JP2004125513A - 水素センサ及び水素センサを備えた電解水生成器 - Google Patents
水素センサ及び水素センサを備えた電解水生成器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004125513A JP2004125513A JP2002287770A JP2002287770A JP2004125513A JP 2004125513 A JP2004125513 A JP 2004125513A JP 2002287770 A JP2002287770 A JP 2002287770A JP 2002287770 A JP2002287770 A JP 2002287770A JP 2004125513 A JP2004125513 A JP 2004125513A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen
- sensitive part
- hydrogen sensor
- sensor
- sensitive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Water Treatment By Electricity Or Magnetism (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
Abstract
【解決手段】気相17中の水素濃度を測定する水素センサ1は、水素を含む気相17と接触することにより電気抵抗変化を生じる感応部2を備え、この感応部2は水素吸蔵性の単体金属又は合金で形成される。また液相18中の溶存水素濃度を測定する水素センサ1は、水素が溶存している液相18と接触することにより電気抵抗変化を生じる感応部2を備え、この感応部2が、ナノカーボン材料、水素吸蔵性の単体金属、水素吸蔵性の合金から選択される材料で形成される。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、気相中の水素濃度を測定する水素センサ、液相中の溶存水素濃度を測定する水素センサ、及びこの水素センサを備えた電解水生成器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
感応部の電気抵抗値変化を利用する形式の、気相中の水素濃度を検出する水素センサは、従来、半導体表面へのガスの吸着や反応によって、半導体素子の電気抵抗が変化し、これを検出するという半導体センサがあった。
【0003】
この場合、センサ部に水蒸気等の不純物が付着したり反応したりすると、水素ガス以外に起因する抵抗変化が生じないようにするために、センサ部を加熱する必要があった(特許文献1、特許文献2等参照)。
【0004】
また、従来の液相中の溶存水素濃度を測定する水素センサは、いわゆる隔膜型ポーラログラフ方式が実用化されており(例えば東亜DDK社製の溶存水素計;品番DHDI−1)、これは、気体透過型の隔膜を使用し、隔膜を通して水素が電解液中に浸透・拡散し、その結果、電解液中のアノード−カソード間に水素ガスの酸化反応に起因する電流が流れ、その時の電流値から溶存水素濃度を求めるものであった(特許文献3参照)。
【0005】
しかし、この場合、隔膜として高分子隔膜を使用しているため、長期的に見ると隔膜の劣化は避けられず、また電解液を必要とするため電解液の劣化の問題があり、またセンサの重量が増大したり小型化が困難となるといった問題もあった。
【0006】
【特許文献1】
特開2002−71611号公報
【特許文献2】
特許第323120号公報
【特許文献3】
特開平5−232080号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、気相中或いは液相中における水素濃度を測定するにあたり、感応部に高温をかける必要がなく、且つ隔膜や電解液を不要としてこれらの劣化を防止すると共に小型軽量化を可能とすることができる水素ガスセンサ、及びこの水素ガスセンサを備えた電解水生成器を提供することを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る水素センサは、気相17中の水素濃度を測定する水素センサ1であって、水素を含む気相17と接触することにより電気抵抗変化を生じる感応部2を備え、この感応部2は水素吸蔵性の単体金属又は合金で形成されることを特徴とするものである。
【0009】
また請求項2に係る水素センサは、液相18中の溶存水素濃度を測定する水素センサ1であって、水素が溶存している液相18と接触することにより電気抵抗変化を生じる感応部2を備え、この感応部2が、ナノカーボン材料、水素吸蔵性の単体金属、水素吸蔵性の合金から選択される材料で形成されることを特徴とするものである。
【0010】
また請求項3の発明は、請求項2において、感応部2と同時に液相18に接触する補助電極4と、感応部2と補助電極4の間への電圧の印加とその停止とを切替可能な電源部3とを具備することを特徴とするものである。
【0011】
また請求項4の発明は、請求項3において、電源部3が、感応部2と補助電極4との間に印加される電圧の極性を切替可能なものであること特徴とするものである。
【0012】
また請求項5の発明は、請求項2乃至4のいずれかにおいて、感応部2をナノカーボン材料で形成し、その表面をPd,Nb,Ti,V,Ta,Sc,Y,La,Ac,Cu,Fe,Ni,Pt,Al,Mo,W,Zr,Mg,Cr,Mn,Tc,Re,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Hf,Ag,Au,Sn,Pb,Tl,Na,K,Ca,Li,Be,Rb,Sr,Cs,Ba,Fr,Ra,Zn,In,Ge,Si,Sb,Bi,Poから選択される金属により被覆することを特徴とするものである。
