JP2008034005A - 光記録媒体、基板及びスタンパ - Google Patents

Abstract

【課題】位置情報エリアに対するエラーレートを低減することができ、実機ドライブで安定したトラッキング制御及びフォーカス制御、良好な電気特性を得ることができる光記録媒体を提供する。
【解決手段】一方の主面に第１プリグルーブ２８Ａ及び第２プリグルーブ２８Ｂが形成された面を有する基板１２と、基板１２の一方の主面上に形成された少なくとも一層の記録層を含む光学的機能層と、光学的機能層上に覆うように配置され形成された光透過層とを有する光記録媒体１０であって、基板１２の一方の主面のうち、最内周の部分に、少なくとも記録データの位置情報を得るために使用される位置情報エリア２６を有し、位置情報エリア２６における第２プリグルーブ２８Ｂの溝幅Ｗ２を８０ｎｍ以上、１４０ｎｍ以下とし、溝深さｈ２を３０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下とし、且つ、ウォブル振幅を３０ｎｍ以上とする。
【選択図】図３

Description

本発明は、高エネルギー密度のレーザ光を用いて情報の書き込み（記録）や読取り（再生）が可能なヒートモード型の光記録媒体、光記録媒体用の基板及びスタンパに関する。

最近、インターネット等のネットワークやハイビジョンＴＶが急速に普及している。また、ＨＤＴＶ（Ｈｉｇｈ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）の放映も間近にひかえて、画像情報を安価簡便に記録するための大容量の記録媒体の要求が高まっている。前述のＣＤ−Ｒ及び、可視レーザ光（６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ）を記録用レーザとして高密度記録を可能としたＤＶＤ−Ｒは、大容量の記録媒体としての地位をある程度までは確保されるものの、将来の要求に対応できる程の充分大きな記録容量を有しているとは言えない。そこで、ＤＶＤ−Ｒよりもさらに短波長のレーザ光を用いることによって記録密度を向上させ、より大きな記録容量を備えた光ディスクの開発が進められ、例えば４０５ｎｍの青色レーザを用いたＢｌｕ−ｒａｙ方式と称する光記録ディスクが上市された。

従来、有機色素を含んだ記録層を有する光記録媒体において、記録層側から光反射層側に向けて波長４５０ｎｍ以下のレーザ光を照射することにより、情報の記録再生を行う記録再生方法が開示されている（例えば特許文献１）。

特開２００３−５９１００号公報

ところで、フォーマット上、光記録媒体には、ユーザによるデータが記録されるデータエリアのほか、最内周部分に、ＰＩＣやリードインエリア等の位置情報エリアが存在する。データエリアに書き込まれたデータの位置情報等は、整理されて例えばＴＯＣデータとしてリードインエリアに記録される。その後、データエリアへのアクセスは、リードインエリアに記録されたＴＯＣデータから位置情報を得て行われることとなる。

従って、これらＰＩＣやリードインエリア等の位置情報エリアに対するアクセスにシークエラー等が生じ易いと、ユーザによるアクセス要求から実際にデータが読み出されるまでに時間がかかったり、アクセスができない等の不都合が生じる。

本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、位置情報エリアに対するエラーレート（所定ビット数に対するエラービット数の割合）を低減することができ、実機ドライブで安定したトラッキング制御及びフォーカス制御、良好な電気特性を得ることができ、しかも、ユーザによるアクセス要求から実際にデータが読み出されるまでの時間の短縮化、データエリアに対するアクセスの確実性を実現させることができる光記録媒体、基板及びスタンパを提供することを目的とする。

第１の本発明に係る光記録媒体は、一方の主面に溝が形成された面を有する基板と、前記基板の前記一方の主面上に形成された少なくとも一層の記録層を含む光学的機能層と、前記光学的機能層上に覆うように配置され形成された光透過層とを有する光記録媒体であって、前記基板の前記一方の主面のうち、最内周の部分に、少なくとも記録データの位置情報を得るために使用される位置情報エリアを有し、前記位置情報エリアにおける前記溝の半値幅（溝の深さの１／２の地点における溝の幅）が８０ｎｍ以上、１４０ｎｍ以下で、前記溝の深さが３０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下で、且つ、前記溝のウォブル振幅が３０ｎｍ以上であることを特徴とする。

これにより、位置情報エリアに対するエラーレートを１×１０^-3以下とすることができ、実機ドライブで安定したトラッキング制御及びフォーカス制御、良好な電気特性を得ることが可能となる。しかも、ユーザによるアクセス要求から実際にデータが読み出されるまでの時間の短縮化、データエリアに対するアクセスの確実性を実現させることができる。

また、第１の本発明においては、前記位置情報エリアにおける未記録プッシュプル信号（反射率で規格化したプッシュプル信号）を０．４５〜０．６とすることができる。

ここで、基板の溝とは、基板に形成されたプリグルーブやランドを含めた概念であって、プリグルーブの半値幅及び深さ、並びにランドの半値幅及び深さを指す。

そして、第１の本発明において、前記基板の厚さは、０．７〜２ｍｍの範囲がよく、０．９〜１．６ｍｍの範囲であることが好ましく、１．０〜１．３ｍｍの範囲がより好ましい。

また、本発明においては、波長３５０〜４５０ｎｍのレーザ光により記録及び／又は再生を行う上で好適である。

また、第１の本発明は、前記レーザ光の波長が４０５ｎｍ、前記レーザ光を前記記録層に集光する対物レンズの開口数が０．８５、前記基板の端面から前記記録層までの距離が１．１ｍｍに対応したものであってもよい。

