JP2008051719A - 薄膜半導体の結晶性測定装置及びその方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体からなる薄膜試料6に対しマイクロ波を照射し、試料6のバンドキャップ以上のエネルギーの励起光を変調器14により所定周期で強度変調するとともにレンズ9で集光して試料6に照射し、励起光の照射により変化する試料6からの反射マイクロ波の強度をマイクロ波検出器10で検出し、その検出強度から励起光の強度変調に同期した周期成分をロックインアンプ15により抽出する。
【選択図】図1
Description
従来、液晶表示装置のガラスパネルに形成されるTFT素子は、主としてアモルファスシリコン(a−Si)薄膜で構成されている。しかしながら、昨今、液晶表示装置の表示映像の高精細化、高画質化、大画面化及び応答速度の向上に対応するため、液晶表示装置のガラスパネル(ガラス基板上)に、電界効果移動度の高いポリシリコン(p−Si)薄膜で構成されたTFT素子を形成させる技術が進展してきている。
ガラス基板上にp−Si薄膜を形成させる方法は、高温プロセス法と低温プロセス法とに大別される。
高温プロセス法は、約1000℃の高温処理工程を有するため、ガラス基板の材料として、耐熱性の高い石英ガラスなどを採用する必要がある。しかしながら、高耐熱性の石英ガラスなどは高価であり、コスト的に採用し難い。
一方、低温プロセス法は、a−Si部材にパルスレーザを照射するレーザアニールにより、そのa−Siを結晶化させてp−Si薄膜を生成する。このため、ガラス基板の材料として、比較的耐熱性の低い安価なガラスを採用できる。
しかしながら、レーザアニ−ルによる結晶化によって得られたp−Si薄膜は、レーザ光の強度や照射時間などの条件変動により、その結晶性がばらつきやすい。ここでいう結晶性とは、ダングリングボンドに起因する試料中の欠陥の量(欠陥の存在度合い)や結晶粒径のことである。この結晶性のばらつきは、ガラス基板上のTFT素子の性能に大きな悪影響を及ぼす。このため、p−Si薄膜の結晶性を評価することが重要となる。また、p−Si薄膜の結晶性評価を、p−Si薄膜(TFT素子)が形成されたガラスパネルの製品検査工程で行うためには、非接触及び非破壊で、かつ短時間で結晶性評価を行う必要がある。
さらに、近年、ガラス基板上の各TFT素子の結晶性のばらつきを抑えるため、TFT素子を形成させる領域だけを局所的に結晶化させる技術の開発が盛んである。このため、p−Si薄膜の結晶性評価では、局所的な(微小な)領域の結晶性を評価することが非常に重要である。
一方、従来の薄膜試料の結晶性の評価手法としては、ラマン分光による結晶性評価、X線回析法、ラザフォード後方散乱法、透過電子回析法及び走査式電子顕微鏡を用いた結晶性評価などが知られている。
例えば、特許文献1には、ラマン分光によりアモルファス結晶シリコンのラマンシフトを測定することにより、薄膜試料の結晶化の過程を評価する技術が示されている。
また、走査式電子顕微鏡を用いた結晶性評価も、これは本質的に破壊試験であり、さらに、測定時間も長時間を要することから、生産プロセスでの製品検査への適用には不向きであるという問題点があった。
従って、本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ポリシリコン等の半導体からなる薄膜試料のごく微小領域の結晶性を評価するための指標値を、非破壊及び非接触で、かつ短時間及び高精度で測定できる薄膜半導体の結晶性測定装置及びその方法を提供することにある。
(1)前記薄膜試料に対し電磁波を照射する電磁波照射手段。
(2)前記薄膜試料のバンドキャップ以上のエネルギーの励起光を所定周期で強度変調する励起光強度変調手段。
(3)前記励起光強度変調手段により強度変調された励起光を集光して前記薄膜試料に照射する励起光照射手段。
(4)前記励起光の照射により変化する、前記薄膜試料からの前記電磁波の反射波の強度を検出する電磁波強度検出手段。
(5)前記電磁波強度検出手段による検出強度から前記励起光の強度変調に同期した周期成分(励起光の強度変調周波数と同じ周波数成分といってもよい)を抽出する変調周期成分抽出手段。
ここで、前記電磁波照射手段が、導波管アンテナを備えていることが考えられる。この場合、その導波管アンテナの前記薄膜試料に近接する端部において、前記電磁波を前記薄膜試料に放射するとともにその電磁波の反射波を捕捉する。
また、前記励起光照射手段が、前記導波管アンテナの前記薄膜試料に近接する端部を通じて前記励起光を前記薄膜試料に照射するものであることが考えられる。
しかしながら、電磁波(マイクロ波)の波長は数ミリ以上と長いため、薄膜試料における微小領域の結晶性を評価できない。さらに、前記半導体試料が、数nm〜数十nm程度のポリシリコンや、数μm以下の単結晶シリコン等である場合のように、前記半導体試料の厚みが薄い(薄膜試料である)場合、電磁波の照射波に対する反射波の強度の変化(半導体試料の結晶性に起因する反射波の強度変化)はごく微小となり、十分な測定感度が得られない結果、十分な測定精度が確保されない。また、測定感度を高めるために励起光の強度を強くし過ぎると、試料の損傷の原因となり、さらに、励起光の光源のコスト増にもつながる。
これに対し、本発明のように、前記薄膜試料にそのバンドキャップ以上のエネルギーの励起光を集光して微小領域に照射することにより、試料中の微小領域に光励起キャリアが発生し、その光励起キャリアが電磁波の電界によって運動する。従って、前記励起光の照射により変化する前記反射波の強度を検出すれば、その検出強度は、試料の微小領域(励起光照射領域)の結晶性を表す指標となる。
ここで、励起光の照射領域が微小領域であるため、前記反射波の強度変化は小さく、その測定はノイズの影響を受けやすい。
これに対し、本発明のように、所定周期で強度変調した励起光を試料に照射し、前記反射光の強度から励起高の強度変調に同期した成分を抽出することにより、測定値から不要な周波数成分(ノイズ)が除去される。
そこで、前記電磁波照射手段が備える前記導波管アンテナの前記薄膜試料に近接する端部に、電磁波を遮蔽する電磁波遮蔽部が形成され、その電磁波遮蔽部に、前記電磁波を前記薄膜試料に放射するとともにその電磁波の反射波を捕捉する微小開口が形成されたものが考えられる。
これにより、試料に対する電磁波の照射領域を比較的微小な領域に制限でき、試料における励起光照射領域の周辺の領域の状態が測定値(前記反射波の強度)に与える影響を極力小さくすることができる。
一方、前記電磁波照射手段が、内部で前記電磁波を共振させる空洞共振器を具備し、その空洞共振器の前記薄膜試料に近接する端部に形成された微小開口において、前記電磁波を前記薄膜試料に放射するとともにその電磁波の反射波を捕捉するものが考えられる。
このような構成によっても、試料における励起光照射領域の周辺の領域の状態が測定値(前記反射波の強度)に与える影響を極力小さくすることができる。さらに、前記空洞共振器に供給する電磁波のパワーが小さくても、パワーのロスを抑えて効率的に電磁波を試料に照射できる。
なお、本発明は、以上に示した薄膜半導体の結晶性測定装置を用いて、半導体からなる薄膜試料の結晶性評価のための測定を行う薄膜半導体の結晶性測定方法として捉えることもできる。
特に、試料に近接する位置において、導波管アンテナの端部に設けられた電磁波遮蔽部や、電磁波を内部で共振させる空洞共振器の端部から、微小開口を通じて電磁波を試料に放射する構成を備えることにより、試料における励起光照射領域の周辺の領域の状態が測定値(前記反射波の強度)に与える影響を極力小さくすることができる。その結果、さらに高い空間分解能で高精度の測定が可能となる。
ここに、図1は本発明の第1実施形態に係る薄膜半導体の結晶性測定装置X1の概略構成を表す図、図2は薄膜半導体の結晶性測定装置X1による測定手順を表すフローチャート、図3は薄膜半導体の結晶性測定装置X1における励起光及び反射マイクロ波の各強度の変化を表す図、図4は本発明の第2実施形態に係る薄膜半導体の結晶性測定装置X2の特徴部の概略構成を表す図、図5は本発明の第3実施形態に係る薄膜半導体の結晶性測定装置X3の特徴部の概略構成を表す図である。
まず、図1に示す概略構成図を参照しつつ、本発明の第1実施形態に係る薄膜半導体の結晶性測定装置X1(以下、結晶性測定装置X1と記載する)について説明する。
結晶性測定装置X1は、半導体からなる薄膜試料6(以下、試料6という)の結晶性評価に用いる測定値を取得するための装置である。ここで、前記試料6としては、ガラス等からなる基板上に形成された数nm〜数十nm程度の厚みのポリシリコン(p−Si)や、エピウェハやSOIウェハにおける表層シリコン層等が考えられる。
結晶性測定装置X1は、図1に示すように、マイクロ波発振器1、サーキュレータ2、導波管3、E−Hチューナ4、導波管アンテナ5、試料台7、ミラー8、レンズ9、マイクロ波検出器10、増幅器11、励起レーザ光源12、発振器13、変調器14、ロックインアンプ15及び計算機16を備えて構成されている。
励起レーザ光源12から出射された励起光は、音響光学変調器やチョッパにより構成される変調器14(励起光強度変調手段の一例)によって一定周期(一定の周波数)で強度変調される。この強度変調の周波数は、発振器13から出力される一定周期(一定周波数:例えば、1kHz〜数MHz程度)の同期信号により制御される。さらに、発振器13の同期信号(即ち、変調器14による強度変調に同期した信号)は、ロックインアンプ15にも伝送される。
また、前記変調器14によって強度変調が施された励起光は、ミラー8で反射されるとともに、レンズ9(集光手段)によって集光され、導波管3に設けられた微小開口3aを通過し、導波管アンテナ5の前記試料6に近接する端部(開口部)を通じて、試料台7に載置された前記試料6の表面の微小な測定部位(例えば、直径5〜10μm程度のスポット)に対して照射される。これにより、前記試料6における微小な励起光照射領域(測定部位)において、励起キャリアが発生する。
なお、励起レーザ光源12から出力された励起光を集光して前記試料6へ導く光学機器(ミラー8及びレンズ9)が、励起光照射手段の一例である。
導波管アンテナ5は、図1に示すように、その端部(開口部)が前記試料6に近接配置され、マイクロ波を伝送する。この導波管アンテナ5は、導波管3を経由してくるマイクロ波(電磁波)を前記試料6側へ導き、前記試料6に近接する端部(開口部)においてマイクロ波を前記試料6に放射するとともに、その試料6に反射したマイクロ波(以下、反射マイクロ波という)を捕捉して、再び導波管3に導く。
マイクロ波発振器1から出射されたマイクロ波は、サーキュレータ2により導波管3に伝送され、さらにその導波管3の途中に設けられたE−Hチューナ4を経由し、導波管3と連通する導波管アンテナ5を通じて、励起光により励起された前記試料6に照射される。
なお、マイクロ波発振器1、サーキュレータ2、導波管3及び導波管アンテナ5が、前記試料6にマイクロ波(電磁波)を照射する電磁波照射手段の一例である。
そして、導波管アンテナ5により捕捉された反射マイクロ波は、今度は導波管アンテナ5からE−Hチューナ4を経てサーキュレータ2に到達し、さらに、このサーキュレータ2によりマイクロ波検出器10に伝送される。
マイクロ波検出器10は、反射マイクロ波を入力し、その反射マイクロ波の強度に応じた電気信号(電流或いは電圧)を生成して出力する検波器である(マイクロ波強度検出手段の一例)。このマイクロ波検出器10により検出される反射マイクロ波の強度は、後述するように、前記試料6に対する励起光の照射により変化する。
図3は、当該結晶性測定装置X1における励起光及び反射マイクロ波の各強度の変化を模式的に表した図である。
図3に示すように、前記試料6に照射される励起光が、一定周期での強度変調が施されている場合、マイクロ波検出器10により検出される反射マイクロ波の強度も、励起光の強度変調に同期して(同じ周期で)変化する。
ここで、ロックオンアンプ15により、励起光の照射によって変化する反射マイクロ波の強度(マイクロ波検出器10の検出強度)から、励起光の強度変調に用いている周期信号(発振器13が出力する一定周期の信号)に基づいて、その信号に同期した周期成分(励起光の強度変調に同期した周期成分)を抽出すれば、励起光による反射マイクロ波の強度の変化成分が得られる。このロックインアンプ15により、例えば、励起光の強度変調周波数が1MHz程度である場合に、10Hz程度の測定周波数帯域(即ち、概ね1MHz±5Hzの帯域)で反射マイクロ波の強度(励起光の強度変調に同期した周期成分)を測定できる。これにより、例えば電源ノイズ(約50Hz或いは約60Hzのノイズ)等の不要なノイズ成分を除去して測定できる。
なお、図3には、正弦波状に強度変調を行った励起光の例を示しているが、方形波状(ON/OFF)に強度変調を行った励起光を前記試料6に照射することも考えられる。
しかしながら、パルス状の励起光(例えば、パルス幅10ns)を照射した場合、反射マイクロ波の強度変化の時定数は1μs以下となる場合がある。このため、そのような反射マイクロ波の強度のピーク値や減衰時間を検出するためには、マイクロ波検出器10及びその検出信号を取り込む機器は、10MHz以上の測定周波数帯域での測定が必要となる。
一方、結晶性測定装置X1では、前述したように、例えば10Hz程度の測定周波数帯域での測定が可能である。
一般に、ノイズは、測定周波数帯域の平方根に比例するので、結晶性測定装置X1によれば、パルス状の励起光を用いる場合に比べ、S/N比を1000倍以上((10×106/10)1/2以上)に高めることができる。その結果、レンズ9によって前記試料6に対する励起光の照射スポットをごく小さくしても、励起光の照射により変化する反射マイクロ波の強度を十分な感度で(低ノイズで)測定できる。
計算機16は、CPU、記憶部、入出力信号のインターフェース等を備え、CPUが所定のプログラムを実行することにより、ロックインアンプ15の出力信号(反射マイクロ波の強度の励起光変調周期成分の信号)の取り込み処理や、マイクロ波発振器1、励起レーザ光源12、発振器13、変調器14及び試料台7等の制御を行う。
ロックインアンプ15の出力信号は、計算機16に取り込まれ、計算機16が備える記憶部に記憶される。
試料台7は、例えばX−Yステージ等により構成され、前記試料6の二次元方向の位置決めを行うものである。この試料台7により、前記試料6における測定部位(励起光の照射位置)の位置決めがなされる。
まず、計算機16は、試料台7を制御することにより、前記試料6の測定位置(励起光の照射位置)を設定する(S1)。
次に、計算機16は、マイクロ波発振器1を動作させ、前記試料6にマイクロ波を照射させる(S2、電磁波照射手順の一例)。
