CN101901826B - 显示器件 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种显示器件，防止监视器元件部的漏光而不增加工序数目且不提高成本。本发明具有用于抑制发光元件的因温度变化、随时间的变化引起的影响的监视器元件、以及用于驱动所述监视器元件的TFT，用于驱动监视器元件的TFT设为不与监视器元件重叠。另外，还具有第一遮光膜及第二遮光膜，第一遮光膜设为与监视器元件的第一电极重叠，第二遮光膜通过形成在层间绝缘膜中的接触孔电连接于第一遮光膜。另外，接触孔形成为围绕监视器元件的第一电极的外周部分。

Description

显示器件
本申请是基于申请号为200710002111.6、申请日为2007年1月10日、发明名称为“显示器件及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及使用半导体元件(使用半导体薄膜的元件)的显示器件。尤其是，涉及使用电致发光(ElectroLuminescence：EL)元件、以及薄膜晶体管(下称“TFT”)的有源矩阵型的显示器件。另外，还涉及将显示器件用于显示部的电子设备。
背景技术
近年来，用发光二极管(LED)等的发光元件形成像素而成的所谓的自发光型显示器件正在引起人们的注意。作为用于这种自发光型显示器件中的发光元件，有机发光二极管(也叫做OLED(有机发光二极管；OrganicLightEmittingDiode)、有机EL元件、电致发光元件等。以下在本说明书中，记载为EL元件)引起人们的注意，并且用于有机EL显示器等。
EL元件是在一对电极之间具有电致发光层，通过在所述电极之间流过电流而发光的自发光型元件，因此与液晶显示器相比，具有像素的可见度高，不要背光，且响应速度快的优点。另外，发光元件的亮度由流过所述发光元件的电流值来控制。
发光元件具有其电阻值(内部电阻值)随周围的温度(下称“环境温度”)而变的性质。具体地说，以室温为常温时，当温度比常温高时，电阻值就下降，温度比常温低时，电阻值就上升。因此，在恒压驱动中，温度增高时电流值就增加，成为比所希望的亮度高的亮度，温度降低时电流值就下降，成为比所希望的亮度低的亮度。另外，如今所用的发光元件具有即使施加预定电压，电流值也随时间而减少的性质。
由于发光元件具有如上所述的性质，所以当产生环境温度的变化或随时间的电流变化时，亮度就有偏差。已经提出为了解决起因于所述环境温度的变化和随时间的变化的发光元件的亮度偏差的问题，设置监视器元件(例如参照专利文献1)。监视器元件的一个电极与恒流源、放大电路的输入(输入端)连接，放大电路的输出(输出端)与设在像素部的像素的发光元件的一个电极连接。由于具有这种结构，根据监视器元件的温度特性保持流过像素的发光元件的电流大小为恒定。此外，在本说明书中，“连接”除了直接连接的情况以外，还包括电连接的情况。因此，也可以在之间形成有其他元件、布线等。另外，在本说明书中，“重叠”除了构成显示器件的元件(例如，绝缘膜、布线等)互相直接接触地重叠的情况以外，还包括在之间夹着其他元件重叠的情况。
利用上述构成，即使发光元件(电致发光层)的温度变化，也能保持流过像素的发光元件的电流大小为恒定。因此，即使显示器件的环境温度上升，也能抑制显示器件耗电量的增大，亮度也能保持恒定。
[专利文献1]专利第3696116号公报
由于监视器元件不用于显示图像，所以需要将设有监视器元件的区域(监视器元件部)遮光，以使监视器元件所产生的光不泄漏。作为解决漏光的方法，有设置遮光膜的方法。或者，还有如下方法：在监视器元件的阴极的反射面(接触于发光层一侧的面)形成起伏部，来在阴极的反射面上散射反射光。
将参照图12、图13A和13B、以及图14说明设在监视器元件部的遮光膜的结构例。图12为监视器元件部的布局，图13A为沿着图12中A-A’线切断的截面结构图。另外，图14示出与图12相同的监视器元件部，但为了容易理解地说明用于驱动监视器元件的TFT的位置等，在由虚线围绕的区域212中省略了第一电极207。另外，在由虚线围绕的区域213中省略了第一电极207、电流供给线202、遮光膜214及漏极电极215而图示。
在监视器元件部中，在由对用于驱动监视器元件的TFT221的栅极线施加电位的控制线201和设在像素部的发光元件的TFT的栅极线206围绕的区域中，分别设有监视器元件和用于驱动所述监视器元件的TFT(图14)。另外，监视器元件包括第一电极207(阳极或阴极)、电致发光层208、以及第二电极209(阴极或阳极)(图13A)。图12、图13A和13B、以及图14中的由虚线围绕的区域204表示由阳极、电致发光层208及阴极构成的监视器元件发光的区域。另外，用于驱动监视器元件的TFT的栅极线205重叠监视器元件部的第一电极207(图12)。另外，TFT221形成在由控制线201和栅极线206围绕的区域，TFT221的栅极线205形成在与遮光膜203相同层中，因此，遮光膜203需要形成为不与TFT221重叠(图14)。从而，不容易形成具有可充分遮光的大小和形状的遮光膜203。结果，从TFT221和遮光膜203之间的空隙泄漏监视器元件产生的光。另外，如图13A所示，从相当于连接用于驱动监视器元件的TFT的源极区域和恒流源的电流供给线202与对用于驱动监视器元件的TFT的栅极线施加电位的控制线201之间的空隙的区域也漏光。此外，在图13A和13B中，标记210和211分别表示层间绝缘膜和绝缘膜。另外，如图13B所示，可以考虑设置210及220这两层层间绝缘膜的结构，此时，也从相当于电流供给线202和控制线201之间的空隙的区域漏光。
虽然通过降低监视器元件部的开口率可以防止所述漏光，但考虑到发光元件的退化特性，优选使监视器元件部的开口率和像素部的开口率大致相同。因此，从原来的目的即补偿流过像素部的发光元件的电流因温度变化或随时间的退化引起的变动来看，采用降低监视器元件部的开口率的结构不是优选的。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种显示器件，其中防止监视器元件部的漏光而不增加工序数目且不提高成本。
本发明的显示器件具有用于抑制发光元件的因温度变化、随时间的退化引起的影响的监视器元件、以及用于驱动该监视器元件的TFT，用于驱动该监视器元件的TFT设为不与监视器元件重叠。本发明的显示器件具有第一遮光膜及第二遮光膜，第一遮光膜设为与监视器元件的第一电极重叠，并且第二遮光膜通过形成在层间绝缘膜中的接触孔电连接于第一遮光膜。另外，接触孔形成为围绕监视器元件的第一电极的外周部分。此外，在本说明书中，所谓“监视器元件部”是指设有监视器元件的全部区域。