次に、第２の本発明に係る基板は、少なくとも一層の記録層を含む光学的機能層と、前記光学的機能層上に覆うように配置され形成された光透過層とを有する光記録媒体用の基板において、前記光学的機能層が形成される一方の主面に溝が形成され、前記一方の主面のうち、最内周の部分に、少なくとも記録データの位置情報を得るために使用される位置情報エリアを有し、前記位置情報エリアにおける前記溝の半値幅（溝の深さの１／２の地点における溝の幅）が８０ｎｍ以上、１４０ｎｍ以下で、前記溝の深さが３０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下で、且つ、前記溝のウォブル振幅が３０ｎｍ以上であることを特徴とする。

これにより、位置情報エリアに対するエラーレートを１×１０^-3以下とすることができ、ユーザによるアクセス要求から実際にデータが読み出されるまでの時間の短縮化、データエリアに対するアクセスの確実性を実現させることができる光記録媒体を容易に得ることができる。

次に、第３の本発明に係るスタンパは、少なくとも一層の記録層を含む光学的機能層と、前記光学的機能層上に覆うように配置され形成された光透過層とを有する光記録媒体用の基板を作製するためのスタンパにおいて、前記基板は、一方の面に前記光学的機能層が形成されるものであって、前記一方の主面のうち、最内周の部分に、少なくとも記録データの位置情報を得るために使用される位置情報エリアを有し、前記位置情報エリアにおける前記溝の半値幅（溝の深さの１／２の地点における溝の幅）が８０ｎｍ以上、１４０ｎｍ以下で、前記溝の深さが３０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下で、且つ、前記溝のウォブル振幅が３０ｎｍ以上であることを特徴とする。

これにより、位置情報エリアに対するエラーレートを１×１０^-3以下とすることができ、ユーザによるアクセス要求から実際にデータが読み出されるまでの時間の短縮化、データエリアに対するアクセスの確実性を実現させることができる光記録媒体を容易に作製することができる。

以上説明したように、本発明に係る光記録媒体、基板及びスタンパによれば、位置情報エリアに対するエラーレートを低減することができ、実機ドライブで安定したトラッキング制御及びフォーカス制御、良好な電気特性を得ることが可能となる。しかも、ユーザによるアクセス要求から実際にデータが読み出されるまでの時間の短縮化、データエリアに対するアクセスの確実性を実現させることができる。

以下、本発明に係る光記録媒体、基板及びスタンパの実施の形態例を図１〜図８を参照しながら説明する。

本実施の形態に係る光記録媒体（以下、光記録媒体１０と記す）は、図１に示すように、厚さ０．７〜２ｍｍの基板１２上に、色素を含有する追記型記録層１４と、厚さ０．０１〜０．５ｍｍのカバー層１６とをこの順に有する。具体的には、例えば基板１２上に、光反射層１８と、追記型記録層１４と、バリア層２０と、接着層２２と、カバー層１６とをこの順に有する。

この光記録媒体１０は、図２に示すように、例えばユーザの情報が記録されるデータエリア２４と、光記録媒体１０の最内周部分に配置された位置情報エリア２６とを有する。位置情報エリア２６は、データエリア２４に記録された複数のプログラムの位置情報が記録されるエリアであって、ＰＩＣやリードインエリア等が存在する。位置情報エリア２６の利用形態としては以下のような形態が挙げられる。

例えばデータエリアに書き込まれたデータの位置情報等は、整理されて例えばＴＯＣデータとしてリードインエリアに記録される。その後、プログラムエリアへのアクセスは、リードインエリアに記録されたＴＯＣデータから位置情報を得て行われることとなる。

従って、これらＰＩＣやリードインエリア等の位置情報エリア２６に対するエラーレートを低減することにより、実機ドライブで安定したトラッキング制御及びフォーカス制御、良好な電気特性を得ることができ、しかも、ユーザによるアクセス要求から実際にデータが読み出されるまでの時間の短縮化、データエリア２４に対するアクセスの確実性を実現させることができる。

そして、光記録媒体１０においては、図１に示すように、基板１２に形成されるプリグルーブのうち、データエリア２４に対応した部分に形成される第１プリグルーブ２８Ａは、トラックピッチが５０〜５００ｎｍ、溝幅（半値幅：溝の深さの１／２の地点における溝の幅）が２５〜２５０ｎｍ、溝深さが５〜１５０ｎｍであることが好ましい。

光記録媒体１０は、図１に示すように、少なくとも基板１２と、追記型記録層１４と、カバー層１６とを有する様態であり、先ず、これらに必須の部材について順に説明する。

〔光記録媒体１０の基板１２〕
図１に示すように、好ましい光記録媒体１０の基板１２に形成されるプリグルーブのうち、データエリア２４に形成される第１プリグルーブ２８Ａは、トラックピッチ、溝幅（半値幅）及び溝深さのいずれもが下記の範囲である形状を有することが好ましい。

この第１プリグルーブ２８Ａは、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、光記録媒体１０を、青紫色レーザに対応する媒体として使用する場合に好適である。

第１プリグルーブ２８Ａのトラックピッチは、５０〜５００ｎｍの範囲であることが必須であり、上限値が４２０ｎｍ以下であることが好ましく、３７０ｎｍ以下であることがより好ましく、３３０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、１００ｎｍ以上であることが好ましく、２００ｎｍ以上であることがより好ましく、２６０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。

トラックピッチが５０ｎｍ未満では、第１プリグルーブ２８Ａを正確に形成することが困難になる上、クロストークの問題が発生することがあり、５００ｎｍを超えると、記録密度が低下する問題が生ずることがある。

図３に示すように、第１プリグルーブ２８Ａの第１ランド３０Ａ（基板１２において凹部）での溝幅Ｗ１（半値幅）は、１４０〜２４０ｎｍの範囲であり、好ましくは１４５〜２３０ｎｍであり、さらに好ましくは１５０〜２２０ｎｍである。溝幅Ｗ１が狭すぎると、溝部（第１ランド３０Ａ）の成形が困難になり、溝幅Ｗ１が広すぎると、溝間部（第１グルーブ３２Ａ）の成形が困難になる。

第１プリグルーブ２８Ａの溝深さｈ１は、３０〜１３０ｎｍの範囲であり、好ましくは４０〜１２５ｎｍであり、さらに好ましくは５０〜１２０ｎｍである。溝深さｈ１は深すぎると、成形が困難になるという問題があり、溝深さｈ１が浅すぎるとトラッキングが不安定になる。

そして、好ましい光記録媒体１０の基板１２に形成されるプリグルーブのうち、位置情報エリア２６に形成される第２プリグルーブ２８Ｂは、トラックピッチ、溝幅（半値幅）、溝深さ及びウォブル振幅のいずれもが下記の範囲である形状を有することが好ましい。

すなわち、図３に示すように、基板１２に形成されるプリグルーブのうち、位置情報エリア２６に対応した部分に形成される第２プリグルーブ２８Ｂは、トラックピッチが５０〜５００ｎｍ、溝幅Ｗ２（半値幅）が８０〜１４０ｎｍ、溝深さｈ２が３０〜６０ｎｍ、図４に示すように、溝部（第２ランド３０Ｂ）のウォブル振幅Ａａが３０ｎｍ以上である。

これにより、位置情報エリア２６に対する未記録のプッシュプル信号（反射率で規格化したプッシュプル信号）として０．４５〜０．６が得られ、また、エラーレート（所定ビット数に対するエラービット数の割合）を１×１０^-3以下とすることができ、実機ドライブで安定したトラッキング制御及びフォーカス制御、良好な電気特性を得ることが可能となる。しかも、ユーザによるアクセス要求から実際にデータが読み出されるまでの時間の短縮化、データエリアに対するアクセスの確実性を実現させることができる。

なお、第１プリグルーブ２８Ａ及び第２プリグルーブ２８Ｂの溝傾斜角度は、上限値が８０°以下であることが好ましく、７０°以下であることがより好ましく、６０°以下であることがさらに好ましく、５０°以下であることが特に好ましい。また、下限値は、２０°以上であることが好ましく、３０°以上であることがより好ましく、４０°以上であることがさらに好ましい。

第１プリグルーブ２８Ａ及び第２プリグルーブ２８Ｂの溝傾斜角度が２０°未満では、十分なトラッキングエラー信号振幅が得られないことがあり、８０°を超えると、基板１２の成形（射出成形等）が困難となる。

光記録媒体１０において用いられる基板１２としては、従来の光記録媒体の基板材料として用いられている各種の材料を任意に選択して使用することができる。

具体的には、ガラス；ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；アルミニウム等の金属；等を挙げることができ、所望によりこれらを併用してもよい。

上記材料の中では、耐湿性、寸法安定性及び低価格等の点から、アモルファスポリオレフィン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂が好ましく、ポリカーボネートが特に好ましい。

これらの樹脂を用いた場合、射出成形を用いて基板１２を作製することができる。すなわち、基板１２上の第１プリグルーブ２８Ａ及び第２プリグルーブ２８Ｂは、この射出成形に際して、フォトレジスト法によって作製されたスタンパから転写され形成されたものである。

具体的には、通常の製造方法に従って、ガラス製の円盤に対する研磨と洗浄を行い、次いで、円盤上にフォトレジスト用の塗布液を塗布し、その後、レーザによる露光及び現像を行って円盤上にフォトレジストマスクを形成し、その後、例えば銀メッキを行った後、Ｎｉメッキを行ってメタルマスターを作製する。その後、メタルマザーによってマザーを作製し、マザーによってスタンパを作製する。そして、スタンパを使って射出成形を行うことにより、基板１２が作製される。

上述のような溝形状を有する第１プリグルーブ２８Ａ及び第２プリグルーブ２８Ｂを有する基板１２を作製するには、射出成形時に用いるスタンパが、高精度なマスタリングにより形成されることが必要である。このマスタリングには、上述の溝形状を達成するために、ＤＵＶ（波長３３０ｎｍ以下、深紫外線）レーザーや、ＥＢ（電子ビーム）によるカッティングが用いられることが好ましい。

また、基板１２の厚さは、０．７〜２ｍｍの範囲であることがよく、０．９〜１．６ｍｍの範囲であることが好ましく、１．０〜１．２ｍｍとすることがより好ましい。

なお、後述する光反射層１８が設けられる側の基板１２の表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することが好ましい。

下塗層の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質；シランカップリング剤等の表面改質剤；を挙げることができる。

下塗層は、上記材料を適当な溶剤に溶解又は分散して塗布液を調製した後、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルージョンコート等の塗布法によって、基板１２の表面に塗布することにより形成することができる。下塗層の層厚は、一般に０．００５〜２０μｍの範囲にあり、好ましくは０．０１〜１０μｍの範囲である。

〔光記録媒体１０の追記型記録層１４〕
好ましい光記録媒体１０の追記型記録層１４は、色素を、結合剤等と共に適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いで、この塗布液を、基板上又は後述する光反射層１８上に塗布して塗膜を形成した後、乾燥することにより形成される。ここで、追記型記録層１４は、単層でも重層でもよく、重層構造の場合、塗布液を塗布する工程が複数回行われることになる。

塗布液中の色素の濃度は、一般に０．０１〜１５質量％の範囲であり、好ましくは０．１〜１０質量％の範囲、より好ましくは０．５〜５質量％の範囲、最も好ましくは０．５〜３質量％の範囲である。

塗布液の溶剤としては、酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテート等のエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン等のケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミド等のアミド；メチルシクロヘキサン等の炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサン等のエーテル；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールジアセトンアルコール等のアルコール；２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール等のフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；等を挙げることができる。

上記溶剤は使用する色素の溶解性を考慮して単独で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することができる。塗布液中には、さらに、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤等各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。

塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法等を挙げることができる。

塗布の際、塗布液の温度は２３〜５０℃の範囲であることが好ましく、２４〜４０℃の範囲であることがより好ましく、中でも、２３〜５０℃の範囲であることが特に好ましい。

このようにして形成された追記型記録層１４の厚さは、第１プリグルーブ２８Ａの第１グルーブ３２Ａ（基板１２において凸部）上及び第２プリグルーブ２８Ｂの第２グルーブ３２Ｂ上で、３００ｎｍ以下であることが好ましく、２５０ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることがさらに好ましく、１８０ｎｍ以下であることが特に好ましい。下限値としては３０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましく、７０ｎｍ以上であることがさらに好ましく、９０ｎｍ以上であることが特に好ましい。

また、追記型記録層１４の厚さは、第１プリグルーブ２８Ａの第１ランド３０Ａ（基板１２において凹部）上及び第２プリグルーブ２８Ｂの第２ランド３０Ｂ上で、４００ｎｍ以下であることが好ましく、３００ｎｍ以下であることがより好ましく、２５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。下限値としては、７０ｎｍ以上であることが好ましく、９０ｎｍ以上であることがより好ましく、１１０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。

さらに、第１プリグルーブ２８Ａの第１グルーブ３２Ａ上及び第２プリグルーブ２８Ｂの第２グルーブ３２Ｂ上の追記型記録層１４の厚さｔ１と、第１ランド３０Ａ上及び第２ランド３０Ｂ上の追記型記録層１４の厚さｔ２との比（ｔ１／ｔ２）は、０．４以上であることが好ましく、０．５以上であることがより好ましく、０．６以上であることがさらに好ましく、０．７以上であることが特に好ましい。上限値としては、１未満であることが好ましく、０．９以下であることがより好ましく、０．８５以下であることがさらに好ましく、０．８以下であることが特に好ましい。

塗布液が結合剤を含有する場合、該結合剤の例としては、ゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴム等の天然有機高分子物質；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物等の合成有機高分子；を挙げることができる。追記型記録層１４の材料として結合剤を併用する場合に、結合剤の使用量は、一般に色素に対して０．０１倍量〜５０倍量（質量比）の範囲にあり、好ましくは０．１倍量〜５倍量（質量比）の範囲にある。

また、追記型記録層１４には、該追記型記録層１４の耐光性を向上させるために、種々の褪色防止剤を含有させることができる。褪色防止剤としては一般的に一重項酸素クエンチャーが用いられる。一重項酸素クエンチャーとしては、既に公知の特許明細書等の刊行物に記載のものを利用することができる。

その具体例としては、特開昭５８−１７５６９３号公報、同５９−８１１９４号公報、同６０−１８３８７号公報、同６０−１９５８６号公報、同６０−１９５８７号公報、同６０−３５０５４号公報、同６０−３６１９０号公報、同６０−３６１９１号公報、同６０−４４５５４号公報、同６０−４４５５５号公報、同６０−４４３８９号公報、同６０−４４３９０号公報、同６０−５４８９２号公報、同６０−４７０６９号公報、同６３−２０９９９５号公報、特開平４−２５４９２号公報、特公平１−３８６８０号公報及び同６−２６０２８号公報等の各公報、ドイツ特許第３５０３９９号明細書、そして日本化学会誌１９９２年１０月号第１１４１頁等に記載のものを挙げることができる。

前記一重項酸素クエンチャー等の褪色防止剤の使用量は、色素の量に対して、通常０．１〜５０質量％の範囲であり、好ましくは、０．５〜４５質量％の範囲、さらに好ましくは、３〜４０質量％の範囲、特に好ましくは５〜２５質量％の範囲である。

〔光記録媒体１０のカバー層１６〕
好ましい光記録媒体１０のカバー層１６は、上述した追記型記録層１４又は後述するバリア層２０上に、接着剤や粘着剤等からなる接着層２２を介して貼り合わされる。

光記録媒体１０において用いられるカバー層１６としては、透明な材質のフィルムであれば、特に限定されないが、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；三酢酸セルロース等を使用することが好ましく、中でも、ポリカーボネート又は三酢酸セルロースを使用することがより好ましい。

なお、「透明」とは、記録及び再生に用いられる光に対して、透過率８０％以上であることを意味する。

また、カバー層１６は、本発明の効果を妨げない範囲において、種々の添加剤が含有されていてもよい。例えば、波長４００ｎｍ以下の光をカットするためのＵＶ吸収剤及び／又は５００ｎｍ以上の光をカットするための色素が含有されていてもよい。

さらに、カバー層１６の表面物性としては、表面粗さが２次元粗さパラメータ及び３次元粗さパラメータのいずれも５ｎｍ以下であることが好ましい。

また、記録及び再生に用いられる光の集光度の観点から、カバー層１６の複屈折は１０ｎｍ以下であることが好ましい。

カバー層１６の厚さは、記録及び再生のために照射されるレーザ光３４の波長や対物レンズ３６（図１参照）のＮＡにより、適宜、規定されるが、光記録媒体１０においては、０．０１〜０．５ｍｍの範囲内であり、０．０５〜０．１２ｍｍの範囲であることがより好ましい。