【0013】
また請求項6の発明は、請求項1乃至5のいずれかにおいて、感応部2を、薄膜状又は細線状に形成することを特徴とするものである。
【0014】
また請求項7に係る電解水生成器は、水を電解することにより電解水を生成する電解水生成器5において、電解水の水質測定用のセンサとして請求項2乃至6のいずれかに記載の水素センサ1を具備することを特徴とするものである。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【0016】
まず、気相17中の水素濃度を測定するための水素センサ1について、図1を示して説明する。
【0017】
この水素センサ1の感応部2は、水素吸蔵性の単体金属又は合金で形成される。
【0018】
水素吸蔵性の単体金属としては、Ti等が挙げられる。
【0019】
また水素吸蔵性の合金としては、Ni0.64Zr0.36、LaNi5等の水素吸蔵合金が挙げられる。
【0020】
このような水素吸蔵性の単体金属や合金としては、結晶質のものとアモルファス質のものとが存在する。結晶質とは、金属元素が規則正しく配列した形態であり、アモルファス質とは金属元素がランダムに配列し、最近接原子間距離や配位数及び原子間の相対位置が、結晶質とは異なり一定ではないものである。このうち、アモルファス質の水素吸蔵性の単体金属や合金では、結晶質に比べて水素吸蔵による体積膨張が小さいために劣化しにくく、広い組成域で均一な層が得られるため水素吸蔵量を連続的にコントロールしやすく、また電気抵抗の値が結晶質の場合よりも1〜2桁ほど大きくなって水素吸蔵に伴う電気抵抗の変化を測定しやすいという利点がある。
【0021】
このような水素吸蔵性の単体金属や合金は、水素分子が原子の状態となって金属原子の格子内の隙間に挿入されることで、水素を吸蔵する。このように水素は原子の状態で水素吸蔵性の単体金属や合金内に挿入されるが、格子内における金属の拡散は比較的スムーズになされる。このような特徴は、水素が全ての元素の中で最も軽くて小さいことに由来する。
【0022】
このような水素吸蔵性の単体金属や合金では、水素ガスを含む気相17と接触した場合には、常温でも水素を吸蔵すると共に、それに伴って電気抵抗値が変化する。このときの水素濃度と電気抵抗値との間には、図5に示すような相関関係がある。このため、水素吸蔵性の単体金属や合金にて感応部2を形成すれば、感応部2を測定対象である気相17と一定時間接触させた際の電気抵抗値の変化を測定することで、気相17中の水素濃度を測定することが可能となる。
【0023】
感応部2は適宜の形状に形成することができるが、測定精度を向上するためには、水素吸蔵時の感応部2の電気抵抗変化量が大きくなるように、その形状を決定することが好ましい。例えば図3に示すように絶縁基板19上に水素吸蔵性の単体金属や合金を薄膜状に成形して感応部2を形成することができる。また図4に示すように、絶縁基板19上に水素吸蔵性の単体金属や合金を細線状に成形して感応部2を形成することもできる。このとき絶縁基板19としては、例えばガラス基材エポキシ樹脂積層板等のような適宜の基板を用いることができ、この絶縁基板19上に半田接着等により感応部2を接着して設けることができる。
【0024】
ここで、感応部2の寸法は、良好な測定精度が得られるように適宜決定すれば良いが、一例を挙げると、図3に示すように薄膜状に形成する場合、幅0.5mm、長さ3mmとし、厚みを10〜30μmに形成するものである。また図4に示すように細線状に形成する場合には、例えば線幅0.5mm、線長15mmとし、厚みを10〜30μmに形成し、これを蛇行状に形成するものである。
【0025】
この感応部2には、電気抵抗値を測定するために抵抗検出器6が接続されるものであり、感応部2を図3,4に示すように形成する場合は、感応部2の両端間の電気抵抗値を測定する抵抗検出器6が設けられる。この抵抗検出器6としては、感応部2に定電流を通電すると共にその際の感応部2における電圧降下量を測定し、あるいは感応部2に定電圧を印加すると共にその際に感応部2に通電する電流値を測定することにより、その結果に基づいて感応部2の電気抵抗を測定するものが挙げられるものであり、その測定手法や装置構成は、従来から知られている適宜のものを採用することができる。
【0026】
このような感応部2及び抵抗検出器6にて水素センサ1を構成することができる。また図示はしていないが、この水素センサ1には、抵抗検出器6にて検出される電気抵抗値の変化に基づき、これを演算処理して水素濃度値を検出する演算処理部を設けると共に、その検出結果を可視表示する液晶表示パネルや発光ダイオード等から構成される表示部を設けることが好ましい。
【0027】
このように構成される水素センサ1にて水素濃度を測定する場合は、例えば図1に示すように感応部2を容器15内に配設すると共にこの容器15内を測定対象の気相17で満たすなどして、水素ガスを含む気相17中に感応部2を一定時間曝露して気相17と感応部2とを接触させる。このとき感応部2の電気抵抗値は、気相17中の水素濃度に依存して変化する。そして、この電気抵抗値の変化を抵抗検出器6が検知し、その結果に基づいて演算処理部にて水素濃度が導出され、得られた水素濃度が表示部にて表示されるものである。
【0028】
このとき、水素吸蔵性の単体金属又は合金から形成される感応部2は、水素を選択的に吸蔵するために、電気抵抗値が水素以外の成分によって変化することがなく、水素濃度を正確に測定することが可能となり、また感応部2に高温をかける必要もなくなって、測定動作が簡素化されると共に、装置の小型化、軽量化も可能となるものである。
