JP2008033186A - マザー基板の切断方法 - Google Patents

Abstract

【課題】簡便に、きれいな切断面を得ることができるマザー基板の切断方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるマザー基板の切断方法は、切断線４に沿ってレーザー光を照射して、マザー基板を切断する方法である。まず、切断線４以外のマザー基板１上に透明性導電膜３、及びメタル２のパターンを形成して、レーザー光のスポット通過領域５において、透明性導電膜３、及びメタル２のパターンを切断線４を中心として左右対称に配設する。そして、レーザー光を照射して切断線４に沿ってマザー基板１を切断する。また、透明性導電膜３、及びメタル２のパターンを配設する工程では、メタル２の切断線側のパターン端から切断線４までの距離が変化することによってメタル２のパターンに凹部が設けられ、メタル２のパターンの凹部に透明性導電膜３が配設されているマザー基板の切断方法である。
【選択図】図３

Description

本発明は、マザー基板の切断方法に関し、特に切断線に沿ってレーザー光を照射して、マザー基板を切断するマザー基板の切断方法である。

パーソナルコンピュータ、携帯情報端末機器等の各種モニタ用の表示装置として、フラットパネルディスプレイが用いられている。ここで、フラットパネルディスプレイは、液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置等の平面型表示装置のことである。このようなフラットパネルディスプレイは、基板として、透明性、絶縁性、耐水性を持つガラスを用いることが多い。

上記のようなフラットパネルディスプレイは、ガラスからなるマザー基板上に多数個の素子をマトリックス状に形成して、マザー基板を各素子単位に切断分離する工程を経て製造される。このような切断方法としては、ホイールカッター、レーザー光等が用いられる。ホイールカッターによる切断方法としては、ガラス表面にダイアモンド等の硬い刃でスクライブ線を入れ、後に加圧し破断していく方法が一般的である。この方法は、生産効率が良いが、切断面に欠けやクラックが多発するという欠点がある。これにより、ガラスが割れやすくなってしまう。また、分断時にスクライブ線に沿って分割されず、スクライブ線から外れて分割されるという問題も生じる。

また、レーザー光による切断方法は、集光レンズを用いて高エネルギーのレーザービームをガラス等に照射することにより、切断を行う方法である（特許文献１）。これにより、切断面に欠けやクラックが生じ難く、割れ強度が向上する等の利点がある。また、切断を精密に制御し易いところから、各種の産業分野において汎用されている。このようなレーザー光は、鋼板、ステンレス鋼板、アルミニウム等の金属材、或いはガラス、ダイアモンド、セラミックス、合成樹脂等の非金属材等に対して、用いられている。上記材料の中で純銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金等はレーザー光を反射する材料として知られている。また、ガラス、ダイアモンド等はレーザー光を透過する材料として知られている。

ここで、上述のようなフラットパネルディスプレイのマザー基板を各素子単位に切断分離する際に、切断線周辺に配線材料のメタルが存在する場合がある。また、切断線周辺、特にレーザー光のスポット通過領域に、メタルが存在するとレーザー光が反射する。これにより、本来切断したい部分である切断線から外れて切断される等の問題点がある。ここで、レーザー光のスポット通過領域とは、切断線を中心線としてレーザー光のスポット径と同じ幅を有する帯状の領域である。

このため、従来は切断線を中心に、左右対称にメタルを配置し、切断を行っていた。これにより、レーザー光のスポット通過領域に、メタルが存在しても、切断線を中心に左右で、同等にレーザー光が反射されるため、切断線に沿って切断できる。

しかし、アライメントや接続状態の確認などが必要な場合、観察することができない等の理由により、切断線周辺でメタルを配設できないことがある。つまり、レーザー光のスポット通過領域において、切断線を中心にメタルが左右対称に配設されているが、メタルの有無が混在する場合がある。

メタルの有無が混在するマザー基板の一例を図４を用いて、具体的に説明する。図４は、切断されるマザー基板の構成を示す図である。

マザー基板１上のレーザー光のスポット通過領域５において、切断線４から所定の距離を隔てて、切断線４を中心として左右対称にメタル２のパターンが配設されている。また、メタル２の切断線４側のパターン端から切断線４までの距離が変化し、メタル２のパターンに凹部（以下、メタル非被覆領域７とする）が形成されている。つまり、一部の領域では、マザー基板１が露出している。
特開平６−１５５０６３号公報

