JP2008008869A - 水素検知素子 - Google Patents
水素検知素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008008869A JP2008008869A JP2006182442A JP2006182442A JP2008008869A JP 2008008869 A JP2008008869 A JP 2008008869A JP 2006182442 A JP2006182442 A JP 2006182442A JP 2006182442 A JP2006182442 A JP 2006182442A JP 2008008869 A JP2008008869 A JP 2008008869A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen
- amorphous alloy
- sensitive part
- detection
- sensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
【解決手段】、感応部1及び感応部1における電気抵抗変化を検出する検出部2を備えて形成される水素検知素子に関する。感応部1は10族元素を含む非晶質合金から形成され、水素と反応して電気抵抗が変化する特性を有するものであることを特徴とする。感応部1が水素と反応して、電気抵抗が変化することを検出部2で検出することによって、水素濃度を検出することができる。
【選択図】図1
Description
Ross C. Thomas and Robert C. Hughes, J . Electrochem . Soc., Vol. 144 , No. 9 , September , 3245 (1997)
(組成式において、MはCu,Cr,Co,Ni,Mn,Fe,Ag,Au,Ge,B,Cより選ばれた1種以上の元素であり、x,y,zは65≦x≦85,0≦y≦20,10≦z≦25である)
この発明によれば、高い非晶質形成能を備えた材料で感応部を形成することができ、検知精度の高い水素検知素子を得ることができるものである。
(組成式において、MはNi,Cu,Feより選ばれた1種以上の元素であり、x,y,zは8≦x≦85,0≦y≦73,10≦z≦23である)
この発明によれば、高い非晶質形成能を備えた材料で感応部を形成することができ、検知精度の高い水素検知素子を得ることができるものである。
基材3として25mm×15mm×厚さ1mmのガラス基板を用い、アセトン中で10分間超音波洗浄した後、基材3の上面の両端部にAuを蒸着して検出部2を形成した。そしてこの基材3の上の中心部に、検出部2をブリッジするように感応部1を形成した。
実施例1と同様にして、表1の組成のNi−Zr系非晶質合金かならなる層厚約40nmの感応部1を形成し、この感応部1の上に層厚約5nmのPd薄膜からなる水素解離触媒層4を形成することによって、水素検知素子を作製した。尚、X線回折による相同定の結果、Ni−Zr系非晶質合金薄膜の感応部1は非晶質単相として形成されていた。
実施例1と同様にして、表1の合金組成のPd−Si系非晶質合金かならなる層厚約40nmの感応部1を形成し、この感応部1の上に層厚約5nmのPd薄膜からなる水素解離触媒層4を形成することによって、水素検知素子を作製した。尚、X線回折による相同定の結果、Pd−Si系非晶質合金薄膜の感応部1は非晶質単相として形成されていた。
実施例1と同様にして、表1の合金組成のPd−Cu−Si系非晶質合金かならなる層厚約40nmの感応部1を形成することによって、水素検知素子を作製した。尚、X線回折による相同定の結果、Pd−Cu−Si系非晶質合金薄膜の感応部1は非晶質単相として形成されていた。
実施例1と同様にして、表1の合金組成のPd−Cu−Si−B系非晶質合金かならなる層厚約40nmの感応部1を形成することによって、水素検知素子を作製した。尚、X線回折による相同定の結果、Pd−Cu−Si−B系非晶質合金薄膜の感応部1は非晶質単相として形成されていた。
実施例1と同様にして、表1の合金組成のPd−Ni−Si系非晶質合金かならなる層厚約40nmの感応部1を形成することによって、水素検知素子を作製した。尚、X線回折による相同定の結果、Pd−Ni−Si系非晶質合金薄膜の感応部1は非晶質単相として形成されていた。
実施例1と同様にして、表1の合金組成のPd−Au−Si系非晶質合金かならなる層厚約40nmの感応部1を形成することによって、水素検知素子を作製した。尚、X線回折による相同定の結果、Pd−Au−Si系非晶質合金薄膜の感応部1は非晶質単相として形成されていた。
実施例1と同様にして、表1の合金組成のPd−Cu−Au−Si系非晶質合金かならなる層厚約40nmの感応部1を形成することによって、水素検知素子を作製した。尚、X線回折による相同定の結果、Pd−Cu−Au−Si系非晶質合金薄膜の感応部1は非晶質単相として形成されていた。
アーク溶解、単ロールによる液体急冷法を用いて作製された、表1に示す合金組成のPd−Cu−Ni−P系非晶質合金の厚み20μm、幅1mmの箔を用い、実施例1と同様に検出部2が形成された基材3の上の中心部に、検出部2をブリッジするようにこの箔を接着して、感応部1を形成することによって、水素検知素子を作製した。尚、X線回折による相同定の結果、Pd−Cu−Ni−P系非晶質合金箔からなる感応部1は非晶質単相として形成されていた。
実施例9と同様にして、アーク溶解、単ロールによる液体急冷法を用いて作製された、表1に示す合金組成のPd−Ni−P系非晶質合金の厚み20μm、幅1mmの箔を用いて、感応部1を形成することによって、水素検知素子を作製した。尚、X線回折による相同定の結果、Pd−Ni−P系非晶質合金箔からなる感応部1は非晶質単相として形成されていた。
実施例1と同様にして、表1の合金組成のLa−Ni系結晶質合金かならなる層厚約40nmの感応部1を形成することによって、水素検知素子を作製した。尚、X線回折による相同定の結果、La−Ni系結晶質合金薄膜の感応部1は結晶質単相として形成されていた。
実施例1と同様にして、表1の合金組成のPd−Ni系結晶質合金かならなる層厚約40nmの感応部1を形成することによって、水素検知素子を作製した。尚、X線回折による相同定の結果、Pd−Ni系結晶質合金薄膜の感応部1は結晶質単相として形成されていた。
アーク溶解、単ロールによる液体急冷法を用いて作製された、非晶質合金の厚み20μm、幅1mmの箔を用い、実施例1と同様に検出部2が形成された基材3の上の中心部に、検出部2をブリッジするようにこの箔を接着して、感応部1を形成することによって、水素検知素子を作製した。
2 検出部
3 基材
4 水素解離触媒層
5 ヒーター
Claims (8)
- 感応部及び感応部における電気抵抗変化を検出する検出部を備えて形成される水素検知素子において、感応部は10族元素を含む非晶質合金から形成され、水素と反応して電気抵抗が変化する特性を有するものであることを特徴とする水素検知素子。
- 感応部は、PdとSiを含む非晶質合金から形成されることを特徴とする請求項1に記載の水素検知素子。