【0029】
次に、液相18中の溶存水素濃度を測定するための水素センサ1について、図2を示して説明する。
【0030】
この水素センサ1の感応部2は、水素吸蔵性の単体金属、水素吸蔵性の合金、及びナノカーボン材料から選択される材料で形成される。
【0031】
水素吸蔵性の単体金属及び合金としては、上記のものと同様のものを用いることができる。
【0032】
またナノカーボン材料は、多くの種類があり、その形状も様々であるが、代表的なものとしてフラーレンやカーボンナノチューブが挙げられる。フラーレンは炭素からなる篭状分子の総称であり、C20からC120までの巨大分子が存在する。またカーボンナノチューブは、一枚のグラファイトシートがチューブ状に丸まった単層タイプと、このチューブが入れ子状に複数層重なった多層タイプとがある。このグラファイトシートは基本的には炭素原子が六角形状に連なった網状の構造を有している。
【0033】
このようなナノカーボン材料も、水素吸蔵性の単体金属及び合金と同様に、水素を吸蔵すると共に、水素濃度と電気抵抗値との間に相関関係がある。ナノカーボン材料における水素吸蔵は、吸着、炭素表面への化学吸着、炭素表面への物理吸着の3パターンがあるといわれている。吸着はグラファイトシートの層間に水素分子が入り込む現象である。また化学吸着は水素が化学結合により炭素表面に吸着する現象であり、この場合は水素は原子単位で炭素表面に吸着する。また物理吸着は、水素分子が分子間力により炭素表面に吸着する現象である。
【0034】
感応部2をナノカーボン材料にて形成する場合には、その表面にPd,Nb,Ti,V,Ta,Sc,Y,La,Ac,Cu,Fe,Ni,Pt,Al,Mo,W,Zr,Mg,Cr,Mn,Tc,Re,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Hf,Ag,Au,Sn,Pb,Tl,Na,K,Ca,Li,Be,Rb,Sr,Cs,Ba,Fr,Ra,Zn,In,Ge,Si,Sb,Bi,Poから選択される金属による被覆を形成することが好ましい。これらの金属の被膜は水素を選択的に通過させることができ、感応部2を構成するナノカーボン材料に他の成分が吸着することを更に防止して、水素濃度をより正確に測定することが可能となる。
【0035】
このような水素吸蔵性の単体金属、水素吸蔵性の合金、並びにナノカーボン材料では、水素を溶存する液相18と接触した場合には、常温でも水素を吸蔵すると共に、それに伴って電気抵抗値が変化する。このときの液相18中の水素濃度と電気抵抗値との間には、図5に示すような相関関係がある。このため、水素吸蔵性の単体金属、水素吸蔵性の合金、あるいはナノカーボン材料にて感応部2を形成すれば、感応部2を測定対象である液相18と一定時間接触させた際の電気抵抗値の変化を測定することで、液相18中の水素濃度を測定することが可能となる
感応部2は適宜の形状に形成することができるが、気相17中の水素濃度を測定するための水素センサ1の場合と同様の理由から、例えば図3に示すように絶縁基板19上に水素吸蔵性の単体金属や合金を薄膜状に成形して感応部2を形成したり、図4に示すように、絶縁基板19上に水素吸蔵性の単体金属や合金を細線状に成形して感応部2を形成することができる。
【0036】
この感応部2には、電気抵抗値を測定するために抵抗検出器6が接続される。この抵抗検出器6としては、感応部2に定電流を通電すると共にその際の感応部2における電圧降下量を測定するものや、感応部2に定電圧を印加すると共にその際に感応部2に通電する電流値を測定するものが挙げられ、これらの測定結果に基づいて感応部2の電気抵抗を測定するものである。
【0037】
このような感応部2及び抵抗検出器6により、水素センサ1を構成することができる。また、抵抗検出器6にて検出される電気抵抗値の変化に基づき、これを演算処理して水素濃度値を検出する演算処理部を設けると共に、その検出結果を可視表示する液晶表示パネルや発光ダイオード等から構成される表示部を設けることも好ましい。
【0038】
また、この水素センサ1には、補助電極4を設けると共に、感応部2と補助電極4の間への電圧の印加とその停止とを切替可能な、電圧電源回路等で構成される電源部3を設けることもできる。この電源部3の構成は、従来から知られている適宜のものを採用することができる。
【0039】
補助電極4は、感応部2と液相18(被検液)とが接触した際に、同時にこの液相18と接触するように形成されるものであり、例えばカーボン等にて形成することができる。
【0040】
このように構成される水素センサ1にて水素濃度を測定する場合は、感応部2を水素が溶存する液相18中に一定時間浸漬する。例えば図示のように、測定用の容器16内に所定体積の被検液(液相18)を入れ、この被検液に感応部2と補助電極4とを浸漬するものである。このとき感応部2は被検液中の溶存水素を吸蔵し、その電気抵抗値が、被検液中の溶存水素濃度に依存して変化する。そして、この電気抵抗値の変化を抵抗検出器6が検知し、その結果に基づいて演算処理部にて水素濃度が導出され、得られた水素濃度が表示部にて表示されるものである。
【0041】
このとき、水素吸蔵性の単体金属、水素吸蔵性の合金又はナノカーボン材料から形成される感応部2は、水素を選択的に吸蔵するために、電気抵抗値が水素以外の成分によって変化することがなく、水素濃度を正確に測定することが可能となり、また感応部2に高温をかける必要もなくなって、測定動作が簡素化されると共に、装置の小型化、軽量化も可能となるものである。
【0042】
