JP2005276620A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 基板上に形成され、前記基板に達する開口部を有する第１の絶縁層と、
   前記開口部上に形成された第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上に形成された第３の絶縁層と、
   前記第３の絶縁層上において前記開口部の少なくとも一部に重なって設けられ、第１の電極と第２の電極との間に発光層を挟んでなる発光素子と、を有し、
   前記第１の電極の屈折率は前記第３の絶縁層の屈折率と同等もしくは大きく、
   前記第３の絶縁層の屈折率は前記第２の絶縁層の屈折率と同等もしくは大きく、
   前記第２の絶縁層の屈折率は前記基板の屈折率と同等もしくは大きいことを特徴とする発光装置。
2. 基板上に形成された第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に形成された半導体層と、
   前記半導体層上に形成されたゲート絶縁層と、
   前記半導体層及び前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、
   前記ゲート絶縁層及び前記第１の絶縁層を貫通し、前記基板まで達して設けられた開口部と、
   前記ゲート電極、前記ゲート絶縁層、及び前記開口部上に形成された第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上に設けられた第３の絶縁層と、
   前記第３の絶縁層上において前記開口部の少なくとも一部に重なって設けられ、第１の電極と第２の電極との間に発光層を挟んでなる発光素子と、を有し、
   前記第１の電極の屈折率は前記第３の絶縁層の屈折率と同等もしくは大きく、
   前記第３の絶縁層の屈折率は前記第２の絶縁層の屈折率と同等もしくは大きく、
   前記第２の絶縁層の屈折率は前記基板の屈折率と同等もしくは大きいことを特徴とする発光装置。
3. 基板上に形成された第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に形成された半導体層と、
   前記半導体層上に形成されたゲート絶縁層と、
   前記半導体層及び前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、
   前記ゲート絶縁層及び前記ゲート電極上に形成されたパッシベーション膜と、
   前記パッシベーション膜と、前記ゲート絶縁層及び前記第１の絶縁層を貫通し、前記基板まで達して設けられた開口部と、
   前記パッシベーション膜及び前記開口部上に形成された第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上に設けられた第３の絶縁層と、
   前記第３の絶縁層上において前記開口部の少なくとも一部に重なって設けられ、第１の電極と第２の電極との間に発光層を挟んでなる発光素子と、を有し、
   前記第１の電極の屈折率は前記第３の絶縁層の屈折率と同等もしくは大きく、
   前記第３の絶縁層の屈折率は前記第２の絶縁層の屈折率と同等もしくは大きく、
   前記第２の絶縁層の屈折率は前記基板の屈折率と同等もしくは大きいことを特徴とする発光装置。
4. 基板上に形成された第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に形成された半導体層と、
   前記半導体層上に形成されたゲート絶縁層と、
   前記半導体層及び前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、
   前記ゲート絶縁層及び前記第１の絶縁層を貫通し、前記基板まで達して設けられた開口部と、
   前記ゲート電極、前記ゲート絶縁層、及び前記開口部上に形成された第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上に設けられた第３の絶縁層と、
   前記第３の絶縁層上に設けられた第４の絶縁層と、
   前記第４の絶縁層上において前記開口部の少なくとも一部に重なって設けられ、第１の電極と第２の電極との間に発光層を挟んでなる発光素子とを有し、
   前記第１の電極の屈折率は前記第４の絶縁層の屈折率と同等もしくは大きく、
   前記第４の絶縁層の屈折率は前記第３の絶縁層の屈折率と同等もしくは大きく、
   前記第３の絶縁層の屈折率は前記第２の絶縁層の屈折率と同等もしくは大きく、
   前記第２の絶縁層の屈折率は前記基板の屈折率と同等もしくは大きいことを特徴とする発光装置。
5. 基板上に形成された第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上に形成された半導体層と、
   前記半導体層上に形成されたゲート絶縁層と、
   前記半導体層及び前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、
   前記ゲート絶縁層及び前記第１の絶縁層を貫通し、前記基板まで達して設けられた第１の開口部と、
   前記ゲート電極、前記ゲート絶縁層、及び前記第１の開口部上に形成された第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層上に設けられた第３の絶縁層と、
   前記第３の絶縁層上に設けられ、前記第１の開口部に少なくとも一部が重なっている第２の開口部を有する第４の絶縁層と、
   前記第４の絶縁層上において前記第１の開口部及び前記第２の開口部の少なくとも一部に重なって設けられ、第１の電極と第２の電極との間に発光層を挟んでなる発光素子とを有し、
   前記第１の電極の屈折率は前記第３の絶縁層の屈折率と同等もしくは大きく、
   前記第３の絶縁層の屈折率は前記第２の絶縁層の屈折率と同等もしくは大きく、
   前記第２の絶縁層の屈折率は前記基板の屈折率と同等もしくは大きいことを特徴とする発光装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記第２の絶縁層と前記第３の絶縁層の間に絶縁膜を設けることを特徴とする発光装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記第２絶縁層が開口部を有することを特徴とする発光装置。
8. 請求項２乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記半導体層に電気的に接続された電極と前記第２の絶縁層の間に絶縁膜を設けることを特徴とする発光装置。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
   前記第１の絶縁層は単層構造であることを特徴とする発光装置。
10. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
    前記第１の絶縁層は多層構造であることを特徴とする発光装置。
11. 請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の発光装置を表示部に搭載したことを特徴とする電子機器。
12. 請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の発光装置を表示部に搭載したことを特徴とするテレビ受像器。