JP2000352725A - 液晶表示基板及びその製造方法、並びに液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示基板及びその製造方法、並びに液晶表示装置Info
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、外光を反射して画像を表示する反射
型液晶表示装置に関し、表示電極間から入射する光を確
実に吸収して反射光の色調等の劣化を防止することがで
きる液晶表示基板及びその製造方法、並びに液晶表示装
置を提供することを目的とする。 【解決手段】シリコン基板１上に形成したＦＥＴのソー
ス電極２２上に層間絶縁膜２４を形成して上面をＣＭＰ
等により平坦化してから絶縁性の反射防止膜２６を形成
する。反射防止膜２６及び層間絶縁膜２４を貫通するス
ルーホールに接続導体３０を埋め込んでソース電極２２
と金属層２９とを接続する。同様にして金属層２９上に
層間絶縁膜２４’を形成して平坦化してから絶縁性の反
射防止膜２６’を形成する。反射防止膜２６’及び層間
絶縁膜２４’を貫通するスルーホールに接続導体３０’
を埋め込んで金属層２９と表示電極３２とを接続する。
型液晶表示装置に関し、表示電極間から入射する光を確
実に吸収して反射光の色調等の劣化を防止することがで
きる液晶表示基板及びその製造方法、並びに液晶表示装
置を提供することを目的とする。 【解決手段】シリコン基板１上に形成したＦＥＴのソー
ス電極２２上に層間絶縁膜２４を形成して上面をＣＭＰ
等により平坦化してから絶縁性の反射防止膜２６を形成
する。反射防止膜２６及び層間絶縁膜２４を貫通するス
ルーホールに接続導体３０を埋め込んでソース電極２２
と金属層２９とを接続する。同様にして金属層２９上に
層間絶縁膜２４’を形成して平坦化してから絶縁性の反
射防止膜２６’を形成する。反射防止膜２６’及び層間
絶縁膜２４’を貫通するスルーホールに接続導体３０’
を埋め込んで金属層２９と表示電極３２とを接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示基板及び
その製造方法、並びに液晶表示装置に関し、特に、外光
を反射して画像を表示することにより低消費電力化を実
現できる反射型液晶表示装置並びにそれに用いられる液
晶表示基板及びその製造方法に関する。
その製造方法、並びに液晶表示装置に関し、特に、外光
を反射して画像を表示することにより低消費電力化を実
現できる反射型液晶表示装置並びにそれに用いられる液
晶表示基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光変調用のライトバルブを用いた投射型
表示装置のうち、いわゆる液晶プロジェクタと呼ばれる
液晶ライトバルブを用いた投射型表示装置は、高精細で
大画面表示が可能なため、近い将来ＣＲＴに取って代わ
る可能性を有している。投射型表示装置は、透過型ある
いは反射型の液晶ライトバルブを用いて画像の表示を行
う。このうち特開平８−２４８４２５号公報に記載され
た従来の反射型液晶表示装置について図９を用いて説明
する。図９は従来の反射型液晶ライトバルブの概略断面
を示している。シリコン基板１００上に詳細な図示を省
略したトランジスタ１０４が形成されている。シリコン
基板１００及びトランジスタ１０４上にシリコン酸化膜
１０２が形成され、シリコン酸化膜１０２上にはチタン
・ナイトライド（窒化チタン：ＴｉＮ）を用いた反射防
止膜１０６が形成されている。
表示装置のうち、いわゆる液晶プロジェクタと呼ばれる
液晶ライトバルブを用いた投射型表示装置は、高精細で
大画面表示が可能なため、近い将来ＣＲＴに取って代わ
る可能性を有している。投射型表示装置は、透過型ある
いは反射型の液晶ライトバルブを用いて画像の表示を行
う。このうち特開平８−２４８４２５号公報に記載され
た従来の反射型液晶表示装置について図９を用いて説明
する。図９は従来の反射型液晶ライトバルブの概略断面
を示している。シリコン基板１００上に詳細な図示を省
略したトランジスタ１０４が形成されている。シリコン
基板１００及びトランジスタ１０４上にシリコン酸化膜
１０２が形成され、シリコン酸化膜１０２上にはチタン
・ナイトライド（窒化チタン：ＴｉＮ）を用いた反射防
止膜１０６が形成されている。
【０００３】反射防止膜１０６上には中間配線層として
シリコン酸化膜１０８を介して金属層１１１が形成され
ている。金属層１１１上には第１の絶縁膜としてシリコ
ン酸化膜１０２’が形成され、シリコン酸化膜１０２’
上にはＴｉＮを用いた反射防止膜１０６’が形成されて
いる。反射防止膜１０６’上には第２の絶縁膜としてシ
リコン酸化膜１０８’が形成され、その上にアルミニウ
ム（Ａｌ）からなる光反射膜としても機能する表示電極
１１２が形成されている。
シリコン酸化膜１０８を介して金属層１１１が形成され
ている。金属層１１１上には第１の絶縁膜としてシリコ
ン酸化膜１０２’が形成され、シリコン酸化膜１０２’
上にはＴｉＮを用いた反射防止膜１０６’が形成されて
いる。反射防止膜１０６’上には第２の絶縁膜としてシ
リコン酸化膜１０８’が形成され、その上にアルミニウ
ム（Ａｌ）からなる光反射膜としても機能する表示電極
１１２が形成されている。
【０００４】表示電極１１２は、シリコン酸化膜１０
２’及びシリコン酸化膜１０８’に形成されたスルーホ
ール内に埋め込まれた、例えばタングステン（Ｗ）から
なるプラグ電極としての接続導体１１０’により金属層
１１１に接続されている。また、金属層１１１は、シリ
コン酸化膜１０２及びシリコン酸化膜１０８に形成され
たスルーホール内に埋め込まれたタングステンの接続導
体１１０によりトランジスタ１０４のソース電極（図示
せず）に接続されている。隣り合う表示電極１１２間に
はＡｌ層が形成されておらず、少なくともこの表示電極
１１２間の下層に反射防止膜１０６’が配置されるよう
になっている。図示しないスペーサを介して対向基板で
あるガラス基板１１６が配置されている。ガラス基板１
１６の表示電極１１２側には全面に対向電極１１４が形
成されている。また対向電極１１４と表示電極１１２と
の間には所定のセルギャップで液晶１２０が封入されて
いる。
２’及びシリコン酸化膜１０８’に形成されたスルーホ
ール内に埋め込まれた、例えばタングステン（Ｗ）から
なるプラグ電極としての接続導体１１０’により金属層
１１１に接続されている。また、金属層１１１は、シリ
コン酸化膜１０２及びシリコン酸化膜１０８に形成され
たスルーホール内に埋め込まれたタングステンの接続導
体１１０によりトランジスタ１０４のソース電極（図示
せず）に接続されている。隣り合う表示電極１１２間に
はＡｌ層が形成されておらず、少なくともこの表示電極
１１２間の下層に反射防止膜１０６’が配置されるよう
になっている。図示しないスペーサを介して対向基板で
あるガラス基板１１６が配置されている。ガラス基板１
１６の表示電極１１２側には全面に対向電極１１４が形
成されている。また対向電極１１４と表示電極１１２と
の間には所定のセルギャップで液晶１２０が封入されて
いる。
【０００５】トランジスタ１０４は、ソース電極の他、
データ線に接続されたドレイン電極、及び走査線に接続
されたゲート電極（以上、図示を省略）が形成されたＦ
ＥＴ（電界効果型トランジスタ）であり、ゲートのオン
状態でデータ線に印加された電圧を表示電極１１２に印
加するスイッチング素子として機能する。
データ線に接続されたドレイン電極、及び走査線に接続
されたゲート電極（以上、図示を省略）が形成されたＦ
ＥＴ（電界効果型トランジスタ）であり、ゲートのオン
状態でデータ線に印加された電圧を表示電極１１２に印
加するスイッチング素子として機能する。
【０００６】トランジスタ１０４のオン時に表示電極１
１２と対向電極１１４との間に印加される電圧に応じて
液晶分子１２２の向きを変化させて光の透過率を変化さ
せることにより、ガラス基板１１６側から入射した光を
表示電極１１２で反射させてガラス基板１１６から再出
射させたり、表示電極１１２まで光を到達させないよう
にして階調表示を行う。
１２と対向電極１１４との間に印加される電圧に応じて
液晶分子１２２の向きを変化させて光の透過率を変化さ
せることにより、ガラス基板１１６側から入射した光を
表示電極１１２で反射させてガラス基板１１６から再出
射させたり、表示電極１１２まで光を到達させないよう
にして階調表示を行う。
【０００７】図９において、表示電極１１２とトランジ
スタ１０４のソース電極（図示せず）との接続は、中間
配線層である金属層１１１等の引き回しによりされてい
るが、トランジスタ１０４と光反射膜１１２の接続配置
関係が上下層で一致していれば、この中間配線層は設け
る必要がない。
スタ１０４のソース電極（図示せず）との接続は、中間
配線層である金属層１１１等の引き回しによりされてい
るが、トランジスタ１０４と光反射膜１１２の接続配置
関係が上下層で一致していれば、この中間配線層は設け
る必要がない。
【０００８】また、層間絶縁膜であるシリコン酸化膜１
０２、１０２’、１０８’等は高密度プラズマ（ＨＤ
Ｐ）ＣＶＤ法により形成されたＨＤＰ膜であり、それら
