JPH0478191B2 - - Google Patents
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- JPH0478191B2 JPH0478191B2 JP23240485A JP23240485A JPH0478191B2 JP H0478191 B2 JPH0478191 B2 JP H0478191B2 JP 23240485 A JP23240485 A JP 23240485A JP 23240485 A JP23240485 A JP 23240485A JP H0478191 B2 JPH0478191 B2 JP H0478191B2
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- Japan
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- laser beam
- mirror
- sample
- wafer
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/0096—Microscopes with photometer devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(概要〕
励起レーザ光の偏向状態を変化させ、効果的に
レーザ光を試料(サンプル)面へ導き、かつ、連
続的に試料面への到達光量を変化させることので
きる光ルミネセンス(Photo Luminescence,
PL)評価装置で、半導体レーザ、LEDなどの発
振波長をデバイスに組み込む前に予め評価するた
めの装置である。
レーザ光を試料(サンプル)面へ導き、かつ、連
続的に試料面への到達光量を変化させることので
きる光ルミネセンス(Photo Luminescence,
PL)評価装置で、半導体レーザ、LEDなどの発
振波長をデバイスに組み込む前に予め評価するた
めの装置である。
本発明はPL評価装置に係り、さらに詳しく言
えば、励起レーザ光を効果的に、かつ、連続的に
その強度を変化することができるPL評価方式に
関するものである。
えば、励起レーザ光を効果的に、かつ、連続的に
その強度を変化することができるPL評価方式に
関するものである。
ウエハである波長(例えばxμm)が出るとす
ると、ウエハをチツプに分離切断した段階でチツ
プからどの程度の波長が出るかの相関関係は判別
可能である。すなわち、ウエハ段階でチツプの発
振波長が所望の値になるか否かが判断可能である
からウエハでPL評価を行い所定の発振波長が得
られないウエハについてはPL評価後のプロセス
を行わないことにしている。
ると、ウエハをチツプに分離切断した段階でチツ
プからどの程度の波長が出るかの相関関係は判別
可能である。すなわち、ウエハ段階でチツプの発
振波長が所望の値になるか否かが判断可能である
からウエハでPL評価を行い所定の発振波長が得
られないウエハについてはPL評価後のプロセス
を行わないことにしている。
従来の垂直入射方式のPL評価装置は第4図に
示され、11は励起レーザ光、12はレンズ(受
光レンズ)、13は45°ミラー(ハーフミラー)、
14はレンズ(対物レンズ)、15はサンプル
(例えば半導体ウエハ)、16はルミネセンス光
(PL光)、17は全反射ミラー、19はフイルタ
ー、20はチヨツパー、21はモノクロメータ、
22はデイテクター、23はロツクインアンプ、
24はプロツタである。図示の装置においてレン
ズ12を含む点線で囲む部分は顕微鏡25として
一体的に構成されている。
示され、11は励起レーザ光、12はレンズ(受
光レンズ)、13は45°ミラー(ハーフミラー)、
14はレンズ(対物レンズ)、15はサンプル
(例えば半導体ウエハ)、16はルミネセンス光
(PL光)、17は全反射ミラー、19はフイルタ
ー、20はチヨツパー、21はモノクロメータ、
22はデイテクター、23はロツクインアンプ、
24はプロツタである。図示の装置においてレン
ズ12を含む点線で囲む部分は顕微鏡25として
一体的に構成されている。
レンズ12で集光された励起レーザ11はハー
フミラー13によつてレンズ14を通つてウエハ
15に照射され、そのときウエハから出される
PL光16は、45°ミラー13、全反射ミラー1
7、フイルター19(PL光のみを通し、反射さ
れてくるレーザ光は通さないために設けられる)、
モノクロメータ21、デイテクタ22を経てロツ
クインアンプ23に達し、その波長対強度の関係
がプロツタ24上に図示の如く表示される。
フミラー13によつてレンズ14を通つてウエハ
15に照射され、そのときウエハから出される