次に、計算機16は、励起レーザ光源12、発振器13及び変調器14を動作させることにより、励起光を前記変調器14により所定周期で強度変調し、強度変調後の励起光を前記試料6に照射させるとともに、ロックインアンプ15の検出信号(マイクロ波検出器10で検出された反射マイクロ波の強度信号から、励起光強度変調に同期する成分を抽出した信号)を取り込み、その信号値を記憶部に記憶させる(S3、励起光強度変調手順、励起光照射手順、電磁波強度検出手順及び変調周期成分抽出手順の一例)。
次に、計算機16は、予め定められた測定位置全てについて、当該試料6の測定部位の測定が終了したか否かを判別する(S4)。
そして、計算機16は、全測定位置についての測定が終了したと判別した場合、ステップS3で得た反射マイクロ波の強度値(励起光強度変調に同期した周期成分)に基づいて、前記試料6の結晶性の評価指標値を算出し、その算出結果を計算機16の記憶部に記録するとともに、所定の外部装置(例えば、表示装置等)に出力し(S5)、測定処理を終了させる。
ここで、結晶性の評価指標値は、例えば、ステップS3で得た各測定位置における反射マイクロ波の強度値の最大値や平均値等が考えられる。
このように、結晶性測定装置X1によれば、半導体からなる前記試料6(例えば、膜厚50nm程度のポリシリコン等)について、結晶性評価の指標となる測定値(反射電磁波の強度)を、高い空間分解能で(ごく微小な領域を)、非破壊及び非接触で、かつ短時間及び高精度で測定できる。
次に、図4に示す概略構成図を参照しつつ、本発明の第2実施形態に係る薄膜半導体の結晶性測定装置X2(結晶性測定装置X2と記載する)について説明する。
図4は、結晶性測定装置X2の特徴部である導波管アンテナ5'の構成を表した図である。なお、結晶性測定装置X2は、前述した結晶性測定装置X1における導波管アンテナ5の部分を、図4に示す導波管アンテナ5'の部分に置き換えたものであり、その他の構成及び測定処理の内容は、前記結晶性測定装置X1と同じである。なお、図4に示す結晶性測定装置X2の構成要素のうち、前述の結晶性評価装置X1と同じものについては、図1と同じ符号を付している。
結晶性測定装置X2では、導波管3に連通する導波管アンテナ5'の前記試料6に近接する端部に、マイクロ波を遮蔽する導体からなる遮蔽部5'c(電磁波遮蔽部の一例)が形成され、その遮蔽部5'cには、マイクロ波を前記試料6に放射するとともに、そのマイクロ波の反射波(反射マイクロ波)を捕捉する微小開口5'bが形成されている。
さらに、励起光は、第1レンズ9aと第2レンズ9bとにより集光され、前記試料6の微小領域に照射される。第1レンズ9aは、励起光を導波管3に設けられた微小開口3aに通過させるために集光するレンズである。
また、第2レンズ9bは、導波管アンテナ5'内に設けられ、励起光を前記遮蔽部5'cに設けられた微小開口5'bに通過させるとともに、前記試料6の微小領域(測定部位)に照射させるために集光するレンズである。なお、第2レンズ9bは、その厚みが2〜3mm程度であり、マイクロ波の反射や吸収についてそれほど大きな影響を与えない。
これにより、前記試料6に対するマイクロ波の照射領域を比較的微小な領域に制限でき、前記試料6における励起光照射領域の周辺の領域の状態が測定値(反射マイクロ波の強度)に与える影響を極力小さくすることができる。その結果、さらに高い空間分解能で高精度の測定が可能となる。
ここで、微小開口5'bは、その大きさを、例えば、1mm(縦)×2mm(横)程度にする。
次に、図5に示す概略構成図を参照しつつ、本発明の第3実施形態に係る薄膜半導体の結晶性測定装置X3(以下、結晶性測定装置X3と記載する)について説明する。
図5は、結晶性測定装置X3の特徴部である空洞共振器50の構成を表した図である。なお、結晶性測定装置X3は、前述した結晶性測定装置X1における導波管アンテナ5の部分を、図5に示す空洞共振器50の部分に置き換えたものであり、その他の構成及び測定処理の内容は、前記結晶性測定装置X1と同じである。なお、図5に示す結晶性測定装置X3の構成要素のうち、前述の結晶性評価装置X1及びX2と同じものについては、図1及び図4と同じ符号を付している。
空洞共振器50は、その内部で所定の共振条件を満たす特定の周波数をもったマイクロ波のみを共振させる(存在させる)ものである。
結晶性測定装置X3では、マイクロ波は、サーキュレータ2(図1参照)から同軸ケーブル30を通じて空洞共振器50に伝送され、同軸ケーブル30と空洞共振器50とを結合する結合器60を通じて、空洞共振器50内に入射される。
空洞共振器50の両端(マイクロ波の入射側と前記試料6に近接する側)には、それぞれ微小開口51、52が設けられている。そして、空洞共振器50内のマイクロ波は、空洞共振器50の前記試料6に近接する端部に設けられた微小開口52を通じて前記試料6に放射される。また、その反射波(反射マイクロ波)は、同じ微小開口52で捕捉されて空洞共振器50内に入り、結合器60を通じて同軸ケーブル30に入り、サーキュレータ2(図1参照)へ伝送される。
一方、励起光は、結晶性測定装置X2(図4)と同様に、第1レンズ9aと第2レンズ9bとにより集光され、前記試料6の微小領域に照射される。第1レンズ9aは、励起光を空洞共振器50の一端に設けられた微小開口51に通過させるために集光するレンズである。
また、第2レンズ9bは、空洞共振器50内に設けられ、励起光を、前記試料6に近接する側の端部に設けられた微小開口52に通過させるとともに、前記試料6の微小領域(測定部位)に照射させるために集光するレンズである。
このような構成によっても、前記試料6に対するマイクロ波の照射領域を比較的微小な領域に制限でき、さらに高い空間分解能で高精度の測定が可能となる。
また、前記試料6に対するマイクロ波の照射手段として空洞共振器50を用いることにより、マイクロ波発振器1が出力するマイクロ波のパワーが小さくても、パワーのロスを抑えて効率的にマイクロ波を前記試料6に照射できる。
1…マイクロ波発振器
2…サーキュレータ
3…導波管
4…E−Hチューナ
5、5'…導波管アンテナ
5'c…遮蔽部
6…薄膜試料
7…試料台
8…ミラー
9、9a、9b…レンズ
10…マイクロ波検出器
11…増幅器
12…励起レーザ光源
13…発振器
14…変調器
15…ロックオンアンプ
16…計算機
30…同軸ケーブル
50…空洞共振器
60…結合器
S1、S2、・・…処理手順(ステップ)
Claims (6)
- 半導体からなる薄膜試料の結晶性評価のための測定を行う薄膜半導体の結晶性測定装置であって、
前記薄膜試料に対し電磁波を照射する電磁波照射手段と、
前記薄膜試料のバンドキャップ以上のエネルギーの励起光を所定周期で強度変調する励起光強度変調手段と、
前記励起光強度変調手段により強度変調された励起光を集光して前記薄膜試料に照射する励起光照射手段と、
前記励起光の照射により変化する、前記薄膜試料からの前記電磁波の反射波の強度を検出する電磁波強度検出手段と、
前記電磁波強度検出手段による検出強度から前記励起光の強度変調に同期した周期成分を抽出する変調周期成分抽出手段と、
を具備してなることを特徴とする薄膜半導体の結晶性測定装置。 - 前記電磁波照射手段が導波管アンテナを具備し、該導波管アンテナの前記薄膜試料に近接する端部において、前記電磁波を前記薄膜試料に放射するとともに該電磁波の反射波を捕捉してなる請求項1に記載の薄膜半導体の結晶性測定装置。
- 前記励起光照射手段が、前記導波管アンテナの前記薄膜試料に近接する端部を通じて前記励起光を前記薄膜試料に照射してなる請求項2に記載の薄膜半導体の結晶性測定装置。
- 前記導波管アンテナの前記薄膜試料に近接する端部に、電磁波を遮蔽する電磁波遮蔽部が形成され、該電磁波遮蔽部に前記電磁波を前記薄膜試料に放射するとともに該電磁波の反射波を捕捉する微小開口が形成されてなる請求項2又は3のいずれかに記載の薄膜半導体の結晶性測定装置。
- 前記電磁波照射手段が、内部で前記電磁波を共振させる空洞共振器を具備し、該空洞共振器の前記薄膜試料に近接する端部に形成された微小開口において、前記電磁波を前記薄膜試料に放射するとともに該電磁波の反射波を捕捉してなる請求項1に記載の薄膜半導体の結晶性測定装置。
- 半導体からなる薄膜試料の結晶性評価のための測定を行う薄膜半導体の結晶性測定方法であって、
前記薄膜試料に対し電磁波を照射する電磁波照射手順と、
前記薄膜試料のバンドキャップ以上のエネルギーの励起光を所定周期で強度変調する励起光強度変調手順と、
前記励起光強度変調手順により強度変調された励起光を集光して前記薄膜試料に照射する励起光照射手順と、
前記励起光の照射により変化する、前記薄膜試料からの前記電磁波の反射波の強度を検出する電磁波強度検出手順と、
前記電磁波強度検出手順による検出強度から前記励起光の強度変調に同期した周期成分を抽出する変調周期成分抽出手順と、
を有してなることを特徴とする薄膜半導体の結晶性測定方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011069662A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Kobe Steel Ltd | 半導体薄膜の結晶性評価方法及び結晶性評価装置 |
WO2012039099A1 (ja) * | 2010-09-22 | 2012-03-29 | 株式会社神戸製鋼所 | μ-PCD法を用いた薄膜半導体の結晶性評価装置 |
DE102013004504A1 (de) | 2012-03-16 | 2013-09-19 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Vorrichtung zur Bewertung der Kristallinität eines Halbleiters und Verfahren zur Bewertung der Kristallinität eines Halbleiters |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61114543A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Hitachi Ltd | 半導体評価装置 |
JPS61152033A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Hitachi Ltd | 半導体少数キヤリアライフタイム測定装置 |
JPS6258143A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-03-13 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー | 半導体材料の欠陥の光学的検出方法 |
JPS6418234A (en) * | 1987-07-14 | 1989-01-23 | Agency Ind Science Techn | Semiconductor evaluation device |
JPH0272646A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Mitsubishi Metal Corp | ウェーハ表面の半導体特性測定方法 |
JPH06132373A (ja) * | 1992-10-19 | 1994-05-13 | Ikutoku Gakuen | 半導体材料のライフタイム評価方法とその装置 |
JPH06275692A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-09-30 | Sony Corp | ライフタイムの測定方法及びそれを用いたライフタイム測定装置 |
JPH1126531A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Kobe Steel Ltd | 少数キャリアのライフタイム測定装置 |
JP2006128502A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 表面キャリア再結合速度の測定方法及び測定装置 |
JP2006196621A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Sharp Corp | ライフタイム測定装置およびライフタイム測定方法 |
-
2006
- 2006-08-25 JP JP2006229803A patent/JP5301770B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61114543A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Hitachi Ltd | 半導体評価装置 |
JPS61152033A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Hitachi Ltd | 半導体少数キヤリアライフタイム測定装置 |
JPS6258143A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-03-13 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー | 半導体材料の欠陥の光学的検出方法 |
JPS6418234A (en) * | 1987-07-14 | 1989-01-23 | Agency Ind Science Techn | Semiconductor evaluation device |
JPH0272646A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Mitsubishi Metal Corp | ウェーハ表面の半導体特性測定方法 |
JPH06132373A (ja) * | 1992-10-19 | 1994-05-13 | Ikutoku Gakuen | 半導体材料のライフタイム評価方法とその装置 |
JPH06275692A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-09-30 | Sony Corp | ライフタイムの測定方法及びそれを用いたライフタイム測定装置 |
JPH1126531A (ja) * | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Kobe Steel Ltd | 少数キャリアのライフタイム測定装置 |
JP2006128502A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 表面キャリア再結合速度の測定方法及び測定装置 |