また上記のような測定終了後は、感応部2及び補助電極4が共に液相18中に浸漬された状態で、電源部3により、感応部2と補助電極4の間に、感応部2側が高電位、補助電極4側が低電位となるように電圧を印加する。このとき感応部2に吸蔵された水素が液相18中に放出されることとなり、次回の測定時において、より正確に溶存水素濃度を測定できるようになる。このときに感応部2と補助電極4の間に印加される電圧値は、感応部2の材質や寸法等に応じ、感応部2から水素が速やかに放出されるように適宜設定される。
【0043】
また、上記の電源部3としては、感応部2と補助電極4との間に電圧を印加する際にその極性を切替可能なものを設けることも好ましい。このように極性を切替可能に形成した電源部3を有する水素センサ1では、感応部2を液相18と一定時間接触させて水素を吸蔵させる際に、電源部3により感応部2と補助電極4の間に、感応部2側が低電位、補助電極4側が高電位となるように、すなわち測定後における感応部2からの水素放出時とは反対極性となるように電圧を印加する。このとき感応部2に対する水素の吸蔵が促進されて、短時間で溶存水素濃度に応じた感応部2への水素の吸蔵がなされる。次いで、電源部3による電圧の印加を停止し、上記の場合と同様に感応部2の電気抵抗値に基づいて溶存水素濃度を測定するものである。このようにすれば、感応部2への水素吸蔵に要する時間を短縮することができ、より短時間で溶存水素濃度の測定を行うことが可能となる。
【0044】
また、電解水生成器5に、生成水(電解水)の水質測定用のセンサとして、上記のような液相18中の溶存水素濃度を測定するための水素センサ1を設けることも好ましい。
【0045】
図6は電解水生成器5に水素センサ1を設けた構成の一例を示す概略図である。図中の符号7は、電解用の電極を設けた電解槽であり、その内部には陰極10と陽極9とが隔膜8を介して配設されている。この電解槽7には、その内部の隔膜8を介した陽極9側に原水供給経路11が連通接続され、この原水供給経路11から電解槽7内に原水が供給されるようになっている。また電解槽7には、その内部の隔膜8を介した陽極9側に陽極水吐出経路12が連通接続されると共に、隔膜8を介した陰極10側には陰極水吐出経路13が連通接続されており、原水の電解により生じた陽極水(酸性水)が陽極水吐出経路12を通じて電解槽7の外部に吐出されると共に、陰極水(アルカリ水)が陰極水吐出経路13を通じて電解槽7の外部に吐出されるようになっている。
【0046】
そして、水素センサ1は、上記のような構成の電解水生成器5において、陰極水吐出経路13を流通する陰極水中の溶存水素濃度を測定するために設けられている。図示の例では、陰極水吐出経路13からは、測定用経路14が分岐して設けられ、この測定用経路14の下流側端部に水素センサ1が設けられている。この水素センサ1は、図2に示すものと同様に構成されるものであり、容器16内には測定用経路14から被検液である陰極水が供給されると共に、この容器16内の陰極水に感応部2と補助電極4とが浸漬されるように形成される。
【0047】
このように構成される電解水生成器5では、原水供給経路11から電解槽7内に原水を供給すると共に陰極10と陽極9との間に電圧して通電させると、原水の有隔膜電解により陰極10側では陰極水が、陽極9側では陽極水が生成し、陽極水は陽極水吐出経路12を介して電解槽7外部に吐出されると共に、陰極水は陰極水吐出経路13を介して電解槽7の外部に吐出される。このとき、陰極水吐出経路13を通過する陰極水中の溶存水素濃度が水素センサ1により測定される。
【0048】
また、この水素センサ1により測定される溶存水素濃度を可視表示する表示部を、電解水生成器5の外装に設ければ、電解水生成器5を使用する使用者は、生成される陰極水中の溶存水素濃度を知ることができる。
【0049】
このように構成される電解水生成器5では、飲用等に供される陰極水中の溶存水素濃度を、使用者が知ることができ、陰極水を飲む場合などに、使用者に安心感を与えることができる。
【0050】
尚、水素センサ1を設けた電解水生成器5の構成は、上記のようなものに限られない。例えば電解水生成器5はバッチ式などのものでもよく、また水素センサ1は測定対象である陰極水等の生成水の経路に配置されるのであれば、特にその設置箇所は問われない。
【0051】
【発明の効果】
上記のように請求項1に係る水素センサは、気相中の水素濃度を測定する水素センサであって、水素を含む気相と接触することにより電気抵抗変化を生じる感応部を備え、この感応部は水素吸蔵性の単体金属又は合金で形成されるため、測定の際には水素吸蔵性の単体金属又は合金から形成される感応部は水素を選択的に吸蔵し、電気抵抗値が水素以外の成分によって変化することがなく、水素濃度を正確に測定することが可能となり、また感応部に高温をかける必要もなくなって、測定動作が簡素化されると共に、装置の小型化、軽量化も可能となるものである。
【0052】
また請求項2に係る水素センサは、液相中の溶存水素濃度を測定する水素センサであって、水素が溶存している液相と接触することにより電気抵抗変化を生じる感応部を備え、この感応部が、ナノカーボン材料、水素吸蔵性の単体金属、水素吸蔵性の合金から選択される材料で形成されるため、測定の際には水素吸蔵性の単体金属又は合金から形成される感応部は水素を選択的に吸蔵し、電気抵抗値が水素以外の成分によって変化することがなく、水素濃度を正確に測定することが可能となり、また感応部に高温をかける必要もなくなって、測定動作が簡素化されると共に、装置の小型化、軽量化も可能となるものである。
【0053】
また請求項3の発明は、請求項2において、感応部と同時に液相に接触する補助電極と、感応部と補助電極の間への電圧の印加とその停止とを切替可能な電源部とを具備するため、測定終了後に、感応部及び補助電極が共に液相中に浸漬された状態で、電源部により、感応部と補助電極の間に、感応部側が高電位、補助電極側が低電位となるように電圧を印加すると、感応部に吸蔵された水素を液相中に放出することができ、次回の測定時において、より正確に溶存水素濃度を測定できるようになるものである。