另外，可应用本发明的具有发光元件的显示器件是有源矩阵型的显示器件。作为发光元件发出的光的射出方式，可应用底面射出型或双面射出型。
另外，第一遮光膜在与监视器元件的栅极线、设在像素部的发光元件的栅极线相同的制作条件下同时形成，第二遮光膜在与监视器元件的源极线、设在像素部的发光元件的源极线相同的制作条件下同时形成。
另外，本发明的显示器件具有多个像素、源极线驱动电路(源极驱动器)、以及栅极线驱动电路(栅极驱动器)。而且，多个像素各自具有：发光元件；控制对像素的视频信号输入的第一薄膜晶体管；控制发光元件点亮或非点亮的第二薄膜晶体管；以及保持视频信号的电容元件。此外，电容元件不一定必须设置，可用第二薄膜晶体管的栅极电容代替。
另外，监视器元件部(设有监视器元件的区域)可设在像素部内，也可设在其它区域。注意，监视器元件部优选设为接近像素部，以便不影响到图像的显示，而且为尽可能在相同环境下设置监视器元件部与像素部的发光元件。
另外，可适当选择监视器元件的数目。即，监视器元件可以只设一个，也可以设置多个。当只用一个监视器元件时，流过恒流源的电流值只要设定为要流过各像素的发光元件的电流值即可，因此可抑制耗电量。另外，当设多个监视器元件时，可以使监视器元件每个特性偏差平均化。
另外，在用包含发光元件的面板进行彩色显示时，优选对每个像素设置发光波长带不同的电致发光层，典型的是设置对应于红(R)、绿(G)、蓝(B)各色的电致发光层。这时，分别设置对应于红、绿、蓝各色的监视器元件，来可对各色校正电源电压。这时虽也可以采用对各色分别设置一个监视器元件的结构，但优选是对各色分别设置多个的结构。
涉及本说明书提出的显示器件的发明结构包括：多个具有发光元件及用于驱动所述发光元件的第一薄膜晶体管的像素设为矩阵形的像素部；具有第一电极、形成在所述第一电极上的电致发光层、以及形成在所述电致发光层上的第二电极的监视器元件；用于驱动所述监视器元件的第二薄膜晶体管；对所述监视器元件流入恒定电流的恒流源；以及放大电路。并且，所述恒流源电连接于所述第二薄膜晶体管的源电极和漏电极的一个、以及所述放大电路的输入，所述第二薄膜晶体管的源电极或漏电极的另一个电连接于所述监视器元件的第一电极，所述发光元件的一个电极通过所述第一薄膜晶体管电连接于所述放大电路的输出。再者，所述监视器元件和所述第二薄膜晶体管设为互不重叠，第一遮光膜设为与监视器元件的第一电极重叠，第二遮光膜设为与第一遮光膜重叠，第二遮光膜通过形成在层间绝缘膜中且围绕监视器元件的第一电极的外周部分的接触孔电连接于第一遮光膜。
另外，涉及本说明书提出的显示器件的另一发明结构包括：多个具有发光元件及用于驱动所述发光元件的第一薄膜晶体管的像素设为矩阵形的像素部；包括监视器元件和第二薄膜晶体管的监视器元件部，其中所述监视器元件具有第一电极、形成在所述第一电极上的电致发光层、以及形成在所述电致发光层上的第二电极，所述第二薄膜晶体管驱动所述监视器元件；对所述监视器元件流入恒定电流的恒流源；以及放大电路。并且，所述恒流源电连接于所述第二薄膜晶体管的源电极和漏电极的一个、以及所述放大电路的输入，所述第二薄膜晶体管的源电极或漏电极的另一个电连接于所述监视器元件的第一电极，所述发光元件的一个电极通过所述第一薄膜晶体管电连接于所述放大电路的输出。另外，所述监视器元件部包括：由与栅极线相同的材料形成的第一遮光膜；形成在所述第一遮光膜上的层间绝缘膜；由与源电极或漏电极相同的材料形成，且形成在所述层间绝缘膜上的第二遮光膜；以及形成在所述层间绝缘膜上的所述监视器元件。再者，所述监视器元件和所述第二薄膜晶体管设为互不重叠，所述第一遮光膜设为通过所述层间绝缘膜与所述监视器元件的第一电极重叠，监视器元件的所述第一电极通过形成在所述层间绝缘膜中的接触孔电连接于所述第一遮光膜，所述第二遮光膜设为通过所述层间绝缘膜与所述第一遮光膜重叠，并且所述第二遮光膜通过形成在层间绝缘膜中且围绕监视器元件的第一电极的外周部分的所述接触孔电连接于所述第一遮光膜。
另外，涉及本说明书提出的显示器件的又一发明结构包括：多个具有发光元件及用于驱动所述发光元件的第一薄膜晶体管的像素设为矩阵形的像素部；包括监视器元件和第二薄膜晶体管的监视器元件部，其中所述监视器元件具有第一电极、形成在所述第一电极上的电致发光层、以及形成在所述电致发光层上的第二电极，所述第二薄膜晶体管驱动所述监视器元件；对所述监视器元件流入恒定电流的恒流源；以及放大电路。并且，所述恒流源电连接于所述第二薄膜晶体管的源电极和漏电极的一个、以及所述放大电路的输入，所述第二薄膜晶体管的源电极或漏电极的另一个电连接于所述监视器元件的第一电极，所述发光元件的一个电极通过所述第一薄膜晶体管电连接于所述放大电路的输出。另外，所述监视器元件部包括：由与栅极线相同的材料形成的第一遮光膜；形成在所述第一遮光膜上的第一层间绝缘膜；由与所述源电极或漏电极相同的材料形成，且形成在所述第一层间绝缘膜上的第二遮光膜；形成在所述第二遮光膜、源电极及漏电极上的第二层间绝缘膜；以及形成在所述第二层间绝缘膜上的所述监视器元件。再者，所述监视器元件和所述第二薄膜晶体管设为互不重叠，所述第一遮光膜设为通过所述第一层间绝缘膜及所述第二层间绝缘膜与监视器元件的第一电极重叠，所述监视器元件的第一电极通过形成在所述第一层间绝缘膜及所述第二层间绝缘膜中的接触孔电连接于所述第一遮光膜，所述第二遮光膜设为通过所述第一层间绝缘膜与所述第一遮光膜重叠，并且所述第二遮光膜通过形成在第一层间绝缘膜中且围绕监视器元件的第一电极的外周部分的接触孔电连接于所述第一遮光膜。
另外，在上述发明结构中，所述监视器元件和所述第二薄膜晶体管设在夹着所述栅极线且互不相同的区域中。
另外，在上述发明结构中，所述第二遮光膜为环形。
另外，在上述发明结构中，所述监视器元件及所述第二薄膜晶体管设为接近于所述像素部。
另外，在上述发明结构中，所述像素部具有多个发红光的像素、多个发绿光的像素、以及多个发蓝光的像素，并且所述监视器元件及用于驱动所述监视器元件的薄膜晶体管分别设在每一发光色。
另外，在上述发明结构中，所述监视器元件及所述发光元件为EL元件。
另外，在上述发明结构中，所述监视器元件和所述发光元件由相同的材料和相同的工序形成。
另外，在上述发明结构中，所述放大电路为电压跟随器电路。
