JPH06275692A - ライフタイムの測定方法及びそれを用いたライフタイム測定装置 - Google Patents
ライフタイムの測定方法及びそれを用いたライフタイム測定装置Info
- Publication number
- JPH06275692A JPH06275692A JP4309793A JP4309793A JPH06275692A JP H06275692 A JPH06275692 A JP H06275692A JP 4309793 A JP4309793 A JP 4309793A JP 4309793 A JP4309793 A JP 4309793A JP H06275692 A JPH06275692 A JP H06275692A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measured
- substrate
- wafer
- laser
- lifetime
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型で、レーザの侵入深さを浅く設定できる
ライフタム測定装置を提供する。 【構成】 ウェハ１に対して斜め（非垂直）方向からレ
ーザ光ｌを出すレーザ出射部２を設け、キャリヤの状態
をマイクロ波導波管３を用いて検出する。このように、
レーザ光を非垂直に入射させることにより、ウェハ１の
浅い部分を励起することが可能となり、浅い部分の情報
を得ることが可能となる。
ライフタム測定装置を提供する。 【構成】 ウェハ１に対して斜め（非垂直）方向からレ
ーザ光ｌを出すレーザ出射部２を設け、キャリヤの状態
をマイクロ波導波管３を用いて検出する。このように、
レーザ光を非垂直に入射させることにより、ウェハ１の
浅い部分を励起することが可能となり、浅い部分の情報
を得ることが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウェハの結晶
欠陥や金属汚染などの内部欠陥を調べるライフタイムの
測定方法及び測定装置に関する。
欠陥や金属汚染などの内部欠陥を調べるライフタイムの
測定方法及び測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハに形成された半導体素子で
は、キャリヤ（電子や正孔）がウェハ内を場所的に移動
して情報の伝達を行なっている。移動するキャリヤにと
って半導体結晶は通路に相当するが、もし結晶構造に欠
陥があったり、重金属汚染などが結晶中に存在するなど
のトラップがある場合、キャリヤはこれらトラップの影
響により目的の場所に到達できずに消滅する。この結
果、情報量が不足して半導体素子の性能は低下する。素
子性能を確保するためには、このようなトラップの少な
いウェハを選択する必要がある。このときの評価指標が
キャリヤの生存時間、即ちライフタイムである。
は、キャリヤ（電子や正孔）がウェハ内を場所的に移動
して情報の伝達を行なっている。移動するキャリヤにと
って半導体結晶は通路に相当するが、もし結晶構造に欠
陥があったり、重金属汚染などが結晶中に存在するなど
のトラップがある場合、キャリヤはこれらトラップの影
響により目的の場所に到達できずに消滅する。この結
果、情報量が不足して半導体素子の性能は低下する。素
子性能を確保するためには、このようなトラップの少な
いウェハを選択する必要がある。このときの評価指標が
キャリヤの生存時間、即ちライフタイムである。
【０００３】このライフタイム測定には、従来レーザ光
をウェハ表面に垂直に入射させることによって、レーザ
光の波長に応じた侵入深さに相当する部分の半導体を光
励起させ、発生した少数キャリヤ（マイノリティキャリ
ア）を検知するという方法（例えばマイクロ波ＰＣＤ法
や電解液を通して拡散電流を見る方法など）がとられて
いる。
をウェハ表面に垂直に入射させることによって、レーザ
光の波長に応じた侵入深さに相当する部分の半導体を光
励起させ、発生した少数キャリヤ（マイノリティキャリ
ア）を検知するという方法（例えばマイクロ波ＰＣＤ法
や電解液を通して拡散電流を見る方法など）がとられて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなライフタイムの測定では、ウェハ内欠陥の情報はレ
ーザ光の侵入する深さに相当する部分のものとなる。一
般に、Ｈｅ−ＮｅやＬＤ（赤色〜赤外）等がライフタイ
ム測定装置に用いられている。これらのレーザを用いれ
ば装置を小型にできるためである。レーザの入射波長λ
は、吸収係数αと結びつけられるが、対象がシリコン
（Ｓｉ）である場合、αは、
うなライフタイムの測定では、ウェハ内欠陥の情報はレ
ーザ光の侵入する深さに相当する部分のものとなる。一
般に、Ｈｅ−ＮｅやＬＤ（赤色〜赤外）等がライフタイ
ム測定装置に用いられている。これらのレーザを用いれ
ば装置を小型にできるためである。レーザの入射波長λ
は、吸収係数αと結びつけられるが、対象がシリコン
（Ｓｉ）である場合、αは、
【０００５】
【数１】 α［ｃｍ-1］＝｛８４．７３２／λ［μｍ］−７６．４１７｝2 という関係式で表され、その相関は図３に示される。こ
のグラフから判るように、波長が長いほど吸収係数が低
くなるために、下表１に示すように、それに応じて決ま
る侵入距離ｄ（＝１／α）は大きくなる。
のグラフから判るように、波長が長いほど吸収係数が低
くなるために、下表１に示すように、それに応じて決ま
る侵入距離ｄ（＝１／α）は大きくなる。
【０００６】
【表１】
【０００７】そこで、短波長のレーザ、例えば、ＫｒＦ
のエキシマレーザ（λ＝２４８［μｍ］）を用いれば、
ｄ＝０．１４［μｍ］まで侵入距離を小さくできるが、
このようなレーザは大型であり、装置システムが大掛か
りになる。
のエキシマレーザ（λ＝２４８［μｍ］）を用いれば、
ｄ＝０．１４［μｍ］まで侵入距離を小さくできるが、
このようなレーザは大型であり、装置システムが大掛か
りになる。
【０００８】この発明が解決しようとする課題は、レー
ザ光がウェハ表面から浅い深さに侵入してウェハ表面近
傍の情報が得られ、且つシステム全体が小型のライフタ
イム測定装置を得るには、どのような手段を講じればよ
いかという点にある。
ザ光がウェハ表面から浅い深さに侵入してウェハ表面近
傍の情報が得られ、且つシステム全体が小型のライフタ
イム測定装置を得るには、どのような手段を講じればよ
いかという点にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この出願の請求項１記載
に係る発明は、レーザ光を被測定基板に入射させて該被
測定基板中の過剰少数キャリヤのライフタイムを測定す
る方法において、上記レーザ光を被測定基板に対して非
垂直に入射させることを、解決手段としている。
に係る発明は、レーザ光を被測定基板に入射させて該被
測定基板中の過剰少数キャリヤのライフタイムを測定す
る方法において、上記レーザ光を被測定基板に対して非
垂直に入射させることを、解決手段としている。
【００１０】請求項２記載の発明は、請求項１記載に係
る発明において、被測定基板に対する上記レーザ光の入
射角度を、測定深さに応じて変えることを、解決手段と
している。
る発明において、被測定基板に対する上記レーザ光の入
射角度を、測定深さに応じて変えることを、解決手段と
している。
【００１１】請求項３記載の発明は、請求項２記載に係
る発明において、被測定基板を固定し、上記レーザ光の
入射角度を変えることを、解決手段としている。
る発明において、被測定基板を固定し、上記レーザ光の
入射角度を変えることを、解決手段としている。
【００１２】請求項４記載の発明は、請求項２記載に係
る発明において、レーザ光の出射方向を固定し、上記被
測定基板の角度を変えることを、解決手段としている。
る発明において、レーザ光の出射方向を固定し、上記被
測定基板の角度を変えることを、解決手段としている。
【００１３】この出願の請求項５記載の発明は、被測定
基板へレーザ光を出射するレーザ光出射部と、該被測定
基板に生じた過剰少数キャリヤの情報を検出する検出部
とを備えるライフタイム測定装置において、上記被測定
基板へのレーザ光の入射角度を非垂直に設定したこと
を、解決手段としている。
基板へレーザ光を出射するレーザ光出射部と、該被測定
基板に生じた過剰少数キャリヤの情報を検出する検出部
とを備えるライフタイム測定装置において、上記被測定
基板へのレーザ光の入射角度を非垂直に設定したこと
を、解決手段としている。
【００１４】請求項６記載の発明は、請求項５記載に係
る発明において、被測定基板は固定され、レーザ光の入
射角度が変わるようにレーザ光出射部は移動可能である
ことを、解決手段としている。
る発明において、被測定基板は固定され、レーザ光の入
射角度が変わるようにレーザ光出射部は移動可能である
ことを、解決手段としている。
【００１５】請求項７記載の発明は、請求項５記載に係
る発明において、レーザ光出射部は固定され、上記被測
定基板はレーザ光の入射角度が変わるように移動可能で
あることを、解決手段としている。
る発明において、レーザ光出射部は固定され、上記被測
定基板はレーザ光の入射角度が変わるように移動可能で
あることを、解決手段としている。
【００１６】
【作用】この出願の請求項１及び５記載に係る発明にお
いては、被測定基板に対してレーザ光を非垂直に入射さ
せるため、垂直入射に比べて被測定基板の浅い部分のラ
イフタイム測定が可能となる。このため、波長が比較的
長いＨｅ−ＮｅやＬＤ（赤色〜赤外）等のレーザを用い
て被測定基板の浅い部分の測定が可能となる。このよう
な種類のレーザを用いれば、装置システムを小型化する
ことが可能となる。
いては、被測定基板に対してレーザ光を非垂直に入射さ
せるため、垂直入射に比べて被測定基板の浅い部分のラ
イフタイム測定が可能となる。このため、波長が比較的
長いＨｅ−ＮｅやＬＤ（赤色〜赤外）等のレーザを用い
て被測定基板の浅い部分の測定が可能となる。このよう
な種類のレーザを用いれば、装置システムを小型化する
ことが可能となる。
【００１７】請求項２〜４及び６，７記載の発明におい
ては、レーザ光が被測定基板に侵入する深さが入射角度
に応じて決定される。このため、測定深さを適宜変更す
ることが可能となる。特に、被測定基板のみをスキャン
させる機構とすれば、小型の装置で被測定基板全面の測
定が可能となる。
ては、レーザ光が被測定基板に侵入する深さが入射角度
に応じて決定される。このため、測定深さを適宜変更す
ることが可能となる。特に、被測定基板のみをスキャン
させる機構とすれば、小型の装置で被測定基板全面の測
定が可能となる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明に係るライフタイム測定装置の
詳細を図面に示す実施例に基づいて説明する。
詳細を図面に示す実施例に基づいて説明する。
【００１９】図１は、本発明のライフタイム測定方法を
適用したライフタイム測定装置の説明図である。同図
中、１はシリコンで成るウェハであり、図示しないウェ
ハ保持部に保持されている。このウェハ保持部は、図中
ａで示す矢印の方向に復復動作を行ない、且つウェハ全
面をレーザ光でスキャン可能に動作するようになってい
る。このウェハ１に対しレーザ光ｌは、非垂直方向から
入射するように、レーザ光出射部２を斜め方向に配置し
ている。このレーザには、Ｈｅ−Ｎｅを用いている。そ
して、レーザ光が入射するウェハ面に対向する位置に検
出部としてのマイクロ波導波管３が配置されている。本
実施例では、マイクロ波導波管３０から出るマイクロ波
ｍがウェハ１内のキャリヤによって吸収されるため、そ
の反射マイクロ波を検出することにより、キャリヤのラ
イフタイムの測定が可能となる。図中４はサーキュレー
タ、５はブラウン管を示している。
適用したライフタイム測定装置の説明図である。同図
中、１はシリコンで成るウェハであり、図示しないウェ
ハ保持部に保持されている。このウェハ保持部は、図中
ａで示す矢印の方向に復復動作を行ない、且つウェハ全
面をレーザ光でスキャン可能に動作するようになってい
る。このウェハ１に対しレーザ光ｌは、非垂直方向から
入射するように、レーザ光出射部２を斜め方向に配置し
ている。このレーザには、Ｈｅ−Ｎｅを用いている。そ
して、レーザ光が入射するウェハ面に対向する位置に検
出部としてのマイクロ波導波管３が配置されている。本
実施例では、マイクロ波導波管３０から出るマイクロ波
ｍがウェハ１内のキャリヤによって吸収されるため、そ
の反射マイクロ波を検出することにより、キャリヤのラ
イフタイムの測定が可能となる。図中４はサーキュレー
タ、５はブラウン管を示している。
【００２０】図２は、ウェハ１に対する入射が垂直のレ
ーザ光ｌ1と入射角度がθ1のレーザ光ｌ2のウェハ１へ
の侵入深さを示す説明図である。なお、レーザ光ｌ1，
ｌ2は同波長のものである。ウェハ１の上方は、空気も
しくは真空（屈折率ｎ1＝１）であり、ウェハ１の屈折
率ｎ2はｎ1より大きい。ｌ1の場合は、垂直に入射する
ため、侵入深さＤは大きい。これに対して、斜めから入
射するため、その侵入深さｄｐは小さくなる。ｌ2の屈
折角度をθ2とすると、入射角度θ1とは以下の式で関係
づけられる。
ーザ光ｌ1と入射角度がθ1のレーザ光ｌ2のウェハ１へ
の侵入深さを示す説明図である。なお、レーザ光ｌ1，
ｌ2は同波長のものである。ウェハ１の上方は、空気も
しくは真空（屈折率ｎ1＝１）であり、ウェハ１の屈折
率ｎ2はｎ1より大きい。ｌ1の場合は、垂直に入射する
ため、侵入深さＤは大きい。これに対して、斜めから入
射するため、その侵入深さｄｐは小さくなる。ｌ2の屈
折角度をθ2とすると、入射角度θ1とは以下の式で関係
づけられる。
【００２１】
【数２】ｎ1ｓｉｎθ1＝ｎ2ｓｉｎθ2 ウェハ１中に進光したレーザ光は上記式に示すように方
向を曲げられる。なお、ウェハ１中に侵入する距離ｄ
は、光の強度が表面での強度の１／ｌ（ｌ：自然対数の
底）になった深さで定義されるものであって、上記した
ように、ウェハ１に対する吸収係数αに応じて決められ
るものである。従って、キャリヤの発生は、侵入深さｄ
ｐ：
向を曲げられる。なお、ウェハ１中に侵入する距離ｄ
は、光の強度が表面での強度の１／ｌ（ｌ：自然対数の
底）になった深さで定義されるものであって、上記した
ように、ウェハ１に対する吸収係数αに応じて決められ
るものである。従って、キャリヤの発生は、侵入深さｄ
ｐ：
【００２２】
【数３】ｄｐ＝ｄｃｏｓθ2 の部分で起ることになる。そこで、より小さいｄを得る
には、入射角度θ1をできる限り大きくとればよい。例
えば、Ｓｉ（ｎ2＝３．４）の場合、θ1＝８９°で入射
すると、垂直入射の場合の侵入深さにあたるＤよりも、
５％小さい侵入深さを得ることができる。さらに、屈折
率の小さいダイヤモンド（ｎ1＝２．４）は、最近注目
されている半導体材料であるが、同じ入射角に対し、１
０％小さい侵入深さを得ることができる。また、以上の
ことから、このレーザの斜め入射は、もともと侵入深さ
の大きい長波長のものほどその効果が大きい。そのた
め、従来のライフタム測定装置に用いられている、小型
のレーザをそのまま使用することができるので、装置全
体をコンパクトにおさめることができる。
には、入射角度θ1をできる限り大きくとればよい。例
えば、Ｓｉ（ｎ2＝３．４）の場合、θ1＝８９°で入射
すると、垂直入射の場合の侵入深さにあたるＤよりも、
５％小さい侵入深さを得ることができる。さらに、屈折
率の小さいダイヤモンド（ｎ1＝２．４）は、最近注目
されている半導体材料であるが、同じ入射角に対し、１
０％小さい侵入深さを得ることができる。また、以上の
ことから、このレーザの斜め入射は、もともと侵入深さ
の大きい長波長のものほどその効果が大きい。そのた
め、従来のライフタム測定装置に用いられている、小型
のレーザをそのまま使用することができるので、装置全
体をコンパクトにおさめることができる。
【００２３】なお、本実施例においては、レーザ光出射
部２を図１中破線で示すように、移動可能としたもので
ある。このため、ウェハ１へのレーザ光の入射角度を任
意に変えることができ、これに伴なって図２に示す侵入
深さｄｐを変えることができる。ウェハ１表面からの測
定深さを適宜設定することが可能となる。
部２を図１中破線で示すように、移動可能としたもので
ある。このため、ウェハ１へのレーザ光の入射角度を任
意に変えることができ、これに伴なって図２に示す侵入
深さｄｐを変えることができる。ウェハ１表面からの測
定深さを適宜設定することが可能となる。
【００２４】また、本実施例では、ウェハ１をスキャン
させることにより、ウェハ１全面のライフタムの評価が
可能となる。
させることにより、ウェハ１全面のライフタムの評価が
可能となる。
【００２５】以上、実施例について説明したが本発明
は、これに限定されるものではなく、構成の要旨に付随
する各種の設計変更が可能である。
は、これに限定されるものではなく、構成の要旨に付随
する各種の設計変更が可能である。
【００２６】例えば、上記実施例においては、ライフタ
ム測定装置における検出方法として導波管法として反射
法を適用したが、透過法を用いてもよく、さらには、電
解液を通して拡散電流を見る方法など各種の方法を適用
できる。
ム測定装置における検出方法として導波管法として反射
法を適用したが、透過法を用いてもよく、さらには、電
解液を通して拡散電流を見る方法など各種の方法を適用
できる。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この出
願の請求項１〜７記載の発明によれば、同じ波長のレー
ザを用いても、垂直入射より侵入深さを抑えることがで
きる。そのため、被測定基板のより表面に近い部分での
みキャリヤを発生でき、浅い部分の情報が得られるよう
になる効果がある。
願の請求項１〜７記載の発明によれば、同じ波長のレー
ザを用いても、垂直入射より侵入深さを抑えることがで
きる。そのため、被測定基板のより表面に近い部分での
みキャリヤを発生でき、浅い部分の情報が得られるよう
になる効果がある。
【００２８】また、Ｈｅ−ＮｅやＬＤなどの小型の長波
長レーザを用いても、レーザの侵入深さを抑えることが
でき、装置システムを小型なものにできる効果がある。
長レーザを用いても、レーザの侵入深さを抑えることが
でき、装置システムを小型なものにできる効果がある。
【図１】本発明の実施例を示す説明図、
【図２】レーザ光の侵入深さを示す説明図、
【図３】シリコンへの入射レーザの波長と吸収係数の関
係を示すグラフ。
係を示すグラフ。
１…ウェハ（被測定基板） ２…レーザ光出射部 ３…マイクロ波導波管 Ｌ…レーザ光
【手続補正書】
【提出日】平成６年６月３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】図１は、本発明のライフタイム測定方法を
適用したライフタイム測定装置の説明図である。同図
中、１はシリコンで成るウェハであり、図示しないウェ
ハ保持部に保持されている。このウェハ保持部は、図中
ａで示す矢印の方向に反復動作を行ない、且つウェハ全
面をレーザ光でスキャン可能に動作するようになってい
る。このウェハ１に対しレーザ光１は、非垂直方向から
入射するように、レーザ光出射部２を斜め方向に配置し
ている。このレーザには、Ｈｅ−Ｎｅを用いている。そ
して、レーザ光が入射するウェハ面に対向する位置に検
出部としてのマイクロ波導波管３が配置されている。本
実施例では、マイクロ波導波管３から出るマイクロ波ｍ
がウェハ１内のキャリヤによって吸収されるため、その
反射マイクロ波を検出することにより、キャリヤのライ
フタイムの測定が可能となる。図中４はサーキュレー
タ、５はブラウン管を示している。
適用したライフタイム測定装置の説明図である。同図
中、１はシリコンで成るウェハであり、図示しないウェ
ハ保持部に保持されている。このウェハ保持部は、図中
ａで示す矢印の方向に反復動作を行ない、且つウェハ全
面をレーザ光でスキャン可能に動作するようになってい
る。このウェハ１に対しレーザ光１は、非垂直方向から
入射するように、レーザ光出射部２を斜め方向に配置し
ている。このレーザには、Ｈｅ−Ｎｅを用いている。そ
して、レーザ光が入射するウェハ面に対向する位置に検
出部としてのマイクロ波導波管３が配置されている。本
実施例では、マイクロ波導波管３から出るマイクロ波ｍ
がウェハ１内のキャリヤによって吸収されるため、その
反射マイクロ波を検出することにより、キャリヤのライ
フタイムの測定が可能となる。図中４はサーキュレー
タ、５はブラウン管を示している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】図２は、ウェハ１に対する入射が垂直のレ
ーザ光１１と入射角度がθ１のレーザ光１２のウェハ１
への侵入深さを示す説明図である。なお、レーザ光
１１，１２は同波長のものである。ウェハ１の上方は、
空気もしくは真空（屈折率ｎ１＝１）であり、ウェハ１
の屈折率ｎ２はｎ１より大きい。１１の場合は、垂直に
入射するため、侵入深さＤは大きい。これに対して、１
２の場合は斜めから入射するため、その侵入深さｄｐは
小さくなる。１２の屈折角度をθ２とすると、入射角度
θ１とは以下の式で関係づけられる。
ーザ光１１と入射角度がθ１のレーザ光１２のウェハ１
への侵入深さを示す説明図である。なお、レーザ光
１１，１２は同波長のものである。ウェハ１の上方は、
空気もしくは真空（屈折率ｎ１＝１）であり、ウェハ１
の屈折率ｎ２はｎ１より大きい。１１の場合は、垂直に
入射するため、侵入深さＤは大きい。これに対して、１
２の場合は斜めから入射するため、その侵入深さｄｐは
小さくなる。１２の屈折角度をθ２とすると、入射角度
θ１とは以下の式で関係づけられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】
【数２】ｎ１ｓｉｎθ１＝ｎ２ｓｉｎθ２ ウェハ１中に進光したレーザ光は上記式に示すように方
向を曲げられる。なお、ウェハ１中に侵入する距離Ｄ及
びｄは、光の強度が表面での強度の１／ｅ（ｅ：自然対
数の底）になった深さで定義されるものであって、上記
したように、ウェハ１に対する吸収係数αに応じて決め
られるものである。従って、キャリヤの発生は、侵入深
さｄｐ：
向を曲げられる。なお、ウェハ１中に侵入する距離Ｄ及
びｄは、光の強度が表面での強度の１／ｅ（ｅ：自然対
数の底）になった深さで定義されるものであって、上記
したように、ウェハ１に対する吸収係数αに応じて決め
られるものである。従って、キャリヤの発生は、侵入深
さｄｐ：
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示す説明図。
【図２】レーザ光の侵入深さを示す説明図。
【図３】シリコンへの入射レーザの波長と吸収係数の関
係を示すグラフ。
係を示すグラフ。
【符号の説明】 １…ウェハ（被測定基板） ２…レーザ光出射部 ３…マイクロ波導波管１ …レーザ光
Claims (7)
- 【請求項１】 レーザ光を被測定基板に入射させて該被
測定基板中の過剰少数キャリヤのライフタイムを測定す
る方法において、 上記レーザ光を被測定基板に対して非垂直に入射させる
ことを特徴とするライフタイムの測定方法。 - 【請求項２】 上記被測定基板に対する上記レーザ光の
入射角度を、測定深さに応じて変える請求項１記載に係
るライフタイムの測定方法。 - 【請求項３】 上記被測定基板を固定し、上記レーザ光
の入射角度を変える請求項２記載に係るライフタイムの
測定方法。 - 【請求項４】 上記レーザ光の出射方向を固定し、上記
被測定基板の角度を変える請求項２記載に係るライフタ
イムの測定方法。 - 【請求項５】 被測定基板へレーザ光を出射するレーザ
光出射部と、該被測定基板に生じた過剰少数キャリヤの
情報を検出する検出部とを備えるライフタイム測定装置
において、 上記被測定基板へのレーザ光の入射角度を非垂直に設定
したことを特徴とするライフタイム測定装置。 - 【請求項６】 上記被測定基板は固定され、上記レーザ
光の入射角度が変わるようにレーザ光出射部は移動可能
である請求項５記載に係るライフタイム測定装置。 - 【請求項７】 上記レーザ光出射部は固定され、上記被
測定基板はレーザ光の入射角度が変わるように移動可能
である請求項５記載に係るライフタイム測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4309793A JPH06275692A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | ライフタイムの測定方法及びそれを用いたライフタイム測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4309793A JPH06275692A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | ライフタイムの測定方法及びそれを用いたライフタイム測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275692A true JPH06275692A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=12654340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4309793A Pending JPH06275692A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | ライフタイムの測定方法及びそれを用いたライフタイム測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06275692A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008051719A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Kobe Steel Ltd | 薄膜半導体の結晶性測定装置及びその方法 |
