JP2003303565A

JP2003303565A - 電子線検査装置

Info

Publication number: JP2003303565A
Application number: JP2002107287A
Authority: JP
Inventors: Taku Oshima; 卓大嶋; Mari Nozoe; 真理野副; Hiroyuki Shinada; 博之品田
Original assignee: Hitachi High Technologies Corp; Hitachi High Tech Corp
Current assignee: Hitachi High Tech Corp
Priority date: 2002-04-10
Filing date: 2002-04-10
Publication date: 2003-10-24

Abstract

(57)【要約】【課題】従来のＳＥＭでは、２次電子を計測するために
Ｓ／Ｎ比の低下がさけられず、計測に長時間を要し、し
かも試料内部の情報は得られなかった。【解決手段】電子源、電子レンズ、電子線偏向器を有し
てなる電子顕微鏡装置において、さらに電子線パルス化
手段、音波測定手段を備え、試料中に入射する電子のエ
ネルギを１０００ｅＶ以下とし、電子線の走査情報と検
出音の情報から試料内部の計測・検査をおこなう。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子線応用装置に係
わり、特に微細で壊れやすい構造からなる試料の測定検
査に好適な電子音響評価装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば特開平９−１７１７９１号公報に
示されるように、従来の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）は
電界放出型もしくは熱電界放出型電子源から放出される
電子線を加速し、電子レンズで細い電子ビームとし、こ
れを一次電子ビームとして走査偏向器を用いて試料上に
走査し、得られる２次電子あるいは反射電子を検出して
像を得ていた。

【０００３】また、電子線を用いて試料内部の音響的な
微細構造を観察する方法が、竹野下寛「電子超音波顕微
鏡の基礎と転位線観察への応用」電子顕微鏡、第２７巻
Ｎｏ２１９９２年１１１ページから１２０ページに記載
されている。この方法では、従来のＳＥＭ（走査電子顕
微鏡）構造において、試料に音波の検出器を接着してお
き、電子線をパルスに変調して試料に照射し、この電子
パルス入射により試料内で発生する音波を検出する。音
波の強度や位相の情報を電子線の走査信号を基に２次元
的に配列させた画像が、電子超音波顕微鏡像である。こ
の方法は、音波が試料内を伝搬してくるために、ＳＥＭ
では観測できない試料内部の情報が得られるという特徴
がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】半導体プロセスでの従
来の電子線を用いたＳＥＭによる検査では、主に電子線
入射により試料から放出される２次電子を検出し、この
強度の分布から寸法や形状の情報を得ていた。２次電子
収率が十分大きい条件でも、入射電子１個に対して出て
くる２次電子数はまちまちである。このため、十分な量
の電子線を照射しなければ、得られるＳＥＭ像のノイズ
が多く、寸法や形状の判別が不可能である。

【０００５】ところが、電子源の輝度やクーロン効果の
制限により、電子線を小さいビームに絞る際には十分な
電流をとることが難しい。さらに、微細な試料は高密度
の電子線のエネルギで損傷を受けやすいという問題があ
る。これらの理由で、電子線照射により半導体の微細加
工形状や寸法の評価をおこなうのに要する測定時間を短
縮するには限界があった。例えば、５０ｎｍの分解能で
１ｋＶの加速条件では、直径３０ｍｍのウェハ全面の検
査に１０時間程度を必要としていた。

【０００６】また、シロキサン等の低誘電率材料は、数
１００ｅＶ以上の電子線照射でも膜が変質し、寸法が変
わる、電気特性が変わるなどの問題があるために、電子
線による検査では一層の低加速化が必須である。しか
し、このような低加速領域では２次電子収率がさらに下
がるため、電子線による測定がいっそう困難になってい
た。

【０００７】一方、従来の電子超音波顕微鏡において
は、電子線の加速電圧が１５ｋから４０ｋＶと高いの
で、試料へのダメージが大きく、かつ分解能が１μｍ程
度と低いため、半導体の微細素子の測定には不適当であ
った。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、本発明の装置は電子源、電子レンズ、電子線偏向器
を有してなる電子顕微鏡装置において、電子線パルス化
手段および音波測定手段を備え、試料に入射する電子の
エネルギを１０００ｅＶ以下としたことを特徴とする。

