JP2008001994A - 気化器及び気化方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】分散部本体1の内部に形成されたガス通路2と、ガス通路2に加圧されたキャリアガス3を導入するガス導入口4と、ガス通路2を通過するキャリアガスに原料溶液5を供給するための手段6と、分散された原料溶液5を含むキャリアガスを気化部22に送るためのガス出口7と、ガス通路2内を冷却する手段18と、を有する分散部8と、装置の反応部と分散部8のガス出口7に接続された気化管20と、気化管20を加熱するヒータ21と、を有し、原料溶液が分散されたキャリアガスを加熱・気化させる気化部22と、を有し、ガス出口7の外側に細孔101を有する輻射防止部102を設けてある。
【選択図】図1
Description
(1)内部に形成されたガス通路と、該ガス通路に加圧されたキャリアガスを導入するためのガス導入口と、該ガス通路に原料溶液を供給するための手段と、原料溶液を含むキャリアガスを気化部に送るためのガス出口と、該ガス通路を冷却するための手段と、
気化部よりの幅射熱により原料ガスに分散部内で熱エネルギーが加わらない様に冷却された輻射熱防止噴出部、を有する分散部と;
(2)一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が前記ガス出口に接続された気化管と、
該気化管を加熱するための加熱手段と、を有し、前記分散部から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部と;
気化部よりの輻射熱により原料ガスに分散部内で熱エネルギーが加わらぬ用を有するMOCVD用気化器である。
(1)内部に形成されたガス通路と、
該ガス通路にキャリアガスを導入するためのガス導入口と、
該ガス通路に原料溶液を供給するための手段と、
原料溶液を含むキャリアガスを気化部に送るためのガス出口と、
該ガス通路を冷却するための手段と、
を有する分散部と;
(2)一端が成膜その他の各種装置の反応部に接続され、他端が前記ガス出口に接続され
た気化管と、
該気化管を加熱するための加熱手段と、
を有し、
前記分散部から送られてきた、霧化された原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部と;
を有し、
該ガス出口の外側に細孔を有する輻射防止部を設けたことを特徴とする。
該ガス通路に加圧されたキャリアガスを導入するためのガス導入口と、
該ガス通路に原料溶液を供給するための手段と、
原料溶液を含むキャリアガスを気化部に送るためのガス出口と、
を有する分散部と;
(2)一端が成膜その他の各種装置の反応部に接続され、他端が前記ガス出口に接続された気化管と、
該気化管を加熱するための加熱手段と、
を有し、
前記分散部から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部と;
を有し、
(3)前記分散部は、円筒状或いは円錐状中空部を有する分散部本体と、該円筒状或いは円錐状中空部の内径より小さな外径を有するロッドとを有し、
該ロッドは、その外周の気化器側に1又は2以上の螺旋状の溝を有し、かつ、該円筒状或いは円錐状中空部に挿入され、
(4)該ガス出口の外側に、ガス出口側に細孔を有し、気化器側に向かい内径がテーパー状に広がる冷却された幅射防止部を設けたことを特徴とする。
該ガス通路にキャリアを導入するためのガス導入口と、
該ガス通路に原料溶液を供給するための手段と、
原料溶液を含むキャリアガスを気化部に送るためのガス出口と、
該ガス通路を冷却するための手段と、
を有する分散部と;
(2)一端が成膜その他の各種装置の反応部に接続され、他端が前記ガス出口に接続された気化管と、
該気化管を加熱するための加熱手段と、
を有し、
前記分散部から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部と;
を有し、
前記ガス導入口からキャリアガスとして、ArまたはN2、ヘリウム等に僅かな酸化性ガスを添加し導入する方法又は噴出部直近の一次酸素供給口より酸化性ガス又はその混合ガスを導入し得るようにしたことを特徴とする。
該ガス通路にキャリアを導入するためのガス導入口と、
該ガス通路に原料溶液を供給するための手段と、
原料溶液を含むキャリアガスを気化部に送るためのガス出口と、
該ガス通路を冷却するための手段と、
を有する分散部と;
(2)一端が成膜その他の各種装置の反応部に接続され、他端が前記ガス出口に接続された気化管と、
該気化管を加熱するための加熱手段と、
を有し、
前記分散部から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部と;
を有し、
該ガス出口の外側に細孔を有する輻射防止部を設け、
前記ガス導入口からキャリアガスと酸化性ガスとを導入し得るようにしたことを特徴とする。
該複数の溶液通路から供給される複数の原料溶液を混合する混合部と、
一端が混合部に連通し、気化部側となる出口を有する供給通路と、
該供給通路内において、該混合部から出た混合原料溶液に、キャリアガスあるいは、キャリアガスと酸素との混合ガスを吹き付けるように配置されたガス通路と、
該供給通路を冷却するための冷却手段と、
が形成されていることを特徴とする。
該複数の溶液通路から供給される複数の原料溶液を混合する混合部と、
一端が混合部に連通し、気化部側となる出口を有する供給通路と、
該供給通路内において、該混合部から出た混合原料溶液に、キャリアガスあるいは、キャリアガスと酸素との混合ガスを吹き付けるように配置されたガス通路と、
該供給通路を冷却するための冷却手段と、
が形成されている分散器と、
一端が成膜その他の各種装置の反応部に接続され、他端が前記分散器の出口に接続された気化管と、
該気化管を加熱するための加熱手段と、
を有し、
前記分散部から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部と;
を有し、
該出口の外側に細孔を有する輻射防止部を設けたことを特徴とする。
ガス通路2を通過するキャリアガスに原料溶液5を供給し、原料溶液5をミスト化するための手段(原料供給孔)6と、
ミスト化された原料溶液5を含むキャリアガス(原料ガス)を気化部22に送るためのガス出口7と、
ガス通路2内を流れるキャリアガスを冷却するための手段(冷却水)18と、を有する分散部8と、
一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が分散部8のガス出口7に接続された気化管20と、
気化管20を加熱するための加熱手段(ヒータ)21と、
を有し、前記分散部8から送られてきた、原料溶液が分散されたキャリアガスを加熱して気化させるための気化部22と、
を有し、
ガス出口7の外側に細孔101を有する幅射防止部102を設けてある。
本例においては、検出された生成物と反応理論に基づき検討した反応式中の生成物は実施例1の場合よりも良好な一致が見られた。
内部に形成されたガス通路と、
ガス通路に加圧されたキャリアガス3を導入するためのガス導入口4と、
ガス通路に原料溶液5a,5bを供給するための手段と、
原料溶液5a、5bを含むキャリアガスを気化部22に送るためのガス出口7と、
を有する分散部8と、
一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が前ガス出口7に接続された気化管20と、
気化管20を加熱するための加熱手段と、
を有し、
分散部8から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部22と、
を有し、
分散部8は、円筒状中空部を有する分散部本体1と、円筒状中空部の内径より小さな外径を有するロッド10と、
を有し、
ロッド10の外周の気化器22側に1又は2以上の螺旋状の溝60を有し、
ロッド10は該円筒状中空部に挿入され、
ガス出口7の外側に、細孔101を有し、気化器22側に向かい内径がテーパー状に広がる輻射防止部101を設けてある。
原料液導入量:Sr(DPM)2 0.04cc/min
Bi(C6H5)3 0.08cc/min
Ta(OC2H5)5 0.08cc/min
THF 0.2 cc/min
キャリアガス:窒素ガス
10〜350m/s
気化装置としては図8に示す装置を用いた。ただ、ロッドとしては、図9に示すロッドにおいて螺旋溝が形成されていないロッドを用いた。
具体的には気化器の条件及び反応室の条件は下記のように制御し、酸化したシリコン基板上に、白金200nmを形成した基板上に、SBT薄膜を形成した。
具体的条件:
ヘキサエトキシ・ストロンチウムタンタルSr[Ta(OC2H5)6]20.1モル溶液(溶媒:ヘキサン)
0.02ml/min.
トリ−t−アミロキシドビスマスBi(O−t−C5H11)30.2モル溶液(溶媒:ヘキサン)0.02ml/min.
第一キャリアAr=200sccm(ガス導入口4から入れる)
第一キャリアO2=10sccm(ガス導入口4から入れる)
第2キャリアAr=20sccm(ガス導入口200から入れる)
O2=10sccm(ガス導入口200から入れる)
反応酸素O2=200sccm(分散噴出部下部25から入れる)
反応酸素温度216℃(分散噴出部下部から入れる前に別途設けたヒータで温度制御)
ウエーハ温度475℃
空間温度299℃
空間距離30mm
シャワーヘッド温度201℃
反応圧力1Torr
成膜時間20分
その結果
SBT膜厚さ約300nm(堆積速度約150nm/min.)
SBT組成 Sr 5.4at%
Bi 16.4at%
Ta 13.1at%
O 61.4at%
C 3.5at%
形成された膜中の組成は、原料溶液中の組成との間の組成比のずれは小さく、堆積速度も従来比約5倍になった。少量の酸素をガス導入口4からキャリアガスとともに導入する効果は極めて大きい事がわかる。カーボン含有量も3.5at%と少ない。
ヘキサエトキシ・ストロンチウムタンタルSr[Ta(OC2H5)6]20.1モル溶液(溶媒:ヘキサン)
0.02ml/min.
トリ−t−アミロキシドビスマスBi(O−t−C5H11)30.2モル溶液(溶媒:ヘキサン)0.02ml/min.
第一キャリアAr=200sccm(ガス導入口4から入れる)
第一キャリアO2=10sccm(ガス導入口4から入れる)
が流れており、バルブ2及び圧力自動調整弁を経由して、真空ポンプへ引かれている。
この時、圧力計は、圧力自動調整弁によって、4Torrに制御される。
ウエーハを移載し数分後、温度が安定したら、
バルブ1を開き、バルブ2を閉じて、反応チャンバーへ下記のガスを流して、堆積を開始する。
ヘキサエトキシ・ストロンチウムタンタルSr[Ta(OC2H5)6]20.1モル溶液(溶媒:ヘキサン)
0.02ml/min.
トリ−t−アミロキシドビスマスBi(O−t−C5H11)30.2モル溶液(溶媒:ヘキサン)0.02ml/min.
第一キャリアAr=200sccm(ガス導入口4から入れる)
第一キャリアO2=10sccm(ガス導入口4から入れる)
第2キャリアAr=20sccm(ガス導入口200から入れる)
O2=10sccm(ガス導入口200から入れる)
反応酸素O2=200sccm(分散噴出部下部25から入れる)
反応酸素温度216℃(分散噴出部下部から入れる前に別途設けたヒータで温度制御)
ウエーハ温度475℃
反応圧力チャンバー圧力は、1Torrに制御する。
(記載されていない圧力自動調整弁による)
所定の時間(此処では20分)が経過したら、
バルブ2を開き、バルブ1を閉じて、堆積を終了する。
反応チャンバーを高真空に引いて反応ガスを完全に除去して、1分後にロードロックチャンバーへウエーを取り出す。
キャパシタ構造
Pt(200nm)/CVDSBT(300nm)/Pt(175nm)/Ti(30nm)/SiO2/Si
キャパシタ作成プロセス
下部電極形成Pt(175nm)/TI(30nm)CVDSBT膜形成(300nm)
SBT膜結晶化処理(拡散炉アニール:ウエハ750℃、30min、O2雰囲気)
上部電極形成Pt(200nm)
アニール:650℃、O2、30min
従来反応酸素(例。200sccm)は、室温状態で、気化管に入れていたため、有機金属ガスが、冷却されて、気化管に付着・堆積していた。
一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が分散器150の出口107に接続された気化管と、気化管を加熱するための加熱手段2とを有し、前記分散器150から送られてきた、原料溶液を含むガスを加熱して気化させるための気化部22とを有し、出口107の外側に細孔101を有する輻射熱防止材102が配置されている。
距離に制御するための機構を設けることが好ましい。
2 ガス通路、
3 キャリアガス、
4 ガス導入口、
5 原料溶液、
6 原料供給孔、
7 ガス出口、
8 分散部、
9a,9b,9c,9d ビス、
10 ロッド、
18 冷却するための手段(冷却水)、
20 気化管、
21 加熱手段(ヒータ)、
22 気化部、
23 接続部、
24 継手、
25 酸素導入手段(一次酸素(酸化性ガス)供給口、)、
29 原料供給入口、
30a,30b,30c,30d マスフローコントローラ、
31a,31b,31c,31d バルブ、
32a,32b,32c,32d リザーブタンク、
33 キャリアガスボンベ、
42 排気口、
40 バルブ、
44 反応管、
46 ガスパック、
51 テーパー、
70 溝、
101 細孔、
102 輻射防止部、
200 酸素導入手段(2次酸素(酸化性ガス)、キャリア供給口、)
301 上流環
302 下流環
303a、303b 熱伝達路
304 熱変換板
304a ガス通気孔ガスノズル
306 排気口
308 オリフィス
312 基板加熱ヒータ
320 熱媒体入口
321 熱媒体出口
390 入熱媒体
391 出熱媒体
3100 シリコン基板
Claims (2)
- ガス通路に原料溶液を導入し、該導入した原料溶液に向けてキャリアガスを噴射させることにより該原料溶液を剪断・霧化させて原料ミストとし、次いで、該原料ミストを気化部に供給し気化させる気化方法において、キャリアガス中に酸素を含有せしめておくことを特徴とする気化方法。
- (1)内部に形成されたガス通路と、
該ガス通路にキャリアガスを導入するためのガス導入口と、
該ガス通路に原料溶液を供給しするための手段と、
原料溶液を含むキャリアガスを気化部に送るためのガス出口と、
該ガス通路を冷却するための手段と、
を有する分散部と;
(2)一端が成膜その他の各種装置の反応部に接続され、他端が前記ガス出口に接続された気化管と、
該気化管を加熱するための加熱手段と、
を有し、
前記分散部から送られてきた、霧化された原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部と;
を有し、
該ガス出口の外側に細孔を有する輻射防止部を設けたことを特徴とする気化器。
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