另外，在上述发明结构中，所述显示器件为底面射出型或双面射出型。
另外，涉及本说明书提出的显示器件的另一个发明结构为具有上述显示器件的EL电视机。
另外，涉及本说明书提出的显示器件的制造方法的发明结构包括以下工序：在衬底上形成基底膜；以及形成用于驱动监视器元件的薄膜晶体管，所述晶体管的形成方法包括以下工序：在基底膜上形成半导体层；在半导体层上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成栅极线的同时形成第一遮光膜；通过以栅极线为掩模将杂质掺杂到半导体层，来形成源极区域及漏极区域。并且，在栅极绝缘膜、栅极线、以及第一遮光膜上形成层间绝缘膜；形成连接于源极区域的源极线的同时，形成通过连接于漏极区域、形成在层间绝缘膜中且围绕监视器元件的第一电极的外周部分的接触孔电连接于第一遮光膜的第二遮光膜；形成第一电极，以使此通过层间绝缘膜与第一遮光膜重叠；在第一电极上形成电致发光层；以及在电致发光层上形成第二电极，来在层间绝缘膜上形成监视器元件。并且，监视器元件不与用于驱动所述监视器元件的薄膜晶体管重叠。
在本发明中，第一遮光膜设为与监视器元件的第一电极重叠，并且第二遮光膜通过形成在层间绝缘膜中的接触孔电连接于第一遮光膜。另外，接触孔形成为围绕监视器元件的第一电极的外周部分。因此，可以由第一遮光膜及第二遮光膜防止漏光，并且可以防止从第一遮光膜和第二遮光膜之间的空隙漏光。
另外，使用用于形成驱动监视器元件的TFT的栅极线的导电膜来形成第一遮光膜。再者，使用用于形成源电极或漏电极的导电膜来形成电连接于第一遮光膜的第二遮光膜。像这样，由于在形成其他布线的同时形成遮光膜，故可不增加工序数目而形成。另外，可以提供成品率高、可靠性高、且廉价的显示器件。
附图说明
图1是本发明的监视器像素的布局图；
图2A和2B是本发明的监视器像素的截面图；
图3A和3B是本发明的监视器像素的截面图；
图4A至4D是说明本发明的监视器元件的制造工序的截面图；
图5A至5C是说明本发明的监视器元件的制造工序的截面图；
图6是说明本发明的监视器元件的制造工序的截面图；
图7A至7D是说明本发明的监视器元件的制造工序的俯视图；
图8是说明在本发明的显示器件中光射出的方向的图；
图9是表示本发明的显示器件的像素部和监视器元件部的关系的图；
图10A和10B分别是说明本发明的显示器件的结构的俯视图和截面图；
图11A至11F是表示具有本发明的显示器件的电子设备的图；
图12是监视器像素的布局图(比较例)；
图13A和13B是监视器像素的截面图(比较例)；
图14是监视器像素的布局图(比较例)。
具体实施方式
参照附图对于本发明的最佳实施方式进行说明。注意，本发明不局限于以下说明，所属领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式和详细内容可以被变换为各种各样的形式，而不脱离本发明的宗旨及其范围。因此，本发明不应该被解释为仅限定在以下将说明的实施方式所记载的内容中。此外，在以下将说明的本发明的结构中，对同一部分或具有同样功能的部分在不同的附图之间附加同一附图标记，而省略其重复说明。
实施方式1
在本实施方式中，对设在监视器元件部的遮光膜的特征进行说明。
图1示出了设有监视器元件的区域中的布局图。图2A示出了沿着图1中A-A’线切断的截面结构图。
第一遮光膜401是由与连接于栅极驱动器的栅极线415、以及驱动监视器元件的TFT412的栅极线413相同的材料和相同的工序形成的导电膜，它们都形成在衬底400上。另外，第一遮光膜401设为与监视器元件的第一电极407重叠。此外，在图1中，第一遮光膜401设为不与电连接于恒流源的电流供给线411重叠，但也可设为与电流供给线411重叠。另外，在图1中，第一遮光膜401设为与布线404重叠，但也可设为不与布线404重叠。
第二遮光膜406是由与电连接驱动监视器元件的TFT412的源极区域(或漏极区域)和恒流源的电流供给线411、布线404、以及对驱动监视器元件的TFT412的栅极线413施加电位的控制线405相同的材料和相同的工序形成的导电膜。另外，第二遮光膜406也用作连接于驱动监视器元件的TFT412的漏电极(或源电极)。并且，第二遮光膜406具有环形形状，且设置为围绕第一电极407的外周部分。这样，通过设置第二遮光膜406，可以覆盖在只用第一遮光膜401时不能完全覆盖第一电极407的区域。此外，在图2A和2B中，标记408表示绝缘膜(称为堤岸、隔壁、阻挡层、堤坝等)，标记410表示监视器元件的第二电极，并且标记431表示TFT412的栅极绝缘膜。
此外，在本实施方式中，第二遮光膜406也用作连接于驱动监视器元件的TFT412的漏电极(或源电极)，但本发明不局限于该结构。就是说，如图3A所示，也可以采用如下结构：将连接于TFT412的漏电极(或源电极)432和第一遮光膜401形成为互不相同的膜，漏电极(或源电极)432通过第一遮光膜401电连接于第二遮光膜406。第二遮光膜406与图2A同样，具有环形形状，且设置为围绕第一电极407的外周部分。另外，漏电极(或源电极)432和第二遮光膜406由相同的材料和相同的工序形成即可。
第一电极407是用于对电致发光层409施加电位的一个电极，且用作阳极或阴极。在图2A及图3A中，虚线所示的发光区域421是当对第一电极407和第二电极410分别施加电位时发光元件发光的区域。
在本实施方式中，在底面射出型的显示器件中且包括排列为矩阵形的多个像素的像素部中，在相邻于从上计起为偶数(奇数)个的像素行的区域中形成有多个监视器元件，在相邻于从上计起为奇数(偶数)个的像素行的区域中形成有驱动监视器元件的多个TFT。另外，监视器元件和驱动监视器元件的TFT以栅极线为边界设在互不相同的区域。就是说，监视器元件和驱动监视器元件的TFT设为互不重叠。另外，为了使监视器元件发出的光不泄漏，第一遮光膜401和第一电极407重叠，而且，第一遮光膜401和第二遮光膜406通过形成在层间绝缘膜中的接触孔417电连接。利用所述结构，可以充分遮蔽监视器元件发出的光，而该光不会泄漏于衬底400一侧。
另外，第一遮光膜401和第二遮光膜406分别由与当形成用于驱动监视器元件的TFT412时的布线相同的材料和相同的工序形成。因此，可以不增加多余的成本和工序数目而形成遮光膜。
这里，将参照图8说明形成在与监视器元件部相同的衬底上、且设在像素部的底面射出结构(底面发射方式)的发光元件。
