１にそれぞれ挿通される４個のリフトピン１２１Ａと、このリフトピン１２１Ａを軸方向に昇降させる昇降駆動部１２１Ｂと、を備えている。
投入搬送ローラ１２２は、昇降装置１２１から熱処理炉１３０にかけて並設されている。

そして、基板投入部１２０は、投入搬送ローラ１２２により、セッタ１１０をリフトピン挿通孔１１１がリフトピン１２１Ａに対応する位置まで搬送する。次に、昇降駆動部１２１Ｂにより、リフトピン１２１Ａを上昇させてリフトピン挿通孔１１１に挿通させ、リフトピン１２１Ａの先端をセッタ１１０の上方に位置させる。さらに、このリフトピン１２１Ａに基板１が載置された後、リフトピン１２１Ａを下降させて基板１をセッタ１１０に載置する。そして、投入搬送ローラ１２２でセッタ１１０を熱処理炉１３０まで搬送する。

熱処理炉１３０は、セッタ１１０の搬送路の上流側に設けられた乾燥ゾーンＺ２および下流側に設けられた焼成ゾーンＺ３を有する略箱状の炉体１３１と、セッタ１１０を略水平となる状態で炉体内において搬送する搬送手段としての複数の乾燥焼成搬送ローラ１３２と、炉体１３１の乾燥ゾーンＺ２に配置された複数の第１加熱手段１３３と、焼成ゾーンＺ３に配置された複数の第２加熱手段１３４と、を備えている。
乾燥焼成搬送ローラ１３２は、炉体１３１の入口１３１Ａから出口１３１Ｂにかけて並設されている。
第１，第２加熱手段１３３，１３４は、ＩＲヒータ、ホットプレート、マイクロ波発信器などであり、セッタ１１０の搬送方向に沿って略等間隔となる位置に配置されている。
第１加熱手段１３３は、乾燥ゾーンＺ２における乾燥焼成搬送ローラ１３２の下方のみに、つまりセッタ１１０に対して下方となる位置のみに配置されている。
第２加熱手段１３４は、セッタ１１０に対して上方となる位置のみに配置されている。なお、想像線で示すように、第２加熱手段１３４をセッタ１１０に対して下方にも配置してもよい。

そして、熱処理炉１３０は、乾燥焼成搬送ローラ１３２により、基板投入部１２０から投入されたセッタ１１０を乾燥ゾーンＺ２内で搬送しつつ、第１加熱手段１３３により、基板１の誘電体層を下方のみから１２０℃で加熱して乾燥させる。次に、セッタ１１０を焼成ゾーンＺ３内で搬送しつつ、第２加熱手段１３４により、乾燥ゾーンＺ２で乾燥処理された誘電体層を上方から約６００℃で加熱して焼成する。この焼成により、基板１上に構造物が形成される。そして、乾燥焼成搬送ローラ１３２でセッタ１１０を熱処理炉１３０から搬出する。
なお、乾燥ゾーンＺ２の温度としては、一般的な２０℃〜２００℃の範囲内で設定してもよい。

基板排出部１４０は、基板排出ゾーンＺ４を構成し、４個のリフトピン１４１Ａおよび昇降駆動部１４１Ｂを有する昇降装置１４１と、熱処理炉１３０から昇降装置１４１にかけて並設された複数の排出搬送ローラ１４２と、を備えている。
そして、基板排出部１４０は、セッタ１１０をリフトピン挿通孔１１１がリフトピン１４１Ａに対応する位置まで搬送し、リフトピン１４１Ａを上昇させてリフトピン挿通孔１１１に挿通させ、リフトピン１２１Ａの先端で基板１を上昇させる。さらに、この基板１が移送された後、リフトピン１４１Ａを下降させてセッタ１１０をセッタ返送部へ搬送する。このセッタ返送部により、セッタ１１０は、基板投入部１２０に返送される。

〔実施例〕
次に、実施例として、上述した熱処理装置１００において、第１加熱手段１３３をセッタ１１０に対して下方のみに配置したことによる作用について、図面を参照して説明する。

（実施例１：加熱手段の配置位置と、基板上における孔部および孔無部の温度との関係）
まず、実施例１として、加熱手段の配置位置と、基板上における孔部および孔無部の温度との関係を調べた。
図２は、実施例１における実験方法を示す模式図である。図３は、加熱手段を上方のみに配置したときの加熱時間と、孔部および孔無部の温度との関係を示すグラフである。図４は、加熱手段を下方のみに配置したときの加熱時間と、孔部および孔無部の温度との関係を示すグラフである。

まず、図２に示すように、１個のリフトピン挿通孔２０１が設けられたセッタ２００を準備した。このセッタ２００、以下に示す実施例２の図示しないセッタ、実施例３，４のセッタ２１０として、日本電気硝子株式会社製の厚さ寸法が５ｍｍの耐熱ガラスを用いた。また、セッタ２００のリフトピン挿通孔２０１、実施例２のセッタのリフトピン挿通孔の直径を１６ｍｍとした。
このセッタ２００の載置面（紙面手前側）に基板１０を載置し、この基板１０の表面（紙面手前側）におけるリフトピン挿通孔２０１に対向する孔部１１と、対向しない孔無部１２と、にそれぞれ熱電対３００を貼り付けた。さらに、これらの熱電対３００を測定装置３０１に接続した。
そして、図示しない加熱手段をセッタ２００の上方（紙面手前側）のみに配置して、１２０℃の設定温度で１５分間加熱した。つまり、熱処理装置１００の乾燥ゾーンＺ２における乾燥条件と略等しい条件で加熱した。このときの加熱時間と、孔部１１および孔無部１２の温度との関係を調べた。また、加熱手段をセッタ２００の下方（紙面奥側）のみに配置して、同様の条件で両者の関係を調べた。これらの結果を図３および図４に示す。

図３に示すように、加熱手段を上方のみに配置した場合、孔部１１と孔無部１２との最大の温度差（以下、孔有無温度差と称す）ΔＴが９℃となり、図４に示すように、下方のみに配置した場合、孔有無温度差ΔＴが４．５℃となることが確認できた。
このことから、加熱手段をセッタ２００の下方のみに配置すると、上方のみに配置する場合と比べて、孔部１１と孔無部１２との温度差を小さくできることが確認できた。

（実施例２：加熱手段の配置位置と、構造物形成層の乾燥むらの発生状態との関係）
次に、実施例２として、加熱手段の配置位置と、構造物形成層の乾燥むらの発生状態との関係を調べた。
図５は、加熱手段を上方に配置したときにおける構造物形成層の乾燥むらの発生状態を示す模式図である。図６は、加熱手段を下方に配置したときにおける構造物形成層の乾燥むらの発生状態を示す模式図である。

まず、基板１０（図５および図６参照）の表面における１０００ｍｍ×６００ｍｍの領域に、以下に示すような仕様のペーストを用いて、塗工膜厚が８０μｍの構造物形成層４００を形成した。
・ガラス固形分：６０ｗｔ％
・溶剤比率 ：３５ｗｔ％
・樹脂比率 ：５ｗｔ％
・溶剤種類 ：沸点２２０℃

そして、構造物形成層４００が形成された基板１０を４個のリフトピン挿通孔（直径１６ｍｍ）が設けられた図示しないセッタ（厚さ寸法５ｍｍ）に載置するとともに、加熱手段をセッタの上方のみ、下方のみに配置して、１２０℃の設定温度で１５分間加熱した。このときの構造物形成層４００の乾燥むらの発生状態を図５および図６に示す。

図５に示すように、加熱手段を上方のみに配置した場合、孔部１１に形成された構造物形成層４００に乾燥むら４０１が発生することが確認できた。一方、図６に示すように、加熱手段を下方のみに配置した場合、構造物形成層４００全体に乾燥むら４０１が発生しないことが確認できた。
ここで、乾燥むら４０１の原因は、基板１０の孔部１１と孔無部１２との温度差により、構造物形成層４００の溶剤の揮発量が異なってしまい、基板１０の表面形状が変化するためと考えられる。
以上のことから、加熱手段を下方に配置すれば、乾燥むら４０１が生じない程度に孔部１１と孔無部１２との温度差を小さくできることが確認できた。

（実施例３：リフトピン挿通孔の直径と、加熱手段の配置位置と、孔有無温度差との関係）
次に、実施例３として、リフトピン挿通孔の直径と、加熱手段の配置位置と、孔有無温度差との関係を調べた。
図７は、実施例３で用いたセッタを示す模式図である。図８は、リフトピン挿通孔の直径と、加熱手段の配置位置と、孔有無温度差との関係を示すグラフである。

まず、図７に示すように、互いに直径が異なる第１〜第５のリフトピン挿通孔２１３〜２１７が設けられたセッタ２１０（厚さ寸法５ｍｍ）を準備した。各リフトピン挿通孔２１３〜２１７の直径を、５ｍｍ，１０ｍｍ，１５ｍｍ，２０ｍｍ，２５ｍｍとした。
このセッタ２１０の載置面に基板１０を載置し、この基板１０における第１〜第５のリフトピン挿通孔２１３〜２１７にそれぞれ対向する第１〜第５の孔部１３〜１７に熱電対を貼り付けた。また、第１〜第５の孔部１３〜１７に隣接する第１〜第５の孔無部１８〜２２にも熱電対を貼り付けた。
そして、図示しない加熱手段をセッタ２１０の上方のみ、下方のみに配置し、１２０℃の設定温度で１５分間加熱して、各孔部１３〜１７と、各孔部１３〜１７にそれぞれ隣接する各孔無部１８〜２２との孔有無温度差ΔＴを調べた。その結果を図８に示す。

図８に示すように、リフトピン挿通孔の直径によらず、加熱手段をセッタ２１０の下方のみに配置（図８中の「下ヒータ」）すると、上方のみに配置（図８中の「上ヒータ」）する場合と比べて、孔有無温度差ΔＴを小さくできることが確認できた。また、加熱手段の配置位置が上方のみ、下方のみのいずれの場合においても、リフトピン挿通孔の直径が大きくなるにしたがって、孔有無温度差ΔＴが大きくなることが確認できた。

（実施例４：リフトピン挿通孔の直径と、構造物形成層の乾燥むらの発生状態との関係）
次に、実施例４として、リフトピン挿通孔の直径と、構造物形成層の乾燥むらの発生状態との関係を調べた。
図９は、加熱手段を上方に配置したときにおける構造物形成層の乾燥むらの発生状態を示す模式図である。図１０は、加熱手段を下方に配置したときにおける構造物形成層の乾燥むらの発生状態を示す模式図である。

まず、基板１０の表面に、実施例２と同一条件の構造物形成層４００を形成した。
そして、この基板１０を実施例３で用いたセッタ２１０に載置し、加熱手段をセッタの上方のみ、下方のみに配置して、１２０℃の設定温度で１５分間加熱した。このときの構造物形成層４００の乾燥むらの発生状態を図９および図１０に示す。

図９に示すように、加熱手段を上方のみに配置した場合、第２〜第５の孔部１４〜１７に形成された構造物形成層４００に乾燥むら４０４〜４０７が発生することが確認できた。一方、図１０に示すように、加熱手段を下方のみに配置した場合、第４〜第５の孔部１６〜１７に形成された構造物形成層４００に乾燥むら４０６〜４０７が発生することが確認できた。
以上のことから、加熱手段を下方に配置した場合、リフトピン挿通孔の直径を１５ｍｍ以下にすれば、乾燥むらが生じない程度に孔部と孔無部との温度差を小さくできることが確認できた。

（実施例５：乾燥および焼成を別々の炉で実施したときと、１個の炉で実施したときとの消費電力差）
次に、乾燥および焼成を２個の炉で別々に実施したときと、本発明を適用して乾燥および焼成を１個の炉で実施するとともに乾燥時にセッタを下方から加熱したときの消費電力差を調べた。
１個の炉で実施する場合、２個の炉で実施する場合と比べて、１年間で約１００万ｋW（キロワット）の消費電力を削減できることが確認できた。

［熱処理装置の作用効果］
以上の熱処理装置１００によれば、以下の作用効果が期待できる。

（１）熱処理装置１００を構成する熱処理炉１３０の炉体１３１に乾燥ゾーンＺ２と、焼成ゾーンＺ３とを設けている。そして、乾燥ゾーンＺ２内におけるセッタ１１０に対して下方となる位置に第１加熱手段１３３を設けている。
このため、セッタ１１０への基板１の載置や取出しを高速に実施するために、セッタ１１０としてリフトピン挿通孔１１１が設けられているものを適用した場合であっても、乾燥ゾーンＺ２においてセッタ１１０を下方のみから加熱するので、上方のみから加熱する構成と比べて、基板１におけるリフトピン挿通孔１１１に対向する孔部と、対向しない孔無部との孔有無温度差を小さくすることができる。そして、この孔有無温度差を小さくすることにより、孔部に形成された構造物形成層に乾燥むらが生じることを抑制することができる。
また、乾燥処理と焼成処理と１個の炉体１３１で実施できるので、熱処理炉１３０により、消費電力を抑制しつつ適切な乾燥処理を高効率で実施できる。さらには、炉体１３１の設置スペースも小さくできる。
さらに、適切な乾燥処理を高効率で実施できる熱処理炉１３０と、セッタ１１０とで熱処理装置１００を構成することにより、この熱処理装置１００の利用拡大を容易に図ることができる。

（２）リフトピン挿通孔１１１の直径を１５ｍｍ以下にしているので、孔部の構造物形成層に乾燥むらが生じることを確実に防止することができる。

（３）セッタ１１０として、ガラス製の耐熱性基板を適用している。
このため、セッタ１１０として、例えば金属を適用する構成と比べて、腐食などの劣化を抑えることができ、セッタ１１０の長寿命化を図ることができる。

［他の実施形態］
なお、本発明は前述の一実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。

すなわち、リフトピン挿通孔１１１の直径を１５ｍｍよりも大きくしてもよい。１５ｍｍよりも大きくする場合、第１加熱手段１３３の位置や加熱時間を調整することにより、乾燥むらを抑制することができる。
また、セッタ１１０として、金属製のものを適用してもよい。
さらに、本発明の構造物形成層として、前面基板に設けられる誘電体層を例示したが、プラズマディスプレイパネルの隔壁、アドレス電極、バス電極などを適用してもよい。