の上面はたとえばＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈ
ａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；化学機械的研磨）
法等の研磨処理によって平坦化処理がなされている。反
射型液晶表示装置においては、表示電極１１２の下地で
ある層間絶縁膜の平坦化は重要であり、層間絶縁膜の平
坦化により、表示電極１１２表面を平坦化させることが
でき、外光の反射率を向上させることができる。
０２、１０２’、１０８’等は高密度プラズマ（ＨＤ
Ｐ）ＣＶＤ法により形成されたＨＤＰ膜であり、それら
の上面はたとえばＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈ
ａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；化学機械的研磨）
法等の研磨処理によって平坦化処理がなされている。反
射型液晶表示装置においては、表示電極１１２の下地で
ある層間絶縁膜の平坦化は重要であり、層間絶縁膜の平
坦化により、表示電極１１２表面を平坦化させることが
でき、外光の反射率を向上させることができる。
【０００９】また、図９に示した従来の反射型液晶表示
装置は、反射防止膜１０６、１０６’の形成材料として
ＴｉＮを用いている。ＴｉＮは光吸収機能を有している
ので、表示電極１１２間の隙間から入射した光が観察者
に向かって反射されて色調などの劣化が生じてしまうこ
とを防止することができる。なお、この従来の反射型液
晶表示装置の場合、表示電極１１２間の隙間の他、表示
電極１１２と中間配線層との間にも反射防止膜１０６が
配設されている。
装置は、反射防止膜１０６、１０６’の形成材料として
ＴｉＮを用いている。ＴｉＮは光吸収機能を有している
ので、表示電極１１２間の隙間から入射した光が観察者
に向かって反射されて色調などの劣化が生じてしまうこ
とを防止することができる。なお、この従来の反射型液
晶表示装置の場合、表示電極１１２間の隙間の他、表示
電極１１２と中間配線層との間にも反射防止膜１０６が
配設されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、反射防止膜
１０６、１０６’の形成材料として使用されているＴｉ
Ｎは導電性を有している。従って、表示電極１１２と金
属層１１１、及び金属層１１１とトランジスタ１０４を
接続するコンタクトホールを反射防止膜１０６、１０
６’に直接形成すると、コンタクトホール内面に反射防
止膜１０６、１０６’の形成材料であるＴｉＮが露出し
てしまうので、接続導体１１０、１１０’でコンタクト
ホールを埋め込むと全ての表示電極１１２が短絡してし
まう問題を生じる。
１０６、１０６’の形成材料として使用されているＴｉ
Ｎは導電性を有している。従って、表示電極１１２と金
属層１１１、及び金属層１１１とトランジスタ１０４を
接続するコンタクトホールを反射防止膜１０６、１０
６’に直接形成すると、コンタクトホール内面に反射防
止膜１０６、１０６’の形成材料であるＴｉＮが露出し
てしまうので、接続導体１１０、１１０’でコンタクト
ホールを埋め込むと全ての表示電極１１２が短絡してし
まう問題を生じる。
【００１１】従って、予め反射防止膜１０６、１０６’
の所定位置にコンタクトホールの径より広い径の窓を開
けておいて、窓周縁に接しないようにして窓内にコンタ
クトホールを形成するようにしている。このため、反射
防止膜１０６、１０６’に窓を形成するためのパターニ
ングが必要となる。また、コンタクトホールの形成に際
しては、反射防止膜１０６、１０６’に形成した窓の周
縁にコンタクトホールが接することのないように位置合
わせを行う必要がある。このとき、接続導体１１０、１
１０’と反射防止膜１０６、１０６’との絶縁を確実に
するために位置合わせ余裕を大きくして反射防止膜１０
６、１０６’に径の大きな窓を形成すると、表示電極１
１２間の隙間と反射防止膜１０６、１０６’の窓とがオ
ーバーラップしてしまい、表示電極１１２間の隙間から
の入射光を反射防止膜１０６、１０６’で十分に吸収で
きなくなるという問題を生じる。
の所定位置にコンタクトホールの径より広い径の窓を開
けておいて、窓周縁に接しないようにして窓内にコンタ
クトホールを形成するようにしている。このため、反射
防止膜１０６、１０６’に窓を形成するためのパターニ
ングが必要となる。また、コンタクトホールの形成に際
しては、反射防止膜１０６、１０６’に形成した窓の周
縁にコンタクトホールが接することのないように位置合
わせを行う必要がある。このとき、接続導体１１０、１
１０’と反射防止膜１０６、１０６’との絶縁を確実に
するために位置合わせ余裕を大きくして反射防止膜１０
６、１０６’に径の大きな窓を形成すると、表示電極１
１２間の隙間と反射防止膜１０６、１０６’の窓とがオ
ーバーラップしてしまい、表示電極１１２間の隙間から
の入射光を反射防止膜１０６、１０６’で十分に吸収で
きなくなるという問題を生じる。
【００１２】本発明の目的は、表示電極間から入射する
光を確実に吸収して反射光の色調等の劣化を防止するこ
とができる液晶表示基板及びその製造方法、並びに液晶
表示装置を提供することにある。
光を確実に吸収して反射光の色調等の劣化を防止するこ
とができる液晶表示基板及びその製造方法、並びに液晶
表示装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的は、スイッチン
グ素子に接続された電極上に、前記電極がなす段差より
も表面が平坦化された第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法によって絶縁性
の反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜および
前記第１の絶縁膜を貫通し、前記電極への接続を露出す
るスルーホールを形成する工程と、前記反射防止膜の上
層側に、入射光を反射する機能を有し、前記スルーホー
ルの内面に接して設けられた接続導体を介して前記電極
に接続される表示電極を形成する工程とを有することを
特徴とする液晶表示基板の製造方法によって達成され
る。
グ素子に接続された電極上に、前記電極がなす段差より
も表面が平坦化された第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法によって絶縁性
の反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜および
前記第１の絶縁膜を貫通し、前記電極への接続を露出す
るスルーホールを形成する工程と、前記反射防止膜の上
層側に、入射光を反射する機能を有し、前記スルーホー
ルの内面に接して設けられた接続導体を介して前記電極
に接続される表示電極を形成する工程とを有することを
特徴とする液晶表示基板の製造方法によって達成され
る。
【００１４】また、上記目的は、スイッチング素子に接
続された電極上に設けられ、前記電極がなす段差よりも
表面が平坦化された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜
上にプラズマＣＶＤ法によって設けられた絶縁性の反射
防止膜と、前記反射防止膜の上層側に設けられ、入射光
を反射する機能を有し、前記反射防止膜および前記第１
の絶縁膜を貫通するスルーホールの内面に接して設けら
れた接続導体を介して前記電極に接続される表示電極と
を有することを特徴とする液晶表示基板によって達成さ
れる。
続された電極上に設けられ、前記電極がなす段差よりも
表面が平坦化された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜
上にプラズマＣＶＤ法によって設けられた絶縁性の反射
防止膜と、前記反射防止膜の上層側に設けられ、入射光
を反射する機能を有し、前記反射防止膜および前記第１
の絶縁膜を貫通するスルーホールの内面に接して設けら
れた接続導体を介して前記電極に接続される表示電極と
を有することを特徴とする液晶表示基板によって達成さ
れる。
【００１５】さらに上記目的は、スイッチング素子に接
続される電極上に設けられ、前記電極がなす段差よりも
表面が平坦化された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜
上にプラズマＣＶＤ法によって設けられた絶縁性の反射
防止膜と、前記反射防止膜の上層側に設けられ、入射光
を反射する機能を有し、前記反射防止膜および第１の絶
縁膜を貫通するスルーホールの内面に接して設けられた
接続導体を介して前記電極に接続される表示電極と、前
記表示電極上に液晶層を挟んで設けられた対向電極とを
有することを特徴とする液晶表示装置によって達成され
る。
続される電極上に設けられ、前記電極がなす段差よりも
表面が平坦化された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜
上にプラズマＣＶＤ法によって設けられた絶縁性の反射
防止膜と、前記反射防止膜の上層側に設けられ、入射光
を反射する機能を有し、前記反射防止膜および第１の絶
縁膜を貫通するスルーホールの内面に接して設けられた
接続導体を介して前記電極に接続される表示電極と、前
記表示電極上に液晶層を挟んで設けられた対向電極とを
有することを特徴とする液晶表示装置によって達成され
る。
【００１６】またさらに、上記目的は、入射光を反射す
る光反射膜としての機能を有し、液晶層を挟んで設けら
れた対向電極との間で前記液晶層に電界を印加する複数
の表示電極と、前記複数の表示電極の下層側に設けら
れ、その表面が平坦化処理された絶縁性の反射防止膜
と、前記反射防止膜を貫通して、接続導体を前記反射防
止膜の下層側へ導出するスルーホールとを備えることを
特徴とする液晶表示基板によって達成される。
る光反射膜としての機能を有し、液晶層を挟んで設けら
れた対向電極との間で前記液晶層に電界を印加する複数
の表示電極と、前記複数の表示電極の下層側に設けら
れ、その表面が平坦化処理された絶縁性の反射防止膜
と、前記反射防止膜を貫通して、接続導体を前記反射防
止膜の下層側へ導出するスルーホールとを備えることを
特徴とする液晶表示基板によって達成される。
【００１７】また、上記目的は、入射光を反射する光反
射膜としての機能を有する複数の表示電極と、前記複数
の表示電極上に液晶層を挟んで設けられた対向電極と、
少なくとも前記複数の表示電極間の下層に設けられ、そ
の表面が平坦化処理された絶縁性の反射防止膜と、前記
反射防止膜を貫通して、接続導体を前記反射防止膜の下
層側へ導出するスルーホールとを備えることを特徴とす
る液晶表示装置によって達成される。
射膜としての機能を有する複数の表示電極と、前記複数
の表示電極上に液晶層を挟んで設けられた対向電極と、
少なくとも前記複数の表示電極間の下層に設けられ、そ
の表面が平坦化処理された絶縁性の反射防止膜と、前記
反射防止膜を貫通して、接続導体を前記反射防止膜の下
層側へ導出するスルーホールとを備えることを特徴とす
る液晶表示装置によって達成される。
【００１８】本発明によれば、反射防止膜が絶縁性材料
であるため、表示電極とその下層に形成されたスイッチ
ング素子の電極とを接続する接続導体が反射防止膜に直
に接していても、接続導体と反射防止膜とでの短絡は発
生しない。つまり、予め反射防止膜にコンタクトホール
を貫通させるための窓を形成する工程が必要なくなる。
従って、反射防止膜とその下地の第１の絶縁膜に対して
同一のフォトリソグラフィ工程で一度にコンタクトホー
ルを形成することができるようになる。
であるため、表示電極とその下層に形成されたスイッチ
ング素子の電極とを接続する接続導体が反射防止膜に直
に接していても、接続導体と反射防止膜とでの短絡は発
生しない。つまり、予め反射防止膜にコンタクトホール
を貫通させるための窓を形成する工程が必要なくなる。
従って、反射防止膜とその下地の第１の絶縁膜に対して
同一のフォトリソグラフィ工程で一度にコンタクトホー
ルを形成することができるようになる。
【００１９】また、層間絶縁膜が厚膜化すると、各層を
接続するコンタクトホールの深さが深くなる。コンタク
トホールが深くなるほど、コンタクトホール中に埋め込
まれる接続導体のカバレッジ悪化が誘起される。これに
対し本発明によれば、絶縁性の反射防止膜を用いるので
反射防止膜表面を直接平坦化することができる。つま
り、反射防止膜上にさらに平坦化膜を形成しなくても済
むので、層間絶縁膜の厚膜化を防止しつつ表示電極を平
坦化できるようになる。
接続するコンタクトホールの深さが深くなる。コンタク
トホールが深くなるほど、コンタクトホール中に埋め込
まれる接続導体のカバレッジ悪化が誘起される。これに
対し本発明によれば、絶縁性の反射防止膜を用いるので
反射防止膜表面を直接平坦化することができる。つま
り、反射防止膜上にさらに平坦化膜を形成しなくても済
むので、層間絶縁膜の厚膜化を防止しつつ表示電極を平
坦化できるようになる。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態による液晶
表示基板及びその製造方法、並びに液晶表示装置を図１
乃至図８を用いて説明する。まず、本実施の形態による
液晶表示装置の概略の構成を図１及び図２を用いて説明
する。図１は、液晶表示装置の一部断面を示し、図２は
図１の一部を拡大して示している。例えばシリコン基板
１である半導体基板上にフィールド酸化膜１２が形成さ
れ、フィールド酸化膜１２で画定された複数の領域にＦ
ＥＴ（電界効果型トランジスタ）がそれぞれ形成されて
いる。ＦＥＴは、シリコン基板１上に形成されたゲート
絶縁膜２と、その上に形成されたゲート電極４とを有し
ている。ゲート電極４の両側領域のシリコン基板１中に
ドレイン領域６及びソース領域８が形成されている。ま
た、ゲート電極４下部のシリコン基板１にチャネル領域
１０が形成される。ＦＥＴ上にはシリコン酸化膜の層間
絶縁膜１４が形成されている。なお、層間絶縁膜１４中
に蓄積容量線が形成されているが図示は省略している。
表示基板及びその製造方法、並びに液晶表示装置を図１
乃至図８を用いて説明する。まず、本実施の形態による
液晶表示装置の概略の構成を図１及び図２を用いて説明
する。図１は、液晶表示装置の一部断面を示し、図２は
図１の一部を拡大して示している。例えばシリコン基板
１である半導体基板上にフィールド酸化膜１２が形成さ
れ、フィールド酸化膜１２で画定された複数の領域にＦ
ＥＴ（電界効果型トランジスタ）がそれぞれ形成されて
いる。ＦＥＴは、シリコン基板１上に形成されたゲート
絶縁膜２と、その上に形成されたゲート電極４とを有し
ている。ゲート電極４の両側領域のシリコン基板１中に
ドレイン領域６及びソース領域８が形成されている。ま
た、ゲート電極４下部のシリコン基板１にチャネル領域
１０が形成される。ＦＥＴ上にはシリコン酸化膜の層間
絶縁膜１４が形成されている。なお、層間絶縁膜１４中
に蓄積容量線が形成されているが図示は省略している。
【００２１】層間絶縁膜１４上にデータ線２０及びソー
ス電極２２が形成され、データ線２０はコンタクトホー
ルを介してＦＥＴのドレイン領域６に接続され、ソース
電極２２はコンタクトホールを介してソース領域８に接
続されている。ソース電極２２は図２に示すように、Ｔ
ｉＮ層２２ａ、ＡｌＣｕ層２２ｂ、ＴｉＮ層２２ｃがこ
の順に積層されて形成されている。
ス電極２２が形成され、データ線２０はコンタクトホー
ルを介してＦＥＴのドレイン領域６に接続され、ソース
電極２２はコンタクトホールを介してソース領域８に接
続されている。ソース電極２２は図２に示すように、Ｔ
ｉＮ層２２ａ、ＡｌＣｕ層２２ｂ、ＴｉＮ層２２ｃがこ
の順に積層されて形成されている。
【００２２】ソース電極２２上には、シリコン酸化膜の
層間絶縁膜２４が形成されている。層間絶縁膜２４は、
高密度プラズマ気相成長法（以下、ＨＤＰ−ＣＶＤ法と
略称する）により形成されたシリコン酸化膜（以下、Ｈ
ＤＰ−ＳｉＯ膜という）２４ａと、ＨＤＰ−ＳｉＯ膜２
４ａ上にプラズマ気相成長法（以下、Ｐ−ＣＶＤ法とい
う）で形成されたシリコン酸化膜（以下、Ｐ−ＳｉＯ膜
という）２４ｂとからなる。
層間絶縁膜２４が形成されている。層間絶縁膜２４は、
高密度プラズマ気相成長法（以下、ＨＤＰ−ＣＶＤ法と
略称する）により形成されたシリコン酸化膜（以下、Ｈ
ＤＰ−ＳｉＯ膜という）２４ａと、ＨＤＰ−ＳｉＯ膜２
４ａ上にプラズマ気相成長法（以下、Ｐ−ＣＶＤ法とい
う）で形成されたシリコン酸化膜（以下、Ｐ−ＳｉＯ膜
という）２４ｂとからなる。
【００２３】層間絶縁膜２４上には絶縁性の反射防止膜
２６が平坦化されて形成されている。反射防止膜２６
は、例えばＰ−ＣＶＤ法により形成されたシリコン窒化
膜（Ｐ−ＳｉＮ膜）、あるいはシリコン酸化窒化膜（Ｐ
−ＳｉＯＮ膜）である。
２６が平坦化されて形成されている。反射防止膜２６
は、例えばＰ−ＣＶＤ法により形成されたシリコン窒化
膜（Ｐ−ＳｉＮ膜）、あるいはシリコン酸化窒化膜（Ｐ
−ＳｉＯＮ膜）である。
【００２４】反射防止膜２６上にはＰ−ＳｉＯ膜の層間
絶縁膜２８が形成されている。層間絶縁膜２８上には金
属層２９が形成されている。金属層２９は図２に示すよ
うに、ＴｉＮ層２９ａ、ＡｌＣｕ層２９ｂ、ＴｉＮ層２
９ｃがこの順に積層されて形成されている。金属層２９
上には第１の絶縁膜として層間絶縁膜２４’が形成され
ている。層間絶縁膜２４’は、ＨＤＰ−ＣＶＤ法により
形成されたＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４’ａと、ＨＤＰ−Ｓｉ
Ｏ膜２４ａ上にＰ−ＣＶＤ法で形成されたＰ−ＳｉＯ膜
２４’ｂとからなる。
絶縁膜２８が形成されている。層間絶縁膜２８上には金
属層２９が形成されている。金属層２９は図２に示すよ
うに、ＴｉＮ層２９ａ、ＡｌＣｕ層２９ｂ、ＴｉＮ層２
９ｃがこの順に積層されて形成されている。金属層２９
上には第１の絶縁膜として層間絶縁膜２４’が形成され
ている。層間絶縁膜２４’は、ＨＤＰ−ＣＶＤ法により
形成されたＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４’ａと、ＨＤＰ−Ｓｉ
Ｏ膜２４ａ上にＰ−ＣＶＤ法で形成されたＰ−ＳｉＯ膜
２４’ｂとからなる。
【００２５】層間絶縁膜２４’上には絶縁性の反射防止
膜２６’が平坦化されて形成されている。反射防止膜２
６’も反射防止膜２６と同様に、Ｐ−ＳｉＮ膜、あるい
はＰ−ＳｉＯＮ膜で形成されている。
膜２６’が平坦化されて形成されている。反射防止膜２
６’も反射防止膜２６と同様に、Ｐ−ＳｉＮ膜、あるい
はＰ−ＳｉＯＮ膜で形成されている。
【００２６】反射防止膜２６’上には第２の絶縁膜とし
てＰ−ＣＶＤ法によりＰ−ＳｉＯ膜を成長させた層間絶
縁膜２８’が形成され、その上に光反射膜としても機能
する表示電極３２が形成されている。表示電極３２は図
２に示すように、ＴｉＮ層３２ａ、Ｔｉ層３２ｂ、Ａｌ
ＣｕＴｉ層３２ｃがこの順に積層されて形成されてい
る。あるいは、ＴｉＮ層３２ａ、Ｔｉ層３２ｂ、ＡｌＣ
ｕ層３２ｃをこの順に積層して表示電極３２を形成して
もよい。
てＰ−ＣＶＤ法によりＰ−ＳｉＯ膜を成長させた層間絶
縁膜２８’が形成され、その上に光反射膜としても機能
する表示電極３２が形成されている。表示電極３２は図
２に示すように、ＴｉＮ層３２ａ、Ｔｉ層３２ｂ、Ａｌ
ＣｕＴｉ層３２ｃがこの順に積層されて形成されてい
る。あるいは、ＴｉＮ層３２ａ、Ｔｉ層３２ｂ、ＡｌＣ
ｕ層３２ｃをこの順に積層して表示電極３２を形成して
もよい。
【００２７】表示電極３２は、層間絶縁膜２４’、反射
防止膜２６’、及び層間絶縁膜２８’を貫通して形成さ
れたスルーホール内に埋め込まれた、例えばタングステ
ンからなるプラグ電極としての接続導体３０’を介して
金属層２９に接続されている。また、金属層２９は、層
間絶縁膜２４、反射防止膜２６、及び層間絶縁膜２８に
形成されたスルーホール内に埋め込まれたタングステン
の接続導体３０によりＦＥＴのソース電極２２に接続さ
れている。隣り合う表示電極３２間には光反射層が形成
されておらず、少なくともこの表示電極３２間の下層に
反射防止膜２６’が配置されている。
防止膜２６’、及び層間絶縁膜２８’を貫通して形成さ
れたスルーホール内に埋め込まれた、例えばタングステ
ンからなるプラグ電極としての接続導体３０’を介して
金属層２９に接続されている。また、金属層２９は、層
間絶縁膜２４、反射防止膜２６、及び層間絶縁膜２８に
形成されたスルーホール内に埋め込まれたタングステン
の接続導体３０によりＦＥＴのソース電極２２に接続さ
れている。隣り合う表示電極３２間には光反射層が形成
されておらず、少なくともこの表示電極３２間の下層に
反射防止膜２６’が配置されている。
【００２８】表示電極３２は複数のＦＥＴ毎に形成され
ており、１つの表示電極３２で表示画素の一つのサブピ
クセルを構成している。各表示電極３２間は所定距離だ
け離れている。また、表示電極３２に対向して、ＩＴＯ
（インジウム・ティン・オキサイド）からなる対向電極
３８が形成されたガラス基板４０が配置されている。表
示電極３２と対向電極３８との間の領域は液晶材料が封
入された液晶層３６である。
ており、１つの表示電極３２で表示画素の一つのサブピ
クセルを構成している。各表示電極３２間は所定距離だ
け離れている。また、表示電極３２に対向して、ＩＴＯ
（インジウム・ティン・オキサイド）からなる対向電極
３８が形成されたガラス基板４０が配置されている。表
示電極３２と対向電極３８との間の領域は液晶材料が封
入された液晶層３６である。
【００２９】表示電極３２は、液晶層３６に電圧を印加
する機能と共に、ガラス基板４０側から入射してきた光
を反射させる光反射機能も有している。ＦＥＴは、デー
タ線２０に供給された信号電圧をゲート電極４のオン時
に光反射膜である表示電極３２に印加するスイッチング
素子として機能する。ＦＥＴのオン時に表示電極３２と
対向電極３８との間に印加される電圧に応じて液晶分子
（図示せず）の向きを変化させて光の透過率を変化させ
ることにより、ガラス基板４０側から入射した光を光反
射膜としての表示電極３２まで透過、反射させてガラス
基板４０から再出射させたり、あるいは透過させないよ
うにして表示を行う。
する機能と共に、ガラス基板４０側から入射してきた光
を反射させる光反射機能も有している。ＦＥＴは、デー
タ線２０に供給された信号電圧をゲート電極４のオン時
に光反射膜である表示電極３２に印加するスイッチング
素子として機能する。ＦＥＴのオン時に表示電極３２と
対向電極３８との間に印加される電圧に応じて液晶分子
（図示せず）の向きを変化させて光の透過率を変化させ
ることにより、ガラス基板４０側から入射した光を光反
射膜としての表示電極３２まで透過、反射させてガラス
基板４０から再出射させたり、あるいは透過させないよ
うにして表示を行う。
【００３０】このように本実施の形態の構造によれば、
反射防止膜２６、２６’が絶縁性材料であるため、表示
電極３２とその下層に形成されたＦＥＴのソース電極２
２とを接続する接続導体３０、３０’が反射防止膜２
６、２６’に直に接していても、接続導体３０、３０’
と反射防止膜と２６、２６’での短絡は発生しない。つ
まり、従来のような予め反射防止膜２６、２６’にコン
タクトホールを貫通させるための窓を形成する工程が必
要なくなる。従って、反射防止膜２６、２６’とその下
地の第１の絶縁膜である層間絶縁膜２４、２４’に対し
て同一のフォトリソグラフィ工程で一度にコンタクトホ
ールを形成することができるようになる。
反射防止膜２６、２６’が絶縁性材料であるため、表示
電極３２とその下層に形成されたＦＥＴのソース電極２
２とを接続する接続導体３０、３０’が反射防止膜２
６、２６’に直に接していても、接続導体３０、３０’
と反射防止膜と２６、２６’での短絡は発生しない。つ
まり、従来のような予め反射防止膜２６、２６’にコン
タクトホールを貫通させるための窓を形成する工程が必
要なくなる。従って、反射防止膜２６、２６’とその下
地の第１の絶縁膜である層間絶縁膜２４、２４’に対し
て同一のフォトリソグラフィ工程で一度にコンタクトホ
ールを形成することができるようになる。
【００３１】また、層間絶縁膜２４、２８、２４’、２
８’が厚膜化すると、各層を接続するコンタクトホール
の深さが深くなる。コンタクトホールが深くなるほど、
コンタクトホール中に埋め込まれる接続導体３０、３
０’のカバレッジは悪化する。これに対し本実施の形態
の構造によれば、絶縁性の反射防止膜２６、２６’を用
いるので反射防止膜表面を直接平坦化することができ
る。つまり、反射防止膜２６、２６’上にさらに平坦化
膜を形成しなくてもよくなるので、層間絶縁膜２４、２
８、２４’、２８’の厚膜化を防止しつつ表示電極３２
の下地を平坦化できるようになる。
８’が厚膜化すると、各層を接続するコンタクトホール
の深さが深くなる。コンタクトホールが深くなるほど、
コンタクトホール中に埋め込まれる接続導体３０、３
０’のカバレッジは悪化する。これに対し本実施の形態
の構造によれば、絶縁性の反射防止膜２６、２６’を用
いるので反射防止膜表面を直接平坦化することができ
る。つまり、反射防止膜２６、２６’上にさらに平坦化
膜を形成しなくてもよくなるので、層間絶縁膜２４、２
８、２４’、２８’の厚膜化を防止しつつ表示電極３２
の下地を平坦化できるようになる。
【００３２】次に、本実施の形態による液晶表示基板の
製造方法について図３及び図４を用いて説明する。図３
及び図４は、図２に図示した一部断面に対応付けて製造
工程を示している。図３（ａ）は、既にＦＥＴ及び層間
絶縁膜であるシリコン酸化膜１４が形成されている状態
を示しているので、初めに簡単に図３（ａ）の状態に至
るまでの工程について説明する。まずシリコン基板１上
にフィールド酸化膜１２を形成して複数のＦＥＴの素子
形成領域を画定する。次いで、素子形成領域内のシリコ
ン基板１上に絶縁膜を形成した後、Ｐ−ＣＶＤ法により
ポリシリコン膜を成長させ、パターニングしてゲート絶
縁膜２及びゲート電極４を形成する。
製造方法について図３及び図４を用いて説明する。図３
及び図４は、図２に図示した一部断面に対応付けて製造
工程を示している。図３（ａ）は、既にＦＥＴ及び層間
絶縁膜であるシリコン酸化膜１４が形成されている状態
を示しているので、初めに簡単に図３（ａ）の状態に至
るまでの工程について説明する。まずシリコン基板１上
にフィールド酸化膜１２を形成して複数のＦＥＴの素子
形成領域を画定する。次いで、素子形成領域内のシリコ
ン基板１上に絶縁膜を形成した後、Ｐ−ＣＶＤ法により
ポリシリコン膜を成長させ、パターニングしてゲート絶
縁膜２及びゲート電極４を形成する。
【００３３】次いで、イオン注入等を用いてゲート電極
４の両側に不純物を添加して拡散させ、ドレイン領域６
及びソース領域８を形成する。次に、Ｐ−ＣＶＤ法によ
りＰ−ＳｉＯ膜の層間絶縁膜１４を形成する。層間絶縁
膜１４にコンタクトホールを開口してからＴｉＮ層２２
ａ、ＡｌＣｕ層２２ｂ、ＴｉＮ層２２ｃをこの順に積層
してデータ線２０及びソース電極２２を形成する。
４の両側に不純物を添加して拡散させ、ドレイン領域６
及びソース領域８を形成する。次に、Ｐ−ＣＶＤ法によ
りＰ−ＳｉＯ膜の層間絶縁膜１４を形成する。層間絶縁
膜１４にコンタクトホールを開口してからＴｉＮ層２２
ａ、ＡｌＣｕ層２２ｂ、ＴｉＮ層２２ｃをこの順に積層
してデータ線２０及びソース電極２２を形成する。
【００３４】以上の工程が完了したら、図３（ａ）に示
すように、ＨＤＰ−ＣＶＤ法により全面にＨＤＰ−Ｓｉ
Ｏ膜２４ａを堆積し、次いでＰ−ＣＶＤ法によりＰ−Ｓ
ｉＯ膜２４ｂを堆積した後、表面をＣＭＰ法により研磨
して平坦化された層間絶縁膜２４を形成する。Ｐ−Ｓｉ
Ｏ膜２４ｂはＣＭＰ法による研磨処理での犠牲膜として
機能している。図３（ａ）に示す例では、ソース電極２
２上の層間絶縁膜２４はＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４ａとＰ−
ＳｉＯ膜２４ｂで形成しているが、ＨＤＰ−ＳｉＯ膜２
４ａ単体で形成してもよい。
すように、ＨＤＰ−ＣＶＤ法により全面にＨＤＰ−Ｓｉ
Ｏ膜２４ａを堆積し、次いでＰ−ＣＶＤ法によりＰ−Ｓ
ｉＯ膜２４ｂを堆積した後、表面をＣＭＰ法により研磨
して平坦化された層間絶縁膜２４を形成する。Ｐ−Ｓｉ
Ｏ膜２４ｂはＣＭＰ法による研磨処理での犠牲膜として
機能している。図３（ａ）に示す例では、ソース電極２
２上の層間絶縁膜２４はＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４ａとＰ−
ＳｉＯ膜２４ｂで形成しているが、ＨＤＰ−ＳｉＯ膜２
４ａ単体で形成してもよい。
【００３５】本実施の形態ではＨＤＰ−ＣＶＤ法により
配線間の埋め込みを行っているが、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ
Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜を用いてもよく、ＳＯＧ膜上にＰ
−ＳｉＯ膜を成長させ、その後ＣＭＰ法により平坦化し
てもよい。また、層間絶縁膜２４に染料を混合させたＳ
ＯＧ膜を用いてもよい。
配線間の埋め込みを行っているが、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ
Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜を用いてもよく、ＳＯＧ膜上にＰ
−ＳｉＯ膜を成長させ、その後ＣＭＰ法により平坦化し
てもよい。また、層間絶縁膜２４に染料を混合させたＳ
ＯＧ膜を用いてもよい。
【００３６】配線間の埋め込み及びＣＭＰ法による平坦
化処理が終了したら、図３（ｂ）に示すように、例えば
Ｐ−ＣＶＤ法により全面にＰ−ＳｉＮ膜を堆積して反射
防止膜２６を形成する。下地の層間絶縁膜２４表面が平
坦化処理されているため、反射防止膜２６も高い平坦度
で形成される。反射防止膜２６は、Ｐ−ＳｉＮ膜に代え
てＰ−ＳｉＯＮ膜を用いてもよい。
化処理が終了したら、図３（ｂ）に示すように、例えば
Ｐ−ＣＶＤ法により全面にＰ−ＳｉＮ膜を堆積して反射
防止膜２６を形成する。下地の層間絶縁膜２４表面が平
坦化処理されているため、反射防止膜２６も高い平坦度
で形成される。反射防止膜２６は、Ｐ−ＳｉＮ膜に代え
てＰ−ＳｉＯＮ膜を用いてもよい。
【００３７】反射防止膜２６に用いるＰ−ＳｉＮ膜の成
長条件の１例を示すと、 ガス流量比： ＳｉＨ4／ＮＨ3／Ｎ2＝１５５／９００
／９００（ｓｃｃｍ）； 電極間隔： ６００（ｍｉｌｓ）（但し、１０００ｍｉ
ｌｓ＝１Ｉｎｃｈ）； ＲＦ出力： １２０（Ｗ）； チャンバ内圧力： ３．０（Ｔｏｒｒ）； 成膜温度： ４００（℃）； において、屈折率２．２４、減哀係数０．６３６の反射
防止膜２６を得ることができる。また、別の成長条件と
して、 ガス流量比： ＳｉＨ4／Ｎ20／Ｈ2＝６０／１２０／１
９００（ｓｃｃｍ）； 電極間隔： ４７５（ｍｉｌｓ）； ＲＦ出力： １００（Ｗ）； チャンバ内圧力： ６．５（Ｔｏｒｒ）； 成膜温度： ３５０（℃）； において、屈折率１．９８、減哀係数０．４７の反射防
止膜２６を得ることができる。これらガス流量比、ＲＦ
出力、チャンバ内圧力、あるいは成膜温度等の成膜条件
を変更することによって所望の屈折率や減衰係数のＰ−
ＳｉＮ膜を得ることができる。
長条件の１例を示すと、 ガス流量比： ＳｉＨ4／ＮＨ3／Ｎ2＝１５５／９００
／９００（ｓｃｃｍ）； 電極間隔： ６００（ｍｉｌｓ）（但し、１０００ｍｉ
ｌｓ＝１Ｉｎｃｈ）； ＲＦ出力： １２０（Ｗ）； チャンバ内圧力： ３．０（Ｔｏｒｒ）； 成膜温度： ４００（℃）； において、屈折率２．２４、減哀係数０．６３６の反射
防止膜２６を得ることができる。また、別の成長条件と
して、 ガス流量比： ＳｉＨ4／Ｎ20／Ｈ2＝６０／１２０／１
９００（ｓｃｃｍ）； 電極間隔： ４７５（ｍｉｌｓ）； ＲＦ出力： １００（Ｗ）； チャンバ内圧力： ６．５（Ｔｏｒｒ）； 成膜温度： ３５０（℃）； において、屈折率１．９８、減哀係数０．４７の反射防
止膜２６を得ることができる。これらガス流量比、ＲＦ
出力、チャンバ内圧力、あるいは成膜温度等の成膜条件
を変更することによって所望の屈折率や減衰係数のＰ−
ＳｉＮ膜を得ることができる。
【００３８】次に、Ｐ−ＳｉＯ膜の層間絶縁膜２８をＰ
−ＣＶＤ法を用いて反射防止膜２６上に形成する。層間
絶縁膜２８を形成してから、層間絶縁膜２８、反射防止
膜２６、及びＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４ａとを１度のフォト
リソグラフィ工程にてパターニングし、コンタクトホー
ルを形成する。
−ＣＶＤ法を用いて反射防止膜２６上に形成する。層間
絶縁膜２８を形成してから、層間絶縁膜２８、反射防止
膜２６、及びＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４ａとを１度のフォト
リソグラフィ工程にてパターニングし、コンタクトホー
ルを形成する。
【００３９】次に、図３（ｃ）に示すように、コンタク
トホールを密着層（Glu-Layer）とタングステンとで埋
め込み、ＣＭＰ法により表面を研磨処理してコンタクト
ホール以外の密着層とタングステンを除去し、平坦化さ
れた層間絶縁膜２８上に上部が露出した接続導体３０を
形成する。次いで、層間絶縁膜２８上にＴｉＮ層２９
ａ、ＡｌＣｕ層２９ｂ、ＴｉＮ層２９ｃをこの順に積層
してからパターニングして、接続導体３０と接続された
金属層２９を形成する。
トホールを密着層（Glu-Layer）とタングステンとで埋
め込み、ＣＭＰ法により表面を研磨処理してコンタクト
ホール以外の密着層とタングステンを除去し、平坦化さ
れた層間絶縁膜２８上に上部が露出した接続導体３０を
形成する。次いで、層間絶縁膜２８上にＴｉＮ層２９
ａ、ＡｌＣｕ層２９ｂ、ＴｉＮ層２９ｃをこの順に積層
してからパターニングして、接続導体３０と接続された
金属層２９を形成する。
【００４０】本実施の形態において、ソース電極２２と
金属層２９とを接続する接続導体３０の形成にタングス
テン（Ｗ）−プラグを用いるのは、各配線層における良
好な平坦性を得ることができるからである。平坦化処理
にはタングステンに適したＣＭＰ法を用いている。ＣＭ
Ｐ法の他に、エッチングによってコンタクトホール以外
の密着層とタングステンを除去することもできるが、こ
の場合にはコンタクトホール上部でリセスが発生し配線
の平坦性を劣化させることがある点に留意する必要があ
る。
金属層２９とを接続する接続導体３０の形成にタングス
テン（Ｗ）−プラグを用いるのは、各配線層における良
好な平坦性を得ることができるからである。平坦化処理
にはタングステンに適したＣＭＰ法を用いている。ＣＭ
Ｐ法の他に、エッチングによってコンタクトホール以外
の密着層とタングステンを除去することもできるが、こ
の場合にはコンタクトホール上部でリセスが発生し配線
の平坦性を劣化させることがある点に留意する必要があ
る。
【００４１】次に、図４（ａ）に示すように、ＨＤＰ−
ＣＶＤ法により全面にＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４’ａを堆積
し、次いでＰ−ＣＶＤ法によりＰ−ＳｉＯ膜２４’ｂを
堆積した後、表面をＣＭＰ法により研磨して平坦化され
た層間絶縁膜２４’を形成する。Ｐ−ＳｉＯ膜２４’ｂ
はＣＭＰ法による研磨処理での犠牲膜として機能してい
る。図４（ａ）に示す例では、金属層２９上の層間絶縁
膜２４’はＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４’ａとＰ−ＳｉＯ膜２
４’ｂで形成しているが、ＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４’ａ単
体で形成してもよい。本工程においても、ＨＤＰ−ＣＶ
Ｄ法による配線間埋め込みに代えて、ＳＯＧ膜を用いて
もよく、ＳＯＧ膜上にＰ−ＳｉＯ膜を成長させ、その後
ＣＭＰ法により平坦化してもよい。また、層間絶縁膜２
４’に染料を混合させたＳＯＧ膜を用いてもよい。
ＣＶＤ法により全面にＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４’ａを堆積
し、次いでＰ−ＣＶＤ法によりＰ−ＳｉＯ膜２４’ｂを
堆積した後、表面をＣＭＰ法により研磨して平坦化され
た層間絶縁膜２４’を形成する。Ｐ−ＳｉＯ膜２４’ｂ
はＣＭＰ法による研磨処理での犠牲膜として機能してい
る。図４（ａ）に示す例では、金属層２９上の層間絶縁
膜２４’はＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４’ａとＰ−ＳｉＯ膜２
４’ｂで形成しているが、ＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４’ａ単
体で形成してもよい。本工程においても、ＨＤＰ−ＣＶ
Ｄ法による配線間埋め込みに代えて、ＳＯＧ膜を用いて
もよく、ＳＯＧ膜上にＰ−ＳｉＯ膜を成長させ、その後
ＣＭＰ法により平坦化してもよい。また、層間絶縁膜２
４’に染料を混合させたＳＯＧ膜を用いてもよい。
【００４２】配線間の埋め込み及びＣＭＰ法による平坦
化処理が終了したら、図４（ｂ）に示すように、例えば
Ｐ−ＣＶＤ法により全面にＰ−ＳｉＮ膜を堆積して反射
防止膜２６’を形成する。下地の層間絶縁膜２４’が平
坦に形成されているので反射防止膜２６’も平坦に形成
される。反射防止膜２６’も反射防止膜２６と同様に、
Ｐ−ＳｉＮ膜に代えてＰ−ＳｉＯＮ膜を用いてもよい。
化処理が終了したら、図４（ｂ）に示すように、例えば
Ｐ−ＣＶＤ法により全面にＰ−ＳｉＮ膜を堆積して反射
防止膜２６’を形成する。下地の層間絶縁膜２４’が平
坦に形成されているので反射防止膜２６’も平坦に形成
される。反射防止膜２６’も反射防止膜２６と同様に、
Ｐ−ＳｉＮ膜に代えてＰ−ＳｉＯＮ膜を用いてもよい。
【００４３】次いで、Ｐ−ＳｉＯ膜の層間絶縁膜２８’
をＰ−ＣＶＤ法を用いて反射防止膜２６’上に形成す
る。層間絶縁膜２８’を形成してから、層間絶縁膜２
８’、反射防止膜２６’、及びＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４’
ａとを１度のフォトリソグラフィ工程にてパターニング
し、コンタクトホールを形成する。
をＰ−ＣＶＤ法を用いて反射防止膜２６’上に形成す
る。層間絶縁膜２８’を形成してから、層間絶縁膜２
８’、反射防止膜２６’、及びＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４’
ａとを１度のフォトリソグラフィ工程にてパターニング
し、コンタクトホールを形成する。
【００４４】次に、図４（ｃ）に示すように、コンタク
トホールを密着層とタングステンとで埋め込み、ＣＭＰ
法により表面を研磨処理してコンタクトホール以外の密
着層とタングステンを除去し、平坦化された層間絶縁膜
２８’上に上部が露出した接続導体３０’を形成する。
トホールを密着層とタングステンとで埋め込み、ＣＭＰ
法により表面を研磨処理してコンタクトホール以外の密
着層とタングステンを除去し、平坦化された層間絶縁膜
２８’上に上部が露出した接続導体３０’を形成する。
【００４５】次いで、層間絶縁膜２８’上に表示電極３
２を形成する。表示電極３２は、ＴｉＮ層３２ａ、Ｔｉ
層３２ｂ、ＡｌＣｕＴｉ層３２ｃをこの順に積層して形
成する。あるいは、ＴｉＮ層３２ａ、Ｔｉ層３２ｂ、Ａ
ｌＣｕ層３２ｃをこの順に積層して形成してもよい。い
ずれにしても、表示電極３２は、最上層のＡｌＣｕＴｉ
層あるいはＡｌＣｕ層にＴｉ層が下方から接して設けら
れた構造になっており、こうすることにより反射率を向
上させて表示コントラストを向上することができるよう
になる。
２を形成する。表示電極３２は、ＴｉＮ層３２ａ、Ｔｉ
層３２ｂ、ＡｌＣｕＴｉ層３２ｃをこの順に積層して形
成する。あるいは、ＴｉＮ層３２ａ、Ｔｉ層３２ｂ、Ａ
ｌＣｕ層３２ｃをこの順に積層して形成してもよい。い
ずれにしても、表示電極３２は、最上層のＡｌＣｕＴｉ
層あるいはＡｌＣｕ層にＴｉ層が下方から接して設けら
れた構造になっており、こうすることにより反射率を向
上させて表示コントラストを向上することができるよう
になる。
【００４６】図４（ｃ）において、金属層２９と表示電
極３２とを接続する接続導体３０’の形成にタングステ
ン（Ｗ）−プラグを用いるのは、上述のソース電極２２
と金属層２９とを接続する接続導体３０の形成にタング
ステン（Ｗ）−プラグを用いているのと同様の理由であ
る。
極３２とを接続する接続導体３０’の形成にタングステ
ン（Ｗ）−プラグを用いるのは、上述のソース電極２２
と金属層２９とを接続する接続導体３０の形成にタング
ステン（Ｗ）−プラグを用いているのと同様の理由であ
る。
【００４７】以上のようにして形成されたシリコン基板
１に対して、従来と同様の工程により対向電極３８が形
成されたガラス基板４０を貼り合わせ、液晶を封止して
反射型液晶表示装置が完成する。なお、本実施の形態で
は表示電極３２とソース電極２２との間に中間配線層と
して金属層２９を設けているが、表示電極３２の位置と
ソース電極２２の位置が一致していれば中間配線層を設
けないようにすることももちろん可能である。
１に対して、従来と同様の工程により対向電極３８が形
成されたガラス基板４０を貼り合わせ、液晶を封止して
反射型液晶表示装置が完成する。なお、本実施の形態で
は表示電極３２とソース電極２２との間に中間配線層と
して金属層２９を設けているが、表示電極３２の位置と
ソース電極２２の位置が一致していれば中間配線層を設
けないようにすることももちろん可能である。
【００４８】以上説明したように、本実施の形態による
液晶表示基板及び液晶表示装置は、絶縁材料で形成され
た反射防止膜２６、２６’を有している。そして、本実
施の形態による液晶表示基板の製造方法では、絶縁体の
反射防止膜２６、２６’を形成する工程前で既にソース
電極２２や金属層２９等の配線層が形成されており、そ
の後は高温プロセスによる成膜が困難である。従って、
反射防止膜２６、２６’の成膜には比較的低温で膜成長
が可能なＰ−ＣＶＤ法を用いている。
液晶表示基板及び液晶表示装置は、絶縁材料で形成され
た反射防止膜２６、２６’を有している。そして、本実
施の形態による液晶表示基板の製造方法では、絶縁体の
反射防止膜２６、２６’を形成する工程前で既にソース
電極２２や金属層２９等の配線層が形成されており、そ
の後は高温プロセスによる成膜が困難である。従って、
反射防止膜２６、２６’の成膜には比較的低温で膜成長
が可能なＰ−ＣＶＤ法を用いている。
【００４９】また、Ｐ−ＣＶＤ法を用いた膜成長は下地
の表面形状の影響を受け易く、極端な凹凸形状の表面を
有している下地に成膜を行わせると、成長しきれない領
域がボイド（空孔）として残ってしまう。従って、単に
Ｐ−ＣＶＤ法を用いてソース電極２２表面や金属層２９
表面に絶縁性の反射防止膜２６、２６’を形成すること
は好ましくない。そこで、本実施の形態では、Ｐ−ＣＶ
Ｄ法により絶縁性の反射防止膜２６、２６’を形成する
下地層として、表面ができるだけ平坦化された第１の絶
縁膜（上述の例では、層間絶縁膜２４、２４’）を形成
するようにしている。第１の絶縁膜としては、Ｐ−Ｓｉ
Ｏ膜やＨＤＰ−ＳｉＯ膜を用いることができる。これら
の膜を単に成長させただけでも、下層の段差を軽減させ
ることが可能であるが、さらにＣＭＰ法等の平坦化処理
を施すことにより、ボイド等が存在せず且つ極めて平坦
性に優れた反射防止膜２６、２６’を得ることができ
る。平坦化処理としては、他の研磨方法や膜表面へのＳ
ＯＧ塗布によるものでもよい。
の表面形状の影響を受け易く、極端な凹凸形状の表面を
有している下地に成膜を行わせると、成長しきれない領
域がボイド（空孔）として残ってしまう。従って、単に
Ｐ−ＣＶＤ法を用いてソース電極２２表面や金属層２９
表面に絶縁性の反射防止膜２６、２６’を形成すること
は好ましくない。そこで、本実施の形態では、Ｐ−ＣＶ
Ｄ法により絶縁性の反射防止膜２６、２６’を形成する
下地層として、表面ができるだけ平坦化された第１の絶
縁膜（上述の例では、層間絶縁膜２４、２４’）を形成
するようにしている。第１の絶縁膜としては、Ｐ−Ｓｉ
Ｏ膜やＨＤＰ−ＳｉＯ膜を用いることができる。これら
の膜を単に成長させただけでも、下層の段差を軽減させ
ることが可能であるが、さらにＣＭＰ法等の平坦化処理
を施すことにより、ボイド等が存在せず且つ極めて平坦
性に優れた反射防止膜２６、２６’を得ることができ
る。平坦化処理としては、他の研磨方法や膜表面へのＳ
ＯＧ塗布によるものでもよい。
【００５０】本発明は、上記実施の形態に限らず種々の
変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、図２
に示すように反射防止膜２６、２６’上に層間絶縁膜２
８、２８’を形成しているが、本発明はこれに限られ
ず、図５に示すように、層間絶縁膜２８、２８’を形成
せずに反射防止膜２６、２６’上に直接金属層２９、表
示電極３２を形成するようにしてもよい。
変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、図２
に示すように反射防止膜２６、２６’上に層間絶縁膜２
８、２８’を形成しているが、本発明はこれに限られ