図４のように構成されている場合、レーザー光のスポット通過領域５内のメタル２のパターンが形成されている領域（以下、メタル被覆領域６とする）と、メタル非被覆領域７、つまりマザー基板１が露出している領域とは、切断に必要なレーザー光の出力が異なる。具体的には、メタル被覆領域６では、レーザー光が反射されるため、出力を高くする必要がある。一方、メタル非被覆領域７では、レーザー光が反射されないため、出力を高くする必要はない。このように、切断に好適なレーザー光の出力が異なる。つまり、メタル被覆領域６を切断できるような高出力にレーザー光を設定して切断する場合、メタル非被覆領域７では、ガラスが割れる等の問題が生じる。これは、ガラスを切断するのに必要な出力以上の出力で切断を行ったためである。また、レーザー光の出力をメタル被覆領域６とメタル非被覆領域７とで変化させて切断させることは可能と考えられるが、実際には装置上の制約が多く困難であり、出力を変化させる位置を合わせるのも難しい。

本発明に係るマザー基板の切断方法は、上記の問題を鑑みるためになされたものであり、簡便に、きれいな切断面を得ることができるマザー基板の切断方法を提供することを目的とする。

本発明にかかるマザー基板の切断方法は、切断線に沿ってレーザー光を照射して、マザー基板を切断するマザー基板の切断方法であって、前記切断線以外の前記マザー基板上に透明性導電膜、及びメタルのパターンを形成して、前記レーザー光のスポット通過領域において、前記透明性導電膜、及び前記メタルのパターンを前記切断線を中心として左右対称に配設する工程と、前記透明性導電膜、及び前記メタルのパターンが形成された前記マザー基板に対してレーザー光を照射して前記切断線に沿って前記マザー基板を切断する工程とを備え、前記透明性導電膜、及び前記メタルのパターンを形成する工程では、前記メタルの前記切断線側のパターン端から前記切断線までの距離が変化することによって前記メタルのパターンに凹部が設けられ、前記メタルのパターンの凹部に前記透明性導電膜が配設されている方法である。これにより、簡便に、きれいな切断面を得ることができる。

また、前記透明性導電膜が前記メタルの下層にも形成されてもよい。

本発明によれば、簡便に、きれいな切断面を得ることが可能な切断方法を提供できる。

本実施の形態にかかるマザー基板の切断方法は、例えばフラットパネルディスプレイ等の表示装置のマザー基板に用いられる。ここで、表示装置とは、液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置等である。表示装置は、入力される表示信号に基づいて画像表示を行う。このような表示装置は、マザー基板上に多数個の素子をマトリックス状に形成して、マザー基板を各素子単位で切断分離する工程を経て製造される。

ここでは、表示装置の一例として、有機ＥＬ表示装置について図１、図２を用いて説明する。有機ＥＬ表示装置には、パッシブマトリクス駆動方式がよく用いられる。図１は、マザー基板から切断された後の有機ＥＬ素子の構成を示す断面図である。図２は、有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子が形成されている素子基板を示す平面図である。図１及び図２において、同一の要素には同一の符号を付している。

図１及び図２に示すように、有機ＥＬ表示パネル１００は、素子基板１０１、陽極１０２、絶縁層１０３、有機層１０４、陰極１０５、封止基板１０６、陽極補助配線１０７、陽極接続端子１０８、陰極補助配線１０９、陰極接続端子１１０、隔壁１１１、捕水材１１２、接着材１１３、開口部１１４、有機ＥＬ素子１１５、表示領域１１６、ＴＣＰ１１７、ＡＣＦ１１８を有している。なお、図１における断面図は、図２の素子基板１０１に封止基板１０６を貼り合わせた後のＡ−Ａ断面図である。