PL光16は、45°ミラー13、全反射ミラー1
7、フイルター19(PL光のみを通し、反射さ
れてくるレーザ光は通さないために設けられる)、
モノクロメータ21、デイテクタ22を経てロツ
クインアンプ23に達し、その波長対強度の関係
がプロツタ24上に図示の如く表示される。
ウエハ15はInP/InGaAs/InPなる構造、す
なわちダブルヘテロ構造のPL素子である。
なわちダブルヘテロ構造のPL素子である。
斜め入射方式のPL評価装置においては、45°ハ
ーフミラー13を用いる代りにレーザ光11を斜
めから直接ウエハ15に照射する方式である。
ーフミラー13を用いる代りにレーザ光11を斜
めから直接ウエハ15に照射する方式である。
上記問題点は、価装置としては垂直入射方式と
斜め入射方式とがあるが、前者は45°ミラーでの
励起光の減衰が大きいという欠点があり、また後
者は光軸調整が困難であるという欠点がある。ハ
ーフミラーは偏光特性をもつており、他方レーザ
光は直線偏光され、ある方向にだけ振動する。そ
こで、45°ミラーの特性がマツチング
(matching)しないとその反射率が異なり、反射
してウエハに達する光のエネルギーが小になる。
斜め入射方式とがあるが、前者は45°ミラーでの
励起光の減衰が大きいという欠点があり、また後
者は光軸調整が困難であるという欠点がある。ハ
ーフミラーは偏光特性をもつており、他方レーザ
光は直線偏光され、ある方向にだけ振動する。そ
こで、45°ミラーの特性がマツチング
(matching)しないとその反射率が異なり、反射
してウエハに達する光のエネルギーが小になる。
後者においては、45°ミラーにマツチングする
如くレーザ光の方向を変えて最適なレーザ光をみ
つけなければならないが、レーザ光の偏光方向を
回転することは容易でなく、複雑で高価な機構を
必要とする。
如くレーザ光の方向を変えて最適なレーザ光をみ
つけなければならないが、レーザ光の偏光方向を
回転することは容易でなく、複雑で高価な機構を
必要とする。
測定されるPL光の波長は試料に照射されるレ
ーザ光のエネルギーに依存し、レーザ光のエネル
ギーが変化するとPL光の評価に支障がある。そ
こでレーザ光を常に一定にする必要がある。
ーザ光のエネルギーに依存し、レーザ光のエネル
ギーが変化するとPL光の評価に支障がある。そ
こでレーザ光を常に一定にする必要がある。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもの
で、励起レーザ光の偏光状態を変え、45°ミラー
部でのロスを小さくし、効果的にレーザ光を試料
面に導き、かつ、偏光状態を変えることにより連
続的に試料面に到達する光量を変化させることが
でき、PL光評価において有益な評価方式を提供
する装置を提供することを目的とする。
で、励起レーザ光の偏光状態を変え、45°ミラー
部でのロスを小さくし、効果的にレーザ光を試料
面に導き、かつ、偏光状態を変えることにより連
続的に試料面に到達する光量を変化させることが
でき、PL光評価において有益な評価方式を提供
する装置を提供することを目的とする。
上記問題点は、サンプルにレーザ光を照射し、
そのエネルギーにより発生するルミネセンス光の
評価を行うための45°ミラー、レンズ、全反射ミ
ラー、分光部、ロツクインアンプ、プロツタから
成る装置において、45°ミラーのレーザ光入射側
の前方に位置するレンズの前にλ/4波長板を配
置し、サンプル上の所定の位置にレーザ光を照射
して得られるルミネセンス光の波長に対する強度
の関係をプロツタでモニターする構成としたこと
を特徴とする光ルミネセンス評価装置を提供する
ことによつて解決される。
そのエネルギーにより発生するルミネセンス光の
評価を行うための45°ミラー、レンズ、全反射ミ
ラー、分光部、ロツクインアンプ、プロツタから
成る装置において、45°ミラーのレーザ光入射側
の前方に位置するレンズの前にλ/4波長板を配
置し、サンプル上の所定の位置にレーザ光を照射
して得られるルミネセンス光の波長に対する強度
の関係をプロツタでモニターする構成としたこと
を特徴とする光ルミネセンス評価装置を提供する
ことによつて解決される。
45°ミラーに光が入射した場合、当然のことな
がら偏光現象が起きる。すなわち、入射面内の振
動部分(P−成分)と垂直な面内で振動する成分
(S成分)との反射率が異なる。励起レーザ光は
通常直線偏光されているので、45°ミラーとレー
ザ光のマツチングを適当にしないと多大なロス
(反射率の低下)を引き起こす。本発明は励起レ
ーザ光を円偏光もしくは楕円偏光に変換し、上記
のマツチングを考慮しなくとも一定の反射率を得
ることができるようにし、効果的にPL光評価を
行えるようにしたものである。また、偏光状態を
調整し、試料面に到達する光量を連続的に変化さ
せ、効果的なデータ取得を可能とするものであ
る。
がら偏光現象が起きる。すなわち、入射面内の振
動部分(P−成分)と垂直な面内で振動する成分
(S成分)との反射率が異なる。励起レーザ光は
通常直線偏光されているので、45°ミラーとレー
ザ光のマツチングを適当にしないと多大なロス
(反射率の低下)を引き起こす。本発明は励起レ
ーザ光を円偏光もしくは楕円偏光に変換し、上記
のマツチングを考慮しなくとも一定の反射率を得
ることができるようにし、効果的にPL光評価を
行えるようにしたものである。また、偏光状態を
調整し、試料面に到達する光量を連続的に変化さ
せ、効果的なデータ取得を可能とするものであ
る。
以下、図面を参照して本発明実施例を詳細に説
明する。
明する。
第1図の本発明におけるPL光評価装置例を参
照すると、直線偏光されたレーザ光11はλ/4
波長板26にて、円偏光もしくは楕円偏光とな
り、45°ミラー13に入射し、一定の反射率で試
料15の面に反射される。λ/4波長板26を調
整(回転)することにより、すなわち位相差を与
えることにより、試料面に到達する光量を連続的
に調整することができる。励起レーザ光11によ
り試料15から発生したPL光16は全反射ミラ
ー17にて分光部21,22へ導かれ、プロツタ
24上には波長−強度曲線(PLスペクトル)が
描かれる。
照すると、直線偏光されたレーザ光11はλ/4
波長板26にて、円偏光もしくは楕円偏光とな
り、45°ミラー13に入射し、一定の反射率で試
料15の面に反射される。λ/4波長板26を調
整(回転)することにより、すなわち位相差を与
えることにより、試料面に到達する光量を連続的
に調整することができる。励起レーザ光11によ
り試料15から発生したPL光16は全反射ミラ
ー17にて分光部21,22へ導かれ、プロツタ
24上には波長−強度曲線(PLスペクトル)が
描かれる。
λ/4波長板は一般に特定の波長の光のための
ものとして形成されているので、レーザ光を例え
ばYAGレーザで発振する場合、その波長は
1064μmであるので、それに対応するλ/4波長
板を用意することは可能であり、かかるλ/4波
長板を顕微鏡25の入射光側に配置する。そし
て、ウエハ15上の所定の位置において観測をな
しウエハの良否を判定する。
ものとして形成されているので、レーザ光を例え
ばYAGレーザで発振する場合、その波長は
1064μmであるので、それに対応するλ/4波長
板を用意することは可能であり、かかるλ/4波
長板を顕微鏡25の入射光側に配置する。そし
て、ウエハ15上の所定の位置において観測をな
しウエハの良否を判定する。
本装置例では、λ/4波長板26の調整(回
転)により、迅速にPL光強度を適当な大きさに
調整でき、またPL波長、強度の励起強度依存性
等も簡単に計測できる。前以つて例えば波長
1.3μmでピーク強度が得られることが判明してい
る場合、プロツタ24をみてピーク強度が得られ
たときの波長が1.2μmであつたとすると、ウエハ
15は不良と判定され、それに対して以後の工程
を実施しないようにすると、プロセスの無駄が大
幅に節減される。
転)により、迅速にPL光強度を適当な大きさに
調整でき、またPL波長、強度の励起強度依存性
等も簡単に計測できる。前以つて例えば波長
1.3μmでピーク強度が得られることが判明してい
る場合、プロツタ24をみてピーク強度が得られ
たときの波長が1.2μmであつたとすると、ウエハ
15は不良と判定され、それに対して以後の工程
を実施しないようにすると、プロセスの無駄が大
幅に節減される。
第2図、第3図に本発明の他の実施例が示さ
れ、第2図はPL光の積分強度を評価する装置例、
第3図はPL光の発光状態を評価する装置例であ
る。これらの場合、λ/4波長板を回転し、位相
ずれ角をずらすことにより、励起レーザ光パワー
を調整し、迅速かつ簡単に励起パワー密度対PL
光の積分強度(第2図)、励起パワー密度対PL光
の発光状態(第3図)の相関を得ることが可能で
ある。
れ、第2図はPL光の積分強度を評価する装置例、
第3図はPL光の発光状態を評価する装置例であ
る。これらの場合、λ/4波長板を回転し、位相
ずれ角をずらすことにより、励起レーザ光パワー
を調整し、迅速かつ簡単に励起パワー密度対PL
光の積分強度(第2図)、励起パワー密度対PL光
の発光状態(第3図)の相関を得ることが可能で
ある。
第2図を参照すると、同図bの平面図に示され
る如く、ウエハ15と基準試料(Ref.)27とを
並べて配置し、走査線28で示す如くにレーザ光
11をRef.27とウエハ15の双方にわたつて走
査する。プロツタ24には最初Ref.27の積分強
度28aと次にウエハ15の積分強度28bが現
れる。相関関係によつて積分強度28aから許容
されるずれ量が判つているから、この許容範囲の
外の積分強度が観察されたとき当該ウエハは不良
と判定される。なお、同図aのプロツタ24内に
示す横軸xは、同図bの試料27とウエハ15の
位置xを表わす。第2図の実施例ではウエハがほ
ぼその全体にわたつて速やかに評価されうる利点
がある。
る如く、ウエハ15と基準試料(Ref.)27とを
並べて配置し、走査線28で示す如くにレーザ光
11をRef.27とウエハ15の双方にわたつて走
査する。プロツタ24には最初Ref.27の積分強
度28aと次にウエハ15の積分強度28bが現
れる。相関関係によつて積分強度28aから許容
されるずれ量が判つているから、この許容範囲の
外の積分強度が観察されたとき当該ウエハは不良
と判定される。なお、同図aのプロツタ24内に
示す横軸xは、同図bの試料27とウエハ15の
位置xを表わす。第2図の実施例ではウエハがほ
ぼその全体にわたつて速やかに評価されうる利点
がある。
第3図aの実施例においては、ウエハに欠陥が
存在するか否かを判定することが可能で、レーザ
光をλ/4波長板を通して試料15に照射し、そ
のとき得られるPL光16をビジコン30を通し
例えばCRT31でモニターすると、欠陥がある
と同図bに示される如く白く光つた面32に欠陥
33が黒点として現れる。そして、レーザ光を高
励起から低励起状態へとエネルギーを変えると、
例えば低励起状態で検知できなかつた欠陥が高励
起状態で現れることがあり、ウエハの欠陥検知に
有効である。
存在するか否かを判定することが可能で、レーザ
光をλ/4波長板を通して試料15に照射し、そ
のとき得られるPL光16をビジコン30を通し
例えばCRT31でモニターすると、欠陥がある
と同図bに示される如く白く光つた面32に欠陥
33が黒点として現れる。そして、レーザ光を高
励起から低励起状態へとエネルギーを変えると、
例えば低励起状態で検知できなかつた欠陥が高励
起状態で現れることがあり、ウエハの欠陥検知に
有効である。
以上述べてきたように、本発明によれば、励起
光レーザを効果的に試料面に導き、かつ、波長板
の回転により試料面に到達する励起光レーザパワ
ーを簡単に調整することができるので、PL光評
価において所望のデータを迅速かつ的確に得るこ
とができる。また斜め入射系PL評価装置にみら
れるような複雑な光軸調整も必要とせず、つまみ
などを用いてλ/4波長板を回転する簡便な装置
構成で実現できる。
光レーザを効果的に試料面に導き、かつ、波長板
の回転により試料面に到達する励起光レーザパワ
ーを簡単に調整することができるので、PL光評
価において所望のデータを迅速かつ的確に得るこ
とができる。また斜め入射系PL評価装置にみら
れるような複雑な光軸調整も必要とせず、つまみ
などを用いてλ/4波長板を回転する簡便な装置
構成で実現できる。
第1図は本発明実施例PL評価装置を示す図、
第2図aは本発明の他の実施例PL評価装置の図、
同図bはウエハとRef.試料との配置を示す平面
図、第3図aは本発明のさらに他の実施例PL評
価装置の図、同図bはウエハの欠陥を示す図、第
4図は従来例を示す図である。 第1図ないし第4図において、11はレーザ
光、12はレンズ、13は45°ミラー、14はレ
ンズ、15はウエハ、16はPL光、17は全反
射ミラー、18はレンズ、19はフイルター、2
0はチヨツパー、21はモノクロメータ、22は
デイテクター、23はロツクインアンプ、24は
プロツタ、25は顕微鏡、26はλ/4波長板、
27は基準試料、28は走査線、28a,28b
はプロツタに現れる積分強度を表す線、30はビ
ジコン、31はCRT、32はウエハの反対面、
33は欠陥を表す点、である。
第2図aは本発明の他の実施例PL評価装置の図、
同図bはウエハとRef.試料との配置を示す平面
図、第3図aは本発明のさらに他の実施例PL評
価装置の図、同図bはウエハの欠陥を示す図、第
4図は従来例を示す図である。 第1図ないし第4図において、11はレーザ
光、12はレンズ、13は45°ミラー、14はレ
ンズ、15はウエハ、16はPL光、17は全反
射ミラー、18はレンズ、19はフイルター、2
0はチヨツパー、21はモノクロメータ、22は
デイテクター、23はロツクインアンプ、24は
プロツタ、25は顕微鏡、26はλ/4波長板、
27は基準試料、28は走査線、28a,28b
はプロツタに現れる積分強度を表す線、30はビ
ジコン、31はCRT、32はウエハの反対面、
33は欠陥を表す点、である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 サンプル15にレーザ光11を照射し、その
エネルギーにより発生するルミネセンス光16の
評価を行うための45°ミラー13、レンズ12,
14,18、全反射ミラー17、分光部21,2
2、ロツクインアンプ23、プロツタ24から成
る装置において、 45°ミラー13のレーザ光入射側の前方に位置
するレンズ12の前にλ/4波長板26を配置
し、 サンプル15上の所定の位置にレーザ光11を
照射して得られるルミネセンス光16の波長に対
する強度の関係をプロツタ24でモニターする構
成としたことを特徴とする光ルミネセンス評価装
置。 2 サンプル15をレーザ光11に相対的に動か
し、レーザ光11の励起パワー密度に対するルミ
ネセンス光16の積分強度をモニターする構成と
したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の光ルミネセンス評価装置。 3 レーザ光11の励起パワー密度を変化し、そ
れに対するルミネセンス光16の発光状態をモニ
ターしてサンプルの欠陥33を検知する構成とし
たことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
光ルミネセンス評価装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60232404A JPS6292487A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 光ルミネセンス評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60232404A JPS6292487A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 光ルミネセンス評価装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6292487A JPS6292487A (ja) | 1987-04-27 |
JPH0478191B2 true JPH0478191B2 (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=16938713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60232404A Granted JPS6292487A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 光ルミネセンス評価装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6292487A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0426748A1 (en) * | 1988-07-29 | 1991-05-15 | Edinburgh Instruments Ltd. | Electro-optical measuring instruments |
JP2007088389A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Yamaguchi Univ | 半導体発光素子の内部量子効率を測定する装置及びその方法 |
KR101813315B1 (ko) * | 2011-06-24 | 2017-12-28 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 포토루미네선스 이미징을 이용한 발광 반도체 소자의 검사 방법 및 장치 |
CN103134779B (zh) * | 2013-01-31 | 2015-02-18 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 快速检测ii型红外超晶格界面质量的光谱方法和装置 |
CN106611707B (zh) * | 2017-01-11 | 2019-08-09 | 福州大学 | 一种改变GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流随温度变化趋势的方法 |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP60232404A patent/JPS6292487A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6292487A (ja) | 1987-04-27 |
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