【０００９】また、本発明においては、高分解能化のた
めに、パルスの繰り返し周波数を高くし、かつ低加速電
圧でも電子線が細く絞れるように、エネルギのそろっ
た、すなわち単色性のよい電子源を用いる。この目的に
は、負の電子親和力（ＮＥＡ）を用いたホトカソードが
好適である。

【００１０】また、本発明においては、電子線照射によ
る微細な領域から放射される微弱な音波を感度よく検出
するために、圧電素子もしくは超伝導素子あるいは光に
よる計測手段を有する。

【００１１】

【発明の実施の形態】（実施例１）図１に本発明の一実
施例の装置構成を示す。図において、光源装置８からの
励起光４が集光レンズ５により真空層１０内のホトカソ
ード１に焦点を結び、ここから電子が放出され、引出電
極２により、電子線３となり電子光学系に導かれる。こ
の電子源の詳細を図２に示す。また、励起光の光源８の
詳細を図３に示す。

【００１２】電子源１は、透明基板１０１にホトカソー
ドＧａＡｓ膜１０２を貼り付けたものからなる。上記電
子源１を真空内部において活性化手段６中で表面クリー
ニングした後、その表面にはＣｓとＯを吸着させる。電
子源１を収容するの真空容器１０内はあらかじめベーキ
ングされ、イオンポンプ（図示略）とアノードベークヒ
ータ１６に接している非蒸発ゲッタ３０により排気さ
れ、圧力２×１０^−８Ｐａ以下という、超高真空に保た
れる。

【００１３】励起光４は、上部に置かれた励起光源８で
発生させたパルス化された６００ｎｍから８００ｎｍの
平行なレーザ光であり、真空装置の窓７を通り、集光レ
ンズ５によってホトカソード膜１０２上で焦点を結ぶ。
集光レンズ５は、励起光４が透明基板１０１内を通り、
ホトカソード膜１０２上で最小のスポット径が得られる
ように球面収差が補正された非球面レンズである。ま
た、ホトカソード膜１０２上で焦点を結ぶために、反射
光３８を焦点検出系３２に導く。

【００１４】焦点検出系３２は集光レンズで結像した光
をアパーチャやナイフエッジやＣＣＤなどで観測するこ
とで、カソード１上での焦点位置を決定するために用い
られる。焦点検出系３２からの信号を元に、集光レンズ
位置５を調節する。集光レンズ５はベローズ３１により
懸架され、取付け台１１により調節される。さらに微細
な調節は、集光レンズ５に入射前の励起光４の平行光
を、わずかに発散収束させて調節する。

【００１５】電子源１から下の基本的な構成は、低加速
用のＳＥＭと同様である。試料表面に入射する電子線３
の加速電圧はカソード電圧Ｖ_０とリターディング電圧Ｖ
_ｒにより決まり、２ｋＶから５０Ｖの範囲で調整可能で
あるが、試料の損傷を考慮すると１ｋＶ以下、特にシロ
キサンやレジストや有機物膜などの観察には３０Ｖから
５００Ｖが好適であり、より高精度の測定には、長時間
の電子線照射でも変形の少ない３００〜２００Ｖ以下の
加速で測定する必要がある。

【００１６】励起光４はパルス発生器２８の信号により
パルス化され、これによって電子線３もパルス化され
る。試料の下には圧電素子（ＰＺＴ）２３が置かれ、こ
れにより試料からの音響が電気信号に変換される。検出
された音波信号はロックインアンプ１０４に入り、パル
ス発生器２８からの参照信号を元に検波される。この結
果、パルス化された電子線３により試料２１の表面で発
生し、試料内部を伝搬してきた音波の強度と、参照信号
からの位相のずれが検出される。

【００１７】上記音波の強度には、試料の音速、内部損
失、多層構造による遮蔽などの効果が現れる。位相のず
れには、試料内部の欠陥や材質の違いなどの情報が含ま
れている。なお、位相のずれを高感度に検出するには、
試料の厚さよりも音波の波長が長いことが好ましく、試
料としてＳｉ基板を用いる場合、Ｓｉ中の音速は約７５
００ｍ／ｓｅｃであり、パルス幅１００ｎ秒（波長７５
０μｍ）以上が好ましい。

