JP2008022176A - リンギング低減回路および該リンギング低減回路を備えた半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 リンギング低減回路40NAは、出力信号線120および低電位電源線112間のNチャネルトランジスタ401と、コンパレータ410とを有する。コンパレータ410は、出力信号OUTを高電位電源線111のレベルPVDDIと比較し、出力信号OUTがレベルPVDDIを越えるオーバシュートが発生しているとき、Nチャネルトランジスタ401をON状態とし、オーバシュートを低減する。リンギング低減回路40PAは、同様の原理により、出力信号OUTのアンダシュートを低減する。
【選択図】図1
Description
かかる発明によれば、出力バッファ回路のスイッチング動作により出力信号にリンギングが生じ、出力信号が基準レベルを正方向または負方向に越えた場合に、スイッチング素子がON状態とされ、出力信号線から低電位電源線または高電位電源線への放電が行われ、リンギングが低減される。
図1および図2はこの発明の第1実施形態であるリンギング低減回路40PAおよび40NAを備えたD級増幅器100Aの構成を示す回路図である。ここで、図1にはリンギング低減回路40NAの回路構成が示されており、図2にはリンギング低減回路40PAの回路構成が示されている。
図4および図5はこの発明の第2実施形態であるリンギング低減回路40PBおよび40NBを備えたD級増幅器100Bの構成を示す回路図である。ここで、図4にはリンギング低減回路40NBの回路構成に示されており、図5にはリンギング低減回路40PBの回路構成が示されている。なお、これらの図において、前掲図1および図2に示された部分と対応する部分には共通の符号を付け、その説明を省略する。
図6および図7はこの発明の第3実施形態であるリンギング低減回路40PCおよび40NCを備えたD級増幅器100Cの構成を示す回路図である。ここで、図6にはリンギング低減回路40NCの回路構成に示されており、図7にはリンギング低減回路40PCの回路構成が示されている。なお、これらの図において、前掲図1および図2並びに前掲図4および図5に示された部分と対応する部分には共通の符号を付け、その説明を省略する。
本実施形態においても上記第2実施形態と同様な効果が得られる。
(4)高電位電源線111a、低電位電源線112aは、半導体集積回路内の電源電圧の安定な箇所に接続してもよい。
Claims (8)
- 半導体集積回路内の出力バッファ回路の出力信号を前記半導体集積回路の外部の負荷に伝える出力信号線と前記出力バッファ回路に電源電圧を供給する高電位電源線または低電位電源線との間に介挿されたスイッチング素子と、
前記出力信号線を介して前記負荷に与えられる出力信号にリンギングが生じ、前記出力信号が基準レベルを正方向または負方向に越えた場合に、前記スイッチング素子をON状態とする信号を出力するリンギング検出手段と
を具備することを特徴とするリンギング低減回路。 - 前記リンギング検出手段は、前記出力信号線のレベルと前記出力バッファ回路に電源電圧を供給する高電位電源線または低電位電源線のレベルとを比較することにより、前記負荷に与えられる出力信号が前記基準レベルを正方向または負方向に越えたことを検出するコンパレータを具備することを特徴とする請求項1に記載のリンギング低減回路。
- 前記リンギング検出手段は、前記出力信号線のレベルと、前記出力バッファ回路に電源電圧を供給する高電位電源線または低電位電源線とは別の電源線に与えられるレベルとを比較することにより、前記負荷に与えられる出力信号が前記基準レベルを正方向または負方向に越えたことを検出するコンパレータを具備することを特徴とする請求項1に記載のリンギング低減回路。
- 前記リンギング検出手段は、前記出力バッファ回路に電源電圧を供給する高電位電源線または低電位電源線のレベルと、前記出力バッファ回路に流れるスイッチング電流の経路とならない前記高電位電源線または低電位電源線とは別の電源線に与えられるレベルとを比較することにより、前記負荷に与えられる出力信号が前記基準レベルを正方向または負方向に越えたことを検出するコンパレータを具備することを特徴とする請求項1に記載のリンギング低減回路。
- 前記スイッチング素子は、前記出力信号線と前記低電位電源線との間に介挿されており、
前記リンギング検出手段は、前記出力信号が前記高電位電源線のレベルまたは該レベルよりも安定したレベルである基準レベルを正方向に越えたことを検出した場合に、前記スイッチング素子をON状態とする信号を出力することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1の請求項に記載のリンギング低減回路。 - 前記スイッチング素子は、前記出力信号線と前記高電位電源線との間に介挿されており、
前記リンギング検出手段は、前記出力信号が前記低電位電源線のレベルまたは該レベルよりも安定したレベルである基準レベルを負方向に越えたことを検出した場合に、前記スイッチング素子をON状態とする信号を出力することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1の請求項に記載のリンギング低減回路。 - 前記スイッチング素子として、前記出力信号線と前記低電位電源線との間に介挿された第1のスイッチング素子と、前記出力信号線と前記高電位電源線との間に介挿された第2のスイッチング素子とを具備し、
前記リンギング検出手段は、前記出力信号が前記高電位電源線のレベルまたは該レベルよりも安定したレベルである第1の基準レベルを正方向に越えたことを検出した場合に、前記第1のスイッチング素子をON状態とする信号を出力する第1のコンパレータと、前記出力信号が前記低電位電源線のレベルまたは該レベルよりも安定したレベルである第2の基準レベルを負方向に越えたことを検出した場合に、前記第2のスイッチング素子をON状態とする信号を出力する第2のコンパレータとを具備することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1の請求項に記載のリンギング低減回路。 - 請求項1〜7のいずれか1の請求項に記載のリンギング低減回路を搭載してなることを特徴とする半導体集積回路。
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