JP2006196621A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Sharp Corp | ライフタイム測定装置およびライフタイム測定方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6011026657; Babu S,外: 'Contactless Measurement of Minority Carrier Lifetime in Silicon' Proceedings of SPIE Vol.2733, 19961022, P.304-306 * |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011069662A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Kobe Steel Ltd | 半導体薄膜の結晶性評価方法及び結晶性評価装置 |
WO2012039099A1 (ja) * | 2010-09-22 | 2012-03-29 | 株式会社神戸製鋼所 | μ-PCD法を用いた薄膜半導体の結晶性評価装置 |
JP2012069614A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Kobe Steel Ltd | 薄膜半導体の結晶性評価装置および方法 |
CN103098194A (zh) * | 2010-09-22 | 2013-05-08 | 株式会社神户制钢所 | 利用μ-PCD法的薄膜半导体的结晶性评价装置 |
DE112011103163T5 (de) | 2010-09-22 | 2013-07-18 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Kristallqualitäts-Evaluierungsvorrichtung für Dünnfilm-Halbleiter unter Verwendung einer μ- PCD Technik |
TWI451080B (zh) * | 2010-09-22 | 2014-09-01 | Kobe Steel Ltd | Method for evaluating crystallinity of thin film semiconductor and method thereof |
KR101465377B1 (ko) | 2010-09-22 | 2014-11-26 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | μ-PCD법을 사용한 박막 반도체의 결정성 평가 장치 |
US8952338B2 (en) | 2010-09-22 | 2015-02-10 | Kobe Steel, Ltd. | Crystalline quality evaluation apparatus for thin-film semiconductors, using μ-PCD technique |
DE112011103163B4 (de) | 2010-09-22 | 2017-06-01 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Kristallqualitäts-Evaluierungsvorrichtung für Dünnfilm-Halbleiter unter Verwendung einer μ- PCD Technik |
DE102013004504A1 (de) | 2012-03-16 | 2013-09-19 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Vorrichtung zur Bewertung der Kristallinität eines Halbleiters und Verfahren zur Bewertung der Kristallinität eines Halbleiters |
DE102013004504B4 (de) * | 2012-03-16 | 2017-05-18 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Vorrichtung zur Bewertung der Kristallinität eines Halbleiters und Verfahren zur Bewertung der Kristallinität eines Halbleiters |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP5301770B2 (ja) | 2013-09-25 |
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