JP2008015013A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. トランジスタと、該トランジスタの上方に配置された金属配線層と、前記金属配線層の上方に配置された反射電極層と、を含む半導体基板を有する反射型液晶表示パネルの製造方法において、
   前記金属配線層は、ダマシン法によって形成されることを特徴とする反射型液晶表示パネルの製造方法。
2. 前記半導体基板は、前記トランジスタと前記金属配線層との間に配置された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に配置され、前記金属配線層と略同等の厚さを有する第２の絶縁膜と、を有することを特徴とする請求項１記載の反射型液晶表示パネルの製造方法。
3. 前記半導体基板は、前記金属配線層と前記反射電極層との間に配置された遮光層を有しており、前記金属配線層上には、前記遮光層及び前記反射電極の少なくともいずれか一方が積層されることを特徴とする請求項２記載の反射型液晶表示パネルの製造方法。
4. 前記半導体基板は、前記金属配線層と前記遮光層との間に配置された第２の金属配線層を更に有しており、前記第２の金属配線層は、ダマシン法によって形成されることを特徴とする請求項３項記載の反射型液晶表示パネルの製造方法。
5. 前記半導体基板は、単結晶半導体基板を有し、前記トランジスタは前記単結晶半導体基板に設けられたＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載の反射型液晶表示パネルの製造方法。
6. 前記金属配線層の材料には、銅若しくはアルミニウム、又はこれらの金属を主成分とする材料を用いることを特徴とする請求項１記載の反射型液晶表示パネルの製造方法。
7. 前記反射電極層の材料には、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする材料を用いることを特徴とする請求項１記載の反射型液晶表示パネルの製造方法。
8. 反射型液晶表示パネルに用いられる半導体基板の製造方法であって、
   前記半導体基板は、トランジスタと、該トランジスタの上方に配置された金属配線層と、前記金属配線層の上方に配置された反射電極層と、を有しており、
   前記金属配線層は、ダマシン法によって形成されることを特徴とする半導体基板の製造方法。
9. 反射型液晶表示パネルに用いられる半導体基板の製造方法であって、
   前記半導体基板に備えられたトランジスタ上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
   前記第１の絶縁膜に接続孔を形成する工程と、
   前記第１の絶縁膜及び接続孔上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
   少なくとも前記接続孔上の領域の前記第２の絶縁膜を除去する工程と、
   前記第２の絶縁膜上に金属材料を形成する工程と、
   前記領域以外の前記金属材料を除去して金属配線層を形成する工程と、
   前記金属配線上に少なくとも第３の絶縁膜を介して反射電極層と形成する工程と、を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。