JP2008053694A - Substrate processing apparatus - Google Patents
Substrate processing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008053694A JP2008053694A JP2007177708A JP2007177708A JP2008053694A JP 2008053694 A JP2008053694 A JP 2008053694A JP 2007177708 A JP2007177708 A JP 2007177708A JP 2007177708 A JP2007177708 A JP 2007177708A JP 2008053694 A JP2008053694 A JP 2008053694A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- fluid
- liquid
- back surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B17/00—Methods preventing fouling
- B08B17/02—Preventing deposition of fouling or of dust
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
この発明は基板を所定の角度で傾斜した起立状態で搬送しながら処理液や気体などの流体によって処理する基板の処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate with a fluid such as a processing liquid or a gas while conveying the substrate in an upright state inclined at a predetermined angle.
液晶表示装置に用いられるガラス製の基板には回路パターンが形成される。基板に回路パターンを形成するにはリソグラフィープロセスが採用される。リソグラフィープロセスは周知のように上記基板にレジストを塗布し、このレジストに回路パターンが形成されたマスクを介して光を照射する。 A circuit pattern is formed on a glass substrate used in the liquid crystal display device. A lithographic process is employed to form a circuit pattern on the substrate. In a lithography process, as is well known, a resist is applied to the substrate, and light is irradiated through a mask having a circuit pattern formed on the resist.
つぎに、レジストの光が照射されない部分或いは光が照射された部分を除去し、基板のレジストが除去された部分をエッチングする。そして、エッチング後にレジストを除去するという一連の工程を複数回繰り返すことで、上記基板に回路パターンを形成する。 Next, the portion of the resist not irradiated with light or the portion irradiated with light is removed, and the portion of the substrate where the resist is removed is etched. A circuit pattern is formed on the substrate by repeating a series of steps of removing the resist after etching a plurality of times.
このようなリソグラフィープロセスにおいては、上記基板に現像液、エッチング液或いはエッチング後にレジストを除去する剥離液などによって基板を処理する工程、さらにリンス液によって洗浄する工程、洗浄後に基板に付着残留したリンス液を気体によって除去する乾燥工程が必要となる。 In such a lithography process, the substrate is treated with a developing solution, an etching solution or a stripping solution for removing the resist after etching, a step of washing with a rinsing solution, and a rinsing solution remaining on the substrate after washing. The drying process which removes by gas is required.
従来、基板に対して上述した一連の処理を行う場合、上記基板は軸線を水平にして配置された搬送ローラによってほぼ水平な状態でそれぞれの処理を行なう処理チャンバに順次搬送し、各処理チャンバで基板を処理液によって処理したり、処理後に圧縮気体を噴射して乾燥処理するようにしている。 Conventionally, when the above-described series of processing is performed on a substrate, the substrate is sequentially transported to processing chambers in which the processing is performed in a substantially horizontal state by transport rollers arranged with the axis line horizontal, and in each processing chamber. The substrate is processed with a processing liquid, or after the processing, a compressed gas is injected to dry the substrate.
ところで、最近では液晶表示装置に用いられるガラス製の基板が大型化及び薄型化する傾向にある。そのため、基板を水平搬送すると、搬送ローラ間における基板の撓みが大きくなるため、各処理チャンバでの処理が基板の板面全体にわたって均一に行えなくなるということが生じる。 Recently, glass substrates used in liquid crystal display devices tend to be larger and thinner. For this reason, when the substrate is horizontally transported, the bending of the substrate between the transport rollers becomes large, so that processing in each processing chamber cannot be performed uniformly over the entire plate surface of the substrate.
さらに、基板が大型化すると、その基板を搬送する搬送ローラが設けられた搬送軸が長尺化する。しかも、基板が大型化することで、基板上に供給される処理液が増大し、基板上の処理液の量に応じて上記搬送軸に加わる荷重が大きくなるから、それらのことによって搬送軸の撓みが増大する。そのため、基板は搬送軸が撓むことによっても撓みが生じ、均一な処理が行えなくなるということがある。 Furthermore, when the substrate is enlarged, the transport shaft provided with the transport roller for transporting the substrate becomes longer. In addition, since the substrate is increased in size, the processing liquid supplied onto the substrate is increased, and the load applied to the transport shaft is increased according to the amount of the processing liquid on the substrate. Deflection increases. Therefore, the substrate may be bent even when the transport shaft is bent, and uniform processing may not be performed.
そこで、処理液によって基板を処理する際、上記基板が処理液の重量によって撓むのを防止するため、基板を所定の傾斜角度、たとえば垂直状態から15度傾斜させた75度の角度で搬送し、傾斜方向の上側に位置する前面に処理液を噴射することで、その基板の前面を処理するということが行なわれている。 Therefore, when the substrate is processed with the processing liquid, the substrate is transported at a predetermined inclination angle, for example, an angle of 75 degrees inclined by 15 degrees from the vertical state in order to prevent the substrate from being bent by the weight of the processing liquid. The front surface of the substrate is processed by injecting the processing liquid onto the front surface located on the upper side in the tilt direction.
基板を傾斜させて搬送し、その基板の前面に処理液を噴射供給するようにすれば、処理液は基板の板面に留まらず、板面を上方から下方へ向かって円滑に流れるから、処理液の重量によって基板が撓むのを防止することができる。 If the substrate is transported at an incline and the processing liquid is sprayed and supplied to the front surface of the substrate, the processing liquid does not stay on the plate surface of the substrate, but smoothly flows from the upper side to the lower side. It is possible to prevent the substrate from being bent by the weight of the liquid.
