JP2008021958A - ナノスケールでモルフォロジー制御された粗い電極上に成長した有機感光性電池 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 216
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims abstract description 21
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 61
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 35
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 18
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 12
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 12
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 9
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical group [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- -1 3,4,9,10-tetracarboxyperylene dianhydride Chemical compound 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 6
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GGNDPFHHUHTCIO-UHFFFAOYSA-N 1h-benzimidazole;perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1.C1=CC=C2NC=NC2=C1.C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O GGNDPFHHUHTCIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FRWDHMWMHYXNLW-UHFFFAOYSA-N boron(3+) Chemical compound [B+3] FRWDHMWMHYXNLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 5
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 181
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 67
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 42
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 40
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 24
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 20
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 18
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 15
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 14
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 11
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 8
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 8
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 8
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 6
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 6
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 4
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 3
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 3
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 1
- 210000002457 barrier cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001912 gas jet deposition Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005325 percolation Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0224—Electrodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/87—Light-trapping means
-
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- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
【解決手段】基板上に蒸着された第1電極、少なくとも30nmの二乗平均粗さ及び少なくとも200nmの高さ変化量を有する第1電極の露出された表面を含み、第1電極は透明であるようなオプトエレクトロニックデバイス及びオプトエレクトロニックデバイスを作製する方法。第1有機半導体材料のコンフォーマル層は有機気相蒸着法により第1電極上部へ蒸着され、第1有機半導体材料は低分子材料である。第2有機半導体材料層は、コンフォーマル相を覆って蒸着される。第2有機半導体材料層の少なくともいくらかは前記コンフォーマル層と直接接触する。第2電極が第2有機半導体材料層を覆って蒸着される。第1有機半導体材料は、反対のタイプの材料である第2有機半導体材料に関連してドナータイプまたはアクセプタータイプである。
【選択図】図11
Description
