JP2008027942A - 半導体デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、半導体基板に素子分離領域によって分離されて形成される半導体デバイスにおいて、前記半導体基板に形成されるチャネル部と;前記チャネル部の上に形成されるゲート絶縁膜と;前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極と;前記チャネル部の下部にのみ形成される埋め込みシリコン酸化膜とを備える。
【選択図】図9
Description
111a 埋め込み酸化膜(BOX層)
112 素子分離領域
116 SOI層
120 ゲート絶縁膜
122a ゲート電極
126 サイドウォール
Claims (11)
- 半導体基板に素子分離領域によって分離されて形成される半導体デバイスにおいて、
前記半導体基板に形成されるチャネル部と;
前記チャネル部の上に形成されるゲート絶縁膜と;
前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極と;
前記チャネル部の下部にのみ形成される埋め込みシリコン酸化膜とを備えたことを特徴とする半導体デバイス。 - 前記ゲート電極の側面に形成されるサイドウォールを更に備え、
前記埋め込みシリコン酸化膜の幅は、前記サイドウォールを含む前記ゲート電極の幅よりも狭くなるように成形されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。 - 前記チャネル部は、前記素子分離領域及び前記埋め込みシリコン酸化膜によってフローティング状態になっていないことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体デバイス。
- 半導体デバイスの製造方法において、
埋め込みシリコン酸化膜を有するSOI基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と;
前記ゲート電極の側面にサイドウォールを形成する工程とを含み、
前記サイドウォールを形成する工程において、SOI層及び前記埋め込みシリコン酸化膜を除去する際に、フィールド部をマスクして選択的に残し、
トランジスタのチャネル部の下にのみ前記埋め込みシリコン酸化膜を形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 前記SOI層及び埋め込みシリコン酸化膜を除去した後、前記チャネル領域下の前記埋め込みシリコン酸化膜を前記サイドウォールを含む前記ゲート電極幅より狭くするように、前記埋め込みシリコン酸化膜を成形することを特徴とする請求項4に記載の半導体デバイスの製造方法。
- 前記半導体デバイスは、NMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタを含むCMOSトランジスタであり、
前記SOI層及び埋め込みシリコン酸化膜を除去した後、ウェハ全体をシリコン酸化膜で被い、NMOS領域のみ前記シリコン酸化膜を除去する工程と;
P型不純物を含むシリコンをNMOS領域にのみエピタキシャル成長させる工程とを更に含むことを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記半導体デバイスは、NMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタを含むCMOSトランジスタであり、
前記SOI層及び埋め込みシリコン酸化膜を除去した後、ウェハ全体をシリコン酸化膜で被い、PMOS領域のみ前記シリコン酸化膜を除去する工程と;
N型不純物を含むシリコンをPMOS領域にのみエピタキシャル成長させる工程とを更に含むことを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 前記半導体デバイスは、NMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタを含むCMOSトランジスタであり、
前記SOI層及び埋め込みシリコン酸化膜を除去した後、ウェハ全体をシリコン酸化膜で被い、NMOS領域のみ前記シリコン酸化膜を除去する工程と;
P型不純物を含むシリコンをNMOS領域にのみエピタキシャル成長させる工程と;
ウェハ全体を再びシリコン酸化膜で被い、PMOS領域のみ前記シリコン酸化膜を除去する工程と;
N型不純物を含むシリコンをPMOS領域にのみエピタキシャル成長させる工程とを更に含むことを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 半導体基板上に形成された絶縁層と;
前記絶縁層の両側に形成されたシリコン層と;
前記絶縁層上に形成されたチャネル部と;
前記チャネル部の両側であって、かつ前記シリコン層上に形成された高濃度不純物領域と;
前記チャネル部上に形成されたゲート絶縁膜と;
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備えることを特徴とする半導体デバイス。 - 前記ゲート電極の側面に形成されるサイドウォールを更に備え、
前記絶縁層の幅は、前記ゲート電極と前記サイドウォールとを合わせた幅よりも狭いことを特徴とする請求項9に記載の半導体デバイス。 - 支持基板と、前記支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成されたシリコン層とを有するSOI基板を準備する工程と;
前記シリコン層に素子分離領域を形成する工程と;
前記素子分離領域以外の前記シリコン層上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上の一部上にゲート電極を形成する工程と;
前記ゲート絶縁膜、前記素子分離領域、及び前記ゲート電極を覆う絶縁膜を形成する工程と;
前記素子分離領域上の前記絶縁膜を被覆し、且つ前記ゲート絶縁膜上及び前記ゲート電極上の前記絶縁膜を被覆しない、レジストマスクを形成する工程と;
前記レジストマスクを用いてエッチングすることにより、前記ゲート電極側面に前記絶縁膜からなるサイドウォールを形成し、そのままエッチングを続けることにより、前記ゲート電極、前記サイドウォール、及び前記レジストマスクそれぞれの下方以外の前記ゲート絶縁膜、前記シリコン層、及び前記絶縁層を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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2006
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