基板を所定の角度で傾斜させて搬送しながら処理する処理装置の場合、特許文献1に示されるように、チャンバ内に基板の傾斜方向下側となる背面を支持する支持ローラと、下端を支持する駆動ローラが設けられる。駆動ローラは駆動軸に取付けられ、その駆動軸は駆動源によって回転駆動される。
In the case of a processing apparatus that processes a substrate while tilting it at a predetermined angle, as shown in
上記処理装置には、チャンバ内に複数の上記支持ローラと上記駆動ローラが上記基板の搬送方向に対して所定間隔で配置される。それによって、上記基板は上記支持ローラによって背面が支持されながら、下端が上記駆動ローラによって駆動され、所定方向に搬送されることになる。
ところで、処理液の種類によってはその効果を高めるために、搬送される基板の前面に処理液をノズル体から、たとえば0.7MPa程度の高い圧力で噴射させるということが行なわれている。 By the way, in order to enhance the effect depending on the type of the processing liquid, the processing liquid is sprayed from the nozzle body to the front surface of the substrate to be transported at a high pressure of about 0.7 MPa, for example.
一方、チャンバ内には複数の基板が前後方向に所定の間隔を介して順次搬送される。つまり、チャンバ内を搬送される搬送方向下流側に位置する基板の後端と、上流側に位置する基板の前端との間に隙間があり、そのような搬送状態の下で上記処理液が上記ノズル体から連続的に噴射される。 On the other hand, a plurality of substrates are sequentially transferred into the chamber at a predetermined interval in the front-rear direction. That is, there is a gap between the rear end of the substrate that is transported in the chamber on the downstream side in the transport direction and the front end of the substrate that is positioned on the upstream side. Sprayed continuously from the nozzle body.
そのため、上記ノズル体から噴射された処理液は、基板の前面に噴射されるだけでなく、前後方向一対の基板の前端と後端との間の隙間を通ってチャンバの後壁の内面に衝突することになる。 Therefore, the processing liquid sprayed from the nozzle body not only sprays to the front surface of the substrate, but also collides with the inner surface of the rear wall of the chamber through the gap between the front and rear ends of the pair of substrates in the front-rear direction. Will do.
チャンバの後壁の内面に衝突した処理液は、その内面で反射して搬送される基板の背面に当たる。そのため、支持ローラに背面が支持されて搬送される基板は、その背面に当たる処理液の作用によって支持ローラから浮き上がる。 The treatment liquid that has collided with the inner surface of the rear wall of the chamber hits the back surface of the substrate that is reflected and conveyed by the inner surface. For this reason, the substrate transported with the back surface supported by the support roller is lifted from the support roller by the action of the processing liquid impinging on the back surface.
基板が支持ローラから浮き上がれば、基板の搬送状態が不安定になったり、浮き上がりが大きな場合にはチャンバの端部壁に形成された基板を通すためのスリットにぶつかり、基板を損傷させたり、搬送不能になる虞があった。 If the substrate rises from the support roller, the substrate transfer state becomes unstable, and if the lift is large, it hits the slit for passing the substrate formed on the end wall of the chamber, damages the substrate, There was a possibility that it could not be transported.
処理液によって処理された基板はリンス液によって洗浄し、ついで液切りナイフから気体を噴射して基板の板面に付着した処理液を除去するということが行なわれる。液切り処理の際にも、液切りナイフから噴射された気体はチャンバの後壁の内面に衝突し、その内面で反射して搬送される基板の背面に当たる。そのため、支持ローラに背面が支持されて搬送される基板は液切り用の気体の作用によっても支持ローラから浮き上がるということがある。 The substrate treated with the treatment liquid is washed with a rinsing liquid, and then gas is ejected from a liquid cutting knife to remove the treatment liquid adhering to the plate surface of the substrate. Also during the liquid draining process, the gas jetted from the liquid draining knife collides with the inner surface of the rear wall of the chamber and is reflected by the inner surface and hits the back surface of the substrate to be transported. For this reason, the substrate transported with the back surface supported by the support roller may be lifted from the support roller even by the action of the gas for draining.
この発明は基板に向けて噴射された処理液や気体などの流体がチャンバの後壁内面に衝突して反射しても、その流体が搬送される基板の背面に当たり難いようにした基板の処理装置を提供することにある。 The present invention is directed to a substrate processing apparatus in which a fluid such as a processing liquid or a gas sprayed toward a substrate collides with an inner surface of a rear wall of a chamber and is reflected so that the fluid does not easily hit the back surface of the substrate being transported. Is to provide.