光起電性セルに使用される低分子量有機層は、市販のSnO2:F(旭硝子ファブリテック株式会社 564−0062 大阪府吹田市垂水町3‐25‐12)及びITO(Applied Film Corp.,6797−Winchester Circle,Boulder,CO 80301)でコートされた1.1mm厚ガラス基板上にOVPDによって蒸着される。SnO2:F層は厚さ750nmであり、ITO層は厚さ150nmである。溶媒で洗浄された基板は、OVPDチャンバ内部にローディングされるすぐ前に5分間紫外光+O3処理にさらされる。
110 基板
120 アノード
122 アノード平滑層
152 ドナー
153 混合ヘテロ接合
154 アクセプター
156 励起子阻止層
170 カソード
252 ドナー材料
254 アクセプター材料
300 オプトエレクトロニックデバイス
320 透明コンタクト
350 光活性領域
358 有機光導電材料
370 ショットキーコンタクト
1200 蒸着チャンバ
1201 インレット
1202 アウトレット
1203 ガス移送ヘッド
1204 プラットフォーム
1206 温度コイル
1448 突起
Claims (34)
- 基板上に蒸着された第1電極と、少なくとも30nmの二乗平均粗さ及び少なくとも200nmの高さ変化量を有する前記第1電極の露出された表面とを提供し、前記第1電極は透明である段階と、
第1有機半導体材料のコンフォーマル層を前記第1電極上部に蒸着し、前記第1有機半導体材料は低分子材料である段階と、
前記コンフォーマル層の上に第2有機半導体材料層の蒸着し、前記第2有機半導体材料層の少なくともいくらかは前記コンフォーマル層と直接接触する段階と、
前記第2有機半導体材料層の上に第2電極を蒸着する段階と、
を含み、
前記第1有機半導体材料は、もう一方の材料タイプである前記第2有機半導体材料に対してドナータイプ、またはアクセプタータイプである、オプトエレクトロニックデバイスを作製する方法。 - 前記コンフォーマル層が有機気相蒸着法によって蒸着される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1電極が、ドープ透明導電性酸化物、非ドープ透明導電性酸化物、及び低分子マトリックスまたはポリマーマトリックス中のカーボンナノチューブから選択される材料で本質的に構成される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1電極の表面積は、下部の前記基板の表面積と比較して少なくとも1.2倍大きい、請求項1に記載の方法。
- 前記コンフォーマル層の厚みが300Å未満である、請求項1に記載の方法。
- 前記コンフォーマル層の厚みが200Å未満である、請求項5に記載の方法。
- 前記第2有機材料層が連続層である、請求項1に記載の方法。
- 前記第1電極の高さ変化量が、前記コンフォーマル層の厚みと前記第2有機半導体材料層の最小厚みとを足し合わせた厚みと比較して少なくとも3倍大きい、請求項7に記載の方法。
- 前記第1電極の高さ変化量が、前記コンフォーマル層の厚みと前記第2有機半導体材料層の最小厚みとを足し合わせた厚みと比較して少なくとも5倍大きい、請求項8に記載の方法。
- 前記第1有機半導体材料のコンフォーマル層が前記第1電極上部に直接蒸着される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1電極との界面において前記コンフォーマル層に歪みが形成され、前記コンフォーマル層を蒸着する段階は、前記第1有機半導体材料の格子構造が緩和するまで前記第1有機半導体材料を前記第1電極上部に蒸着し、前記第1有機半導体材料の複数のドメインを形成し、前記コンフォーマル層が多結晶である段階を含む、請求項10に記載の方法。
- 前記第1有機半導体材料は、前記第2有機半導体材料に対してドナータイプの材料であり、前記第2有機半導体材料はアクセプタータイプの材料である、請求項1に記載の方法。
- 前記ドナータイプの材料は、フタロシアニン、フタロシアニン誘導体、及び3,4,9,10−テトラカルボキシペリレンニ無水物(PTCDA)から選択される、請求項12に記載の方法。
- 前記フタロシアニンは、銅フタロシアニン(CuPc)、スズフタロシアニン(SnPc)及び亜鉛フタロシアニン(ZnPc)から選択され、前記フタロシアニン誘導体はクロロ[サブフタロシアニナト]ホウ素(III)(SubPc)から選択される、請求項13に記載の方法。
- 前記第1有機半導体材料は前記第2有機半導体材料に対してアクセプタータイプの材料であり、前記第2有機半導体材料はドナータイプの材料である、請求項1に記載の方法。
- 前記アクセプタータイプの材料は、少なくとも60炭素原子を有する多面体フラーレン及び3,4,9,10−テトラカルボキシペリレンビスベンズイミダゾール(PTCBI)から選択される、請求項15に記載の方法。
- 前記第1有機半導体材料のナノメータスケールの突起を前記コンフォーマル層上部に直接蒸着し、前記コンフォーマル層と突起とを組み合わせた表面積は、突起を持たないコンフォーマル層の表面積と比較して少なくとも2倍大きい段階をさらに含み、前記突起を蒸着した後に前記第2有機半導体材料層が蒸着される、請求項1に記載の方法。
- 前記各突起の高さは各突起の断面の幅よりも大きい、請求項17に記載の方法。
- 前記コンフォーマル層及び前記突起として蒸着された前記第1有機半導体材料の内部の様々な位置から、反対タイプの材料層との界面境界までの距離は、前記第1有機半導体材料の2.5励起子拡散長以下である、請求項17に記載の方法。
- 上部に第1電極を有する基板であって、前記基板とは反対側の前記第1電極の表面が少なくとも30nmの二乗平均粗さ及び少なくとも200nmの高さ変化量を有する、基板と、
以下の層からなる少なくとも一つのドナー・アクセプターヘテロ接合と、
−前記第1電極の表面上の第1有機半導体材料のコンフォーマル層であって、前記第1有機半導体材料が低分子材料である、コンフォーマル層;
−前記第1有機半導体材料のコンフォーマル層上の第2有機半導体材料層であって、前記第2有機半導体材料の少なくともいくらかは前記コンフォーマル層と直接接触し、前記第1有機半導体材料は、もう一方の材料タイプである前記第2有機半導体材料に対してドナータイプ、またはアクセプタータイプである、第2有機半導体材料層;
前記ドナー・アクセプターヘテロ接合上の第2電極と、
を含むデバイス。 - 前記第1電極が、ドープ透明導電性酸化物、非ドープ透明導電性酸化物、及び低分子マトリックスまたはポリマーマトリックス中のカーボンナノチューブから選択される材料で本質的に構成される、請求項20に記載のデバイス。
- 前記第1電極の表面積は、下部の前記基板の表面積と比較して少なくとも1.2倍大きい、請求項20に記載のデバイス。
- 前記コンフォーマル層の厚みが300Å未満である、請求項20に記載のデバイス。
- 前記コンフォーマル層の厚みが200Å未満である、請求項23に記載のデバイス。
- 前記第2有機材料層が連続層である、請求項20に記載のデバイス。
- 前記第1電極の高さ変化量が、前記コンフォーマル層の厚みと前記第2有機半導体材料層の最小厚みとを足し合わせた厚みと比較して少なくとも3倍大きい、請求項25に記載のデバイス。
- 前記第1電極の高さ変化量が、前記コンフォーマル層の厚みと前記第2有機半導体材料層の最小厚みとを足し合わせた厚みと比較して少なくとも5倍大きい、請求項26に記載のデバイス。
- 前記コンフォーマル層が多結晶である、請求項20に記載のデバイス。
- 前記ドナータイプの材料は、フタロシアニン、フタロシアニン誘導体、及び3,4,9,10−テトラカルボキシペリレンニ無水物(PTCDA)から選択される、請求項28に記載のデバイス。
- 前記フタロシアニンは、銅フタロシアニン(CuPc)、スズフタロシアニン(SnPc)及び亜鉛フタロシアニン(ZnPc)から選択され、前記フタロシアニン誘導体はクロロ[サブフタロシアニナト]ホウ素(III)(SubPc)から選択される、請求項29に記載のデバイス。
- 前記アクセプタータイプの材料は、少なくとも60炭素原子を有する多面体フラーレン及び3,4,9,10−テトラカルボキシペリレンビスベンズイミダゾール(PTCBI)から選択される、請求項28に記載のデバイス。
- 前記少なくとも一つのドナー・アクセプターヘテロ接合が、前記第1有機半導体材料のナノメータスケールの突起をさらに含み、前記突起は前記コンフォーマル層と直接接触し、前記第1有機半導体材料のコンフォーマル層と前記第2有機半導体材料層との間に存在し、前記突起と前記コンフォーマル層とを組み合わせた表面積は、突起のないコンフォーマル層の表面積と比較して少なくとも2倍大きい、請求項20に記載のデバイス。
- 前記各突起の高さは各突起の断面の幅よりも大きい、請求項32に記載のデバイス。
- 前記コンフォーマル層及び前記突起内部の様々な位置から、反対タイプの材料層との界面境界までの距離は、前記第1有機半導体材料の2.5励起子拡散長以下である、請求項33に記載のデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/483,642 US7955889B1 (en) | 2006-07-11 | 2006-07-11 | Organic photosensitive cells grown on rough electrode with nano-scale morphology control |
US11/483,642 | 2006-07-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008021958A true JP2008021958A (ja) | 2008-01-31 |
JP5555402B2 JP5555402B2 (ja) | 2014-07-23 |
Family
ID=38920827
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007000591A Expired - Fee Related JP5555402B2 (ja) | 2006-07-11 | 2007-01-05 | ナノスケールでモルフォロジー制御された粗い電極上に成長した有機感光性デバイス |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7955889B1 (ja) |
JP (1) | JP5555402B2 (ja) |
KR (1) | KR101381523B1 (ja) |
AR (1) | AR058920A1 (ja) |
AU (1) | AU2007200055B2 (ja) |
BR (1) | BRPI0605826A (ja) |
CA (1) | CA2572282A1 (ja) |
MX (1) | MX2007000085A (ja) |
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- 2006-12-20 MX MX2007000085A patent/MX2007000085A/es unknown
- 2006-12-28 BR BRPI0605826-4A patent/BRPI0605826A/pt not_active Application Discontinuation
- 2006-12-29 CA CA002572282A patent/CA2572282A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-01-04 AR ARP070100042A patent/AR058920A1/es not_active Application Discontinuation
- 2007-01-04 KR KR1020070000961A patent/KR101381523B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-01-05 AU AU2007200055A patent/AU2007200055B2/en not_active Ceased
- 2007-01-05 JP JP2007000591A patent/JP5555402B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2022019767A (ja) * | 2014-07-16 | 2022-01-27 | 三星電子株式会社 | 有機光電素子及びイメージセンサ並びに電子装置 |
JP7214817B2 (ja) | 2014-07-16 | 2023-01-30 | 三星電子株式会社 | 有機光電素子及びイメージセンサ並びに電子装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2007200055B2 (en) | 2012-04-12 |
JP5555402B2 (ja) | 2014-07-23 |
CA2572282A1 (en) | 2008-01-11 |
US7955889B1 (en) | 2011-06-07 |
AU2007200055A1 (en) | 2008-01-31 |
KR20080006434A (ko) | 2008-01-16 |
BRPI0605826A (pt) | 2008-03-04 |
US20110114921A1 (en) | 2011-05-19 |
KR101381523B1 (ko) | 2014-04-07 |
AR058920A1 (es) | 2008-03-05 |
MX2007000085A (es) | 2008-11-14 |
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Legal Events
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