【００１８】図４には、励起光源にレーザダイオード
（ＬＤ）を用いた場合のＬＤドライブ回路４０の例を示
す。図の４１は定電流源、４２はＰＤバイアス電源であ
る。このＬＤコントローラによりレーザダイオードＬＤ
のＤＣバイアス電流ＩＬＤを設定し、ホトダイオード
（ＰＤ）で計測した光強度信号に相当する電流値ＩＰＤ
をモニタする。これに、パルス発生器２８からのパルス
信号を重畳させてＬＤからパルス光を発生させる。この
場合、ＬＤの入力電流に対する光出力の非線型性を利用
し、パルス出力はＩＬＤで制御している。

【００１９】パルスの繰り返し周波数は１ｋＨｚから１
０ＧＨｚまで可変である。偏向器１５により電子線３を
スキャンするが、通常の検査では、この繰り返し周波数
は１Ｈｚから数ＭＨｚ程度であり、パルスの繰り返し周
波数はこれよりも十分大きい値を選ぶ。

【００２０】なお、本実施例では図３に示すように光源
にレーザダイオード（ＬＤ）３３を用いているために、
周波数の上限はＬＤ３３の周波数特性で決まっている。
より高速の変調にはＱスイッチなどが利用可能である。
ＮＥＡホトカソードの上限がパルス幅数ｐ秒、繰り返し
１００ＧＨｚ程度である。

【００２１】図９に本実施例を適用した試料観察例を示
す。図９（ａ）は試料断面図である。この試料は、Ｓｉ
基板上に厚さ１μｍのシロキサンの膜を形成し、これに
幅０．３μｍのコンタクト用穴を開け、この穴の中にメ
ッキ処理によりＣｕを埋め、表面を削って形成したもの
である。

【００２２】図中、配線Ａは良好配線Ｂ，Ｃ，Ｄはそれ
ぞれ不良である。すなわち配線Ｂはメッキ工程の不良で
内部に空洞ができたもの、配線Ｃは前処理の不良でＳｉ
とＣｕの間に空洞ができたもの、配線Ｄはエッチングの
不良で穴の底にＳｉ酸化物が残ったものである。

【００２３】ＣｕからＳｉ基板への電気的な導通を調べ
ると、配線Ｂ，Ｃ，Ｄは導通がないため、例えば、従来
のＳＥＭでも像のコントラストが異なることで検出でき
るが、配線不良の原因の区別は不可能であった。また、
シロキサンは電子線照射で縮みやすく、これを防ぐため
には加速電圧３００Ｖ程度と低加速にする必要がある
が、このような低加速では２次電子量が少なく、かつシ
ロキサンのチャージアップが激しくなるために、高精度
の寸法測定は不可能であった。

【００２４】図９（ｂ）は本発明による観察結果であ
り、１次元方向に３００Ｖの電子ビームを走査して得ら
れた音波強度である。配線ＡのＣｕ部分では、Ｃｕとシ
ロキサンの音速と音波の減衰が異なるために、信号強度
が周りに比べて高くなっており、Ｃｕがあることが明瞭
に観察される。配線Ｂ，Ｃの場合は、内部に空洞がある
ため音波の伝搬が阻害され、強度が著しく下がってい
る。また、配線ＢとＣでは、空洞の形状が異なることか
ら、音波強度のパターンが異なっている。一方、配線Ｄ
では、ＣｕとＳｉの間に固いＳｉＯ_２層が入ったため
に、音波が伝搬し易くなり、音波強度はＣｕのみの場合
と比べてかなり大きくなっている。

【００２５】これらの測定は、電子線１パルス当たり必
ず一つの山のパルスが観測されるために、きわめてＳ／
Ｎ比がよい画像が得られるという利点がある。従来のＳ
ＥＭでは１画像当たり８から３２回スキャンしてこれら
の平均をとるか、測定用にきわめてゆっくりスキャンし
ていたが、本発明では高速のスキャン１回で実用的な画
像が得られる。従って、本発明によれば、今までＳＥＭ
で実現できなかった高速化を達成できる。例えば、電子
線の径を５０ｎｍとし、電流１００ｎＡで、パルスの繰
り返し周波数を１ＧＨｚとし、加速電圧を１ｋＶとした
とき、直径３０ｃｍの基板全面を検査する場合でも所要
時間は約１時間となる。

【００２６】図１０には本実施例を適用したもう一つの
試料観察例を示す。この試料は、Ｓｉ基板に素子分離用
の溝を設け、これをＳｉＯ_２で埋めたものであるが、こ
のＳｉＯ_２下部に空洞ができるという不良は、従来のＳ
ＥＭでは検出不可能であった。図１０（ｂ）に本発明に
よる観察結果を示す。この場合、加速電圧１ｋＶであ
る。埋め込みが良好であれば、ＳｉＯ_２／Ｓｉ界面で音
波の反射があるためにＳｉ基板領域に比べＳｉＯ_２領域
の音波強度が若干低く観測される。ところが、ＳｉＯ_２
下部に空洞がある場合は、音波の伝搬が著しく阻害され
るために、さらに強度が下がる領域が明瞭に観察され
る。通常のＳＥＭによる検査方法では、絶縁体下部の空
洞のような欠陥は観察不可能であり、試料を破壊し、断
面を露出して初めて観察可能となるが、本発明を用いれ
ば、比破壊で感度よく観察可能となる。

【００２７】なお、本実施例においては、音波検出手段
としてＰＺＴ２３を用いたが、圧電体素子であればほか
の材料を用いても同様の効果がある。また、移動ステー
ジ２４上に静電チャックを設け、この上にＰＺＴ２３を
置くか、静電チャックの絶縁体としてＰＺＴ２３を用い
てもよく、この場合、移動ステージ２４と試料２１との
間に高電圧を印加して試料２１とＰＺＴ２３を密着させ
ると、音波の伝搬がよくなり感度が向上する利点があ
る。

【００２８】なお、本実施例においては、音波検出手段
として１枚のＰＺＴ２３を用いたが、複数用いてもよ
く、例えば図５（ａ）のように、小さい音波検出器５１
を並べて用いてもよい。この場合、音波の発生源の直下
の音波信号を効率的に測定でき、パルスの繰り返し周波
数を１０ＭＨｚ以上にしても感度よく観察できる。従っ
て、周波数を高くできることから、分解能が高くなる、
あるいはスキャンスピードを高くできることから計測の
高速化を達成できるなどの利点が得られる。

【００２９】また、音波検出手段として、図５（ｂ）の
ように音波ガイド５２を介してＴＥＳ音波センサ５３を
用いてもよい。ＴＥＳ音波センサは、超伝導体からな
り、音波のもたらす微少な熱変化を超伝導体の転位端で
電流値の変化としてとらえるために、強度のリニアリテ
ィーがよく、感度もきわめて高いという特徴がある。従
ってこの場合、寸法が微細もしくは、その物理量の変化
が微小な欠陥を感度よく検出できるという特徴がある。

【００３０】さらに、パルス電子線の電流量も少なくて
すむために、きわめて低加速で高分解の観察が可能とな
る。なお、この場合、超伝導体に入った音波が緩和する
までの待ち時間が必要となるために、パルスの繰り返し
周波数は１ＭＨｚ以下で用いる。また、ＴＥＳ音波セン
サ５３を稼働させるために冷却器５４が必要となる。こ
の冷却器５４は、試料室２５の排気ポンプとしても機能
するために、試料表面の電子線による汚染の少ない観察
が可能となる。

【００３１】音波検出手段として、固体中の音波５０を
光で測定してもよい。例えば、図６（ａ）に示すよう
に、パルス電子ビーム３の入射で試料表面にできる音波
６６を、プローブ光６０入射による反射光６１あるいは
散乱光６２の強度変化として検出してもよい。音波が強
い場合には散乱光６２が増加し、反射光６１は減少する
ので、光検出器６５の出力信号が音波信号となる。

【００３２】試料２１表面の音波６６の周期は、物質の
音速とパルスの周期で決まるので、これと光が干渉する
ようにプローブ光６０の波長と入射角を選ぶと、高感度
な観察ができる。同様に、散乱角も最適位置を選ぶこと
で高感度化が達成される。なお、ここでプローブ光６０
の光源６３を電子線パルスと同期したパルスで変調する
と、音波の位相情報が得られる。また、このシステムを
試料の高さ検出器として機能させることも可能である。

【００３３】図６（ｂ）は光による音波検出の他の方法
を示す。本実施例は、試料２１の下に、ライトガイド６
７を密着させ、この内部を伝搬する音波５０をプローブ
光６０に対する散乱光６２で観測する。散乱光６２の中
には、波長が変わっているものがあるために、モノクロ
メータ（図示略）あるいはヘテロダイン検波（図示略）
等をおこなうことで、きわめて高速に検出可能で、電子
線パルスの繰り返し周波数が１０ＧＨｚ以上でも検出可
能である。また、光散乱光はライトガイド６７を用いな
くても観測可能であり、例えば図６（ｃ）のようにプリ
ズム６８を用いてプローブ光６０を試料内部に入射し、
他のプリズム６８から反射光６１と散乱光６２を取り出
してもよい。