图8示出了底面射出结构的发光元件的截面图。作为用作阳极的第一电极1302的材料，优选使用功函数大的材料。例如，可以使用ITO(氧化铟锡)膜、氧化铟锌(IZO)膜等具有透光性的导电膜。通过使用具有透光性的导电膜作为第一电极1302，可以形成能透光的阳极。此外，第一电极1302和TFT1301连接。
另外，作为用作阴极的第二电极1304的材料，可以使用由功函数小的材料(Al、Ag、Li、Ca、或者它们的合金即MgAg、MgIn、AlLi、氟化钙、或者氮化钙等)构成的金属膜。这样，通过使用反射光的金属膜，可以形成不透光的阴极。此外，在图8中，标记1303表示电致发光层。
这样，如图8中箭头所示，可以在底面取出设在像素部的发光元件发出的光。另外，当将设在像素部的底面射出结构的发光元件用于显示器件时，使用具有透光性的衬底作为衬底1300。另外，当设置光学膜时，只要将光学膜设在衬底1300上，就没有问题。
实施方式2
在本实施方式中，将参照图2B说明在监视器元件部中形成两层层间绝缘膜时的具有遮光膜的显示器件的构成。此外，在本实施方式中仅仅说明与实施方式1不同之处。
在实施方式1中，由于如图2A所示，形成只有一层层间绝缘膜，因此第一电极407及第二遮光膜406通过形成在第一层间绝缘膜402中的接触孔分别连接到第一遮光膜401。与此相对，在本实施方式中形成有两层层间绝缘膜，第二遮光膜406通过形成在第一层间绝缘膜402中的接触孔417连接到第一遮光膜401的同时，第一电极407通过形成在第一层间绝缘膜402及第二层间绝缘膜416中的接触孔连接到第一遮光膜401。此外，在图2B中示出了第二遮光膜406具有环形形状的例子，但本发明不限于此。就是说，只要第一遮光膜401和第二遮光膜406通过形成为围绕第一电极407的外周部分的接触孔417连接，以防止监视器元件发出的光泄漏到衬底400一侧即可。
此外，在本实施方式中，第二遮光膜406也用作连接于驱动监视器元件的TFT412的漏电极(或源电极)，但本发明不局限于该结构。就是说，如图3B所示，也可以采用如下结构：将连接于TFT412的漏电极(或源电极)432和第一遮光膜401形成为互不相同的膜，漏电极(或源电极)432通过第一遮光膜401电连接于第二遮光膜406。第二遮光膜406与图2B同样，具有环形形状，且设置为围绕第一电极407的外周部分。另外，漏电极(或源电极)432和第二遮光膜406由相同的材料和相同的工序形成即可。
实施方式3
在本实施方式中，将说明显示器件的监视器元件部的制造工序。此外，设在显示器件的像素部的薄膜晶体管和发光元件可以由与设在监视器元件部的薄膜晶体管和监视器元件相同的制造条件、制造工序来形成，因此省略对像素部的制造工序的说明。
图4A至4D、图5A至5C、以及图6示出了作为监视器元件部的俯视图的图7D的线B-B’的截面图。此外，在图7A至7D中，省略电致发光层112。首先，如图4A所示，在绝缘衬底101上形成基底膜102。绝缘衬底101例如可以使用硼硅酸钡玻璃、硼硅酸铝玻璃等的玻璃衬底、石英衬底、以及陶瓷衬底等。另外，由具有挠性的合成树脂如塑料等构成的衬底，与上述衬底相比，一般耐热温度较低，但若能经受制造工序中的处理温度，就可使用。就是说，也可使用具有耐热性的塑料衬底。另外，也可用CMP法等抛光绝缘衬底101的表面，使其平坦。此外，若没有必要忧虑来自绝缘衬底101的污染，例如当使用石英衬底时等，不形成基底膜102也可以。
另外，作为基底膜102的成膜方法，可以使用以等离子体CVD法、低压CVD法为代表的CVD法、溅射法等方法。另外，作为基底膜可以是使用氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜中任一种的单层结构，也可以是适当地层叠这些膜的结构。此外，在本说明书中，氧氮化硅是指氧的组成比大于氮的组成比的硅、氮、以及氧的化合物，也可称作含氮的氧化硅。另外，在本说明书中，氮氧化硅是指氮的组成比大于氧的组成比的物质，也可称作含氧的氮化硅。在本实施方式中，作为基底膜，采用顺序层叠氮氧化硅膜、氧氮化硅膜的结构。
其次，在基底膜102上形成半导体膜103。作为半导体膜103，可形成非晶半导体膜，但也可形成微晶半导体膜或结晶半导体膜。半导体膜的材料没有特别的限定，但优选使用硅或硅锗。在本实施方式中形成非晶硅膜。此外，在形成半导体膜之后，也可进行除去半导体膜所含的氢的工序。
另外，当形成基底膜102和半导体膜103时，不使基底膜102和半导体膜103的界面暴露于大气中，来可防止界面的污染，从而可以降低所制造的TFT的特性偏差。本实施方式中，使用等离子体CVD法不暴露于大气中而连续形成基底膜102和半导体膜103。
其次，通过使用激光结晶法、热结晶法、或者用促进结晶化的元素如镍等的热结晶法等，使半导体膜103结晶化，来形成结晶半导体膜。这里，在结晶化后，也可以在结晶半导体膜的整个面上掺杂赋予p型导电型的杂质如硼(B)等，对成为TFT的沟道形成区域的区域进行沟道掺杂，来控制TFT的阈值电压。此外，在本实施方式中采用了使半导体膜103结晶化的结晶半导体膜，但也可用非晶半导体膜代替结晶半导体膜。
其次，如图4B所示，选择性地蚀刻结晶半导体膜来形成结晶半导体层104(岛状半导体层)。此外，图7A示出了结晶半导体层104的俯视图。
其次，在结晶半导体层104上形成栅极绝缘膜105。栅极绝缘膜105可以为使用氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜中任一种的单层结构，也可为适当地层叠这些膜的结构。
其次，如图4C、图7B所示，在栅极绝缘膜105上形成驱动监视器元件的TFT的栅极线106(栅电极)、以及连接于栅极驱动器的栅极线160的同时，形成第一遮光膜151。此外，将第一遮光膜151形成为与在后续工序中制造的第一电极110重叠。另外，第一遮光膜151设在监视器元件部，而不是设在像素部的发光元件。作为栅极线106、160、以及第一遮光膜151的材料，可以使用包含铝、钼、钛、及碳中的至少一种或多种的材料。这时，钼或钛的组成比优选是7.0至20原子％。
其次，以栅极线106作为掩模，对结晶半导体层104掺杂赋予p型导电型的杂质如硼(B)等。通过本工序，可以以自对准地形成TFT的源极区域及漏极区域。此外，也可采用通过掺杂等，在TFT的沟道形成区域与源极区域和漏极区域之间形成低浓度杂质区域(LDD区域)的结构。