この発明は、基板を所定の角度で傾斜させて搬送しながら流体によって処理する基板の処理装置であって、
チャンバと、
このチャンバ内に設けられ上記基板の傾斜方向下側の背面を支持する支持ローラと、
背面が上記支持ローラによって支持された上記基板の下端を外周面によって支持し回転駆動されて上記基板を所定方向に搬送する駆動ローラと、
上記基板の傾斜方向上側の前面に上記流体を噴射する流体供給手段と、
搬送される上記基板の背面に対向する上記チャンバの後壁内面に設けられ上記流体供給手段から噴射されて上記チャンバの上記後壁内面に衝突して反射した流体が上記基板の背面に当たるのを防止する流体戻り防止部材と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
The present invention is a substrate processing apparatus for processing with a fluid while transporting the substrate inclined at a predetermined angle,
A chamber;
A support roller that is provided in the chamber and supports a back surface on the lower side in the tilt direction of the substrate;
A driving roller that supports the lower end of the substrate supported by the supporting roller on the back surface by the outer peripheral surface and is driven to rotate to convey the substrate in a predetermined direction;
Fluid supply means for ejecting the fluid to the front surface on the upper side in the tilt direction of the substrate;
A fluid which is provided on the inner surface of the rear wall of the chamber facing the back surface of the substrate to be transported and is ejected from the fluid supply means and collides with the inner surface of the rear wall of the chamber to prevent the reflected fluid from hitting the back surface of the substrate. The substrate processing apparatus is provided with a fluid return preventing member.
上記流体戻り防止部材は、上記チャンバの後壁内面に先端が上記基板の背面方向に向かって設けられた垂直壁部と、この垂直壁部の先端に所定の角度で傾斜して設けられた傾斜壁部と、この傾斜壁部の先端に上記後壁内面に向かって屈曲して設けられこの後壁内面で反射した流体が上記基板の背面に向かって飛散するのを阻止する戻り防止壁部とによって構成されていることが好ましい。 The fluid return prevention member includes a vertical wall portion whose tip is provided on the inner surface of the rear wall of the chamber toward the back surface of the substrate, and a slope provided at a predetermined angle on the tip of the vertical wall portion. A wall portion and a return prevention wall portion that is provided at the tip of the inclined wall portion so as to bend toward the inner surface of the rear wall and prevents the fluid reflected by the inner surface of the rear wall from scattering toward the back surface of the substrate. It is preferable that it is comprised.
上記流体戻り防止部材は長さ寸法が上記チャンバの上下方向の寸法よりも短く設定されていて、上記流体戻り防止部材の上下端部のうちの少なくとも下端部には、上記チャンバの上記後壁内面に衝突して反射した流体が上記流体戻り防止部材の下端を通って上記基板の背面に当たるのを防止する通過阻止部材が設けられていることが好ましい。 The fluid return preventing member is set to have a length shorter than the vertical dimension of the chamber, and at least the lower end of the fluid return preventing member is disposed on the inner surface of the rear wall of the chamber. It is preferable to provide a passage blocking member that prevents the fluid that has collided with and reflected from passing through the lower end of the fluid return preventing member and hits the back surface of the substrate.
上記通過阻止部材は、上記基板の搬送方向に沿う上記チャンバの端部に設けられていることが好ましい。 The passage blocking member is preferably provided at an end of the chamber along the transport direction of the substrate.
上記流体供給手段は、上記基板の搬送方向に沿って所定の間隔で配置され上記流体が供給される複数の供給管及び各供給管に設けられた複数のノズル体によって構成されていて、
上記流体戻り防止部材は、上記基板の搬送方向上流側の端部と下流側の端部に位置するそれぞれの供給管に対応する位置に配置されていることが好ましい。
The fluid supply means includes a plurality of supply pipes that are arranged at predetermined intervals along the transport direction of the substrate and that are supplied with the fluid, and a plurality of nozzle bodies that are provided in the supply pipes.
It is preferable that the fluid return preventing member is disposed at a position corresponding to each supply pipe located at an upstream end and a downstream end of the substrate in the transport direction.
上記流体供給手段は、上記流体が供給される供給管及びこの供給管に設けられた複数のノズル体によって構成されていて、
上記流体戻り防止部材は、上記基板の搬送方向に沿う上記供給管の両側に対応する位置に配置されていることが好ましい。
The fluid supply means includes a supply pipe to which the fluid is supplied and a plurality of nozzle bodies provided in the supply pipe.
It is preferable that the fluid return preventing member is disposed at a position corresponding to both sides of the supply pipe along the transport direction of the substrate.
この発明によれば、ノズル体から噴射されてチャンバの後壁内面に衝突した流体は流体戻り防止部材によって基板の背面に当るのが阻止されるため、チャンバ内を搬送される基板が支持ローラから浮き上がるのを防止することができる。 According to the present invention, the fluid that has been ejected from the nozzle body and collided with the inner surface of the rear wall of the chamber is prevented from hitting the back surface of the substrate by the fluid return preventing member. It can be prevented from floating.
