JPH0535983B2 - - Google Patents

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JPH0535983B2
JPH0535983B2 JP61178986A JP17898686A JPH0535983B2 JP H0535983 B2 JPH0535983 B2 JP H0535983B2 JP 61178986 A JP61178986 A JP 61178986A JP 17898686 A JP17898686 A JP 17898686A JP H0535983 B2 JPH0535983 B2 JP H0535983B2
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Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、半導体ウエハの品質を検査する方法
に関する。
発明の背景 半導体装置を製造する場合、この装置を作る半
導体材料の表面は物理的欠陥および結晶欠陥がほ
とんどないものでなければならない。良好な電気
的性質を持つ信頼性の高い装置を得るには結晶の
完全度を十分に大きくしなければならない。この
ような半導体装置の性質を制御するには半導体装
置を作るために用いられる半導体材料の品質を決
定できなければならない。
半導体材料(例えば、シリコン、InP、
InGaAsPなど)の欠陥には転位やスタツキング
欠陥、酸素の沈着、および重金属の沈着などがあ
る。この様な欠陥は大きさが1〜2ミクロン程度
で、エツチピツト分析法やX線トポグラフイ法、
電子ビーム誘起電流法などを含む多くの方法によ
り検出されている。
エツチピツト分析法はシリコンウエハをエツチ
ングし、次に干渉顕微鏡により欠陥領域で生成し
たピツトを観測している。個々のスタツキング欠
陥や転位、ソーサー状ピツトは、エツチング後、
各欠陥が成長を惹起するピツトの形状により識別
可能である。1方、X線トポグラフイー法はX線
ビームやウエハ、フイルムをセツトし、ブラツグ
反射した光線をとらえることにより欠陥を検出し
ている。上記の3つの要素の相対的な角度位置
は、X線ビームが欠陥のない材料に当つた時はブ
ラツグの反射則が満足されるが、欠陥に遭遇する
と満足されないように設定する。この場合、フイ
ルムとサンプルは移動させて、ウエハ上の全ての
点における反射ビーム強度がフイルム上にマツプ
(mapped)されるように配置する。3〜20時間
露出を続けると空間分解能は約1〜10ミクロンに
なる。
電子ビーム誘起電流(EBIC)法は走査は走査
形電子顕微鏡(SEM)内で行われる。即ち、
SEMビームによりサンプル内にキヤリアを誘起
し、これ等のキヤリアを電場により分離してい
る。この電場はサンプル内のpn接合やサンプル
の表面のシヨツトキー接合により、或いは外部電
場内にサンプルを配置することにより得られる。
サンプルに対する接触は銀ペースト或いはばねを
負荷した細線を用いるのが一般的である。SEM
ビームはx−y面内でラスター走査されるので、
集められたキヤリアはx−y表示の強度変調を与
える。欠陥部分でキヤリアが再結合すると、これ
等の欠陥は表示スクリーン上に暗くなつて現わ
れ、空間分解能は0.5ミクロンに低下する。これ
等の方法は半導体材料の欠陥を高分解能で表示す
るが、破壊的で、時間がかかり、真空が必要であ
る。
半導体ウエハの電気的な不均一性を決定する非
破壊光学法の1つが1980年7月8日発行のクライ
ンクネヒト(Kleinknecht)に対する米国特許第
4211488号に記載されている。この特許による方
法は、半導体ウエハの結晶欠陥やドーピング成長
縞の発生により光励起中のキヤリアの寿命およ
び/または移動度が低下したり、従つて材料の赤
外線反射率が変化することを利用するものであ
る。電気的な不均一や欠陥領域は半導体ウエハ材
料のバンドギヤツプ以上のエネルギーの単色光ビ
ームで半導体ウエハの領域を照射して検出され
る。これは高密度の電子と正孔を光励起し(即
ち、光ポンプし)、従つてポンプされた領域の赤
外線反射率が変化することによる。ウエハの同じ
表面領域が半導体材料のバンドギヤツプ以下のエ
ネルギーの第2単色光ビームで同時に照射され、
これによりこのビームの1部が表面から反射され
る。
もしモニタしている領域が低い欠陥密度および
高いキヤリヤ移動度を持つ場合は、表面の反射率
は光励起中変化し、従つて反射した第2ビームの
強度も変化する。しかしながら、上記モニタ領域
内の欠陥密度が高い時は、表面の反射率は光励起
中も変化せず、従つて反射第2ビームの強度も変
化しない。このような反射ビーム強度が検出され
ると、その大きさはキヤリアの移動度と再結合時
間の尺度となり、この尺度は半導体材料の表面ま
たはその近傍の欠陥密度に関係している。クライ
ンクネヒトの特許では光ビームは約0.25平方mmの
領域を同時に照射している。
このような方法は0.25平方mmの面積にわたる。
キヤリアの平均寿命と移動度に関する情報は与え
るが、1〜2ミクロンの大きさの個別の欠陥を分
析することはできない。これに対しては2つの基
本的な理由が考えられる。1つは、バンドギヤツ
プ以下のエネルギーで発振するレーザはスペクト
ルの赤外部分のうち長波長の光を与える。基本的
な回折理論によると、得られる最小のスポツトサ
イズは波長のf数倍に比例するので欠陥検出に用
いられる波長の赤外光は10〜20ミクロン程度のス
ポツトを与えることになる。第2に、クラインク
ネヒトの特許によるプローブビームはウエハ表面
の法線に対する入射角が大きい。従つてプロブビ
ームのスポツトは更に大きくなる。従つて、基本
的な光学理論によれば、かかる方法はミクロンサ
イズの個々の欠陥を分析できる程十分小さなスポ
ツトに赤外線ビームを集光することはできない。
しかしながら、ミクロンサイズの特徴を持つ