【0054】
また請求項4の発明は、請求項3において、電源部が、感応部と補助電極との間に印加される電圧の極性を切替可能なものであるため、溶存水素濃度を測定するために感応部を被検液に一定時間浸漬させて水素を吸蔵させる際に、電源部により感応部と補助電極の間に、感応部側が低電位、補助電極側が高電位となるように電圧を印加すると、感応部に対する水素の吸蔵を促進することができ、短時間で溶存水素濃度に応じた感応部への水素の吸蔵がなされ、測定時間を短縮することができるものである。
【0055】
また請求項5の発明は、請求項2乃至4のいずれかにおいて、感応部をナノカーボン材料で形成し、その表面をPd,Nb,Ti,V,Ta,Sc,Y,La,Ac,Cu,Fe,Ni,Pt,Al,Mo,W,Zr,Mg,Cr,Mn,Tc,Re,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Hf,Ag,Au,Sn,Pb,Tl,Na,K,Ca,Li,Be,Rb,Sr,Cs,Ba,Fr,Ra,Zn,In,Ge,Si,Sb,Bi,Poから選択される金属により被覆するため、これらの金属の被膜は水素を選択的に通過させることができ、感応部を構成するナノカーボン材料に他の成分が吸着することを更に防止して、水素濃度をより正確に測定することができるものである。
【0056】
また請求項6の発明は、請求項1乃至5のいずれかにおいて、感応部を、薄膜状又は細線状に形成するため、感応部の電気抵抗値を大きくして、水素吸蔵時の感応部の電気抵抗変化量を増大させることができ、測定精度を向上することができるものである。
【0057】
また請求項7に係る電解水生成器は、水を電解することにより電解水を生成する電解水生成器において、電解水の水質測定用のセンサとして請求項2乃至6のいずれかに記載の水素センサを具備するため、飲用等に供される電解水中の溶存水素濃度を使用者が知ることができ、電解水を飲む場合などに、使用者に安心感を与えることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】気相中の水素濃度を検出する水素センサの構成の一例を示す概略図である。
【図2】液相中の溶存水素濃度を検出する水素センサの構成の一例を示す概略図である。
【図3】感応部の構成の一例を示すものであり(a)は平面図、(b)は断面図である。
【図4】感応部の構成の他例を示すものであり、(a)は平面図、(b)は断面図である。
【図5】感応部を構成する材料の電気抵抗値と水素濃度との相関関係を示すグラフである。
【図6】水素センサを設けた電解水生成器の構成の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
1 水素センサ
2 感応部
3 電源部
4 補助電極
5 電解水生成器
17 気相
18 液相
Claims (7)
- 気相中の水素濃度を測定する水素センサであって、水素を含む気相と接触することにより電気抵抗変化を生じる感応部を備え、この感応部は水素吸蔵性の単体金属又は合金で形成されることを特徴とする水素センサ。
- 液相中の溶存水素濃度を測定する水素センサであって、水素が溶存している液相と接触することにより電気抵抗変化を生じる感応部を備え、この感応部が、ナノカーボン材料、水素吸蔵性の単体金属、水素吸蔵性の合金から選択される材料で形成されることを特徴とする水素センサ。
- 感応部と同時に液相に接触する補助電極と、感応部と補助電極の間への電圧の印加とその停止とを切替可能な電源部とを具備することを特徴とする請求項2に記載の水素センサ。
- 電源部が、感応部と補助電極との間に印加される電圧の極性を切替可能なものであること特徴とする請求項3に記載の水素センサ。
- 感応部をナノカーボン材料で形成し、その表面をPd,Nb,Ti,V,Ta,Sc,Y,La,Ac,Cu,Fe,Ni,Pt,Al,Mo,W,Zr,Mg,Cr,Mn,Tc,Re,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Hf,Ag,Au,Sn,Pb,Tl,Na,K,Ca,Li,Be,Rb,Sr,Cs,Ba,Fr,Ra,Zn,In,Ge,Si,Sb,Bi,Poから選択される金属により被覆することを特徴とする請求項2乃至4のいずれかに記載の水素センサ。
- 感応部を、薄膜状又は細線状に形成することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の水素センサ。
- 水を電解することにより電解水を生成する電解水生成器において、電解水の水質測定用のセンサとして請求項2乃至6のいずれかに記載の水素センサを具備することを特徴とする電解水生成器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002287770A JP3979250B2 (ja) | 2002-09-30 | 2002-09-30 | 水素センサ及び水素センサを備えた電解水生成器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002287770A JP3979250B2 (ja) | 2002-09-30 | 2002-09-30 | 水素センサ及び水素センサを備えた電解水生成器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004125513A true JP2004125513A (ja) | 2004-04-22 |
JP3979250B2 JP3979250B2 (ja) | 2007-09-19 |
Family
ID=32280459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002287770A Expired - Fee Related JP3979250B2 (ja) | 2002-09-30 | 2002-09-30 | 水素センサ及び水素センサを備えた電解水生成器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3979250B2 (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006035107A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 電解水生成器 |
WO2006068142A1 (ja) * | 2004-12-21 | 2006-06-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | ガス検知センサおよびガス検知装置 |
JP2006242644A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Tohoku Univ | 金属薄膜を用いた溶存水素センサ |
JP2006317196A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Akihisa Inoue | 水素ガスセンサ |
JP2007071547A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | マグネシウム・パラジウム合金薄膜を用いた水素センサ |
JP2007086020A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 水素ガス漏れ検知器及び水素ガス漏れ制御装置 |
JP2008008869A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 水素検知素子 |
WO2008093813A1 (ja) | 2007-02-02 | 2008-08-07 | Gunze Limited | 水素ガスセンサ |
WO2009011368A1 (ja) | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Gunze Limited | 固体イオン伝導体、固体イオン伝導体を用いた電気化学デバイス並びにその製造方法 |
JP2009025229A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Seiko Instruments Inc | 水素センサ |
JP2009098121A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-05-07 | Institute Of National Colleges Of Technology Japan | ガスセンサー及びガスセンサー製造方法 |
JP2009139106A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 水素検知素子 |
US7927567B2 (en) | 2004-12-20 | 2011-04-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Adsorbent, porous filter, air cleaning device, method of cleaning air, and method of manufacturing porous filter |
CN102495160A (zh) * | 2011-11-15 | 2012-06-13 | 长沙骏姆测控设备有限公司 | 一种新型气相色谱检测器的制备工艺 |
JP2015176063A (ja) * | 2014-03-17 | 2015-10-05 | 株式会社日本トリム | 電気機器及び電解水生成装置 |
CN110282704A (zh) * | 2019-05-07 | 2019-09-27 | 广东省测试分析研究所(中国广州分析测试中心) | 一种用于水处理的电化学改性填料 |
-
2002
- 2002-09-30 JP JP2002287770A patent/JP3979250B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006035107A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 電解水生成器 |
US7927567B2 (en) | 2004-12-20 | 2011-04-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Adsorbent, porous filter, air cleaning device, method of cleaning air, and method of manufacturing porous filter |
WO2006068142A1 (ja) * | 2004-12-21 | 2006-06-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | ガス検知センサおよびガス検知装置 |