| JP2013105914A (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長装置の清浄度評価方法 |
-
1993
- 1993-03-04 JP JP4309793A patent/JPH06275692A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008051719A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Kobe Steel Ltd | 薄膜半導体の結晶性測定装置及びその方法 |
| JP2013105914A (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長装置の清浄度評価方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100443856B1 (ko) | 반도체샘플검사장치및그방법 | |
| US20040253751A1 (en) | Photothermal ultra-shallow junction monitoring system with UV pump | |
| CN107275244A (zh) | 一种晶片检测方法和装置 | |
| US5451886A (en) | Method of evaluating lifetime of semiconductor material and apparatus for the same | |
| JPH06275692A (ja) | ライフタイムの測定方法及びそれを用いたライフタイム測定装置 | |
| US6577389B2 (en) | System and methods for inspection of transparent mask substrates | |
| JPH10221268A (ja) | ウェーハの表面状態検出方法および装置 | |
| KR101360251B1 (ko) | 웨이퍼 디펙트 검사장치 및 그 방법 | |
| US4238686A (en) | Method of analyzing localized nonuniformities in luminescing materials | |
| EP1010983B1 (en) | Probe with optical waveguide and method of producing the same | |
| US6555273B2 (en) | Glass substrate for an electron device, photomask blank and photomask using the same | |
| JPH05136241A (ja) | 半導体ウエハのキヤリアのライフタイム測定方法 | |
| JPH09210918A (ja) | シリコンウエハ表面の異物検出光学系 | |
| US7133128B2 (en) | System and method for measuring properties of a semiconductor substrate in a non-destructive way | |
| JPH0478191B2 (ja) | ||
| JP2001099753A (ja) | 光学素子のレーザー耐久性評価装置、光学素子のレーザー耐久性評価方法及び露光装置 | |
| JPH09218104A (ja) | 基板の温度測定装置 | |
| JPH05323582A (ja) | 露光装置およびこの露光装置を用いた露光方法 | |
| JPS6025444A (ja) | 結晶評価装置 | |
| JP2000046767A (ja) | 金属材料中の介在物分析装置 | |
| JPH1126532A (ja) | 少数キャリアのライフタイム測定装置 | |
| JP3313994B2 (ja) | 光熱ベンディング分光装置および分光法 | |
| JP2003303565A (ja) | 電子線検査装置 | |
| JPS61174733A (ja) | ガリウム砒素半導体ウエハのｅｌ２分布測定方法 | |
| JP3249993B2 (ja) | 光学的測定装置 |