ず、図５に示すように、層間絶縁膜２８、２８’を形成
せずに反射防止膜２６、２６’上に直接金属層２９、表
示電極３２を形成するようにしてもよい。
【００５１】図５に示す構造は、ＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４
ａ、２４’ａ上にＰ−ＳｉＯ膜２４ｂ、２４’ｂを形成
してからＣＭＰ法によりＰ−ＳｉＯ膜２４ｂ、２４’ｂ
表面を研磨して平坦化し、Ｐ−ＳｉＯ膜２４ｂ、２４’
ｂ上にＰ−ＳｉＮ膜あるいはＰ−ＳｉＯＮ膜の反射防止
膜２６、２６’を形成している。
ａ、２４’ａ上にＰ−ＳｉＯ膜２４ｂ、２４’ｂを形成
してからＣＭＰ法によりＰ−ＳｉＯ膜２４ｂ、２４’ｂ
表面を研磨して平坦化し、Ｐ−ＳｉＯ膜２４ｂ、２４’
ｂ上にＰ−ＳｉＮ膜あるいはＰ−ＳｉＯＮ膜の反射防止
膜２６、２６’を形成している。
【００５２】また本発明は、さらに図６に示すような構
造に適用することも可能である。図６に示す構造は、層
間絶縁膜２８、２８’及びＰ−ＳｉＯ膜２４ｂ、２４’
ｂを形成せずに、ＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４ａ、２４’ａ上
に反射防止膜２６、２６’を形成している。そして反射
防止膜２６、２６’表面をＣＭＰ法により表面研磨して
から金属層２９、表示電極３２を形成している。この場
合、第１の絶縁膜はＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４ａ、２４’ａ
である。
造に適用することも可能である。図６に示す構造は、層
間絶縁膜２８、２８’及びＰ−ＳｉＯ膜２４ｂ、２４’
ｂを形成せずに、ＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４ａ、２４’ａ上
に反射防止膜２６、２６’を形成している。そして反射
防止膜２６、２６’表面をＣＭＰ法により表面研磨して
から金属層２９、表示電極３２を形成している。この場
合、第１の絶縁膜はＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４ａ、２４’ａ
である。
【００５３】また、本発明は図７に示すような構造にも
適用可能である。図７に示す構造は、ＨＤＰ−ＳｉＯ膜
２４ａとＰ−ＳｉＯ膜２４ｂとの間に反射防止膜２６を
挟み込み、ＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４’ａとＰ−ＳｉＯ膜２
４’ｂとの間に反射防止膜２６’を挟み込んだ構造であ
る。この場合の第１の絶縁膜は、ＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４
ａ、２４’ａである。Ｐ−ＳｉＯ膜２４ｂ、２４’ｂ上
面をＣＭＰ法等により表面研磨してから金属層３０、表
示電極３２を形成している。
適用可能である。図７に示す構造は、ＨＤＰ−ＳｉＯ膜
２４ａとＰ−ＳｉＯ膜２４ｂとの間に反射防止膜２６を
挟み込み、ＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４’ａとＰ−ＳｉＯ膜２
４’ｂとの間に反射防止膜２６’を挟み込んだ構造であ
る。この場合の第１の絶縁膜は、ＨＤＰ−ＳｉＯ膜２４
ａ、２４’ａである。Ｐ−ＳｉＯ膜２４ｂ、２４’ｂ上
面をＣＭＰ法等により表面研磨してから金属層３０、表
示電極３２を形成している。
【００５４】さらに本発明は図８に示すような構造に適
用することもできる。図８に示す構造は、ＳＯＧ膜５
０、５０’を層間絶縁膜に用いている点に特徴を有して
いる。図８に示すように、層間絶縁膜１４及びソース電
極２２上面にＰ−ＳｉＯ膜５２を形成する。Ｐ−ＳｉＯ
膜５２は、Ｐ−ＳｉＮ膜あるいはＰ−ＳｉＯＮ膜で置き
換えることが可能である。次いで、ＳＯＧ膜５０を塗布
して硬化させた後、上面をＣＭＰ法等により研磨して平
坦にしてから反射防止膜２６を形成する。反射防止膜２
６は下地の平坦度に応じて平坦に形成される。上記実施
の形態と同様にしてコンタクトホールにタングステンの
接続導体３０を形成した後、反射防止膜２６上に金属層
２９を形成する。金属層２９及び反射防止膜２６上にＰ
−ＳｉＯ膜５２を形成してから、ＳＯＧ膜５０’を塗布
して硬化させ、上面をＣＭＰ法等により研磨して平坦に
してから反射防止膜２６’を形成する。反射防止膜２
６’は下地の平坦度に応じて平坦に形成される。コンタ
クトホールにタングステンの接続導体３０’を形成した
後、反射防止膜２６上に表示電極３２を形成する。この
ように本発明は、ＨＤＰ−ＣＶＤ法による配線間埋め込
みに代えて、ＳＯＧ膜を用いることもできる。
用することもできる。図８に示す構造は、ＳＯＧ膜５
０、５０’を層間絶縁膜に用いている点に特徴を有して
いる。図８に示すように、層間絶縁膜１４及びソース電
極２２上面にＰ−ＳｉＯ膜５２を形成する。Ｐ−ＳｉＯ
膜５２は、Ｐ−ＳｉＮ膜あるいはＰ−ＳｉＯＮ膜で置き
換えることが可能である。次いで、ＳＯＧ膜５０を塗布
して硬化させた後、上面をＣＭＰ法等により研磨して平
坦にしてから反射防止膜２６を形成する。反射防止膜２
６は下地の平坦度に応じて平坦に形成される。上記実施
の形態と同様にしてコンタクトホールにタングステンの
接続導体３０を形成した後、反射防止膜２６上に金属層
２９を形成する。金属層２９及び反射防止膜２６上にＰ
−ＳｉＯ膜５２を形成してから、ＳＯＧ膜５０’を塗布
して硬化させ、上面をＣＭＰ法等により研磨して平坦に
してから反射防止膜２６’を形成する。反射防止膜２
６’は下地の平坦度に応じて平坦に形成される。コンタ
クトホールにタングステンの接続導体３０’を形成した
後、反射防止膜２６上に表示電極３２を形成する。この
ように本発明は、ＨＤＰ−ＣＶＤ法による配線間埋め込
みに代えて、ＳＯＧ膜を用いることもできる。
【００５５】以上説明した実施形態を勘案すると、本発
明の各請求項には、現在の要件に加え、さらに以下に記
載する要件を追加することも可能である。 １．表示電極を反射防止膜の表面に直接に設ける。従来
技術で説明した反射防止膜は、金属材料で構成されてい
たため、その表面に絶縁膜を設けないと、表示電極が設
けられなかったが、本発明では反射防止膜が絶縁性であ
るため、その表面に直接に表示電極を形成しても、各表
示電極間がショートすることがない。これによれば、プ
ロセスステップ低減効果が得られる。
明の各請求項には、現在の要件に加え、さらに以下に記
載する要件を追加することも可能である。 １．表示電極を反射防止膜の表面に直接に設ける。従来
技術で説明した反射防止膜は、金属材料で構成されてい
たため、その表面に絶縁膜を設けないと、表示電極が設
けられなかったが、本発明では反射防止膜が絶縁性であ
るため、その表面に直接に表示電極を形成しても、各表
示電極間がショートすることがない。これによれば、プ
ロセスステップ低減効果が得られる。
【００５６】２．表示電極を絶縁膜を介して反射防止膜
上層に設ける。もちろん、反射防止膜上に絶縁膜を介し
て表示電極を設けることも可能である。これによれば、
たとえば反射防止膜の膜質に問題（耐湿性が低かった
り、クラックの恐れがある場合など）があっても、それ
が顕在化するのを抑制することができる。
上層に設ける。もちろん、反射防止膜上に絶縁膜を介し
て表示電極を設けることも可能である。これによれば、
たとえば反射防止膜の膜質に問題（耐湿性が低かった
り、クラックの恐れがある場合など）があっても、それ
が顕在化するのを抑制することができる。
【００５７】３．表示電極をＳＯＧを介して反射防止膜
上層上に設ける。ＳＯＧは平坦性に優れているので、反
射防止膜の表面に凹凸が残存していても、それを解消す
ることができる。また、ＳＯＧに染料を分散すること
で、ＳＯＧ自体にも光吸収性を持たせることもできる。
上層上に設ける。ＳＯＧは平坦性に優れているので、反
射防止膜の表面に凹凸が残存していても、それを解消す
ることができる。また、ＳＯＧに染料を分散すること
で、ＳＯＧ自体にも光吸収性を持たせることもできる。
【００５８】４．反射防止膜上にさらに配線層を設け、
その配線層を介して表示電極を設ける。表示電極は、画
素を構成する位置に配置されるが、その配置位置とスイ
ッチング素子の配置の関係によっては、複数の配線層が
必要になる場合がある。その場合、反射防止膜上に直
接、または絶縁膜を介してさらなる配線層を設け、その
配線層上にさらに絶縁膜を介して表示電極を設けること
も可能である。この場合、各絶縁膜はその表面を平坦化
処理してもよい。またさらに、これら絶縁膜から表示電
極間にさらに反射防止膜を設けることも可能である。
その配線層を介して表示電極を設ける。表示電極は、画
素を構成する位置に配置されるが、その配置位置とスイ
ッチング素子の配置の関係によっては、複数の配線層が
必要になる場合がある。その場合、反射防止膜上に直
接、または絶縁膜を介してさらなる配線層を設け、その
配線層上にさらに絶縁膜を介して表示電極を設けること
も可能である。この場合、各絶縁膜はその表面を平坦化
処理してもよい。またさらに、これら絶縁膜から表示電
極間にさらに反射防止膜を設けることも可能である。
【００５９】５．上述の各部の絶縁膜は、適宜平坦化す
ることが可能であり、その平坦化方法としては、研磨処
理、ＳＯＧの塗布処理、ＳＯＧ塗布後のエッチバック処
理が採用できる。各部の絶縁膜は、ボイドの少ないプラ
ズマ成長法を行うため、また、表示電極の反射率向上の
ためなどに、平坦化を行うことができる。また、その平
坦化の手法としては、厚く形成した絶縁膜を所望の膜厚
まで研磨して平坦化する方法や、ＳＯＧの塗布処理によ
る平坦化、絶縁膜の表面にＳＯＧを塗布して平坦な表面
形状を作り、全面を均等にエッチングして絶縁膜の表面
に平坦な表面形状を転写するエッチバック法などを用い
ることができる。
ることが可能であり、その平坦化方法としては、研磨処
理、ＳＯＧの塗布処理、ＳＯＧ塗布後のエッチバック処
理が採用できる。各部の絶縁膜は、ボイドの少ないプラ
ズマ成長法を行うため、また、表示電極の反射率向上の
ためなどに、平坦化を行うことができる。また、その平
坦化の手法としては、厚く形成した絶縁膜を所望の膜厚
まで研磨して平坦化する方法や、ＳＯＧの塗布処理によ
る平坦化、絶縁膜の表面にＳＯＧを塗布して平坦な表面
形状を作り、全面を均等にエッチングして絶縁膜の表面
に平坦な表面形状を転写するエッチバック法などを用い
ることができる。
【００６０】６．反射防止膜の材料としては、シリコン
窒化膜、シリコン酸化窒化膜、染料を分散したＳＯＧな
どが使用できる。
窒化膜、シリコン酸化窒化膜、染料を分散したＳＯＧな
どが使用できる。
【００６１】７．表示電極の材料としては、チタン膜上
にアルミニウム、またはアルミニウム合金膜を積層して
構成することができる。また、そのアルミニウム合金と
しては、アルミニウムと銅の合金またはさらにチタンを
含有する合金が使用できる。もちろん、上記１〜７の要
件は、現在の請求項１〜５の主旨を限定するものではな
い。
にアルミニウム、またはアルミニウム合金膜を積層して
構成することができる。また、そのアルミニウム合金と
しては、アルミニウムと銅の合金またはさらにチタンを
含有する合金が使用できる。もちろん、上記１〜７の要
件は、現在の請求項１〜５の主旨を限定するものではな
い。
【００６２】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、表示電極
間から入射する光を確実に吸収して反射光の色調等の劣
化を防止することができる液晶表示基板及びその製造方
法、並びに液晶表示装置を実現できる。
間から入射する光を確実に吸収して反射光の色調等の劣
化を防止することができる液晶表示基板及びその製造方
法、並びに液晶表示装置を実現できる。
【図１】本発明の一実施の形態による反射型液晶表示装
置（基板）の概略構成を示す一部断面図である。
置（基板）の概略構成を示す一部断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態による反射型液晶表示装
置（基板）の詳細な構成を示す一部断面図である。
置（基板）の詳細な構成を示す一部断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態による反射型液晶表示装
置（基板）の製造方法を説明する図である。
置（基板）の製造方法を説明する図である。
【図４】本発明の一実施の形態による反射型液晶表示装
置（基板）の製造方法を説明する図である。
置（基板）の製造方法を説明する図である。
【図５】本発明の一実施の形態による反射型液晶表示装
置（基板）の変形例の構成を示す一部断面図である。
置（基板）の変形例の構成を示す一部断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態による反射型液晶表示装
置（基板）の他の変形例の構成を示す一部断面図であ
る。
置（基板）の他の変形例の構成を示す一部断面図であ
る。
【図７】本発明の一実施の形態による反射型液晶表示装
置（基板）のさらに他の変形例の構成を示す一部断面図
である。
置（基板）のさらに他の変形例の構成を示す一部断面図
である。
【図８】本発明の一実施の形態による反射型液晶表示装
置（基板）のさらに他の変形例の構成を示す一部断面図
である。
置（基板）のさらに他の変形例の構成を示す一部断面図
である。
【図９】従来の反射型液晶表示装置の概略構成を示す一
部断面図である。
部断面図である。
１ シリコン基板 ２ ゲート酸化膜 ４ ゲート電極 ６ ドレイン領域 ８ ソース領域 １０ チャネル領域 １２ フィールド酸化膜 １４、２４、２４’、２８、２８’ 層間絶縁膜 ２０ ドレイン電極 ２２ ソース電極 ２６、２６’ 反射防止膜 ３０、３０’ 接続導体 ３２ 表示電極 ３６ 液晶層 ３８ 対向電極 ４０ ガラス基板 １０４ ＦＥＴ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/768 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｂ (72)発明者 大橋 誠 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 HA04 HB03X HB04X HC03 HC11 HC12 HC17 HC18 HD06 HD07 KA05 LA04 MA04 2H092 HA05 JA23 JA29 JA38 JA42 JA46 JB13 JB56 MA05 MA08 MA13 MA17 MA35 MA37 MA41 NA03 NA25 NA28 PA12 QA07 RA05 2K009 AA02 BB01 CC02 5C094 AA06 AA08 AA11 BA03 BA43 CA19 CA24 DA13 DB04 EA04 EA05 EA06 EB02 EB04 ED11 ED12 FA02 FB15 GB10 5F033 HH09 HH10 HH18 HH33 HH38 JJ19 KK09 KK33 MM08 NN06 QQ04 QQ37 QQ48 RR04 RR06 RR08 RR09 SS15 TT02 XX01 XX31
Claims (5)
- 【請求項１】スイッチング素子に接続された電極上に、
前記電極がなす段差よりも表面が平坦化された第１の絶
縁膜を形成する工程と、 前記第１の絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法によって絶縁性
の反射防止膜を形成する工程と、 前記反射防止膜および前記第１の絶縁膜を貫通し、前記
電極への接続を露出するスルーホールを形成する工程
と、 前記反射防止膜の上層側に、入射光を反射する機能を有
し、前記スルーホールの内面に接して設けられた接続導
体を介して前記電極に接続される表示電極を形成する工
程とを有することを特徴とする液晶表示基板の製造方
法。 - 【請求項２】スイッチング素子に接続された電極上に設
けられ、前記電極がなす段差よりも表面が平坦化された
第１の絶縁膜と、 前記第１の絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法によって設けら
れた絶縁性の反射防止膜と、 前記反射防止膜の上層側に設けられ、入射光を反射する
機能を有し、前記反射防止膜および前記第１の絶縁膜を
貫通するスルーホールの内面に接して設けられた接続導
体を介して前記電極に接続される表示電極とを有するこ
とを特徴とする液晶表示基板。 - 【請求項３】スイッチング素子に接続される電極上に設
けられ、前記電極がなす段差よりも表面が平坦化された
第１の絶縁膜と、 前記第１の絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法によって設けら
れた絶縁性の反射防止膜と、 前記反射防止膜の上層側に設けられ、入射光を反射する
機能を有し、前記反射防止膜および第１の絶縁膜を貫通
するスルーホールの内面に接して設けられた接続導体を
介して前記電極に接続される表示電極と、 前記表示電極上に液晶層を挟んで設けられた対向電極と
を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】入射光を反射する光反射膜としての機能を
有し、液晶層を挟んで設けられた対向電極との間で前記
液晶層に電界を印加する複数の表示電極と、 前記複数の表示電極の下層側に設けられ、その表面が平
坦化処理された絶縁性の反射防止膜と、 前記反射防止膜を貫通して、接続導体を前記反射防止膜
の下層側へ導出するスルーホールとを備えることを特徴
とする液晶表示基板。 - 【請求項５】入射光を反射する光反射膜としての機能を
有する複数の表示電極と、 前記複数の表示電極上に液晶層を挟んで設けられた対向
電極と、 少なくとも前記複数の表示電極間の下層に設けられ、そ
の表面が平坦化処理された絶縁性の反射防止膜と、 前記反射防止膜を貫通して、接続導体を前記反射防止膜
の下層側へ導出するスルーホールとを備えることを特徴
とする液晶表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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