JP2008015013A - 反射型液晶表示パネル及びそれに用いる半導体基板の製造方法 - Google Patents
反射型液晶表示パネル及びそれに用いる半導体基板の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】トランジスタ106によって光の透過を制御され、液晶層121とトランジスタ106との間に反射電極117及び遮光層114が配置され、反射電極117は金属配線層111を介してトランジスタ106と接続される反射型液晶表示パネルの製造方法において、金属配線層111は、ダマシン法によって形成されることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の一実施形態としての反射型液晶表示パネルの製造方法によって製造された反射型液晶表示パネルの構造を示す断面図である。
第1の実施形態では、回路駆動させる配線層として第1の金属配線層のみについて説明したが、金属配線層を2層形成する場合も同様である。
101 ゲート電極
102 ソース
103 ドレイン
104 第1の層間絶縁膜
105 第1の接続孔
106 MOSトランジスタ
110 第2の層間絶縁膜
111 第1の金属配線層
112 第3の層間絶縁膜
113 第2の接続孔
114 遮光層
115 第4の層間絶縁膜
116 第3の接続孔
117 反射電極
118 平坦化層
119 画素間領域
120 配向膜
121 液晶層
122 対向電極
123 対向基板
130 入射光
200 第2の実施形態における第2の層間絶縁膜
201 第2の実施形態における第2の接続孔
202 第2の実施形態における第3の金属配線層
Claims (9)
- トランジスタと、該トランジスタの上方に配置された金属配線層と、前記金属配線層の上方に配置された反射電極層と、を含む半導体基板を有する反射型液晶表示パネルの製造方法において、
前記金属配線層は、ダマシン法によって形成されることを特徴とする反射型液晶表示パネルの製造方法。 - 前記半導体基板は、前記金属配線層と前記反射電極層との間に配置された遮光層を有しており、前記金属配線層上には、前記遮光層及び前記反射電極の少なくともいずれか一方が積層されることを特徴とする請求項1記載の反射型液晶表示パネルの製造方法。
- 前記半導体基板は、前記トランジスタと前記金属配線層との間に配置された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に配置され、前記金属配線層と略同等の厚さを有する第2の絶縁膜と、を有することを特徴とする請求項1又は2記載の反射型液晶表示パネルの製造方法。
- 前記半導体基板は、前記金属配線層と前記遮光層との間に配置された第2の金属配線層を更に有しており、前記第2の金属配線層は、ダマシン法によって形成されることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載の反射型液晶表示パネルの製造方法。
- 前記半導体基板は、単結晶半導体基板を有し、前記トランジスタは前記単結晶半導体基板に設けられたMOSトランジスタであることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項記載の反射型液晶表示パネルの製造方法。
- 前記金属配線層の材料には、銅若しくはアルミニウム、又はこれらの金属を主成分とする材料を用いることを特徴とする請求項1記載の反射型液晶表示パネルの製造方法。
- 前記反射電極層の材料には、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする材料を用いることを特徴とする請求項1記載の反射型液晶表示パネルの製造方法。
- 反射型液晶表示パネルに用いられる半導体基板の製造方法であって、
前記半導体基板は、トランジスタと、該トランジスタの上方に配置された金属配線層と、前記金属配線層の上方に配置された反射電極層と、を有しており、
前記金属配線層は、ダマシン法によって形成されることを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 反射型液晶表示パネルに用いられる半導体基板の製造方法であって、
前記半導体基板に備えられたトランジスタ上に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜に接続孔を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜及び接続孔上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
少なくとも前記接続孔上の領域の前記第2の絶縁膜を除去する工程と、
前記第2の絶縁膜上に金属材料を形成する工程と、
前記領域以外の前記金属材料を除去して金属配線層を形成する工程と、
前記金属配線上に少なくとも第3の絶縁膜を介して反射電極層と形成する工程と、を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。
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