- 感応部は、PdとPを含む非晶質合金から形成されることを特徴とする請求項1に記載の水素検知素子。
- PdとSiを含む非晶質合金が、下記の組成式で表されることを特徴とする請求項2に記載の水素検知素子。
PdxMySiz
(組成式において、MはCu,Cr,Co,Ni,Mn,Fe,Ag,Au,Ge,B,Cより選ばれた1種以上の元素であり、x,y,zは65≦x≦85,0≦y≦20,10≦z≦25である) - PdとPを含む非晶質合金が、下記の組成式で表されることを特徴とする請求項3に記載の水素検知素子。
PdxMyPz
(組成式において、MはNi,Cu,Feより選ばれた1種以上の元素であり、x,y,zは8≦x≦85,0≦y≦73,10≦z≦23である) - 感応部は、基材の表面に形成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の水素検知素子。
- 感応部の表面に、水素解離触媒層としてPdもしくはPtが薄膜状に積層されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の水素検知素子。
- 感応部を加熱するヒーターを備えて成ることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の水素検知素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006182442A JP4915648B2 (ja) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | 水素検知素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006182442A JP4915648B2 (ja) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | 水素検知素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008008869A true JP2008008869A (ja) | 2008-01-17 |
JP4915648B2 JP4915648B2 (ja) | 2012-04-11 |
Family
ID=39067199
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006182442A Active JP4915648B2 (ja) | 2006-06-30 | 2006-06-30 | 水素検知素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4915648B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010066194A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | River Eletec Kk | 溶存水素センサ |
JP2010181282A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 水素検知素子 |
JP2010223816A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 水素検知素子及び水素検知センサ |
WO2020179400A1 (ja) | 2019-03-06 | 2020-09-10 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 水素センサー及び水素検出方法 |
JP2020153709A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | 株式会社東芝 | ガスセンサ |
US11009478B2 (en) | 2018-07-03 | 2021-05-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gas sensor including sensing section for sensing predetermined physical quantity and voltage switching section for switching between voltages for heating gas sensitive film |
US11796502B2 (en) | 2017-11-28 | 2023-10-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gas sensor |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60194347A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-02 | Nec Corp | 水素ガスセンサ |
JPS6234024A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-14 | Sekisui Chem Co Ltd | 感温装置 |
JPH09145655A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-06-06 | General Motors Corp <Gm> | 水素センサ |
JP2004125513A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Matsushita Electric Works Ltd | 水素センサ及び水素センサを備えた電解水生成器 |
JP2006317196A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Akihisa Inoue | 水素ガスセンサ |
-
2006
- 2006-06-30 JP JP2006182442A patent/JP4915648B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60194347A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-02 | Nec Corp | 水素ガスセンサ |
JPS6234024A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-14 | Sekisui Chem Co Ltd | 感温装置 |
JPH09145655A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-06-06 | General Motors Corp <Gm> | 水素センサ |
JP2004125513A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Matsushita Electric Works Ltd | 水素センサ及び水素センサを備えた電解水生成器 |