また、カバー層１６と接着層２２とを合わせた総厚は、０．０９〜０．１１ｍｍであることが好ましく、０．０９５〜０．１０５ｍｍであることがより好ましい。

なお、カバー層１６の光入射面には、光記録媒体１０の製造時に、光入射面が傷つくことを防止するためのハードコート層３８（保護層）が設けられていてもよい。

接着層２２に用いられる接着剤としては、例えばＵＶ硬化樹脂、ＥＢ硬化樹脂、熱硬化樹脂等を使用することが好ましく、特にＵＶ硬化樹脂を使用することが好ましい。

接着剤としてＵＶ硬化樹脂を使用する場合は、該ＵＶ硬化樹脂をそのまま、若しくはメチルエチルケトン、酢酸エチル等の適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、ディスペンサからバリア層２０の表面に供給してもよい。また、作製される光記録媒体１０の反りを防止するため、接着層２２を構成するＵＶ硬化樹脂は硬化収縮率の小さいものが好ましい。このようなＵＶ硬化樹脂としては、例えば、大日本インキ化学工業（株）社製の「ＳＤ−６４０」等のＵＶ硬化樹脂を挙げることができる。

接着剤は、例えば、バリア層２０からなる被貼り合わせ面上に、所定量塗布し、その上に、カバー層１６を載置した後、スピンコートにより接着剤を、被貼り合わせ面とカバー層１６との間に均一になるように広げた後、硬化させることが好ましい。

このような接着剤からなる接着層２２の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲が好ましく、より好ましくは０．５〜５０μｍの範囲、さらに好ましくは１０〜３０μｍの範囲である。

また、接着層２２に用いられる粘着剤としては、アクリル系、ゴム系、シリコン系の粘着剤を使用することができるが、透明性、耐久性の観点から、アクリル系の粘着剤が好ましい。かかるアクリル系の粘着剤としては、２−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート等を主成分とし、凝集力を向上させるために、短鎖のアルキルアクリレートやメタクリレート、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルメタクリレートと、架橋剤との架橋点となりうるアクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド誘導体、マレイン酸、ヒドロキシルエチルアクリレート、グリシジルアクリレート等と、を共重合したものを用いることが好ましい。主成分と、短鎖成分と、架橋点を付加するための成分と、の混合比率、種類を、適宜、調節することにより、ガラス転移温度（Ｔｇ）や架橋密度を変えることができる。

上記粘着剤と併用される架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤が挙げられる。かかるイソシアネート系架橋剤としては、トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ナフチレン−１，５−ジイソシアネート、ｏ−トルイジンイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート等のイソシアネート類、また、これらのイソシアネート類とポリアルコールとの生成物、また、イソシアネート類の縮合によって生成したポリイソシアネート類を使用することができる。これらのイソシアネート類の市販されている商品としては、日本ポリウレタン社製のコロネートＬ、コロネートＨＬ、コロネート２０３０、コロネート２０３１、ミリオネートＭＲ、ミリオネートＨＴＬ；武田薬品社製のタケネートＤ−１０２、タケネートＤ−１１０Ｎ、タケネートＤ−２００、タケネートＤ−２０２；住友バイエル社製のデスモジュールＬ、デスモジュールＩＬ、デスモジュールＮ、デスモジュールＨＬ；等を挙げることができる。

粘着剤は、バリア層２０からなる被貼り合わせ面上に、所定量、均一に塗布し、その上に、カバー層１６を載置した後、硬化させてもよいし、予め、カバー層１６の片面に、所定量を均一に塗布して粘着剤の塗膜を形成しておき、該塗膜を被貼り合わせ面に貼り合わせ、その後、硬化させてもよい。

また、カバー層１６に、予め、粘着剤層が設けられた市販の粘着フィルムを用いてもよい。

このような粘着剤からなる接着層２２の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲が好ましく、より好ましくは０．５〜５０μｍの範囲、さらに好ましくは１０〜３０μｍの範囲である。

〔光記録媒体１０におけるその他の層〕
好ましい光記録媒体１０は、本発明の効果を損なわない範囲においては、上述の必須の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。他の任意の層としては、例えば、基板１２の裏面（追記型記録層１４の形成面に対する裏面）に形成される、所望の画像を有するレーベル層や、基板１２と追記型記録層１４との間に設けられる光反射層１８（後述）、追記型記録層１４とカバー層１６との間に設けられるバリア層２０（後述）、光反射層１８と追記型記録層１４との間に設けられる界面層等が挙げられる。ここで、レーベル層は、紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、及び熱乾燥樹脂等を用いて形成される。

なお、これら必須及び任意の層は、いずれも単層でもよいし、多層構造を有してもよい。

〔光記録媒体１０における光反射層１８〕
光記録媒体１０において、レーザ光３４に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、基板１２と追記型記録層１４との間に、光反射層１８を形成することが好ましい。

光反射層１８は、レーザ光３４に対する反射率が高い光反射性物質を、真空蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティングすることにより基板上に形成することができる。

光反射層１８の層厚は、一般的には１０〜３００ｎｍの範囲とし、５０〜２００ｎｍの範囲とすることが好ましい。

なお、前記反射率は、７０％以上であることが好ましい。

反射率が高い光反射性物質としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ等の金属及び半金属あるいはステンレス鋼を挙げることができる。これらの光反射性物質は単独で用いてもよいし、あるいは２種以上の組合せで、又は合金として用いてもよい。これらのうちで好ましいものは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びステンレス鋼である。特に好ましくは、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌあるいはこれらの合金であり、最も好ましくは、Ａｕ、Ａｇあるいはこれらの合金である。さらに好ましくはＡｇを５０ａｔｍ％以上含む金属にて構成されていることである。

〔光記録媒体１０におけるバリア層２０（中間層）〕
光記録媒体１０においては、追記型記録層１４とカバー層１６との間にバリア層２０を形成することが好ましい。

バリア層２０は、追記型記録層１４の保存性を高める、追記型記録層１４とカバー層１６との接着性を向上させる、反射率を調整する、熱伝導率を調整する、等のために設けられる。

バリア層２０に用いられる材料としては、記録及び再生に用いられる光を透過する材料であり、上記の機能を発現し得るものであれば、特に、制限されるものではないが、例えば、一般的には、ガスや水分の透過性の低い材料であり、誘電体であることが好ましい。

具体的には、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｇｅ等の窒化物、酸化物、炭化物、硫化物からなる材料が好ましく、ＺｎＳ、ＭｏＯ₂、ＧｅＯ₂、ＴｅＯ、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｕＯ、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂、ＳｎＯ₂、ＺｎＯ−Ｇａ₂Ｏ₃が好ましく、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂、ＳｎＯ₂、ＺｎＯ−Ｇａ₂Ｏ₃がより好ましい。

バリア層２０は、真空蒸着、ＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリング、イオンプレーティング等の真空成膜法により形成することができる。中でも、スパッタリングを用いることがより好ましく、ＲＦスパッタリングを用いることがさらに好ましい。

バリア層２０の厚さは、１〜８０ｎｍ、好ましくは１〜５０ｎｍ、より好ましくは１．５〜３０ｎｍである。薄すぎると記録時の空隙形成が不十分となり、厚すぎると溝幅が狭くなり記録特性が悪化する。

バリア層２０の光透過率は５０〜９９％が好ましく、５５〜９８％が好ましく、６０〜９５％がより好ましい。光透過率が低いと記録感度が悪化する、媒体反射率が低くなる等の弊害が生じる。光透過率が高いと、耐光性試験時の保存性が悪くなる傾向にある。バリア層２０に用いられる無機物層は、記録再生波長である４０５ｍより短い領域では光吸収性が４０５ｎｍでの吸収より大きく、耐光性試験時に照射される〜３５０ｎｍの光から色素を保護する働きも有していると推定される。

バリア層２０の厚さは、１〜２００ｎｍの範囲であることが好ましく、２〜１００ｎｍの範囲であることがより好ましく、３〜５０ｎｍの範囲であることがさらに好ましい。

〔各層の厚みの組み合わせ例〕
上述した光記録媒体１０を構成する各層の厚みの好ましい組み合わせ例としては、例えば基板１２が１．０〜１．２ｍｍ、光反射層１８が１０〜１００ｎｍ、追記型記録層１４が１０〜１００ｎｍ、バリア層２０が１〜４０ｎｍ、接着層２２が５〜５０μｍ、カバー層１６が５０〜２００μｍ、ハードコート層３８が０．５〜３０μｍである。

＜光情報記録方法＞
光記録媒体１０に対する光情報記録方法は、例えば、次のように行われる。

先ず、光記録媒体１０を定線速度（０．５〜１０ｍ／秒）又は定角速度にて回転させながら、カバー層１６側から半導体レーザ光等の記録用のレーザ光３４を、開口数ＮＡが０．８〜０．９の対物レンズ３６を介して照射する。

このレーザ光４６の照射により、追記型記録層１４がレーザ光３４を吸収して局所的に温度上昇し、物理的あるいは化学的変化（例えば、ピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録されると考えられる。

本実施の形態においては、記録用のレーザ光３４として３９０〜４５０ｎｍの範囲の発振波長を有する半導体レーザ光が用いられる。好ましい光源としては３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザ光、中心発振波長８５０ｎｍの赤外半導体レーザー光を光導波路素子を使って半分の波長にした中心発振波長４２５ｎｍの青紫色ＳＨＧレーザー光を挙げることができる。特に、記録密度の点で３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザ光を用いることが好ましい。上記のように記録された情報の再生は、光記録媒体１０を上記と同一の定線速度で回転させながら半導体レーザ光を基板１２側あるいはハードコート層３８側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。

〔各パラメータの割り出し〕
先ず、上述した各層の厚みの好ましい組み合わせ例に基づく多数のサンプル（光記録媒体１０）を作製した。

波長４０５ｎｍのレーザ光３４を出射し、且つ、ＮＡ＝０．８５の対物レンズ３６を有する光ピックアップを搭載したＤＤＵ−１０００（パルステック工業社製）を用いて、多数のサンプルに対し、情報を記録した。

その後、各サンプルのラジアルチルト、タンジェンシャルチルト及びフォーカスオフセット量を任意に変化させた時のエラーレートを測定し、エラーレートが１×１０^-3以下となるラジアルチルト、タンジェンシャルチルト及びフォーカスオフセット量のマージンを求めた。

実機ドライブにおいて、位置情報エリア２６での安定したトラッキング制御及び安定したフォーカス制御を可能とするためには、未記録プッシュプル信号（反射率で規格化したプッシュプル信号）として、０．４５〜０．６であることが好ましい。

図５に、位置情報エリア２６における第２プリグルーブ２８Ｂの溝幅Ｗ２に対する未記録プッシュプル信号の大きさの変化を示す。この図５から、未記録プッシュプル信号が０．４５〜０．６の範囲となる溝幅Ｗ２は８０〜１４０ｎｍとする必要があることが分かる。

また、エラーレートが１×１０^-3以下となるフォーカスオフセット量、ラジアルチルト及びタンジェンシャルチルトの各マージンは、
フォーカスオフセット量のマージン：６００ｎｍ以上
ラジアルチルト：１．５ｄｅｇ以上
タンジェンシャルチルト：１．５ｄｅｇ以上
とされる。

そして、ウォブル振幅Ａａを従来から用いられている２０ｎｍとしたときの溝幅Ｗ２に対するフォーカスオフセット量、ラジアルチルト及びタンジェンシャルチルトの各マージンを実験にて求めた。その結果を図６Ａ〜図６Ｃに示す。これらの図６Ａ〜図６Ｃから、タンジェンシャルチルトのマージンを除く、フォーカスオフセット量及びラジアルチルトの各マージンは、溝幅Ｗ２が１１０ｎｍでは、エラーレートが１×１０^-3以下となる十分なマージンを得ることができないことがわかる。

次に、溝幅Ｗ２を１２３ｎｍ、１１０ｎｍとして、ウォブル振幅Ａａを変化させたときのフォーカスオフセット量及びラジアルチルトの各マージンを実験にて求めた。その結果を図７Ａ及び図７Ｂに示す。図７Ａ及び図７Ｂにおいて、溝幅Ｗ２＝１２３ｎｍの特性を破線で示し、溝幅Ｗ２＝１１０ｎｍの特性を実線で示す。

これらの図７Ａ及び図７Ｂから、溝幅Ｗ２を１１０ｎｍとした光記録媒体１０において、エラーレートが１×１０^-3以下となる十分なマージンを得るために必要なウォブル振幅Ａａは、約３３以上、好ましくは３５ｎｍ以上が必要であることが分かる。

〔比較例１〜１３〕
上述した各層の厚みの好ましい組み合わせ例に基づいて比較例１〜１３を作製した。比較例１〜１３の内訳は以下のとおりである。

すなわち、図８に示すように、比較例１は、位置情報エリア２６における第２プリグルーブ２８Ｂの溝幅Ｗ２（半値値）が８０ｎｍ、溝深さｈ２が４５ｎｍ、ウォブル振幅Ａａが２０ｎｍであり、比較例２は、溝幅Ｗ２が１１０ｎｍ、溝深さｈ２が４５ｎｍ、ウォブル振幅Ａａが２０ｎｍであり、比較例３は、溝幅Ｗ２が１２３ｎｍ、溝深さｈ２が４５ｎｍ、ウォブル振幅Ａａが２０ｎｍであり、比較例４は、溝幅Ｗ２が１４５ｎｍ、溝深さｈ２が４５ｎｍ、ウォブル振幅Ａａが２０ｎｍであり、比較例５は、溝幅Ｗ２が１８９ｎｍ、溝深さｈ２が４５ｎｍ、ウォブル振幅Ａａが２０ｎｍであり、比較例６は、溝幅Ｗ２が１１０ｎｍ、溝深さｈ２が４５ｎｍ、ウォブル振幅Ａａが２０ｎｍであり、比較例７は、溝幅Ｗ２が１１０ｎｍ、溝深さｈ２が４５ｎｍ、ウォブル振幅Ａａが２８ｎｍである。

比較例８は、溝幅Ｗ２が１２３ｎｍ、溝深さｈ２が４５ｎｍ、ウォブル振幅Ａａが２０ｎｍであり、比較例９は、溝幅Ｗ２が１２３ｎｍ、溝深さｈ２が４５ｎｍ、ウォブル振幅Ａａが２８ｎｍであり、比較例１０は、溝幅Ｗ２が１４５ｎｍ、溝深さｈ２が４５ｎｍ、ウォブル振幅Ａａが３６ｎｍであり、比較例１１は、溝幅Ｗ２が１５５ｎｍ、溝深さｈ２が４５ｎｍ、ウォブル振幅Ａａが３６ｎｍであり、比較例１２は、溝幅Ｗ２が８０ｎｍ、溝深さｈ２が４５ｎｍ、ウォブル振幅Ａａが３６ｎｍであり、比較例１３は、溝幅Ｗ２が１１０ｎｍ、溝深さｈ２が２５ｎｍ、ウォブル振幅Ａａが３６ｎｍである。

〔実施例１〜５〕
上述した各層の厚みの好ましい組み合わせ例に基づいて実施例１〜５を作製した。実施例１〜５の内訳は以下のとおりである。

すなわち、図８に示すように、実施例１は、位置情報エリア２６における第２プリグルーブ２８Ｂの溝幅Ｗ２（半値値）が１１０ｎｍ、溝深さｈ２が３０ｎｍ、ウォブル振幅Ａａが３６ｎｍであり、実施例２は、溝幅Ｗ２が１１０ｎｍ、溝深さｈ２が４５ｎｍ、ウォブル振幅Ａａが３６ｎｍであり、実施例３は、溝幅Ｗ２が１１０ｎｍ、溝深さｈ２が６０ｎｍ、ウォブル振幅Ａａが３６ｎｍであり、実施例４は、溝幅Ｗ２が１２３ｎｍ、溝深さｈ２が４５ｎｍ、ウォブル振幅Ａａが３６ｎｍであり、実施例５は、溝幅Ｗ２が１２３ｎｍ、溝深さｈ２が６０ｎｍ、ウォブル振幅Ａａが３６ｎｍである。

〔評価〕
波長４０５ｎｍのレーザ光３４を出射し、且つ、ＮＡ＝０．８５の対物レンズ３６を有する光ピックアップを搭載したＤＤＵ−１０００（パルステック工業社製）を用いて、位置情報エリア２６の未記録プッシュプル信号（反射率で規格化したプッシュプル信号）による評価と、マージン（フォーカスオフセット量及びラジアルチルトの各マージン）による評価を求めた。

ここで、未記録プッシュプル信号による評価は、位置情報エリア２６での安定したトラッキング制御及び安定したフォーカス制御を可能とするためには、未記録プッシュプル信号として０．４５〜０．５２であることが特に好ましいため、未記録プッシュプル信号が０．４５以上、０．５２以下の場合に「○」、０．５２より大きく、且つ、０．６以下の場合に「△」、０．４５未満又は０．６を超える場合に「×」と評価した。