VLSIに対する欠陥の影響を知ることは重要であ
り、従つてミクロンサイズの欠陥を分解すること
には多くの関心が集まつている。
以上に記載したように、1〜2ミクロンの大き
さの個々の欠陥を分析できる非破壊欠陥検出シス
テムが必要である。
発明の要約 以上の目的を達成するため、本発明による半導
体表面の、或いはその近傍の個別欠陥を検出する
方法は、半導体材料のバンドギヤツプエネルギー
以下のエネルギーレベルを持つ単色赤外光ビーム
を半導体表面の第1領域に向けて照射すること
と、上記半導体材料のバンドギヤツプエネルギー
以上の時間変調単色光ビームを半導体表面に同時
に向けて照射することと、この時間変調光ビーム
を上記第1領域よりかなり小さく、且つその領域
内にある第2領域に集光し、この光ビームのエネ
ルギーは前記表面によりかなり吸収されてこの表
面内の、或いは近傍の電子と正孔を励起すること
と、上記半導体表面から反射された赤外光ビーム
の強度を検出することと、更に時間変調光ビーム
の周波数で変調した検出赤外線ビーム強度の部分
だけを処理して半導体表面内の、或いはその近傍
の個別欠陥を位置づけることとから構成される。
実施例 第1図は上記クラインクネヒトに記載された公
知の方法を概略図示したものである。10Hzで変調
したレーザ12とプローブレーザ、すなわちレー
ザ14からの光ビームが共に半導体基板16に照
射される。レーザ12は、基板16の材料のバン
ドギヤツプ以上のエネルギーを与えるポンプビー
ムを放射し、1方レーザ14は同基板材料のバン
ドギヤツプ以下のエネルギーを与えるビームを放
射する。これ等のレーザビームの基板16への入
射は約0.25平方mmの領域17で一致させている。
基板16の表面内、或いはその近傍に低欠陥密度
がある場合、表面の赤外反射が変化し、従つてレ
ーザ14からのビームの反射光量が変化する。し
かし、同表面内或いはその近傍の欠陥密度が大き
い場合はその反射率は光励起中ほとんど変化せ
ず、従つて反射ビーム14の強度もほぼ一定であ
る。
次に、レーザ14からの光ビームは基板16の
表面から反射され、検出器18に入射し、その強
度が測定される。この強度情報の全てが電気信号
に変換され、オシロスコープに(図略)送られ、
電気信号の強度がボルトで表示される。既に記載
したように、この方法は0.25平方mmにわたる平均
キヤリア寿命と移動度に関する情報は与えるが、
1〜2ミクロンの個々の欠陥を分析するものでは
ない。
第2図に概略図示した本発明による方法は上記
の問題点を克服するものである。バンドギヤツプ
以下のプローブレーザ、すなわちレーザ32から
の単色赤外(10.6μm)プローブ光ビーム34が
シリコン基板16に、ブリユースタ角
(Brewster angle)で入射される。このプローブ
ビーム34はレンズ36を通つて基板16に集光
される。プローブビーム34が基板16に垂直な
面に79゜の角度で入射すると、基板には約0.126平
方mmのプローブスポツト38が形成される。
これと同時に、バンドギヤツプ以上のポンプレ
ーザ、すなわちレーザ42からのポンプビーム4
4が基板16に照射される。レンズ46によりビ
ーム44が集光され、基板16に直径が約2μmの
小さなポンプスポツト48が形成される。この集
光ポンプビーム44は既に記載したように、半導
体材料の赤外反射率を変化させる。上記の小さな
ポンプスポツト48はこれよりはるかに大きなプ
ローブスポツト38内に形成される。ポンプスポ
ツト48とプローブスポツト38の相対的な大き
さは説明上実際とは異なつて示してある。更に、
上記ポンプビーム44は音響セル(図略)を通
り、例えば30KHzで変調される。
プローブビーム34が基板16の表面から反射
され、レンズ52を介して検出器54に入射し、
そこで反射光強度が電気信号に変換される。上記
検出器54とそれに関連する電子回路は、ポンプ
ビーム44の30KHz周波数で変調されたプローブ
ビーム34からの反射光から得られた信号だけを
処理するように構成される。既に説明したよう
に、ポンプビーム44は欠陥がない場合は基板1
6の表面の赤外反射率を変化させるが、ポンプス
ポツトが欠陥を照射した場合は殆んど変化しな
い。従つて、ポンプスポツト48に入射したプロ
ーブビーム34の部分はポンプビーム44の30K
Hz周波数で変調され、これは表面反射率をその周
波数で変化させる。
更に、上記変調ポンプビーム44は公知の方法
でポンプビームおよび/または基板16を選択的
に移動させることによりプローブビーム34の
0.126平方mmスポツト内でラスタ走査される。こ
のようにプローブスポツト38をポンプスポツト
48により完全に走査したら、ウエハ16上の他
の位置に移動させ、ポンプビームスポツト48が
再び走査される。このプロセスは、ウエハ16の
全表面が走査され、反射が検出されるまで反復さ
れ、結果はビデオ装置(図略)に送出され可視表
示される。
第3図は、本発明による欠陥検出システムの光
学系と電子回路の実施例を示すブロツク図であ
る。波長0.488μmの300mW水冷アルゴンポンピ
ング用レーザ52がビームスプリツタ54、ビー
ム44を30KHzで時間変調する音響光学(AO)
変調器56、ガルバノメータミラー58、および
集光光学系62を介してシリコン基板16に照射
される。アルゴンポンピング用レーザ52から約
30mWの光パワーがウエハ16の表面に入射し、
わずかに表面を損傷させるような強度密度を与え
る。1方、5ワツト空冷式のCO2プローブ用レー
ザ64から約1.5ワツトのレーザ光が固定ミラー
66により反射されてビーム34になり集光レン
ズ36を通して基板に垂直な面に対して79゜の入
射角で基板16の上記ポンピングビームと同じ位
置に入射される。このプローブビーム34はウエ
ハ16の表面から反射され、更に固定ミラー68
で反射されて、ロツクインインプ74の入力に出
力を結合したHgCdTe検出器72に入射する。こ
れ等の検出器72とロツクインアンプ74は30K
Hzの周波数で変調された反射プローブビーム34
の強さの一部だけを処理する。このような方法に
よると、ポンプビーム44の可視放射に典型的な
スポツトサイズがプローブビーム34のより長波
長の赤外放射に変換され、都合が良い。
光検出器76は、ビームスプリツタ54からの
反射光を検出し、その情報をロツクインアンプ7
4の入力に送出することによりポンプレーザビー
ム44の位置をモニタする。ロツクインアンプ7
4の駆動用端子からの信号は音響光学変調器56
に送られ、ロツクインアンプ74の入力が受信の
ために調整された周波数と同じ周波数でポンプビ
ーム44を変調する。このロツクインアンプ74
の出力は走査制御装置78およびビデオ表示装置
82への出力を有するコンピユータ77に送出さ
れる。この走査制御装置78の出力は可動テーブ
ル80とガルバノメータ制御ミラー58に結合さ
れ、これ等のテーブルとミラー58の相対位置を
制御する。
ここで基板16は、x、y、zおよびQ方向に
移動自在の上記可動テーブル80に支承された石
英製真空チヤツク(図略)に装着される。Zステ
ージにより基板16を集光スポツト内に配置す
る。Z方向の集光位置は使用レンズの焦点深度に
応じて一つの走査位置から他の走査位置へと変化
する。ウエハ16の表面上の種々の箇所へのアク
セスはYおよびQステージを用いて行われる。上
記Xステージと回転自在ガルバノメータミラー5
8を用い、公知の方法により約30秒のフレーム速
度でラスタ走査が行われる。上記の4個のステー
ジおよびガルバノメータ58の全てはコンピユー
タ77の制御下で動作する。
【図面の簡単な説明】
第1図は、公知の欠陥検出システムの概略図で
あり、第2図は、本発明による欠陥検出システム
の概略図であり、第3図は、本発明による欠陥検
出システムのブロツク図である。 〔主要部分の符号の説明〕 12,42…ポン
プレーザ、14,32…プローブレーザ、16…
基板、18,54,72,76…検出器、36,
46,52,62…レンズ、56…音響光学変調
器、58…ガルバノメータミラー、74…ロツク
インアンプ、77…コンピユータ、78…走査制
御装置、80…x−y−zステージ、82…ビデ
オスクリーン。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 半導体材料の表面の或いはその近傍の個々の
    欠陥の検出法であつて、 半導体材料のバンドギヤツプエネルギー以下の
    エネルギーレベルを有する単色赤外ビームを半導
    体表面の第1領域に向けて照射することと; 半導体材料のバンドギヤツプエネルギー以上の
    エネルギーレベルを有する単色光の時間変調ビー
    ムを前記半導体表面に向けて照射することと; 第1領域よりかなり小さく、且つその領域内の
    第2領域に前記時間変調光ビームを集光し、該光
    ビームのエネルギーが前記半導体表面によりほぼ
    吸収されて該材料表面内の、或いは該表面近傍の
    電子と正孔を励起し、前記表面の反射率を変化さ
    せなることと; 前記半導体表面から反射された赤外光ビームの
    強度を検出することと、更に、 前記時間変調光ビームの周波数で変調された前
    記検出赤外線ビーム強度のその部分のみを処理し
    て前記半導体表面内に、或いは該表面近傍に欠陥
    を位置づけることとから構成された半導体材料の
    表面内の、或いは該表面近傍の個々の欠陥の検出
    法。 2 前記バンドギヤツプ以上の光ビームをラスタ
    走査して前記第2領域内で前記第1領域を移動さ
    せることと、 前記変調周波数で表面から反射された前記バン
    ドギヤツプ以下の光ビームのみからの光の強度を
    検出することとからなることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項に記載の欠陥検出法。 3 前記第1領域がほぼ0.126平方mmであり、 前記第2領域の直径が約1〜2ミクロンのスポ
    ツトであることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項に記載の欠陥検出法。 4 前記半導体材料はシリコンであることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項に記載の欠陥検出
    法。 5 前記半導体材料はInPであることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項に記載の欠陥検出法。 6 前記半導体材料はInGaAsPであることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項に記載の欠陥検出
    法。 7 前記プローブビームは前記表面に垂直な面に
    対し79゜の半導体表面に対する入射角を有するこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の欠
    陥検出法。 8 前記時間変調ビームはアルゴンレーザにより
    発生され、且つ、 前記赤外線ビームはCO2レーザにより発生され
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
    の欠陥検出法。
JP61178986A 1985-08-02 1986-07-31 半導体材料の欠陥の光学的検出方法 Granted JPS6258143A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/762,086 US4652757A (en) 1985-08-02 1985-08-02 Method and apparatus for optically determining defects in a semiconductor material
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Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6258143A JPS6258143A (ja) 1987-03-13
JPH0535983B2 true JPH0535983B2 (ja) 1993-05-27

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61178986A Granted JPS6258143A (ja) 1985-08-02 1986-07-31 半導体材料の欠陥の光学的検出方法

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US (1) US4652757A (ja)
EP (1) EP0211590B1 (ja)
JP (1) JPS6258143A (ja)
KR (1) KR950010389B1 (ja)
CA (1) CA1243418A (ja)
DE (1) DE3679250D1 (ja)

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4952063A (en) * 1985-03-01 1990-08-28 Therma-Wave, Inc. Method and apparatus for evaluating surface and subsurface features in a semiconductor
US4795260A (en) * 1987-05-15 1989-01-03 Therma-Wave, Inc. Apparatus for locating and testing areas of interest on a workpiece
US4823368A (en) * 1987-06-30 1989-04-18 Rikagaku Kenkyujyo Open counter for low energy electron detection with suppressed background noise
US4963500A (en) * 1988-02-02 1990-10-16 Sera Solar Corporation Method of monitoring semiconductor manufacturing processes and test sample therefor
US4953983A (en) * 1988-03-25 1990-09-04 Nicholas Bottka Non-destructively measuring local carrier concentration and gap energy in a semiconductor
US4908112A (en) * 1988-06-16 1990-03-13 E. I. Du Pont De Nemours & Co. Silicon semiconductor wafer for analyzing micronic biological samples
EP0348738A3 (de) * 1988-07-01 1991-04-03 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur zerstörungsfreien Bestimmung elektronischer Inhomogenitäten in Halbleiterschichten
DE3905798A1 (de) * 1989-02-24 1990-08-30 Siemens Ag Verfahren zur messung von schaedigungen in mindestens einem bereich einer halbleiterscheibe waehrend der bearbeitung der halbleiterscheibe
US4968144A (en) * 1989-03-09 1990-11-06 Wayne State University Single beam AC interferometer
US5769540A (en) * 1990-04-10 1998-06-23 Luxtron Corporation Non-contact optical techniques for measuring surface conditions
US5287167A (en) * 1990-07-31 1994-02-15 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Method for measuring interstitial oxygen concentration
HUT63497A (en) * 1990-12-17 1993-08-30 Semilab Felvezetoe Fiz Lab Rt Method and apparatus for measuring minority charge carrier in semiconductor material
US5583643A (en) * 1991-04-12 1996-12-10 British Technology Group Ltd. Methods of and apparatus for measurement using acousto-optic devices
JPH07105424B2 (ja) * 1991-07-23 1995-11-13 信越半導体株式会社 シリコンウェーハの表面の結合状態及び不純物の評価方法
US5270546A (en) * 1992-04-29 1993-12-14 Mpb Technologies Inc. Method and apparatus for non-contact, rapid and continuous moisture measurements
US5812261A (en) * 1992-07-08 1998-09-22 Active Impulse Systems, Inc. Method and device for measuring the thickness of opaque and transparent films
US5406085A (en) * 1993-07-07 1995-04-11 Board Of Regents, The University Of Texas System Apparatus and method for rapid and nondestructive determination of lattice defects in semiconductor materials
JPH08139146A (ja) * 1994-11-14 1996-05-31 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体表面のライフタイム評価方法
US6113733A (en) * 1996-11-08 2000-09-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for optical evaluation, apparatus and method for manufacturing semiconductor device, method of controlling apparatus for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US6849470B1 (en) 1996-11-08 2005-02-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method for optical evaluation, apparatus and method for manufacturing semiconductor device, method of controlling apparatus for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US5978074A (en) * 1997-07-03 1999-11-02 Therma-Wave, Inc. Apparatus for evaluating metalized layers on semiconductors
US5888838A (en) * 1998-06-04 1999-03-30 International Business Machines Corporation Method and apparatus for preventing chip breakage during semiconductor manufacturing using wafer grinding striation information
US6535628B2 (en) 1998-10-15 2003-03-18 Applied Materials, Inc. Detection of wafer fragments in a wafer processing apparatus
US6323951B1 (en) * 1999-03-22 2001-11-27 Boxer Cross Incorporated Apparatus and method for determining the active dopant profile in a semiconductor wafer
KR100301067B1 (ko) * 1999-08-23 2001-11-01 윤종용 마이크로 스크래치 검사방법 및 이를 적용한 장치
US6429968B1 (en) 2000-03-09 2002-08-06 Agere Systems Guardian Corp Apparatus for photoluminescence microscopy and spectroscopy
US6532076B1 (en) * 2000-04-04 2003-03-11 Therma-Wave, Inc. Method and apparatus for multidomain data analysis
JP2001311877A (ja) * 2000-04-27 2001-11-09 Hamamatsu Photonics Kk 撮像装置
US6381019B1 (en) 2000-06-30 2002-04-30 Brown University Research Foundation Ultrasonic generator and detector using an optical mask having a grating for launching a plurality of spatially distributed, time varying strain pulses in a sample
DE10056768B4 (de) * 2000-11-14 2004-08-26 Stephan la Barré Verfahren und Vorrichtung zur Messung von Eigenschaften einer Probe mit Meßsignal-Modulation
WO2002040973A2 (de) * 2000-11-14 2002-05-23 Ia Barre Stephan Verfahren und vorrichtung zur messung von eigenschaften einer probe