以下、この発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図1乃至図4はこの発明の第1の実施の形態を示す。図1はこの発明の処理装置の概略的構成を示す斜視図であって、この処理装置は装置本体1を有する。この装置本体1は分割された複数の処理ユニット、この実施の形態では第1乃至第5の処理ユニット1A〜1Eを分解可能に一列に連結してなる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
1 to 4 show a first embodiment of the present invention. FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a processing apparatus according to the present invention. The apparatus
各処理ユニット1A〜1Eは架台2を有する。この架台2の前面には箱型状のチャンバ3が所定の角度で傾斜して保持されている。上記架台2とチャンバ3の上面には上部搬送部4が設けられている。上記架台2の下端の幅方向両端には板状の一対の脚体5(一方のみ図示)が分解可能に設けられる。この脚体5によって上記架台2の下面側に空間部6が形成される。
Each
上記空間部6には、上記チャンバ3で後述するように行なわれる基板Wの処理に用いられる薬液やリンス液などの処理液を供給するタンクやポンプ或いは処理液の供給を制御するための制御装置などの機器7をフレーム8に載置した機器部9が収納されるようになっている。つまり、各処理ユニット1A〜1Eは架台2を脚体5で支持してチャンバ3の下方に空間部6を形成することで、上下方向に位置するチャンバ3、上部搬送部4及び機器部9の3つの部分に分割されている。
In the
上記チャンバ3は上記架台2に所定の角度である、たとえば垂直な状態から15度傾斜させた、水平面に対して75度の角度で傾斜して保持されていて、幅方向の両側面には75度の角度で傾斜して搬送される基板Wが通過するスリット13(図1に一箇所だけ図示)が形成されている。
The
上記チャンバ3の内部には、図2と図3に示すように傾斜搬送手段を構成する複数の搬送軸15がチャンバ3の幅方向に所定間隔で設けられている。この搬送軸15には複数の支持ローラ14が軸方向に所定間隔で回転可能に設けられている。上記搬送軸15は、軸線が上記スリット13と同じ角度で傾斜するよう、上端及び下端がそれぞれブラケット15aによって支持されている。
Inside the
上記チャンバ3内には、上記スリット13から基板Wが図1に鎖線で示す第1の姿勢変換部16によって水平状態から75度の角度に変換されて搬入される。すなわち、未処理の基板Wは上記上部搬送部4によって第5の処理ユニット1E側から第1の処理ユニット1A側に搬送されて上記第1の姿勢変換部16で水平状態から75度の角度に傾斜されて上記第1の処理ユニット1Aに搬入される。
A substrate W is transferred from the
第1の処理ユニット1Aのチャンバ3内に搬入された基板Wは上記搬送軸15に設けられた支持ローラ14によって非デバイス面である背面が支持される。この基板Wの下端は駆動ローラ17(図2に示す)の外周面によって支持される。
The back surface, which is a non-device surface, is supported on the substrate W carried into the
上記駆動ローラ17は駆動ユニット18の回転軸19に設けられている。そして、この回転軸19が回転駆動さることで、駆動ローラ17に下端が支持され背面が上記支持ローラ14に支持された上記基板Wが上記駆動ローラ17の回転方向に搬送されるようになっている。
The
基板Wは搬送方向上流側の第1乃至第3の処理ユニット1A〜1Cで処理液としての剥離液でレジストの除去が行なわれた後、第4の処理ユニット1Dで処理液としての洗浄液で洗浄処理が行なわれる。そして、第5の処理ユニット1Eで熱風などの流体による乾燥処理が行なわれる。
The substrate W is cleaned with the removing liquid as the processing liquid in the first to
各処理ユニット1A〜1Eを順次通過して処理された基板Wは75度の角度で傾斜した状態で上記第5の処理ユニット1Eから搬出される。第5の処理ユニット1Eから搬出された基板Wは、図1に鎖線で示す第2の姿勢変換部23で傾斜状態から水平状態に姿勢が変換されて次工程に受け渡される。
The substrate W processed by sequentially passing through each of the
図2に示すように、上記駆動ユニット18はチャンバ3の幅方向(基板Wの搬送方向)に沿って長い板状の下部ベース部材24を有する。この下部ベース部材24の上面には下部ベース部材24と同じ長さのチャンネル状の上部ベース部材25が両側下端を固着して設けられている。
As shown in FIG. 2, the
上記上部ベース部材25には、上記下部ベース部材24とほぼ同じ大きさの平板状の取付け部材26の幅方向の一端部と他端部とが上部ベース部材25に対して傾きの調整可能に連結して設けられている。つまり、上記取り付け部材26はチャンバ3の前後方向に傾き角度の調整ができるようになっている。
One end and the other end in the width direction of a flat mounting member 26 having substantially the same size as the
上記取付け部材26の幅方向の一端と他端とには、それぞれ複数のブラケット31が上記取付け部材26の長手方向に対して所定間隔で、しかも幅方向に対応する位置に設けられている。幅方向において対応する一対のブラケット31には図示しない軸受を介して上記回転軸19の軸方向の中途部が回転可能に支持されている。この回転軸19の先端には上記駆動ローラ17が取り付けられ、後端には第1の歯車33が嵌着される。
A plurality of brackets 31 are provided at one end and the other end in the width direction of the mounting member 26 at predetermined intervals with respect to the longitudinal direction of the mounting member 26 and at positions corresponding to the width direction. A pair of brackets 31 corresponding to each other in the width direction are rotatably supported in the axial direction of the rotary shaft 19 via a bearing (not shown). The driving
そして、上記架台2にチャンバ3を設置したならば、この架台2に設けられた支持部41の上面にロッド状の4本の基準部材35の下端面がねじ42によって取付け固定される。上記駆動ユニット18は、下部ベース部材24の四隅部下面が上記基準部材35の上端面にねじ42によって取付け固定される。4本の基準部材35の上端面は同一平面に位置している。そのため、駆動ユニット18はその下部ベース部材24の幅方向及び長手方向に歪が生じることなく取付け固定される。