【００３４】例えば試料２１がＳｉ基板の場合、プロー
ブ光は赤外線を用いる。試料２１中は赤外線に対しては
透明で、高屈折率な媒質であるめに、内部反射で試料２
１中を光が伝搬する。この方法を用いると、きわめて高
感度な計測が可能となる。

【００３５】なお、光を用いて音波を検出する際に、図
７に示すように電子源１の励起光源８からの参照光３７
を用いてもよい。この参照光３７は図３中にあるよう
に、励起光４がビームスプリッタ３６を通過するときに
得られる。なお、このビームスプリッタ３６は焦点検出
系３２に反射光３８をもたらすためにある。

【００３６】図７に示すように、音波の検出に用いるプ
ローブ光６０は、参照光３７もしくはこれに同期した光
である。この光と反射光６１と散乱光６２を散乱光検出
器７１内に導き、干渉させることで、散乱光を検出す
る。この方法を用いると、きわめて高速かつ高感度で音
波検出をおこなえる利点がある。なお、プローブ光６０
の最適条件は必ずしも励起光４と同一の波長や位相では
ないために、位相／波長コンバータ７０を通し、最適化
して用いる。

【００３７】以上の実施例において、電子源にはＧａＡ
ｓ、表面吸着層としてＣｓ−Ｏを用いたが、ｐ型半導体
と低仕事関数吸着層の組合せで負の電子親和力により電
子放出する系であれば、ほかの材料を用いても同様の効
果がある。

【００３８】例えば、ｐ型の半導体として、ＧａＡｓ，
ＡｌＡｓ，ＩｎＰ，ＩｎＡｓ，ＧａＰ，ＧａＮ等の化合
物半導体もしくはこれらの混合物あるいはＳｉ，Ｇｅ，
Ｃもしくはこれらの混合物の単結晶でもよい。低仕事関
数吸着層は、ＣｓもしくはＢａ金属の吸着層あるいはＢ
ａ−Ｏ、Ｃｓ−Ｆ、Ｂａ−Ｆでもよい。

【００３９】なお、本実施例では電子源として光励起方
式の電子源を用いたが、図８に示すようなＺｒ／Ｏ／Ｗ
ショットキ電子源などの高輝度単色電子源を用いてもよ
い。この場合、電子線のエネルギ幅が光励起方式の０．
１ｅＶに比べて広く、０．４ｅＶ以上であるため、加速
電圧１００から１０００Ｖの比較的高い方の条件で用い
る。また、この場合、電子線３をパルス化するために、
電子光学系にブランキング装置８３を設け、これにパル
ス発生器２８からのパルス信号をアンプ８４により１０
０Ｖから１０００Ｖに増幅して印加する。アパーチャ１
７により電子線３がパルス化される。

【００４０】この場合、パルスの繰り返し周波数の上限
は１０ＭＨｚ程度となる。また、既存のＳＥＭと共存で
きる構造であるために、既存装置の改造と部品の追加に
より比較的簡便に装置を構成できる利点がある。

【００４１】

【発明の効果】以上実施例を用いて説明したように、本
発明を用いることによって、低加速で高感度の試料観察
がおこなえるようになり、半導体の検査装置に用いると
きわめて高速での検査が可能となる。

【００４２】また、試料内部の情報が得られるために、
従来の方法では非破壊での観察が不可能であった内部構
造や内部欠陥までを非破壊で観察できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の電子線検査装置の概略縦断
面図。

【図２】本発明の一実施例の電子線源部の縦断面図。

【図３】本発明の一実施例の励起光源部の断面図。

【図４】本発明の一実施例のＬＤコントローラの構成を
示す回路図。

【図５】本発明の一実施例の音波検出手段の断面図。

【図６】本発明の一実施例の音波検出手段の断面図。

【図７】本発明の一実施例の音波検出手段のブロック
図。

【図８】本発明の一実施例の電子線検査装置の概略縦断
面図。

【図９】本発明の一実施例の電子線検査装置による測定
結果の説明図。

【図１０】本発明の一実施例の電子線検査装置による測
定結果の説明図。

【符号の説明】

１…ホトカソード、１０１…透明基板、１０２…ホトカ
ソードＧａＡｓ膜、１０３…制御装置、１０４…ロック
インアンプ、１０５…ディスプレー、２…電子引き出し
電極、３…電子線、４…励起光、５…集光レンズ、６…
カソード活性化手段、７…窓、８…光源装置、９…カソ
ードホルダ、１０…真空容器、１１…光源取付け台、１
２…コンデンサレンズ、１３…差動排気穴、１４…対物
レンズ、１５…偏向器、１６…アノードベークヒータ、
１７…アパーチャ、１８…ブースター電極、１９…電子
検出器、２０…速度弁別器、２１…観察試料、２２…試
料固定台、２３…ＰＺＴピックアップ、２４…移動ステ
ージ、２５…試料室、２６…試料導入室、２７…差動排
気室、２８…パルス発生器、２９…アパーチャホルダ、
３０…非蒸発ゲッタ、３１…ベローズ、３２…焦点検出
系、３３…レーザダイオード、３４…コリメータレン
ズ、３５…ドライブ回路、３６…ビームスプリッタ、３
７…参照光、３８…反射光、４０…ＬＤドライブ回路、
４１…定電流源、４２…ＰＤバイアス電源、５０…音
波、５１…ＰＺＴ音波検出器、５２…音波ガイド、５３
…ＴＥＳ音波センサ、５４…冷却器、６０…プローブ
光、６１…反射光、６２…散乱光、６３…プローブ光
源、６４…レンズ、６５…光検出器、６６…表面の音
波、６７…光ガイド、６８…プリズム、７０…位相／波
長コンバータ、７１…散乱光検出器、８０…Ｚｒ／Ｏ／
Ｗショットキ電子源、８１…サプレッサ、８２…引出電
極、８３…ブランキング装置、８４…アンプ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｊ 37/244 Ｈ０１Ｊ 37/244 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｈ０１Ｌ 21/66 ＣＮ (72)発明者品田博之東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内Ｆターム(参考） 2G001 AA03 AA07 BA07 CA03 CA07 DA02 GA01 GA06 JA08 KA03 LA11 MA05 PA11 4M106 AA01 AA02 AA11 BA02 BA20 CA15 CA38 CA70 DB05 DH20 5C030 CC02 CC03 CC07 5C033 NN10 NP08 UU04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子源、電子レンズ、電子線偏向器を有し
てなる電子顕微鏡装置において、さらに電子線パルス化
手段、音波測定手段を備え、試料中に入射する電子のエ
ネルギを１０００ｅＶ以下としたことを特徴とする電子
線検査装置。
【請求項２】請求項１において、電子源は真空中にあっ
て励起光入射により電子を放出する手段であるホトカソ
ードと、入射する励起光の光源装置と、発生する電子を
引き出す引出し電極よりなる光励起電子線源であり、上
記ホトカソードはｐ型の半導体薄膜であり、ＧａＡｓ，
ＡｌＡｓ，ＩｎＰ，ＩｎＡｓ，ＧａＰ，ＧａＮ等のIII
−Ｖ族もしくはこれらの混合物あるいは、Ｓｉ，Ｇｅ，
Ｃもしくはこれらの混合物の単結晶からなり、表面にＣ
ｓもしくはＢａ金属の吸着層もしくはこれら吸着層に酸
素もしくはフッ素を吸着させた低仕事関数をもち、励起
光強度を周期的に増減させ、繰り返し周波数は１ｋＨｚ
から１０ＧＨｚで用い、試料に入射する電子線のエネル
ギを３０ｅＶから５００ｅＶで用いることを特徴とする
電子線検査装置。
【請求項３】請求項１または２において、ＰＺＴ等の圧
電効果を用いた音波測定手段を有してなることを特徴と
する電子線検査装置。
【請求項４】請求項１または２において、超伝導体を用
いた音波測定手段と上記超伝導体の冷却装置を有し、電
子線パルスの繰り返し周波数を１ｋＨｚから１ＭＨｚで
用いることを特徴とする電子線検査装置。
【請求項５】請求項１または２において、光の反射もし
くは散乱を計測して音波を測定する手段を有してなるこ
とを特徴とする電子線検査装置。
【請求項６】請求項１または２において、測定した音波
の強度もしくは音波と電子パルスとの位相のずれを、試
料上の電子線照射位置に対応して表示する手段を有して
なることを特徴とする電子線検査装置。