その他、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更できる。

［実施形態の作用効果］
上記したように、熱処理装置１００を構成する熱処理炉１３０の炉体１３１に乾燥ゾーンＺ２と、焼成ゾーンＺ３とを設けている。そして、乾燥ゾーンＺ２内におけるセッタ１１０に対して下方となる位置に第１加熱手段１３３を設けている。
このため、セッタ１１０への基板１の載置や取出しを高速に実施するために、セッタ１１０としてリフトピン挿通孔１１１が設けられているものを適用した場合であっても、乾燥ゾーンＺ２においてセッタ１１０を下方のみから加熱するので、上方のみから加熱する構成と比べて、基板１におけるリフトピン挿通孔１１１に対向する孔部と、対向しない孔無部との孔有無温度差を小さくすることができる。そして、この孔有無温度差を小さくすることにより、孔部に形成された構造物形成層に乾燥むらが生じることを抑制することができる。
また、乾燥処理と焼成処理と１個の炉体１３１で実施できるので、熱処理炉１３０により、適切な乾燥処理を高効率で実施できる。

本発明の一実施形態に係る熱処理装置の概略構成を示すブロック図である。 本発明の実施例１の実験方法を示す模式図である。 前記実施例１における加熱手段を上方のみに配置したときの加熱時間と、孔部および孔無部の温度との関係を示すグラフである。 前記実施例１における加熱手段を下方のみに配置したときの加熱時間と、孔部および孔無部の温度との関係を示すグラフである。 本発明の実施例２における加熱手段を上方に配置したときにおける構造物形成層の乾燥むらの発生状態を示す模式図である。 前記実施例２における加熱手段を下方に配置したときにおける構造物形成層の乾燥むらの発生状態を示す模式図である。 本発明の実施例３および実施例４で用いたセッタを示す模式図である。 前記実施例３におけるリフトピン挿通孔の直径と、加熱手段の配置位置と、孔有無温度差との関係を示すグラフである。 前記実施例４における加熱手段を上方に配置したときにおける構造物形成層の乾燥むらの発生状態を示す模式図である。 前記実施例４における加熱手段を下方に配置したときにおける構造物形成層の乾燥むらの発生状態を示す模式図である。

符号の説明

１…基板
１００…熱処理装置
１１０…セッタ
１１１…リフトピン挿通孔
１２１Ａ…リフトピン
１３０…熱処理炉
１３１…炉体
１３２…搬送手段としての乾燥焼成搬送ローラ
１３３…第１加熱手段
１３４…第２加熱手段
Ｚ２…乾燥ゾーン
Ｚ３…焼成ゾーン

Claims (6)

1. セッタに載置されて搬送される構造物形成層を含む基板を熱処理する熱処理炉であって、
   前記セッタの搬送路の上流側に設けられた乾燥ゾーンおよび下流側に設けられた焼成ゾーンを備えた炉体と、
   前記セッタを略水平となる状態で前記炉体内において搬送する搬送手段と、
   前記乾燥ゾーンに配置された第１加熱手段と、
   前記焼成ゾーンに配置された第２加熱手段と、を具備し、
   前記第１加熱手段は、前記セッタに対して下方となる位置のみに配置された
   ことを特徴とする熱処理炉。
2. 構造物形成層を含む基板が載置される載置部に下方から支持して昇降させるリフトピンの挿通孔が複数個設けられたセッタと、
   このセッタに載置されて搬送される前記基板を熱処理する請求項１に記載の熱処理炉と、
   を具備したことを特徴とする熱処理装置。
3. 請求項２に記載の熱処理装置において、
   前記セッタの前記挿通孔の直径は、１５ｍｍ以下である
   ことを特徴とする熱処理装置。
4. 構造物形成層を含む基板が載置される載置部に下方から支持して昇降させるリフトピンの挿通孔が複数個設けられたセッタを、略水平となる状態で熱処理炉内において搬送しながら前記構造物形成層を乾燥させる乾燥工程と、この乾燥工程で乾燥された前記構造物形成層を焼成する焼成工程と、を含むディスプレイパネルの製造方法であって、
   前記乾燥工程では、前記セッタに対して下方となる位置のみに配置された加熱手段を用いて前記構造物形成層を乾燥させる
   ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
5. 請求項４に記載のディスプレイパネルの製造方法において、
   前記セッタとして、耐熱性基板を用いる
   ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
6. 請求項４または請求項５に記載のディスプレイパネルの製造方法において、
   前記セッタの前記挿通孔の直径は、１５ｍｍ以下である
   ことを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。

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