JP2006317196A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Akihisa Inoue | 水素ガスセンサ |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010066194A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | River Eletec Kk | 溶存水素センサ |
JP2010181282A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 水素検知素子 |
JP2010223816A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 水素検知素子及び水素検知センサ |
US11796502B2 (en) | 2017-11-28 | 2023-10-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gas sensor |
US11009478B2 (en) | 2018-07-03 | 2021-05-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gas sensor including sensing section for sensing predetermined physical quantity and voltage switching section for switching between voltages for heating gas sensitive film |
WO2020179400A1 (ja) | 2019-03-06 | 2020-09-10 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 水素センサー及び水素検出方法 |
JP2020153709A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | 株式会社東芝 | ガスセンサ |
JP7027366B2 (ja) | 2019-03-18 | 2022-03-01 | 株式会社東芝 | ガスセンサ |
US11598746B2 (en) | 2019-03-18 | 2023-03-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gas sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4915648B2 (ja) | 2012-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4915648B2 (ja) | 水素検知素子 | |
US8087151B2 (en) | Gas sensor having zinc oxide nano-structures and method of fabricating the same | |
TW546476B (en) | Micro-machined thin film sensor arrays for the detection of H2, NH3, and sulfur containing gases, and method of making and using the same | |
US5935398A (en) | Hydrocarbon sensor | |
CN105283756B (zh) | 气体检测装置及其方法 | |
JP2010078609A (ja) | 接触燃焼式ガスセンサの製造方法 | |
JPH04208847A (ja) | ガス検知素子 | |
JP2014528590A (ja) | センサおよびセンサの製造方法 | |
JP3979250B2 (ja) | 水素センサ及び水素センサを備えた電解水生成器 | |
JP4743375B2 (ja) | 可燃性ガス濃度測定方法 | |
JP4986902B2 (ja) | 電気化学式アルコールセンサ | |
JP5824199B2 (ja) | 検知用素子及び接触燃焼式ガスセンサ | |
WO2009084106A1 (ja) | 水素検知素子 | |
JP5275099B2 (ja) | 水素検知素子及び水素検知センサ | |
JP5129553B2 (ja) | 水素検知素子 | |
KR101618337B1 (ko) | 센서의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 센서 | |
JP4010738B2 (ja) | ガスセンサ及びガス検出器及びガス検出方法 | |
JP4714825B2 (ja) | 金属薄膜を用いた溶存水素センサ | |
JP2005030907A (ja) | ガスセンサ | |
JP2010181282A (ja) | 水素検知素子 | |
CN114514423A (zh) | 气体浓度测定装置 | |
JP4002969B2 (ja) | 可燃性ガスセンサ | |
JP2005257387A (ja) | 水素ガス検知素子 | |
RU2360237C1 (ru) | Твердотельный газовый сенсор (варианты) | |
JP2003207482A (ja) | 一酸化炭素ガスセンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090324 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100817 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110520 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110524 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110830 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111031 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111220 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120111 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150203 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4915648 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |