JP2008041704A - 可変抵抗素子および抵抗変化型メモリ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】可変抵抗素子10は、第1電極12と、前記第1電極12の上に形成された抵抗体層14と、前記抵抗体層14の上に形成された第2電極16と、を含む。前記抵抗体層14は、式A1−xA’xB1−yB’yO3−αで表される、酸素欠陥を有するペロブスカイト型酸化物からなる。Aで表される元素は、ランタン(La)、ネオジウム(Nd)、プラセオジウム(Pr)およびガドリウム(Gd)から選択される少なくとも1種からなり、A’で表される元素は、ストロンチウム(Sr)およびカルシウム(Ca)から選択される少なくとも1種からなり、Bで表される元素は、ガリウム(Ga)およびアルミニウム(Al)から選択される少なくとも1種であり、B’で表される元素は、マグネシウム(Mg)であることができる。
【選択図】図1
Description
第1電極と、
前記第1電極の上に形成された抵抗体層と、
前記抵抗体層の上に形成された第2電極と、
を含み、
前記抵抗体層は、式A1−xA’xB1−yB’yO3−αで表される、酸素欠陥を有するペロブスカイト型酸化物からなる。
前記式において、
Aで表される元素は、ランタン(La)、ネオジウム(Nd)、プラセオジウム(Pr)およびガドリウム(Gd)から選択される少なくとも1種からなり、
A’で表される元素は、ストロンチウム(Sr)およびカルシウム(Ca)から選択される少なくとも1種からなり、
Bで表される元素は、ガリウム(Ga)およびアルミニウム(Al)から選択される少なくとも1種であり、
B’で表される元素は、マグネシウム(Mg)であることができる。
前記式において、0<x<0.3、0<y<0.3であることができる。
前記式において、
Aで表される元素は、ランタン(La)であり、
A’で表される元素は、ストロンチウム(Sr)であり、
Bで表される元素は、ガリウム(Ga)およびアルミニウム(Al)であり、
B’で表される元素は、マグネシウム(Mg)であることができる。
図1は、本実施形態にかかる可変抵抗素子10を模式的に示す断面図である。
A’で表される元素は、ストロンチウム(Sr)およびカルシウム(Ca)から選択される少なくとも1種からなり、Bで表される元素は、ガリウム(Ga)およびアルミニウム(Al)から選択される少なくとも1種であり、B’で表される元素は、マグネシウム(Mg)であることができる。
抵抗変化率=((信号記録後の抵抗値)−(信号初期化時の抵抗値))/(信号初期化時の抵抗値)×100
ついで、本実施形態の可変抵抗素子10を適用した抵抗変化型メモリ装置について説明する。図2は、かかる抵抗変化型メモリ装置100を模式的に示す断面図である。
Claims (5)
- 第1電極と、
前記第1電極の上に形成された抵抗体層と、
前記抵抗体層の上に形成された第2電極と、
を含み、
前記抵抗体層は、式A1−xA’xB1−yB’yO3−αで表される、酸素欠陥を有するペロブスカイト型酸化物からなる、可変抵抗素子。 - 請求項1において、
前記式において、
Aで表される元素は、ランタン(La)、ネオジウム(Nd)、プラセオジウム(Pr)およびガドリウム(Gd)から選択される少なくとも1種からなり、
A’で表される元素は、ストロンチウム(Sr)およびカルシウム(Ca)から選択される少なくとも1種からなり、
Bで表される元素は、ガリウム(Ga)およびアルミニウム(Al)から選択される少なくとも1種であり、
B’で表される元素は、マグネシウム(Mg)である、可変抵抗素子。 - 請求項1または2において、
前記式において、0<x<0.3、0<y<0.3である、可変抵抗素子。 - 請求項1ないし3のいずれかにおいて、
前記式において、
Aで表される元素は、ランタン(La)であり、
A’で表される元素は、ストロンチウム(Sr)であり、
Bで表される元素は、ガリウム(Ga)およびアルミニウム(Al)であり、
B’で表される元素は、マグネシウム(Mg)である、可変抵抗素子。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の可変抵抗素子を含む、抵抗変化型メモリ装置。
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