素子基板１０１は、ガラスなどからなる透明な矩形状の平板部材である。陽極１０２は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明性導電材料からなり、素子基板１０１上に形成されている。図２に示すように、複数の陽極１０２は、一定間隔を隔ててそれぞれ平行に形成されている。また、素子基板１０１上には、それぞれの陽極１０２に延設された陽極補助配線１０７及び陽極補助配線１０７の端部に配置される陽極接続端子１０８が設けられる。なお、陽極１０２、陽極補助配線１０７、陽極接続端子１０８は、同一の材料、つまり透明性導電材料からなる。透明導電材料は、一般的に配線材料として用いられる金属導電材料（例えば、アルミニウム）よりも高い電気抵抗を示す。このため、透明性導電材料の上に、メタルを配置し、電気抵抗を下げている。つまり、陽極補助配線１０７は、透明性導電材料からなる透明性導電膜、メタルの２層構造となっている。

陽極１０２が形成された素子基板１０１上には、絶縁層１０３が形成される。絶縁層１０３は、陽極１０２と後述する陰極１０５との絶縁を確保するために設けられる。絶縁層１０３は、ポリイミドなどの絶縁材料からなる。絶縁層１０３には、陽極１０２と後述する陰極１０５との交差位置、すなわち画素となる位置に対応して開口部１１４が設けられている。つまり、絶縁層１０３は、有機層１０４と陽極１０２とが接触する開口部１１４を画定する役割を果たしている。この開口部１１４に対応する位置が画素となる。

絶縁層１０３上には、隔壁１１１が形成される。隔壁１１１は、分離された陰極１０５を形成するため、陰極１０５を蒸着などにより形成する前に所望のパターンに形成される。また、隔壁１１１は、陽極１０２に対し垂直に、陰極１０５に対して平行に設けられる。陰極１０５の分離をより確実なものとするため、隔壁１１１は逆テーパ構造を有している。すなわち、素子基板１０１から離れるにつれて、断面が広がるように形成される。

有機層１０４は、一般的な、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などを順次積層した構成を有している。有機層１０４は、前述した陽極１０２、絶縁層１０３、隔壁１１１の上に、所定の大きさで配置される。

陰極１０５は、光反射性を有するアルミニウムなどの導電性材料からなり、有機層１０４上に設けられる。陰極１０５は、隔壁１１１によって分離されるため、隔壁１１１の間に配設される。したがって、陰極１０５は陽極１０２に対して垂直に設けられる。陽極１０２と陰極１０５とが交差する位置が画素となる。また、素子基板１０１上には、それぞれの陰極１０５に延設された陰極補助配線１０９及び陰極補助配線１０９の端部に配置される陰極接続端子１１０が設けられる。なお、陰極１０５、陰極補助配線１０９、陰極接続端子１１０は、同一の材料、つまり導電性材料からなる。

有機ＥＬ素子１１５は、素子基板１０１上に順次積層された陽極１０２、有機層１０４、陰極１０５を備える。複数の画素から構成される領域が、表示領域１１６となる。

また、陽極１０２と視認側の素子基板１０１との間にカラーフィルタ層（不図示）を形成してもよい。カラーフィルタ層は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に着色された着色層と、着色層の間に配置される遮光層とを有している。各画素は、順次積層されたカラーフィルタ層、陽極１０２、有機層１０４及び陰極１０５を備えている。

封止基板１０６は、パネル中に水分や酸素が入らないように設けられる。封止基板１０６としては、ステンレス鋼、アルミニウム又はその合金などの金属類のほか、ガラス、アクリル系樹脂などの１種類又は、２種類以上からなるものを使用することができる。封止基板１０６の画素に対向する面上には、捕水材１１２を配置するための凹部が形成されている。

封止基板１０６と素子基板１０１とは、光硬化型の接着材１１３を介して固着されている。接着材１１３としては、水分などの透過性の低い紫外線硬化型のエポキシ系接着材などを用いることができる。接着材１１３は、表示領域１１６を囲むように形成されている。すなわち、接着材１１３は、封止基板１０６に形成されている凹部を囲む凸部に配置される。接着材１１３は、封止基板１０６と素子基板１０１とを固着し、表示領域１１６を含む空間を封止する。すなわち、有機ＥＬ素子１１５は、素子基板１０１、封止基板１０６、接着材１１３とで形成される気密空間に配置される。

気密空間内には、画素のほか、画素への水分や酸素の影響を抑制し、安定した発光特性を維持するための捕水材１１２が設けられている。捕水材１１２は、封止基板１０６上の、有機ＥＬ素子１１５と対向する面に形成された凹部に設けられている。また、捕水材１１２は、封止基板１０６に形成された凹部の内部側面と接触しないように、一定の間隔を設けて配設されている。