US6812717B2 (en) * 2001-03-05 2004-11-02 Boxer Cross, Inc Use of a coefficient of a power curve to evaluate a semiconductor wafer
US7079975B1 (en) * 2001-04-30 2006-07-18 Advanced Micro Devices, Inc. Scatterometry and acoustic based active control of thin film deposition process
US6940592B2 (en) * 2001-10-09 2005-09-06 Applied Materials, Inc. Calibration as well as measurement on the same workpiece during fabrication
US6917039B2 (en) * 2002-02-13 2005-07-12 Therma-Wave, Inc. Method and system for combined photothermal modulated reflectance and photothermal IR radiometric system
US7027142B2 (en) * 2002-05-06 2006-04-11 Applied Materials, Israel, Ltd. Optical technique for detecting buried defects in opaque films
US6878559B2 (en) * 2002-09-23 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Measurement of lateral diffusion of diffused layers
US6963393B2 (en) * 2002-09-23 2005-11-08 Applied Materials, Inc. Measurement of lateral diffusion of diffused layers
US6888632B2 (en) * 2003-02-28 2005-05-03 Therma-Wave, Inc. Modulated scatterometry
US6952261B2 (en) * 2003-03-31 2005-10-04 Therma-Wave, Inc. System for performing ellipsometry using an auxiliary pump beam to reduce effective measurement spot size
JP2004311580A (ja) * 2003-04-03 2004-11-04 Toshiba Corp 半導体評価装置及び半導体評価方法
US7239392B2 (en) * 2003-05-22 2007-07-03 Xitronix Corporation Polarization modulation photoreflectance characterization of semiconductor electronic interfaces
US20040253751A1 (en) * 2003-06-16 2004-12-16 Alex Salnik Photothermal ultra-shallow junction monitoring system with UV pump
US6989105B2 (en) * 2003-06-27 2006-01-24 International Business Machines Corporation Detection of hardmask removal using a selective etch
US7212288B2 (en) * 2003-08-14 2007-05-01 Therma-Wave, Inc. Position modulated optical reflectance measurement system for semiconductor metrology
DE102004038282B4 (de) * 2004-08-03 2006-09-14 Salzgitter Flachstahl Gmbh Verfahren zur Untersuchung auf einem Metallsubstrat aufgebrachter, mit Partikeln durchsetzter Beschichtungen
US7319518B2 (en) * 2005-08-24 2008-01-15 Cree, Inc. Double side polished wafer scratch inspection tool
ES2659781T3 (es) 2005-10-11 2018-03-19 Bt Imaging Pty Limited Método y sistema para inspeccionar una estructura semiconductora de salto de banda indirecto
JP2007288135A (ja) * 2006-03-20 2007-11-01 Kobe Steel Ltd シリコン半導体薄膜の結晶性評価装置及び方法
JP5301770B2 (ja) * 2006-08-25 2013-09-25 株式会社神戸製鋼所 薄膜半導体の結晶性測定装置及びその方法
US20080074668A1 (en) * 2006-09-21 2008-03-27 Alex Salnik Modulated optical reflectance measurement system with enhanced sensitivity
JP5283889B2 (ja) * 2007-10-31 2013-09-04 株式会社神戸製鋼所 シリコン半導体薄膜の結晶性評価装置
JP2011180039A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Sigma Koki Kk 被検体損傷分析装置
US9696264B2 (en) * 2013-04-03 2017-07-04 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for determining defect depths in vertical stack memory
US9651610B2 (en) * 2013-06-29 2017-05-16 Intel Corporation Visible laser probing for circuit debug and defect analysis
EP3088868A4 (en) * 2013-12-26 2016-12-14 Posco DEVICE FOR SIMULTANEOUS MEASUREMENT OF A WHITE GRADE AND A COATING VOLUME
EP3132467A4 (en) 2014-04-17 2017-11-01 Femtometrix, Inc. Wafer metrology technologies
EP3189324A4 (en) 2014-09-02 2018-04-25 Ramot at Tel-Aviv University Ltd. Method and system for microscopy
US10446728B2 (en) * 2014-10-31 2019-10-15 eLux, Inc. Pick-and remove system and method for emissive display repair
WO2016077617A1 (en) 2014-11-12 2016-05-19 Femtometrix, Inc. Systems for parsing material properties from within shg signals
US9709437B2 (en) * 2015-02-18 2017-07-18 City University Of Hong Kong System and method for detecting a defect in a structure member
US10274310B2 (en) * 2016-12-22 2019-04-30 The Boeing Company Surface sensing systems and methods for imaging a scanned surface of a sample via sum-frequency vibrational spectroscopy
WO2019195100A1 (en) * 2018-04-02 2019-10-10 Applied Materials, Inc. Inline chamber metrology
KR20210021308A (ko) 2018-05-15 2021-02-25 펨토매트릭스, 인코포레이티드. 제2고조파 발생(shg) 광학 검사 시스템 설계
US20240151770A1 (en) * 2022-10-28 2024-05-09 Kla Corporation Methods And Systems For Measurement Of Semiconductor Structures Based On Derivative Measurement Signals

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3355980A (en) * 1962-02-23 1967-12-05 Owens Illinois Inc Apparatus for inspecting the rim of a bottle or the like which employs polarized light at brewster's angle
US4211488A (en) * 1978-10-03 1980-07-08 Rca Corporation Optical testing of a semiconductor
US4352017A (en) * 1980-09-22 1982-09-28 Rca Corporation Apparatus for determining the quality of a semiconductor surface
US4352016A (en) * 1980-09-22 1982-09-28 Rca Corporation Method and apparatus for determining the quality of a semiconductor surface
US4636088A (en) * 1984-05-21 1987-01-13 Therma-Wave, Inc. Method and apparatus for evaluating surface conditions of a sample

Also Published As

Publication number Publication date
EP0211590B1 (en) 1991-05-15
US4652757A (en) 1987-03-24
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CA1243418A (en) 1988-10-18

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