When the
上記駆動ユニット18を基準部材35の上端面を基準にしてチャンバ3内に組み込む際、駆動ユニット18に支持された複数の回転軸19の後端部はチャンバ3の前壁12bに開口された導出孔44から駆動室45に突出する。そして、駆動ユニット18をチャンバ3内に組み込んだ後で、上記回転軸19の後端に上記第1の歯車33が嵌着される。
When the
上記駆動室45には駆動源51が設けられている。この駆動源51の出力軸には駆動プーリ53が嵌着されている。この駆動プーリ53と従動プーリ54とにはベルト55が張設されている。上記従動プーリ54は図示しない第2の歯車が同軸に設けられている。この第2の歯車は上記第1の歯車33に噛合している。それによって、駆動源51が作動すれば、上記回転軸19が回転駆動されることになるから、この回転軸19の先端に設けられた上記駆動ローラ17も回転駆動される。
A
駆動ローラ17が回転駆動されれば、これらの駆動ローラ17によって下端が支持された基板Wは上記駆動ローラ17の回転方向に搬送されることになる。
If the driving
上記基板Wの前面に剥離液を噴射してレジストの除去を行なう第1乃至第3の処理ユニット1A〜1Cには、傾斜して搬送される基板Wの傾斜方向の上側の面、つまり回路パターンが形成された前面と平行に離間対向する供給管としての複数の給液管61が基板Wの搬送方向に対して所定間隔で配設されている。
In the first to
各給液管61には基板Wの搬送方向と交差する軸線方向に対して所定間隔で複数のノズル体62が設けられている。上記給液管61とノズル体62はこの発明の処理液供給手段を形成している。
Each
上記給液管61には剥離液が0.7MPa程度の高い圧力で供給される。それによって、給液管61に設けられたノズル体62から上記基板Wの前面に上記処理液が高圧で噴射されるようになっている。
The stripping liquid is supplied to the
基板Wは上記各処理ユニット1A〜1Cのチャンバ3内を所定間隔で搬送される。つまり、搬送方向下流側に位置する基板Wの後端と上流側に位置する基板Wの前端との間には図3に示す隙間Gがある。そのため、上記ノズル体62から基板Wの前面に向けて噴射された処理液の一部は上記隙間Gを通ってチャンバ3の後壁12cの内面に衝突して反射する。
The substrate W is transported at predetermined intervals in the
チャンバ3の後壁12cの内面で反射した処理液は液戻り防止部材65によってチャンバ3内を搬送される基板Wの背面に当たるのが防止される。上記液戻り防止部材65は上記チャンバ3の後壁12cの内面の、上記基板Wの搬送方向における上流側と下流側の端部に位置するそれぞれの給液管61に対向する位置、つまり一方の液戻り防止部材65は最も上流側に位置する給液管61よりもわずかに上流側であって、他方の液戻り防止部材65は最も下流側に位置する給液管61よりもわずかに下流側に設けられている。
The processing liquid reflected from the inner surface of the
上記液戻り防止部材65は、図2に示すように基板Wの高さ寸法とほぼ同じ長さ寸法を有し、断面形状は図3に示すように上記後壁12cに対して基端を固着してほぼ垂直に設けられた垂直壁部65aと、この垂直壁部65aの先端に所定の傾斜角度、たとえば45度の角度で傾斜して設けられた傾斜壁部65bと、この傾斜壁部65bの先端に上記後壁12cの内面に向かって上記垂直壁部65aと平行に設けられた戻り防止壁部65cとによって鉤型状に形成されている。
The liquid
そして、一対の液戻り防止部材65は互いの戻り防止壁部65cを対向させて上記チャンバ3内の上記基板Wの搬送方向に沿う両端部、つまり図3に示すようにチャンバ3の幅方向両端の端壁12aの近くに配置されている。
The pair of liquid
上記チャンバ3の上部と下部の支持ローラ14が設けられた搬送軸15よりも後壁12c側の上下端部には図示しない配管や駆動系の部品などが設けられる。したがって、上記液戻り防止部材65は配管や駆動系の部品などと干渉するのを防止するため、図2に示すように長さ寸法がチャンバ3の高さ寸法よりも短く設定されている。
On the upper and lower ends of the
それによって、液戻り防止部材65の上端とチャンバ3の天井壁内面との間及び下端と底壁内面との間にはそれぞれ上部空間部66と下部空間部67が形成される。
Thus, an
上記チャンバ3の幅方向両端部に位置する上記液戻り防止部材65の上端部と下端部にはそれぞれ通過阻止部材68が設けられている。図2は液戻り防止部材65の下端側の下部空間部67に設けられた通過阻止部材68を示し、この通過阻止部材68は断面形状がほぼL字状であって、その基端68aが上記チャンバ3の端壁12aの内面に固着され、中途部68bが上記チャンバ3の後壁12cと平行となっていて、上記液戻り防止部材65の下端面に係合している。さらに、先端部68cは、上記液戻り防止部材65の戻り防止壁部65c側に突出し、上記後壁12c側に向かってほぼ直角に屈曲されている。
上記液戻り防止部材65の上端側の上部空間部66にも下部空間部67と同様に通過阻止部材68が設けられる。
液戻り防止部材65の上端側に設けられる通過阻止部材68と、下端側に設けられる通過阻止部材68は、それぞれ上記上部空間部66と上記下部空間部67の高さ方向全長にわたって設けられている。つまり、各空間部66,67の高さ方向に隙間なく設けられている。
Similarly to the
The
それによって、所定間隔で搬送される基板Wの前後端間の上記隙間Gを通過した処理液の一部がチャンバ3の後壁12cの内面に衝突して反射した後、上記液戻り防止部材65の上下端に形成された上部空間部66と下部空間部67を通過しても、各空間部66,67を通過した処理液は上下一対の通過阻止部材68の内面に衝突するため、基板Wの背面に向かって飛散するのが阻止されるようになっている。
Accordingly, after a part of the processing liquid that has passed through the gap G between the front and rear ends of the substrate W transported at a predetermined interval collides with the inner surface of the
このように構成された処理装置においては、第1乃至第3の処理ユニット1A〜1Cのチャンバ3内に複数の基板Wが所定の間隔で順次搬入されてくる。チャンバ3内に搬入された基板Wの前面には給液管61に設けられたノズル体62から処理液が噴射される。それによって、基板Wの前面は処理液によって処理されることになる。
In the processing apparatus configured as described above, a plurality of substrates W are sequentially carried into the