捕水材１１２としては、無機系の乾燥剤や、水分と反応性の高い有機金属化合物を膜状にしたもの、さらに、フッ素系オイルからなる不活性液体中に固体の吸湿剤を混合したものなどを用いることができる。

また、封止基板１０６は、陽極補助配線１０７の一部と陽極接続端子１０８、及び陰極補助配線１０９の一部と陰極接続端子１１０からなる引き出し部を素子基板１０１、封止基板１０６、接着材１１３とで形成される気密空間から露出するために、素子基板１０１よりも大きさが小さくなっている。すなわち、陽極接続端子１０８及び陰極接続端子１１０は、接着材１１３の外側に配置される。

図１に示すように、駆動回路は、陰極接続端子１１０、陰極補助配線１０９を介して陰極１０５と電気的に接続されている。駆動回路が設けられたＴＣＰ（Tape Carrier Package）１１７と陽極接続端子１０８又は陰極接続端子１１０とは、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）１１８を介して接続される。図１に示すように、陰極接続端子１１０とＴＣＰ１１７との間にＡＣＦ１１８が配置される。ＡＣＦ１１８が、陰極接続端子１１０とＴＣＰ１１７とを物理的に固定し、さらに、ＡＣＦ１１８に含まれる導電粒子により陰極接続端子１１０とＴＣＰ１１７の接続配線を電気的に接続する。なお、陽極１０２も同様に駆動回路が接続される。以上のように、有機ＥＬ表示装置が構成されている。

そして、有機ＥＬ表示装置の画素の陽極１０２と陰極１０５との間に電流を供給することによって、陽極１０２からは正孔が、陰極１０５からは電子がそれぞれ有機層１０４に注入されて再結合する。その際に生ずるエネルギーにより有機層１０４内の有機発光性化合物の分子が励起される。励起された分子は基底状態に失活し、その過程において有機層１０４が発光する。また、カラーフィルタ層は、有機層１０４からの光を選択的に透過し、所望の色の透過光が視認側に出射する。各画素が駆動回路からの信号に従って有機発光層の発光量を制御することによって、表示領域は画像表示を行う。

次に、本実施の形態にかかるマザー基板の切断方法を図３を用いて説明する。ここでは、一例として、上記の有機ＥＬ表示パネル１００のマザー基板の切断方法、特に陽極補助配線１０７周辺の切断方法を説明する。図３は、本実施の形態にかかるマザー基板の切断方法を示す工程断面図である。

マザー基板１の上には、配線等が配置されている。なお、ここではマザー基板１として、ガラスを用いている。例えば、上説のような有機ＥＬ表示パネル１００の場合、陽極補助配線１０７は、透明性導電膜３、メタル２の２層構造となっている。透明性導電膜３としては、ＩＴＯ、ＳｎＯ_２、ＩｎＺｎＯ等を用いることができる。また、ＩＴＯ、ＳｎＯ_２、ＩｎＺｎＯ等の積層、あるいは混合層からなる透明導電層でもよい。本実施の形態では、透明性導電膜３としてＩＴＯを用いている。そして、ＩＴＯの上には、アルミニウム等のメタル２が形成されている。つまり、ガラスの上に、ＩＴＯ、メタル２が順次積層された構成となっている。

マザー基板１の切断線４に沿って、レーザー光を走査させる。すなわち、切断線４はレーザー光のスポット中心が移動する直線となる。従って、レーザー光のスポット通過領域５とは、切断線４を中心線としてレーザー光のスポット径と同じ幅を有する帯状の領域である。これがレーザー光の照射領域となる。なお、切断線４から所定の距離の範囲内には、透明性導電膜３、メタル２のパターンが配設されていない。つまり、切断線４から所定の距離の範囲内では、マザー基板１が露出している。本実施の形態では、所定の距離を０．５ｍｍとしている。

切断線４から所定の距離の範囲外では、メタル２のパターンが左右対称に配設されている。つまり、メタル２のパターンが切断線４に対して、線対称となっている。また、切断線４の位置に応じて、メタル２の切断線４側のパターン端から切断線４までの距離が変化している。これにより、メタル２のパターンに凹部が形成されている。本実施の形態では、メタル２の切断線４側のパターン端から切断線４までの距離が２段階に変化している。具体的には、０．５ｍｍの距離と、レーザー光のスポット半径以上の距離である。従って、レーザー光のスポット通過領域５のうちの切断線４から所定の距離の範囲外では、メタル２の有無が混在している。ここで、レーザー光のスポット通過領域５において、メタル２のパターンが配設されている領域をメタル被覆領域６とする。また、レーザー光のスポット通過領域５において、メタル２のパターンの凹部をメタル非被覆領域７とする。

メタル非被覆領域７では、メタル２の下層に形成された透明性導電膜３が露出している。すなわち、メタル非被覆領域７には、透明性導電膜３のみが配設されている。この透明性導電膜３も、切断線４を中心として左右対称に形成されている。また、本実施の形態では、透明性導電膜３から切断線４までの距離が、メタル被覆領域６におけるメタル２から切断線４までの距離と略同一となっている。これにより、メタル２あるいは透明性導電膜３が配設されている領域から切断線４までの距離は、一定となっている。このように、メタル非被覆領域７を設けることにより、切断線４周辺でも、視認することができる。そして、アライメントや接続の確認等のために、観察することができる。

なお、メタル２と透明性導電膜３のパターンは、少なくとも切断を行うレーザー光のスポット通過領域５内で左右対称であればよい。つまり、マザー基板１上のレーザー光のスポット通過領域５において、メタル２、透明性導電膜３のパターンを左右対称に形成すればよい。また、レーザー光のスポット通過領域５で左右対称であれば、その他の部分では左右対称であってもよいし、左右対称でなくてもよい。さらには、その他の材料が形成されていてもよい。なお、本実施の形態では、メタル２の切断線４側のパターン端から切断線４までの距離を２段階とし、メタル２あるいは透明性導電膜３のパターンが形成されている領域から切断線４までの距離を一定としたが、これに限られるわけではない。

また、ここで用いるレーザー光のスポット径は、約２ｍｍである。つまり、切断線４を中心に、左右１ｍｍ以内の範囲では、レーザー光が照射される。メタル被覆領域６では、切断線４から０．５ｍｍの間隔を隔ててメタル２が形成されている。このため、マザー基板１をレーザー光を照射することによって切断する際、メタル被覆領域６ではガラスだけでなく、メタル２にもレーザー光が照射される。一方、メタル非被覆領域７では、レーザー光のスポット通過領域５の外側にメタル２が形成されている。従って、メタル非被覆領域７では、メタル２にレーザー光が照射されない。しかしながら、メタル非被覆領域７には、透明性導電膜３が配設されている。そして、透明性導電膜３も切断線から０．５ｍｍの間隔を隔てて配設されている。つまり、マザー基板１をレーザー光を照射することによって切断する際、メタル非被覆領域７ではガラスのみならず、透明性導電膜３にもレーザー光が照射される。レーザー光のスポット通過領域５において、メタル２、透明性導電膜３のパターンが配設されている領域では、レーザー光を反射するため、同程度の出力のレーザー光で切断を行う必要がある。つまり、レーザー光のスポット通過領域５において、メタル２、透明性導電膜３のパターンが配設されていない領域のマザー基板１を切断するよりも、高出力のレーザー光で切断する必要がある。これは、ガラスがレーザー光を反射せずに、透過するためである。

本実施の形態では、レーザー光のスポット通過領域５において、左右対称にメタル２、あるいは透明性導電膜３のパターンが配設されている。また、レーザー光のスポット通過領域５において、切断線４を中心に０．５ｍｍ以上隔てた領域では、ガラスが露出している領域がない。レーザー光のスポット径内では、常にガラスが露出している面積が一定となる。すなわち、ガラスのみにレーザー光が照射される領域はない。このため、切断に好適なレーザー光の出力は一定である。つまり、一定の出力で、レーザー光を照射して切断を行った場合でも、切断面（端部）のきれいな基板が得られる。これにより、複雑な制御を行うことなく簡便に割れ強度の強い基板が得られる。また、切断線４を中心にして左右対称にメタル２、透明性導電膜３のパターンが配設されているため、左右での反射率は揃っている。これにより、切断線４から外れて切断されることを抑制することができる。

一方、従来のマザー基板の切断方法では、レーザー光のスポット通過領域５において、透明性導電膜３を露出させない、つまり透明性導電膜３がメタル２とともに除去されているため、マザー基板１を構成するガラスに割れが生じてしまう。具体的には、上記と同様に、マザー基板１の切断線４から０．５ｍｍの間隔を隔ててアルミニウム等のメタル２のパターンを配設する。また、メタル非被覆領域７には、透明性導電膜３のパターンを配設しない。つまり、メタル非被覆領域７全体で、マザー基板１を構成するガラスが露出している。このマザー基板１を、メタル被覆領域６を切断する出力のレーザー光を用いて切断すると、メタル非被覆領域７にレーザー光を照射しようとした時点で割れが生じてしまう。逆に、メタル非被覆領域７を切断する出力のレーザー光、つまりガラスを切断する出力のレーザー光で切断を行った場合、メタル被覆領域６を切断することができない。従って、従来の方法は本実施の形態に係る方法と比べて、良好に切断することができない。

また、本実施の形態に係るマザー基板の切断方法が用いられるのは、上記の場合に限られない。つまり、有機ＥＬ表示装置のマザー基板１の場合に限られるわけではない。例えば、有機ＥＬ表示装置以外のフラットパネルディスプレイのマザー基板を用いてもよい。また、入力装置のマザー基板を用いても良い。本実施の形態では、透明性導電膜３、メタル２の２層構造となっている配線を例に挙げて説明したが、この構造に限られるものではない。例えば、透明性導電膜３を有さない配線の場合でも、メタル非被覆領域７に別途透明性導電膜３等の透明性材料を形成すればよい。あるいは、配線の周辺を切断する場合に限らず、切断線の周辺にメタル被覆領域６とメタル非被覆領域７とが配置された場合にも応用することができる。本実施の形態に係るマザー基板の切断方法によれば、上記のマザー基板１を良好に切断することができる。なお、これらのマザー基板１に対しても、上述のような効果を得ることができる。なお、マザー基板１をレーザー光でもって切断する方法としては、レーザー光のみでマザー基板１の厚み分全てを切断してもよいし、マザー基板１にレーザー光で切り溝を形成し、該切り溝に沿って加圧して分断してもよい。

有機ＥＬ素子の構成を示す断面図である。 有機ＥＬ素子が形成されている素子基板を示す平面図である。 実施の形態にかかるマザー基板の構成を示す図である。 従来のマザー基板の構成を示す図である。

符号の説明

１ マザー基板、２ メタル、３ 透明性導電膜、４ 切断線、
５ レーザー光のスポット通過領域、６ メタル被覆領域、
７ メタル非被覆領域、
１００ 有機ＥＬ表示パネル、１０１ 素子基板、１０２ 陽極、
１０３ 絶縁層、１０４ 有機層、１０５ 陰極、１０６ 封止基板、
１０７ 陽極補助配線、１０８ 陽極接続端子、１０９ 陰極補助配線、
１１０ 陰極接続端子、１１１ 隔壁、１１２ 捕水材、１１３ 接着材、
１１４ 開口部、１１５ 有機ＥＬ素子、１１６ 表示領域、１１７ ＴＣＰ、
１１８ ＡＣＦ

Claims (2)

1. 切断線に沿ってレーザー光を照射して、マザー基板を切断するマザー基板の切断方法であって、
   前記切断線以外の前記マザー基板上に透明性導電膜、及びメタルのパターンを形成して、前記レーザー光のスポット通過領域において、前記透明性導電膜、及び前記メタルのパターンを前記切断線を中心として左右対称に配設する工程と、
   前記透明性導電膜、及び前記メタルのパターンが形成された前記マザー基板に対してレーザー光を照射して前記切断線に沿って前記マザー基板を切断する工程とを備え、
   前記透明性導電膜、及び前記メタルのパターンを配設する工程では、
   前記メタルの前記切断線側のパターン端から前記切断線までの距離が変化することによって前記メタルのパターンに凹部が設けられ、
   前記メタルのパターンの凹部に前記透明性導電膜が配設されているマザー基板の切断方法。
2. 前記透明性導電膜が前記メタルの下層にも形成されている請求項１に記載のマザー基板の切断方法。

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