マージンによる評価は、フォーカスオフセット量のマージンが６００以上、且つ、ラジアルチルトのマージンが１．５以上の場合に「○」、フォーカスオフセット量のマージンが５５０以上、６００未満で、且つ、ラジアルチルトのマージンが１．２５以上、１．５未満の場合に「△」、フォーカスオフセット量のマージンが５５０未満、且つ、ラジアルチルトのマージンが１．２５未満の場合に「×」と評価した。

評価の結果を図８に示す。

図８の結果から、位置情報エリア２６における溝幅Ｗ２（半値幅）が８０ｎｍ以上、１４０ｎｍ以下で、溝深さｈ２が３０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下で、且つ、ウォブル振幅Ａａが３０ｎｍ以上の範囲にある実施例１〜５は、マージンによる評価が「○」であり、位置情報エリア２６に対するエラーレートが１×１０^-3以下であることがわかる。

なお、本発明に係る光記録媒体、基板及びスタンパは、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。

本実施の形態に係る光記録媒体を一部省略して示す断面図である。 本実施の形態に係る光記録媒体のデータエリアと位置情報エリアの配置例を示す説明図である。 本実施の形態に係る光記録媒体の基板の構成を一部省略して示す断面図である。 本実施の形態に係る光記録媒体の基板に形成される第２プリグルーブのウォブル振幅を示す説明図である。 位置情報エリアにおける第２プリグルーブの溝幅に対する未記録プッシュプル信号の大きさの変化を示す特性図である。 図６Ａはウォブル振幅を２０ｎｍとしたときの溝幅に対するフォーカスオフセット量のマージンの変化を示す特性図であり、図６Ｂは同じくラジアルチルトのマージンの変化を示す特性図であり、図６Ｃは同じくタンジェンシャルチルトのマージンの変化を示す特性図である。 図７Ａは溝幅を１２３ｎｍ、１１０ｎｍとした場合に、ウォブル振幅を変化させたときのフォーカスオフセット量のマージンの変化を示す特性図であり、図７Ｂは同じくラジアルチルトのマージンの変化を示す特性図である。 比較例１〜１３、実施例１〜５の内訳と、比較例１〜１３、実施例１〜５における未記録プッシュプル及びマージンの評価を示す表図である。

符号の説明

１０…光記録媒体 １２…基板
１４…追記型記録層 １６…カバー層
１８…光反射層 ２０…バリア層
２２…接着層 ２４…データエリア
２６…位置情報エリア ２８Ａ…第１プリグルーブ
２８Ｂ…第２プリグルーブ ３４…レーザ光
３６…対物レンズ ３８…ハードコート層

Claims (8)

1. 一方の主面に溝が形成された面を有する基板と、
   前記基板の前記一方の主面上に形成された少なくとも一層の記録層を含む光学的機能層と、
   前記光学的機能層上に覆うように配置され形成された光透過層とを有する光記録媒体であって、
   前記基板の前記一方の主面のうち、最内周の部分に、少なくとも記録データの位置情報を得るために使用される位置情報エリアを有し、
   前記位置情報エリアにおける前記溝の半値幅（溝の深さの１／２の地点における溝の幅）が８０ｎｍ以上、１４０ｎｍ以下で、前記溝の深さが３０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下で、且つ、前記溝のウォブル振幅が３０ｎｍ以上であることを特徴とする光記録媒体。
2. 請求項１記載の光記録媒体において、
   前記位置情報エリアに対するエラーレートが１×１０^-3以下であることを特徴とする光記録媒体。
3. 請求項１記載の光記録媒体において、
   前記位置情報エリアにおける未記録プッシュプル信号（反射率で規格化したプッシュプル信号）が０．４５〜０．６であることを特徴とする光記録媒体。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の光記録媒体において、
   前記基板の厚さは、０．７〜２ｍｍの範囲であることを特徴とする光記録媒体。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の光記録媒体において、
   波長３５０〜４５０ｎｍのレーザ光により記録及び／又は再生が行われることを特徴とする光記録媒体。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の光記録媒体において、
   前記レーザ光の波長が４０５ｎｍ、前記レーザ光を前記記録層に集光する対物レンズの開口数が０．８５、前記基板の端面から前記記録層までの距離が１．１ｍｍに対応したものであることを特徴とする光記録媒体。
7. 少なくとも一層の記録層を含む光学的機能層と、前記光学的機能層上に覆うように配置され形成された光透過層とを有する光記録媒体用の基板において、
   前記光学的機能層が形成される一方の主面に溝が形成され、
   前記一方の主面のうち、最内周の部分に、少なくとも記録データの位置情報を得るために使用される位置情報エリアを有し、
   前記位置情報エリアにおける前記溝の半値幅（溝の深さの１／２の地点における溝の幅）が８０ｎｍ以上、１４０ｎｍ以下で、前記溝の深さが３０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下で、且つ、前記溝のウォブル振幅が３０ｎｍ以上であることを特徴とする基板。
8. 少なくとも一層の記録層を含む光学的機能層と、前記光学的機能層上に覆うように配置され形成された光透過層とを有する光記録媒体用の基板を作製するためのスタンパにおいて、
   前記基板は、一方の面に前記光学的機能層が形成されるものであって、前記一方の主面のうち、最内周の部分に、少なくとも記録データの位置情報を得るために使用される位置情報エリアを有し、
   前記位置情報エリアにおける前記溝の半値幅（溝の深さの１／２の地点における溝の幅）が８０ｎｍ以上、１４０ｎｍ以下で、前記溝の深さが３０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下で、且つ、前記溝のウォブル振幅が３０ｎｍ以上であることを特徴とするスタンパ。

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