另外，在进行掺杂之后，可以进行加热处理、强光照射、或者激光照射，以便激活掺杂于杂质区域的杂质元素。这样，不仅激活杂质元素，而且可以恢复对栅极绝缘膜105的等离子体损伤和对栅极绝缘膜105和结晶半导体层104之间的界面的等离子体损伤。
其次，如图4D所示，在栅极绝缘膜105及栅极线106、160上形成第一层间绝缘膜107。本实施方式中，采用顺序层叠氮氧化硅膜、氧氮化硅膜的结构。
在形成第一层间绝缘膜107之后，优选在氮气气氛中以300至550℃(更优选为400至500℃)进行1至12小时的加热处理，并进行使结晶半导体层104(半导体层)氢化的工序。通过本工序，可以利用第一层间绝缘膜107中所含的氢使半导体层的悬挂键终止。本实施方式中，进行410℃、1小时的加热处理。
其次，如图4D所示，在第一层间绝缘膜107中分别形成接触孔，以使此达到TFT的源极区域及漏极区域、以及第一遮光膜151。接触孔的形状优选为锥形。
其次，如图5A、图7C所示，形成布线108(电流供给线)以覆盖接触孔的同时，形成第二遮光膜152。布线108用作源极线(或电流供给线)，第二遮光膜152不仅遮光，还用作漏电极。另外，如图7C所示的俯视图那样，第二遮光膜152设为从上面看来与第一遮光膜151重叠，并且具有环形形状。另外，第二遮光膜152是设在监视器元件而不是设在像素部的发光元件。
作为布线108及第二遮光膜152的材料，使用Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Zr、Ba等金属或其合金、或者其金属氮化物，或者使用Si、Ge那样的半导体材料。另外，也可为使用这些材料的层叠结构。在本实施方式中，形成100nm厚的钛(Ti)，形成700nm厚的铝和硅的合金(Al-Si)，并且形成200nm厚的钛(Ti)，蚀刻为所希望的形状来加工。
其次，如图5B、图7D所示，通过形成在第一层间绝缘膜107中的接触孔形成第一电极110。如图7D所示的俯视图，从上面看来第一电极110和第一遮光膜151重叠，并且，第一电极110设为其外周部分由第二遮光膜152围绕。
另外，在本实施方式中，使用具有透光性的膜形成第一电极110，以便制作从第一电极110侧取出来自像素部的发光元件的光的结构。作为第一电极110，可以使用含氧化硅的氧化铟锡(也称含氧化硅的铟锡氧化物。下称“ITSO”)、氧化锌、氧化锡、氧化铟等。另外，也可以使用在氧化铟中混合2至20原子％的氧化锌(ZnO)的氧化铟氧化锌合金等的透明导电膜。另外，除上述透明导电膜外，也可用氮化钛膜或钛膜。这时，在透明导电膜的成膜之后，以光透过的程度的膜厚(优选为大约5至30nm)形成氮化钛膜或钛膜。在本实施方式中，形成110nm厚的ITSO膜作为第一电极110。
另外，可以通过CMP法、聚乙烯醇系多孔质体擦净并抛光第一电极110，以使其表面平坦化。另外，也可在用CMP法抛光后，对第一电极110的表面进行紫外线照射或氧等离子体处理等。
此外，在本实施方式中，说明了制造p沟道型TFT的工序。但当通过以栅极线为掩模对结晶半导体层104掺杂赋予n型导电型的杂质，制造n沟道型TFT时，也可适用本发明。另外，在同一衬底上制造p沟道型TFT和n沟道型TFT时也可适用本发明。
另外，TFT可以为在结晶半导体层104中形成有一个沟道形成区域的单栅极结构，也可为形成有两个沟道形成区域的双栅极结构或形成有三个沟道形成区域的三栅极结构。另外，周边驱动电路区域的薄膜晶体管也可为单栅极结构、双栅极结构或三栅极结构。
另外，不局限于本实施方式所示的TFT的制造方法，在顶部栅极型(平面型)、底部栅极型(反交错型)、或者在沟道形成区域的上下具有隔着栅极绝缘膜配置的两个栅电极的双栅极型或其他结构中，也可适用本发明。
其次，如图5C所示，形成绝缘膜111(称为堤岸、隔壁、阻挡层、堤坝等)，以覆盖第一电极110的外周部分及TFT。
作为绝缘膜111，可以使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧氮化铝及其他无机绝缘材料、或者丙烯酸、甲基丙烯酸及它们的衍生物、或者聚酰亚胺、芳香族聚酰胺、聚苯并咪唑等的耐热性高分子、或者由硅、氧、氢构成的化合物中含有Si-O-Si键且以硅氧烷系材料为出发材料形成的无机硅氧烷系绝缘材料、用有机基如甲基或苯基等置换硅上的氢的有机硅氧烷系的绝缘材料。也可使用丙烯酸、聚酰亚胺等的感光性、非感光性材料形成。在本实施方式中，使用感光性聚酰亚胺形成绝缘膜111，以使其平坦且具有1.5μm的厚度。
另外，绝缘膜111优选为表面的曲率半径连续改变的形状，来可提高形成在绝缘膜111上的电致发光层(含有机化合物的层)、第二电极的覆盖率。
另外，为了进一步提高可靠性，优选在形成电致发光层之前进行加热处理。优选通过所述加热处理排出第一电极110、绝缘膜111中含有或附着的水分。
其次，如图6所示，在第一电极110上形成电致发光层112。此外，图6中只图示一个监视器元件，但在本实施方式中分别形成对应于红(R)、绿(G)、蓝(B)各色的电致发光层。在本实施方式中，通过用蒸镀掩模的蒸镀法分别选择性地形成呈现红(R)、绿(G)、蓝(B)色发光的材料作为电致发光层112。呈现红(R)、绿(G)、蓝(B)色发光的材料可以通过用蒸镀掩模的蒸镀法分别选择性地形成的方法或液滴喷射法来形成。液滴喷射法中具有可不用掩模而分别涂敷RGB的优点。在本实施方式中，利用蒸镀法分别形成呈现红(R)、绿(G)、蓝(B)发光的材料。
电致发光层可用有机发光材料或无机发光材料。有机发光材料中有低分子系(单体系)材料和高分子系(聚合物系)材料，用哪一种都可。另外，作为电致发光层的结构，自由组合空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层或电子注入层等来形成叠层结构或单层结构即可。
此外，优选在电致发光层的蒸镀之前，在以惰性气体为主要成分，且氧浓度和水浓度分别为5％或更低和1％或更低的气氛中进行加热处理，除去水分等。在本实施方式中，在300℃中进行1小时的加热处理。
其次，在电致发光层112上形成由导电膜构成的第二电极113。此外，在第一电极110用作阳极时，第二电极113用作阴极，在第一电极110用作阴极时，第二电极113用作阳极。另外，作为第二电极113的材料，只要用功函数小的材料(Al、Ag、Li、Ca或它们的合金MgAg、MgIn、AlLi、CaF2、或者氮化钙)即可。
通过上述工序，形成由第一电极110、电致发光层112、以及第二电极113构成的监视器元件。所述监视器元件发光的区域以图7D中的发光区域153表示。利用第一遮光膜151及第二遮光膜152遮蔽发光区域153，以色光从衬底101一侧泄漏。
在图6所示的显示器件中，监视器元件发出的光透过形成在衬底101与第一电极110之间的第一层间绝缘膜107从第一电极110一侧沿着箭头的方向射出，但是被第一遮光膜151、第二遮光膜152遮挡。
另外，设置钝化膜以覆盖第二电极113也是有效的。作为钝化膜，可以使用包含氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化铝、含氧量大于含氮量的氧氮化铝(AlON)、含氮量大于含氧量的氮氧化铝(AlNO)、氧化铝、类金刚石碳(DLC)、或者含氮碳膜(CN)的绝缘膜，而且可为所述绝缘膜的单层或组合它们的叠层。另外，也可用硅(Si)和氧(O)的键构成骨架结构，且其取代基中至少含有氢的材料、或其取代基中具有氟、烷基或芳烃中至少一种的材料。
这时，优选用覆盖率良好的膜作为钝化膜，用碳膜特别是DLC膜是有效的。DLC膜在从室温至100℃的温度范围内可以成膜，因此可容易成膜在耐热性低的电致发光层112的上方。另外，DLC膜对氧的阻挡效果好，可以抑制电致发光层112的氧化。因此，可以防止后续的密封工序中电致发光层112氧化的问题。
其次，用密封材料贴合形成有发光元件和监视器元件的衬底101与密封衬底，来密封发光元件和监视器元件。由密封材料遮断来自截面的水分侵入，故能防止发光元件的退化，提高显示器件的可靠性。此外，也可在由密封材料围绕的区域中充填填充材料，也可在氮气气氛中进行密封，来封入氮气等。另外，填充材料也能通过以液体状态滴下来充填到显示器件内。本实施方式由于是底面射出型，故不必用有透光性的填充材料，但在透过填充材料取出光的结构中，必须用具有透光性的材料形成填充材料。作为填充材料的一例，可以举出可见光固化、紫外线固化或热固化的环氧树脂。通过以上工序，完成具有发光元件的显示器件。
另外，作为密封材料，可以使用紫外线固化树脂、热固化性树脂、硅酮树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、PVC(聚氯乙烯)、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)或EVA(乙烯基醋酸酯)。另外，密封材料也可添加有填料(棒形或纤维形的隔离物)或球形隔离物。
为了防止因水分引起的元件退化，优选在显示面板内设置干燥剂。在本实施方式中，干燥剂设在围绕像素部和监视器元件部而形成在密封衬底上的凹部中，是不妨害薄型化的构成。另外，可通过在对应于栅极线层的区域也设置干燥剂来扩大吸水面积，并且提高吸水效果。另外，由于在不直接发光的栅极线层上设置干燥剂，所以不会降低像素部的光取出效率。
此外，在本实施方式中说明了用玻璃衬底作为覆盖材料密封发光元件的情况，所述密封处理是为了保护发光元件不被水分侵入的处理，可以采用使用覆盖材料以机械方式密封的方法、用热固化性树脂或紫外线固化树脂密封的方法、利用阻挡能力高的薄膜如金属氧化物、氮化物等密封的方法中的任何一种。作为覆盖材料，可以使用玻璃、陶瓷、塑料或金属，但在光射出到覆盖材料一侧的情况下就必须是透光性的材料。另外，通过用热固化性树脂或紫外线固化树脂等的密封材料贴合覆盖材料和形成有上述发光元件的衬底，并用热处理或紫外线照射处理使树脂固化，来形成密闭空间。在所述密闭空间中设置以氧化钡为代表的吸湿材料也是有效的。所述吸湿材料可以在密封材料上相接地设置，也可以设在不妨害来自发光元件的光的隔壁上或其周边部。再者，也可以用热固化性树脂或紫外线固化树脂充填覆盖材料和形成有发光元件的衬底之间的空间。这时，在热固化性树脂或紫外线固化树脂中添加以氧化钡为代表的吸湿材料是有效的。
另外，用玻璃衬底或塑料衬底作为覆盖材料。作为塑料衬底，可以使聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、环氧树脂、PES(聚醚砜)、PC(聚碳酸酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)或PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)为板形或薄膜形而使用。
此外，在密闭空间中填充有干燥的惰性气体。由密封材料围绕的内侧的密闭空间由干燥剂除去微量水分，充分干燥。另外，作为干燥剂，可以使用通过化学吸附来吸收水分的物质如氧化钙或氧化钡等的碱土金属的氧化物。此外，作为其他干燥剂，也可用通过物理吸附来吸附水分的物质如沸石或硅胶等。
另外，如有必要，也可在来自发光元件的光的射出面上适当地设置偏振片或圆偏振片(含椭圆偏振片)、相位差板(λ/4板、λ/2板)、彩色滤光片等光学膜。另外，也可在偏振片、圆偏振片上设置反射防止膜。例如，可以实施利用表面的凹凸来扩散反射光，降低照入的抗眩光处理。另外，也可以进行抗反射处理即对偏振片或圆偏振片进行加热处理。之后，优选进行硬涂层处理，以便保护不受外部冲击。
实施方式4
在本实施方式中，用图9说明具有设在像素部的发光元件和设在监视器元件部的监视器元件的显示器件的结构。本实施方式的显示器件具有栅极驱动器2107、源极驱动器2108、以及像素部2109。另外，还具有在像素部2109的侧面附近设置的监视器元件部2110。在监视器元件部2110中对应于RGB每一色设置三列的监视器元件。另外，在对应于RGB每一色的监视器元件的各列中，交替排列有监视器元件和驱动所述监视器元件的TFT。就是说，对应于RGB每一色的监视器元件和驱动对应于RGB每一色的监视器元件的TFT设为互不重叠，并且分别设置的个数相当于设为矩阵形的像素部的1列发光元件的一半。此外，驱动监视器元件的TFT可以使用n沟道型TFT、p沟道型TFT中的任一种，在本实施方式中使用p沟道型TFT。
在本实施方式所示的显示器件中，设在监视器元件部2110的监视器元件和设在像素部的发光元件都设在同一衬底上，并且由同一制造条件及同一工序来形成。因此，发光元件和监视器元件即使当产生环境温度的变化或随时间的变化时，也可以获得同等程度的特性。另外，由于发光元件和监视器元件部的开口率为同等程度，故具有相同的退化特性。
恒流源2201a连接到监视器元件2202a的一个电极(阳极)和电压跟随器电路2203a的非反相输入端。另外，监视器元件2202a的另一个电极(阴极)与接地电位2111连接。另外，电压跟随器电路2203a的输出端通过驱动设在像素部2109的像素2106内的发光元件的TFT，连接于发光元件的一个电极。此外，在本实施方式中，使用了电压跟随器电路作为放大电路，但是本发明不局限于该结构。另外，也可以采用在电压跟随器电路2203a的输出端和驱动设在像素部2109的发光元件的TFT之间设置加法电路的结构。就是说，也可以采用如下结构：电压跟随器电路2203a的输出端和加法电路的输入(端)连接，且加法电路的输出和驱动发光元件的TFT的源电极和漏电极中的一个连接。
连接到信号线S1的像素为发R光的像素，连接到信号线S2的像素为发G光的像素，连接到信号线S3的像素为发B光的像素。恒流源2201a对监视器元件2202a供给电流，电压跟随器电路2203a检测监视器元件2202a的阳极电位，将该电位设定到电源线V1。恒流源2201b对监视器元件2202b供给电流，电压跟随器电路2203b检测监视器元件2202b的阳极电位，将该电位设定到电源线V2。恒流源2201c对监视器元件2202c供给电流，电压跟随器电路2203c检测监视器元件2202c的阳极电位，将该电位设定到电源线V3。由于具有这样的构成，所以可对每个RGB设定电位。因此，即使因每一RGB的EL材料引起温度特性或退化程度不同，也可以对各色的发光元件分别设定各自所希望的电位，并且可以对每个RGB校正电源电位。
此外，在本实施方式中，以连接于恒流源的监视器元件的一个电极为阳极进行说明，但也可以为阴极。另外，在本实施方式中，将监视器元件的另一个电极即阴极的电位为接地电位，但不局限于该结构。
实施方式5
在本实施方式中，将参照图10A和10B说明发光显示面板的一例。图10A为用第一密封材料1205及第二密封材料1206密封第一衬底与第二衬底之间而成的面板的俯视图，图10B相当于图10A的C-C’线、D-D’线各自的截面图。
在图10A中，虚线表示的1202是像素部，1230是监视器元件部，1203是扫描线(栅极线)驱动电路。在本实施方式中，像素部1202、扫描线驱动电路1203及连接区域1210位于用第一密封材料及第二密封材料密封的区域内。另外，标记1201表示信号线(源极线)驱动电路，芯片状的信号线驱动电路设在第一衬底1200上。作为第一密封材料优选使用含填料的粘性高的环氧系树脂。另外，作为第二密封材料优选使用粘性低的环氧系树脂。另外，第一密封材料1205及第二密封材料1206优选为尽可能不透过水分或氧的材料。
另外，也可以在像素部1202与第一密封材料1205之间设置干燥剂。而且，在像素部1202中，也可以在扫描线或信号线上设置干燥剂。作为干燥剂，优选使用通过化学吸附来吸水(H2O)的物质如氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)等碱土类金属的氧化物。但当然不局限于此，也可用通过物理吸附来吸水的物质如沸石、硅胶等。
另外，可以在使透湿性高的树脂含有干燥剂粒状物质的状态下，将该树脂固定于第二衬底1204上。或者，也可用无机物如硅氧烷聚合物、聚酰亚胺、磷硅玻璃(PSG)、硼磷硅玻璃(BPSG)等而代替透湿性高的树脂。
通过设置如上所述的干燥剂，可以抑制对发光元件的水分侵入及因此引起的退化而不降低开口率。因此，可以抑制像素部1202的周边部与中央部的发光元件的退化偏差。
此外，在图10A中，标记1210表示用于传送输入到信号线驱动电路1201及扫描线驱动电路1203的信号的连接布线区域，并经连接布线1208从成为外部输入端的柔性布线1209(FPC)接收视频信号和时钟信号。
其次，将参照图10B说明截面结构。在第一衬底1200上形成有驱动电路及像素部，且具有多个以TFT为代表的半导体元件。图10B示出了作为驱动电路的信号线驱动电路1201和像素部1202。此外，在信号线驱动电路1201中形成有组合n沟道型TFT1221和p沟道型TFT1222而成的CMOS电路。
在本实施方式中，在同一衬底上形成有扫描线驱动电路及像素部的TFT。因此，可以缩小发光显示器件的容积。
另外，像素部1202由开关TFT1211、以及多个像素形成，所述多个像素包括由驱动TFT1212、以及电连接于驱动TFT1212的漏电极或源电极且具有透光性的导电膜构成的第一像素电极(阳极)1213。
另外，在第一像素电极(阳极)1213的两端形成有绝缘层(称为堤岸、隔壁、阻挡层、堤坝等)1214。具有曲率的曲面形成在绝缘层1214的上端部或下端部，以便提高在绝缘层1214形成的膜的被覆率(覆盖率)。另外，也可用由氮化铝膜、氮氧化铝膜、以碳为主要成分的薄膜或氮化硅膜构成的保护膜覆盖绝缘层1214表面。再者，通过使用溶解或分散有黑色颜料、吸收可见光的材料如色素等而成的有机材料作为绝缘层1214，可以吸收来自后来形成的发光元件的杂散光。结果，提高了各像素的对比度。
另外，在第一像素电极(阳极)1213上，进行有机化合物材料的蒸镀，选择性地形成电致发光层1215。再者，在电致发光层1215上形成第二像素电极(阴极)1216。
这样，形成了包括第一像素电极(阳极)1213、电致发光层1215、以及第二像素电极(阴极)1216的发光元件1217。发光元件1217向第一衬底1200一侧发光。
另外，形成保护膜1218，以便密封发光元件1217。保护膜例如由第一无机绝缘膜、应力缓和膜、以及第二无机绝缘膜的叠层构成。其次，用第一密封材料1205及第二密封材料1206粘接保护膜1218和第二衬底1204。此外，优选使用滴下密封材料的装置滴下第二密封材料。可以从分配器滴下或喷射密封材料，将密封材料涂敷到有源矩阵衬底上后，在真空中贴合第二衬底和有源矩阵衬底，进行紫外线固化来密封。
此外，在第二衬底1204表面上设置用于防止衬底表面反射外来光的反射防止膜1226。另外，也可在第二衬底和反射防止膜1226之间设置偏振片及相位差板中任一个或两个。通过设置相位差板或偏振片，可以防止第一像素电极1213反射外来光。此外，当使用具有透光性的导电膜或具有半透光性(透射所照光一半左右的特性)的导电膜形成第一像素电极1213及第二像素电极1216，并且使用吸收可见光的材料、或者溶解或分散有吸收可见光的材料而成的有机材料形成绝缘层1214时，由于各像素电极不反射外来光，故也可不用相位差板及偏振片。
连接布线1208和柔性布线1209由各向异性导电树脂或各向异性导电膜1227电连接。再者，优选用密封树脂密封各布线层和连接端的连接部。根据所述结构，可以防止水分从截面部侵入发光元件而引起退化。
此外，也可以在第二衬底1204和保护膜1218之间具有填充惰性气体如氮气的空间而代替第二密封材料1206。可以更有效防止水分和氧气的侵入。
另外，可以在第二衬底和偏振片之间设置着色层。这时，通过在像素部设置可发白光的发光元件，且另行设置表示RGB的着色层，可进行全彩色显示。或者，通过在像素部设置可发蓝光的发光元件，且另行设置颜色转换层等，可进行全彩色显示。再者，还可在各像素部形成发红、绿、蓝色光的发光元件，且用着色层。在这样的显示模块中，各RGB的色纯度高，以可进行高精细的显示。
另外，也可在第一衬底1200和第二衬底1204的一个或双方，用由薄膜或树脂等构成的衬底形成发光显示模块。这样，当不使用对向衬底进行密封时，可以提高显示器件的轻量化、小型化、以及薄膜化。
再者，也可在成为外部输入端的柔性布线1209表面或端部设置控制器、存储器、像素驱动电路等的IC芯片，来形成发光显示模块。
本实施方式也可与实施方式1至4的任一种适当组合。
实施方式6
本发明的显示器件可用于各种电子设备的显示部。特别是，优选在要求薄型、轻量的移动设备中使用本发明的显示器件。
作为将上述实施方式所示的显示器件装入框体的电子设备，可以举出如下：电视装置(简称TV、电视、或者电视接收机)、影像拍摄装置(摄像机、数字照相机)、护目镜型显示器、导航系统、声音再现装置(车用音响、立体声音响组件等)、计算机、游戏机、便携信息终端(移动计算机、手机、便携型游戏机或电子书籍等)、具备记录媒体的图像再现装置(具体如再生DVD(digitalversatiledisk)、HDDVD(高清晰度DVD、蓝光光盘(Blue-rayDisk)等的记录媒体，且具备显示其图像的显示器的装置)、其它具有显示部的电器产品(例如，正面型或背面型的投影机)等。图11A至11F示出了电子设备的具体例子。
图11A示出的便携信息终端包括主体9201、显示部9202等。显示部9202可应用实施方式1至5所示的显示器件。通过使用本发明之一的显示器件，可以廉价地提供具有高可靠性的便携信息终端。
图11B示出的数字摄像机包括显示部9701、显示部9702等。显示部9701可应用实施方式1至5所示的显示器件。通过使用本发明之一的显示器件，可以廉价地提供具有高可靠性的数字摄像机。
图11C示出的手机包括主体9101、显示部9102等。显示部9102可应用实施方式1至5所示的显示器件。通过使用本发明之一的显示器件，可以廉价地提供具有高可靠性的手机。
图11D示出的便携型的电视装置包括主体9301、显示部9302等。显示部9302可应用实施方式1至5所示的显示器件。通过使用本发明之一的显示器件，可以廉价地提供具有高可靠性的便携型电视装置。这种电视装置可以广泛地应用于从搭载于手机等便携终端的小型装置直至可移动的中型装置、或者大型装置(如40英寸或更大)中。
图11E示出的便携型计算机包括主体9401、显示部9402等。显示部9402可应用实施方式1至5所示的显示器件。通过使用本发明之一的显示器件，可以廉价地提供具有高可靠性的便携型计算机。
图11F示出的电视装置包括主体9501、显示部9502等。显示部9502可应用实施方式1至5所示的显示器件。通过使用本发明之一的显示器件，可以廉价地提供具有高可靠性的电视装置。
如上所述，本发明的适用范围极为广泛，可应用于各种领域的电子设备。

Claims (12)

1.一种显示器件，包括：
像素部，包含多个像素；
栅极线驱动电路；
用作薄膜晶体管的沟道形成区域的半导体层，所述薄膜晶体管设置在监视器元件部；
电连接到所述栅极线驱动电路的栅极线；
在衬底上的第一导电膜，所述第一导电膜包括与所述栅极线相同的材料；
在所述第一导电膜上的绝缘膜；
在所述绝缘膜上的第二导电膜，所述第二导电膜电连接到所述半导体层和所述第一导电膜，并且所述第二导电膜与所述第一导电膜以在其间夹有所述绝缘膜的方式至少部分地重叠；
在所述绝缘膜上的第一电极；
在所述第一电极上的电致发光层；以及
在所述电致发光层上的第二电极，
其中，
所述第一导电膜和所述第二导电膜能够遮蔽光，
所述第一电极与所述第一导电膜重叠，
所述第二导电膜包围所述第一电极，并且
所述第二导电膜经由形成在所述绝缘膜中的接触孔连接到所述第一导电膜。
2.根据权利要求1所述的显示器件，其中：
所述第一导电膜包含钼。
3.根据权利要求1所述的显示器件，其中：
所述第二导电膜包括第一膜、在所述第一膜上的第二膜以及在所述第二膜上的第三膜，所述第一膜是钛膜，所述第二膜是铝和硅的合金膜，并且所述第三膜是钛膜。
4.根据权利要求1所述的显示器件，其中：
所述第一电极包括透明的导电膜。
5.根据权利要求1所述的显示器件，其中：
所述第二电极包含银。
6.根据权利要求1所述的显示器件，其中：
所述第一电极电连接到所述第二导电膜。
7.一种显示器件，包括：
像素部，包含多个像素；
栅极线驱动电路；
设置在监视器元件部的薄膜晶体管；
电连接到所述栅极线驱动电路的栅极线；
在衬底上的第一导电膜，所述第一导电膜包括与所述栅极线相同的材料；
在所述第一导电膜上的绝缘膜；
在所述绝缘膜上的第二导电膜，所述第二导电膜电连接到所述薄膜晶体管和所述第一导电膜，并且所述第二导电膜与所述第一导电膜以在其间夹有所述绝缘膜的方式至少部分地重叠；
在所述绝缘膜上的第一电极；
在所述第一电极上的电致发光层；以及
在所述电致发光层上的第二电极，
其中，
所述第一导电膜和所述第二导电膜能够遮蔽光，
所述第一电极与所述第一导电膜重叠，
所述第二导电膜包围所述第一电极，并且
所述第二导电膜经由形成在所述绝缘膜中的接触孔连接到所述第一导电膜。
8.根据权利要求7所述的显示器件，其中：
所述第一导电膜包含钼。
9.根据权利要求7所述的显示器件，其中：
所述第二导电膜包括第一膜、在所述第一膜上的第二膜以及在所述第二膜上的第三膜，所述第一膜是钛膜，所述第二膜是铝和硅的合金膜，并且所述第三膜是钛膜。
10.根据权利要求7所述的显示器件，其中：
所述第一电极包括透明的导电膜。
11.根据权利要求7所述的显示器件，其中：
所述第二电极包含银。
12.根据权利要求7所述的显示器件，其中：
所述第一电极电连接到所述第二导电膜。
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