JP2008010896A - 半導体集積回路の配線構造及び配線形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板11上の層間絶縁膜12下層にコンタクト領域である拡散層13が形成されている。この拡散層13が露出する開孔14及び配線溝15が形成されており、主にCu配線部材16により配線材料が埋め込まれた構成となっている。図において、少なくとも層間絶縁膜12下層のコンタクト領域である拡散層13に接触するバリアメタル層BMTLが形成されている。バリアメタル層BMTLはTi/TiN積層や、TaN、WNその他様々考えられる。さらに、上記Cu配線部材16とバリアメタル層BMTLの間にAlを含む薄膜161が介在している。
【選択図】図1
Description
その後、コンタクト領域にTi/TiN積層、TaN、WNなどのバリアメタル層材料をスパッタ法により被覆する。次に、銅配線材料を埋め込む。これには、Cuのシード層のスパッタ及び電解メッキ法によるCuの堆積が一般的である。
これにより、コンタクト領域及び配線領域となる溝を含む領域上に銅配線材料が堆積される。その後、化学的機械的研磨(CMP)技術により、コンタクト領域及び配線領域となる溝のみに銅配線材料を埋め込んだ形に加工する。
これにより、信頼性を維持しつつ、低消費電力、高速動作に寄与する微細な配線構造が実現できる。
図2に示すように、半導体集積化回路の形成される基板11上の層間絶縁膜12を選択的にエッチング加工し、開孔14により下層のコンタクト領域となる拡散層13を露出させる。このとき、溝状の配線領域(配線溝15)を同時に形成してもよい。そのためには、図示しないが、コンタクト領域をパターニングした窒化膜などのエッチングマスクを層間絶縁膜12中に形成しておく。その他の方法として、別のリソグラフィ工程で配線溝15を形成してもよい。
Claims (5)
- Cuを主成分としたCu配線部材により配線材料が構成される多層配線に関し、
下層のコンタクト領域とのバリアメタル層と、
前記Cu配線部材と前記バリアメタル層の間に介在したAlを含む薄膜と、を具備したことを特徴とする半導体集積回路の配線構造。 - 前記薄膜はAl−Cu合金を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路の配線構造。
- Cuを主成分としたCu配線部材により配線材料が構成される多層配線の形成に関し、
少なくとも層間絶縁膜を選択的に除去し下層のコンタクト領域を露出させる工程と、
少なくとも前記コンタクト領域にバリアメタル層を被覆する工程と、
前記バリアメタル層上にAlを含む薄膜を被覆する工程と、
前記薄膜上に前記Cu配線部材を堆積し、前記コンタクト領域上方をCu配線部材で覆う工程と、を具備したことを特徴とする半導体集積回路の配線形成方法。 - Cuを主成分としたCu配線部材により配線材料が構成される多層配線の形成に関し、
層間絶縁膜を選択的に除去し下層のコンタクト領域を露出させると共に溝状の配線領域を形成する工程と、
少なくとも前記層間絶縁膜上の配線領域及び前記コンタクト領域にバリアメタル層を被覆する工程と、
前記バリアメタル層上にAlを含む薄膜を被覆する工程と、
前記薄膜上に前記Cu配線部材を堆積し、前記コンタクト領域及び配線領域上をCu配線部材で埋め込む工程と、
前記Cu配線部材の加工工程と、を具備したことを特徴とする半導体集積回路の配線形成方法。 - 前記薄膜の被覆はAl−Cu合金の被覆を含むことを特徴とする請求項3または4記載の半導体集積回路の配線構造。
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