上記ノズル体62から噴射された処理液の一部は、所定間隔で搬送される基板Wの前端と後端との隙間G(図3に示す)を通過してチャンバ3の後壁12cの内面に衝突し、その内面で反射してチャンバ3内を搬送される基板Wの背面に当たる虞がある。その場合、基板Wは背面が支持ローラ14から浮き上がり、搬送状態が不安定になったり、チャンバ3の幅方向の両側壁に形成されたスリット13を通過できなくなるなどのことがある。
Part of the processing liquid sprayed from the
しかしながら、チャンバ3の後壁12cの内面には液戻り防止部材65が設けられている。液戻り防止部材65は垂直壁部65a、傾斜壁部65b及び戻り防止壁部65cによって鉤型状に形成されている。
However, a liquid
そのため、ノズル体62から噴射されてチャンバ3の後壁12c内面に衝突し、この内面で反射した処理液の一部は、図3に矢印AやBで示すように上記垂直壁部65a、傾斜壁部65b及び戻り防止壁部65cがなす鉤型部分の内面に沿って巻き込まれるように流れ、チャンバ3内を搬送される基板Wの背面に衝突することがないから、基板Wの搬送状態が不安定になることがない。
Therefore, a part of the processing liquid that is sprayed from the
一対の液戻り防止部材65によって捕捉して基板Wの背面に戻るのが阻止される処理液は、チャンバ3の後壁12cの内面で反射した処理液の一部であって、残りの処理液は基板Wの背面に衝突する可能性がある。
The processing liquid that is captured by the pair of liquid
しかしながら、一対の液戻り防止部材65によって捕捉される処理液が一部であっても、チャンバ3の後壁12c内面で反射して基板Wに作用する処理液の力が弱められることになるから、それによって基板Wの円滑な搬送状態が損なわれるのを防止することできる。
However, even if a part of the processing liquid is captured by the pair of liquid
上記液戻り防止部材65は所定の角度で傾斜した傾斜壁部65bを有する鉤型状である。そのため、ノズル体62から噴射されて搬送される基板Wの前後端間の隙間Gを通過した処理液が上記傾斜壁部65bの外面に衝突しても、図3に矢印Cで示すようにその傾斜角度に応じた方向に反射する。そのため、上記傾斜壁部65bの外面で反射した処理液が基板Wの内面に戻ることがほとんどないから、そのことによっても基板Wの搬送状態が損なわれ難くなる。
The liquid
上記液戻り防止部材65の上下端と、チャンバ3の天井壁内面及び底壁内面の間にはそれぞれ上部空間部66と下部空間部67が形成されている。そのため、所定間隔で搬送される基板Wの前後端間の隙間Gを通過してチャンバ3の後壁12cの内面で反射した処理液の一部は、上記上部空間部66と下部空間部67を通ってチャンバ3の端壁12aの内面で反射して基板Wの背面に衝突する虞がある。
An
しかしながら、上記液戻り防止部材65の上下端にはチャンバ3の後壁12cで反射した処理液が上部空間部66と下部空間部67を通過するのを阻止する通過阻止部材68が設けられている。
However, the upper and lower ends of the liquid
そのため、図3に矢印Fで示すように上記隙間Gを通過してチャンバ3の後壁12cで反射した処理液が上記液戻り防止部材65の上下端に形成された上部空間部66と下部空間部6を通過しても、各空間部66,67に設けられた通過阻止部材68の中間部68bの内面に衝突し、チャンバ3の後壁12c側に向かって反射する。
Therefore, as shown by an arrow F in FIG. 3, the
チャンバ3の後壁12c側に向かって反射した処理液はチャンバ3の端壁12aの内面で後壁12c側に向かって反射した後、後壁12cに衝突して減衰する。
The treatment liquid reflected toward the
それによって、処理液が液戻り防止部材65の上下端に形成された上部空間部66と下部空間部6を通過しても、通過阻止部材68によって基板Wの背面に向かって反射するのが阻止されるため、各空間部66,67を通過した処理液が基板Wの背面に衝突するのを確実に防止することができる。
Thereby, even if the processing liquid passes through the
図4はこの発明の第2の実施の形態を示す。この実施の形態は1つの給液管61に対して2つの液戻り防止部材65を、上記給液管61の両側に対応する位置、つまり給液管61よりもわずかに上流側と下流側の位置に配置する。
FIG. 4 shows a second embodiment of the present invention. In this embodiment, two liquid
このようにして液戻り防止部材65を配置すれば、1つの給液管61のノズル体62から噴射されてチャンバ3の後壁12cの内面で反射した処理液の大部分は、矢印Dで示しように一対の液戻り防止部材65によって捕捉され、チャンバ3の後壁12c内面で反射して基板Wの背面に戻るのが阻止されるから、基板Wの搬送状態をさらに安定化することが可能となる。
なお、図示しないが図4に示された液戻り防止部材65の上下端に、第1の実施の形態に示した通過防止部材68を設けるようにしてもよい。
If the liquid
Although not shown, the
この発明は基板を剥離液によって処理する場合だけでなく、純水などの他の処理液によって処理する場合であっても適用することが可能であり、またノズル体から気体と液体が混合された混合流体を噴射する場合であっても適用可能である。さらに、液体に代わり基板に付着した液体を除去するために、液切り用の気体をたとえばエアーナイフなどによって噴射する場合であっても、この発明を適用することができる。要は液体や気体などの流体が高圧で基板に噴射される場合であれば適用可能である。 The present invention can be applied not only when a substrate is treated with a stripping solution, but also when treated with another treatment solution such as pure water, and gas and liquid are mixed from a nozzle body. The present invention is applicable even when a mixed fluid is ejected. Furthermore, the present invention can be applied even when a liquid cutting gas is ejected by, for example, an air knife in order to remove the liquid adhering to the substrate instead of the liquid. In short, the present invention can be applied to the case where a fluid such as liquid or gas is jetted onto the substrate at a high pressure.
液戻り防止部材の上端とチャンバの天井壁の内面との間には配管などを設けずにすむことがある。そのような場合には、液戻り防止部材の上端をチャンバの天井壁の内面に接触させることができるから、液戻り防止部材の下端側だけに通過阻止部材を設けるようにすればよい。 There may be no need to provide piping between the upper end of the liquid return preventing member and the inner surface of the ceiling wall of the chamber. In such a case, since the upper end of the liquid return preventing member can be brought into contact with the inner surface of the ceiling wall of the chamber, the passage blocking member may be provided only on the lower end side of the liquid return preventing member.
また、チャンバの幅方向両端の端壁の近くに位置する液戻り防止部材の上下端に通過阻止部材を設けるようにしたが、チャンバの端壁の近く以外の箇所に液戻り防止部材が設けられる場合には、その液戻り防止部材の上下端或いは少なくとも下端に通過阻止部材を設けるようにしてもよい。 Further, although the passage preventing members are provided at the upper and lower ends of the liquid return preventing member located near the end walls at both ends in the width direction of the chamber, the liquid returning preventing member is provided at a place other than near the end wall of the chamber. In that case, a passage preventing member may be provided at the upper or lower end or at least the lower end of the liquid return preventing member.
3…チャンバ、14…支持ローラ、17…駆動ローラ、19…回転軸、62…ノズル体、65…液戻り防止部材、65a…垂直壁部、65b…傾斜壁部、65c…戻り防止壁部、68…通過阻止部材。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
チャンバと、
このチャンバ内に設けられ上記基板の傾斜方向下側の背面を支持する支持ローラと、
背面が上記支持ローラによって支持された上記基板の下端を外周面によって支持し回転駆動されて上記基板を所定方向に搬送する駆動ローラと、
上記基板の傾斜方向上側の前面に上記流体を噴射する流体供給手段と、
搬送される上記基板の背面に対向する上記チャンバの後壁内面に設けられ上記流体供給手段から噴射されて上記チャンバの上記後壁内面に衝突して反射した流体が上記基板の背面に当たるのを防止する流体戻り防止部材と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。 A substrate processing apparatus for processing with a fluid while transporting the substrate inclined at a predetermined angle,
A chamber;
A support roller that is provided in the chamber and supports a back surface on the lower side in the tilt direction of the substrate;
A driving roller that supports the lower end of the substrate supported by the supporting roller on the back surface by the outer peripheral surface and is driven to rotate to convey the substrate in a predetermined direction;
Fluid supply means for ejecting the fluid to the front surface on the upper side in the tilt direction of the substrate;
A fluid which is provided on the inner surface of the rear wall of the chamber facing the back surface of the substrate to be transported and is ejected from the fluid supply means and collides with the inner surface of the rear wall of the chamber to prevent the reflected fluid from hitting the back surface of the substrate. A substrate processing apparatus comprising: a fluid return preventing member.
上記流体戻り防止部材は、上記基板の搬送方向上流側の端部と下流側の端部に位置するそれぞれの供給管に対応する位置に配置されていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の基板の処理装置。 The fluid supply means includes a plurality of supply pipes that are arranged at predetermined intervals along the transport direction of the substrate and that are supplied with the fluid, and a plurality of nozzle bodies that are provided in the supply pipes.
The fluid return prevention member is disposed at a position corresponding to each supply pipe located at an upstream end and a downstream end of the substrate in the transport direction. 3. The substrate processing apparatus according to 2.
上記流体戻り防止部材は、上記基板の搬送方向に沿う上記供給管の両側に対応する位置に配置されていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の基板の処理装置。 The fluid supply means includes a supply pipe to which the fluid is supplied and a plurality of nozzle bodies provided in the supply pipe.
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the fluid return prevention member is disposed at a position corresponding to both sides of the supply pipe along the transport direction of the substrate.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007177708A JP4859242B2 (en) | 2006-07-27 | 2007-07-05 | Substrate processing equipment |
KR1020070074069A KR101282080B1 (en) | 2006-07-27 | 2007-07-24 | Apparatus for treating substrates |
TW096127087A TWI421966B (en) | 2006-07-27 | 2007-07-25 | Substrate processing device |
CN2007101367554A CN101114573B (en) | 2006-07-27 | 2007-07-27 | Apparatus for treating substrates |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006205179 | 2006-07-27 | ||
JP2006205179 | 2006-07-27 | ||
JP2007177708A JP4859242B2 (en) | 2006-07-27 | 2007-07-05 | Substrate processing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008053694A true JP2008053694A (en) | 2008-03-06 |
JP4859242B2 JP4859242B2 (en) | 2012-01-25 |
Family
ID=39222925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007177708A Active JP4859242B2 (en) | 2006-07-27 | 2007-07-05 | Substrate processing equipment |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4859242B2 (en) |
KR (1) | KR101282080B1 (en) |
CN (1) | CN101114573B (en) |
TW (1) | TWI421966B (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022104543A (en) * | 2020-12-28 | 2022-07-08 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing device |
JP7565405B2 (en) | 2020-12-28 | 2024-10-10 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate Processing Equipment |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010240550A (en) * | 2009-04-03 | 2010-10-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Apparatus for treating substrate |
JP5352388B2 (en) * | 2009-09-02 | 2013-11-27 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing apparatus and processing method |
JP5664986B2 (en) * | 2010-07-14 | 2015-02-04 | エルジー・ケム・リミテッド | Air knife chamber with blocking member |
KR101234593B1 (en) * | 2011-11-15 | 2013-02-19 | 김영환 | Transfer unit using roller type wire connecting |
JP6070697B2 (en) * | 2012-04-19 | 2017-02-01 | 株式会社ニコン | Mask unit and substrate processing apparatus |
TWI575641B (en) * | 2016-06-02 | 2017-03-21 | 盟立自動化股份有限公司 | Wet chemistry process apparatus |
JP7089902B2 (en) * | 2018-02-28 | 2022-06-23 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing equipment, processing liquid discharge method in the substrate processing equipment, processing liquid exchange method in the substrate processing equipment, substrate processing method in the substrate processing equipment |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10158866A (en) * | 1996-12-03 | 1998-06-16 | Tokyo Kakoki Kk | Transportation device |
JP2003017463A (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Shibaura Mechatronics Corp | Substrate dryer |
JP2003192127A (en) * | 2002-12-03 | 2003-07-09 | Takehide Hayashi | Flat panel sheet conveying system |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3518948B2 (en) * | 1995-08-24 | 2004-04-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate rotation processing equipment |
JP2004153033A (en) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
JP2004175525A (en) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Showa Mfg Co Ltd | Stand device of thin panel |
JP2006122784A (en) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Sharp Corp | Substrate washing method and substrate washing apparatus |
-
2007
- 2007-07-05 JP JP2007177708A patent/JP4859242B2/en active Active
- 2007-07-24 KR KR1020070074069A patent/KR101282080B1/en not_active IP Right Cessation
- 2007-07-25 TW TW096127087A patent/TWI421966B/en not_active IP Right Cessation
- 2007-07-27 CN CN2007101367554A patent/CN101114573B/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10158866A (en) * | 1996-12-03 | 1998-06-16 | Tokyo Kakoki Kk | Transportation device |
JP2003017463A (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Shibaura Mechatronics Corp | Substrate dryer |
JP2003192127A (en) * | 2002-12-03 | 2003-07-09 | Takehide Hayashi | Flat panel sheet conveying system |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022104543A (en) * | 2020-12-28 | 2022-07-08 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing device |
JP7429216B2 (en) | 2020-12-28 | 2024-02-07 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate processing equipment |
JP7565405B2 (en) | 2020-12-28 | 2024-10-10 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate Processing Equipment |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101114573A (en) | 2008-01-30 |
TW200816354A (en) | 2008-04-01 |
TWI421966B (en) | 2014-01-01 |
JP4859242B2 (en) | 2012-01-25 |
KR101282080B1 (en) | 2013-07-04 |
KR20080011067A (en) | 2008-01-31 |
CN101114573B (en) | 2011-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4859242B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP4829710B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP5133428B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP4820705B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP4421956B2 (en) | Substrate processing apparatus and processing method | |
KR101204725B1 (en) | Apparatus for treating substrates | |
JP2006205086A (en) | Washing device of substrate | |
TWI278031B (en) | Apparatus for treating substrates | |
JP4251894B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP2008007227A (en) | Substrate processing device | |
JP5155778B2 (en) | Substrate processing apparatus and processing method | |
JP5058722B2 (en) | Substrate processing equipment | |
KR101149455B1 (en) | Substrate processing equipment, substrate carrying equipment and substrate processing method | |
JP2003229356A (en) | Substrate treatment device | |
TWI345260B (en) | Resist elimination device | |
JP2018073960A (en) | Etching apparatus | |
JP5352426B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP2006289240A (en) | Treatment apparatus and treatment method of substrate | |
JP2005028327A (en) | Cleaning device | |
JP2008132419A (en) | Cleaning apparatus | |
JP2006206274A (en) | Transport device for base board | |
JP2007165643A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2011067782A (en) | Apparatus for treating substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100609 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110519 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110524 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110718 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111004 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111031 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4859242 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141111 Year of fee payment: 3 |