JP2006242644A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Tohoku Univ | 金属薄膜を用いた溶存水素センサ |
JP4714825B2 (ja) * | 2005-03-01 | 2011-06-29 | 国立大学法人東北大学 | 金属薄膜を用いた溶存水素センサ |
JP2006317196A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Akihisa Inoue | 水素ガスセンサ |
JP4599593B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2010-12-15 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | マグネシウム・パラジウム合金薄膜を用いた水素センサ |
JP2007071547A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | マグネシウム・パラジウム合金薄膜を用いた水素センサ |
JP2007086020A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 水素ガス漏れ検知器及び水素ガス漏れ制御装置 |
JP4661493B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2011-03-30 | パナソニック電工株式会社 | 水素ガス漏れ検知器及び水素ガス漏れ制御装置 |
JP2008008869A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 水素検知素子 |
WO2008093813A1 (ja) | 2007-02-02 | 2008-08-07 | Gunze Limited | 水素ガスセンサ |
WO2009011368A1 (ja) | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Gunze Limited | 固体イオン伝導体、固体イオン伝導体を用いた電気化学デバイス並びにその製造方法 |
JP2009025229A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Seiko Instruments Inc | 水素センサ |
JP2009098121A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-05-07 | Institute Of National Colleges Of Technology Japan | ガスセンサー及びガスセンサー製造方法 |
JP2009139106A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 水素検知素子 |
CN102495160A (zh) * | 2011-11-15 | 2012-06-13 | 长沙骏姆测控设备有限公司 | 一种新型气相色谱检测器的制备工艺 |
CN102495160B (zh) * | 2011-11-15 | 2014-07-16 | 长沙骏姆测控设备有限公司 | 一种新型气相色谱检测器的制备工艺 |
JP2015176063A (ja) * | 2014-03-17 | 2015-10-05 | 株式会社日本トリム | 電気機器及び電解水生成装置 |
CN110282704A (zh) * | 2019-05-07 | 2019-09-27 | 广东省测试分析研究所(中国广州分析测试中心) | 一种用于水处理的电化学改性填料 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3979250B2 (ja) | 2007-09-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3979250B2 (ja) | 水素センサ及び水素センサを備えた電解水生成器 | |
US10281420B2 (en) | Gas-detecting apparatus including gas sensor and method of detecting hydrogen using gas sensor | |
Sanger et al. | Fast and reversible hydrogen sensing properties of Pd/Mg thin film modified by hydrophobic porous silicon substrate | |
JP4061556B2 (ja) | 水素量センサーおよび水素貯蔵装置 | |
Cleveland et al. | Nanometer-scale corrosion of copper in de-aerated deionized water | |
JP2008210783A (ja) | 電池とその負極の製造方法、負極の製造装置 | |
Cherevko et al. | Hydrogen sensing performance of electrodeposited conoidal palladium nanowire and nanotube arrays | |
US20170307556A1 (en) | Gas-detecting apparatus including gas sensor and method of detecting hydrogen using gas sensor | |
CN1541332A (zh) | 用于确定在容器中的氢含量的方法和装置 | |
