JP2003084687A5 - - Google Patents
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- 基板上に形成されたTFTと、
前記TFTと電気的に接続されている画素電極と、
前記TFT上に形成された層間絶縁膜と、
前記TFTと光が透過する領域との間に設けられた、前記基板に達する溝に形成された遮光膜とを有し、
前記遮光膜は、前記溝から前記TFTを覆うように前記層間絶縁膜上まで連続的に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 基板上に形成された下部遮光膜と、
前記下部遮光膜上に形成されたTFTと、
前記TFTと電気的に接続されている画素電極と、
前記TFT上に形成された層間絶縁膜と、
前記TFTと光が透過する領域との間に設けられた、前記下部遮光膜に達する溝に形成された上部遮光膜とを有し、
前記上部遮光膜は、前記溝から前記TFTを覆うように前記層間絶縁膜上まで連続的に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 基板上に形成されたTFTと、
前記TFTと電気的に接続されている画素電極と、
前記TFTと前記画素電極との間に形成された遮光膜と、
前記TFTと前記遮光膜との間に形成された層間絶縁膜と、
前記画素電極と前記基板との間に、前記層間絶縁膜を除去して形成されたウィンドウとを有し、
前記遮光膜は、前記ウィンドウの底面から前記TFTを覆うように前記層間絶縁膜上まで連続的に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 基板上に形成された下部遮光膜と、
前記下部遮光膜上に形成されたTFTと、
前記TFTと電気的に接続されている画素電極と、
前記TFTと前記画素電極との間に形成された上部遮光膜と、
前記TFTと前記上部遮光膜との間に形成された層間絶縁膜と、
前記画素電極と前記基板との間に、前記層間絶縁膜を除去して形成されたウィンドウとを有し、
前記上部遮光膜は、前記ウィンドウの底面から前記TFTを覆うように前記層間絶縁膜上まで連続的に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 基板上に形成された下部遮光膜と、
前記下部遮光膜上に形成されたTFTと、
前記TFTと並列に形成された保持容量素子と、
前記TFTと電気的に接続されている画素電極と、
前記TFTと前記画素電極との間に形成された上部遮光膜と、
前記TFT及び前記保持容量素子と前記上部遮光膜との間に形成された層間絶縁膜と、
前記画素電極と前記基板との間に、前記層間絶縁膜を除去して形成されたウィンドウとを有し、
前記上部遮光膜は、前記ウィンドウの底面から前記TFTを覆うように前記層間絶縁膜上まで連続的に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4または5において、前記下部遮光膜と前記上部遮光膜とは、前記ウィンドウの底面で接していることを特徴とする半導体装置。
- 請求項3乃至6のいずれか一項において、前記ウィンドウは透光性有機絶縁膜により平坦化されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項3乃至6のいずれか一項において、前記ウィンドウには、赤、緑、または青に着色されたフォトレジスト膜及び透光性の有機絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 基板上に形成された下部遮光膜と、
前記下部遮光膜上に形成されたTFTと、
前記TFTと電気的に接続されている画素電極と、
前記TFTと前記画素電極との間に形成された、上部遮光膜と絶縁膜とが交互に積層された積層体と、
前記TFTと前記積層体との間に形成された層間絶縁膜と、
前記画素電極と前記基板との間に、前記層間絶縁膜を除去して形成されたウィンドウとを有し、
前記ウィンドウは透光性有機絶縁膜により平坦化されており、
前記積層体は前記ウィンドウの底面から前記TFTを覆うように形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項9において、前記積層体は前記上部遮光膜を複数含み、複数の前記上部遮光膜の少なくとも一つを介して前記TFTと前記画素電極とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項9において、前記積層体は前記上部遮光膜を複数含み、前記積層体における前記絶縁膜及び当該絶縁膜を介して形成された複数の前記上部遮光膜とで保持容量が形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項9において、前記積層体は前記上部遮光膜を複数含み、複数の前記上部遮光膜の最下層と前記下部遮光膜とは、前記画素電極と基板との間の前記ウィンドウの底面において、接していることを特徴とする半導体装置。
- 請求項3乃至12のいずれか一項において、前記ウィンドウ内部には開口部が形成されており、前記ウィンドウの面積は、前記開口部の面積とほぼ等しいことを特徴とする半導体装置。
- 請求項3乃至13のいずれか一項において、前記ウィンドウの壁面は、テーパー状であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至14のいずれか一項に記載の半導体装置を表示部に組み込んだ電気器具。
- 請求項15に記載の電気器具は、プロジェクター、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、モバイルコンピュータ、携帯情報端末、携帯電話、電子書籍、またはディスプレイである。
- 基板上に下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に半導体層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極からなるTFTを形成する工程と、
前記ゲート電極上に第1の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の層間絶縁膜及び前記第2の層間絶縁膜を貫通し、前記半導体層に達する第1のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第1のコンタクトホールにおいて前記半導体層に接続する配線を形成する工程と、
前記配線を覆うように第3の層間絶縁膜を形成する工程と、
光が透過する領域とTFTとの間に、前記第3の層間絶縁膜を貫通し、前記基板に達する溝を形成する工程と、
前記第3の層間絶縁膜上から前記TFTを覆うように前記溝まで連続的に遮光膜を形成する工程と、
前記第3の層間絶縁膜を貫通し、前記配線に達する第2のコンタクトホールを形成する工程と、
前記遮光膜上に第4の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2のコンタクトホールに形成された前記第4の層間絶縁膜を除去する工程と、
前記第2のコンタクトホールにおいて前記配線に接続する画素電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項17において、前記基板と前記下地膜との間に下部遮光膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 基板上に下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に半導体層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極からなるTFTを形成する工程と、
前記ゲート電極上に第1の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の層間絶縁膜及び前記第2の層間絶縁膜を貫通し、前記半導体層に達する第1のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第1のコンタクトホールにおいて前記半導体層に接続する配線を形成する工程と、
前記配線を覆うように第3の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記下地膜、前記ゲート絶縁膜、前記第1の層間絶縁膜、前記第2の層間絶縁膜、及び前記第3の層間絶縁膜の一部を除去してウィンドウを形成する工程と、
前記ウィンドウの底面から前記TFTを覆うように第3の層間絶縁膜上まで連続的に上部遮光膜を形成する工程と、
前記ウィンドウの底面に形成された前記上部遮光膜を除去する工程と、
前記第3の層間絶縁膜及び前記上部遮光膜が除去されたウィンドウの底面上に第4の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記ウィンドウを平坦化する工程と、
前記第4の層間絶縁膜及び前記平坦化されたウィンドウ上に第5の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第4の層間絶縁膜及び前記第5の層間絶縁膜を貫通し、前記配線に達する第2のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第2のコンタクトホールにおいて前記配線に接続する画素電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項19において、前記基板と前記下地膜との間に下部遮光膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項20において、前記下部遮光膜と前記上部遮光膜とを、前記ウィンドウの底面で接するように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項20または21において、前記上部遮光膜及び前記下部遮光膜に接地電位となる 配線を接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項19乃至22のいずれか一項において、前記ウィンドウを平坦化する工程は、透光性有機絶縁膜を用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項19乃至22のいずれか一項において、前記ウィンドウを平坦化する工程は、赤、緑、もしくは青に着色されたフォトレジスト膜及び透光性有機絶縁膜を積層して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項19乃至24のいずれか一項において、前記ウィンドウを形成する工程は、壁面がテーパー状になるように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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