Hassan et al. | Fast and reversible hydrogen sensing properties of Pd-capped Mg ultra-thin films modified by hydrophobic alumina substrates | |
Cabrera et al. | Hydrogen absorption in palladium films sensed by changes in their resistivity | |
Gautam et al. | Studies on hydrogen sensing properties of nanostructured Pd and Pd/Mg thin films prepared by pulsed laser deposition | |
Schierbaum et al. | Generation of an electromotive force by hydrogen‐to‐water oxidation with Pt‐coated oxidized titanium foils | |
JP4915648B2 (ja) | 水素検知素子 | |
JP2008210786A (ja) | 電池とその負極の検査方法、製造方法、負極の検査装置、製造装置 | |
Kılınç | Resistive hydrogen sensors based on nanostructured metals and metal alloys | |
JP4575685B2 (ja) | Mg系非晶質水素吸蔵合金、水素感応体、及びそれを利用した水素センサ | |
Pozio et al. | Pd–Ag hydrogen diffusion cathode for alkaline water electrolysers | |
Dykes et al. | In situ stress measurements on thin film Au positive electrode during the first discharge of Li-O2 batteries | |
KR101046133B1 (ko) | 탄소나노튜브 감지막을 포함하는 액체의 유량 및 상태측정장치와 이를 이용한 액체 유량 및 상태 측정방법 | |
US20210025860A1 (en) | Sensor layer system precursor, sensor layer system which can be produced therefrom, hydrogen sensor element which uses said sensor layer system, and corresponding production method | |
Kim et al. | Ultrafast response/recovery and high sensitivity of a hydrogen gas sensor at room temperature based on electrochemically deposited Sb2Te3/polystyrene composite film | |
JP2008210785A (ja) | 電池とその負極の製造方法、負極の製造装置 | |
Agar et al. | Sensing response of palladium nanoparticles and thin films to deuterium and hydrogen: Effect of gas atom diffusivity | |
JP4714825B2 (ja) | 金属薄膜を用いた溶存水素センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050805 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061219 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070313 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070514 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070605 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070618 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100706 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100706 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100706 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100706 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110706 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120706 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120706 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130706 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |