JP2008211206A - 強誘電体薄膜・金属薄膜又は酸化物薄膜及びその製造方法・製造装置並びに該薄膜を用いた電子・電気デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】良好な残留分極特性が得られる最適な組成を有し、かつ信頼性の高いビスマス系層状結晶構造を有する強誘電体薄膜を制御性・再現性良く形成する事ができる。
【解決手段】層状結晶構造であり、組成式を、SrBiyTa2O9±dもしくはSrxBiy(Ta,Nb)2O9±d(但し、0.60≦x<1.00、2.00<y≦2.50、0≦d≦1.00)とすることを特徴とする強誘電体薄膜。カーボン含有量は30〜40at%の5〜20%であることを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】層状結晶構造であり、組成式を、SrBiyTa2O9±dもしくはSrxBiy(Ta,Nb)2O9±d(但し、0.60≦x<1.00、2.00<y≦2.50、0≦d≦1.00)とすることを特徴とする強誘電体薄膜。カーボン含有量は30〜40at%の5〜20%であることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、強誘電体薄膜、金属薄膜又は酸化物薄膜などの薄膜及びその薄膜を用いた電子・電気デバイスに係り、より詳細には、ビスマス系層状結晶構造の強誘電体薄膜及びその製造方法、特にキャパシタ,不揮発性メモリ等の強誘電体デバイスに使用して好適な強誘電体薄膜及びその製造方法、製造装置並びに強誘電体デバイスに関する。
ここで、強誘電体デバイスとしては、例えば、強誘電体薄膜、金属薄膜乃至酸化物導電性薄膜を含む、半導体集積回路、半導体素子、TFT駆動表示装置、液晶ディスプレー、有機ELディスプレー、フィールドエミッションディスプレー装置、プラズマディスプレー装置などがあげられる。
ここで、強誘電体デバイスとしては、例えば、強誘電体薄膜、金属薄膜乃至酸化物導電性薄膜を含む、半導体集積回路、半導体素子、TFT駆動表示装置、液晶ディスプレー、有機ELディスプレー、フィールドエミッションディスプレー装置、プラズマディスプレー装置などがあげられる。
近年、成膜技術の進歩に伴い、強誘電体薄膜を用いた不揮発性メモリセルの応用研究が盛んに進められている。この不揮発性メモリセルは、強誘電体薄膜の高速な分極反転とその残留分極を利用することにより高速書き換えが可能な不揮発性ランダムアクセスメモリ(Ferroelectric Random Access Memories;FeRAM)セルである。このようなメモリを構成する材料として、ビスマス系層状結晶構造酸化物が挙げられる。このビスマス系層状結晶構造酸化物は、従来使用されてきたPZT(構造式がPbZr1−xTixO3である化合物)系材料の最大のデメリットであったファティーグ現象、すなわち書き換えの繰り返しによる残留分極の低下がみられないことから注目を集めている。
このような強誘電体材料を電子デバイスへ応用するには、その薄膜化技術の開発が不可欠であり、更に、強誘電体のバルク特性を薄膜形態において達成することが求められる。
従って、薄膜形態において所望する化学量論比,結晶性,結晶構造および結晶配向性などの各種特性を実現することが可能な薄膜堆積法を用いることが必要となる。現在、これらの材料を用いた強誘電体薄膜は、MOD(Metal Organic Decomposition)法やゾル・ゲル法などのスピンコートによる方法により得られており、良好な強誘電特性を示している。スピンコート法は、スループットが高く、組成制御に優れており、かつ、製造装置のコストが安いという利点もある。
従って、薄膜形態において所望する化学量論比,結晶性,結晶構造および結晶配向性などの各種特性を実現することが可能な薄膜堆積法を用いることが必要となる。現在、これらの材料を用いた強誘電体薄膜は、MOD(Metal Organic Decomposition)法やゾル・ゲル法などのスピンコートによる方法により得られており、良好な強誘電特性を示している。スピンコート法は、スループットが高く、組成制御に優れており、かつ、製造装置のコストが安いという利点もある。
しかし、この薄膜製造方法は、段差被覆性に劣る(表面段差を平滑化する作用がある)、薄膜のピンホール密度が高く、絶縁耐圧が低く劣化しやすいため、現状のシリコンデバイスプロセス(例;FeRAM−LSl)との整合性が悪いという問題もある。
そこで、これらの材料を高集積度のメモリに適用するために、微細化に対応した段差被覆性,膜質,均一性,パーティクル発生防止および処理速度などに優れた化学気相成長法、すなわち、CVD(Chemical Vapor Deposition)法の開発が強く望まれている。
そこで、これらの材料を高集積度のメモリに適用するために、微細化に対応した段差被覆性,膜質,均一性,パーティクル発生防止および処理速度などに優れた化学気相成長法、すなわち、CVD(Chemical Vapor Deposition)法の開発が強く望まれている。
現在、ビスマス系層状結晶構造の強誘電体薄膜のCVD法を用いた作製方法に関する報告は少なく、ビスマス系層状結晶構造の強誘電体の一つであるSrBi2Ta2O9薄膜のCVD法による形成についは、下記論文、公開公報がある。
1、“Performance of SrBi2Ta2O9 Thin Films Grown by Chemical Vapor Deposition for Nonvolatile Memory Applications”.C.Isobe.H.Yamoto,H.yagi et al9th Internatinal Symposium on Integrated Ferroelectrics.Mar.19972、特開平8−325019号公報、特開平9−142844号公報、3、特開平11−43328、35394号公報、4、S.B.Desuしかしながら、S.B.Desuらの研究によるものは、強誘電体薄膜の分極状態の指標となる残留分極値が2Pr=8.3μC/cm2であり、スピンコート法により作製された薄膜において通常得られている値(2Pr=15〜25μC/cm2)に比べると遥かに小さい。また、成膜速度は3nm/minであり、実用レベル(10〜20nm/min)にはほど遠い。また、特開平8−325019号公報は、成膜速度が15〜20nm/minであり、実用レベルに耐え得る値となっているが、残留分極値が2Pr=10〜11μC/cm2であり、スピンコート法による薄膜において通常得られている値よりも小さい。さらに、分極特性を得るにはCVD法による堆積後、酸素雰囲気中で800℃×60分の高温熱処理が必要とされており、この熱処理に耐えられる電極材料として、高価で、微細可能が困難な白金薄膜が採用されている。白金電極の採用が必須であるなら、微細加工が必須(例;0.13μm rule 256MbFeRAM−LSl)なFeRAM−LSlの実現は、殆ど不可能である。
1、“Performance of SrBi2Ta2O9 Thin Films Grown by Chemical Vapor Deposition for Nonvolatile Memory Applications”.C.Isobe.H.Yamoto,H.yagi et al9th Internatinal Symposium on Integrated Ferroelectrics.Mar.19972、特開平8−325019号公報、特開平9−142844号公報、3、特開平11−43328、35394号公報、4、S.B.Desuしかしながら、S.B.Desuらの研究によるものは、強誘電体薄膜の分極状態の指標となる残留分極値が2Pr=8.3μC/cm2であり、スピンコート法により作製された薄膜において通常得られている値(2Pr=15〜25μC/cm2)に比べると遥かに小さい。また、成膜速度は3nm/minであり、実用レベル(10〜20nm/min)にはほど遠い。また、特開平8−325019号公報は、成膜速度が15〜20nm/minであり、実用レベルに耐え得る値となっているが、残留分極値が2Pr=10〜11μC/cm2であり、スピンコート法による薄膜において通常得られている値よりも小さい。さらに、分極特性を得るにはCVD法による堆積後、酸素雰囲気中で800℃×60分の高温熱処理が必要とされており、この熱処理に耐えられる電極材料として、高価で、微細可能が困難な白金薄膜が採用されている。白金電極の採用が必須であるなら、微細加工が必須(例;0.13μm rule 256MbFeRAM−LSl)なFeRAM−LSlの実現は、殆ど不可能である。
このようにCVD法により作製されたビスマス系層状結晶構造の強誘電体薄膜において十分な残留分極特性が得られていない主な要因は、残留分極特性を十分に得られる薄膜の最適組成が把握されていないことである。すなわち、例えば、ビスマス系層状結晶構造強誘電体の一つであるストロンチウム(Sr)、ビスマス(Bi)、タンタル(Ta)および酸素(O)からなる酸化物においては、良好な残留分極特性を与える膜組成の範囲が限られており、その最適組成は化学量論組成(SrBi2Ta2O9)以外の組成の範囲であると考えられている。更に不純物カーボンが大量に含有される(30〜40at%)ためである。
従来技術を再度詳細に述べる。
一般にSrBi2TaO9強誘電体薄膜形成は、スピンコート法により作成されている。
将来性があると考えられるMOCVD(有機金属気相成長)法は、1996年に発表され、可能性は実証されたが、大量生産には、未だに導入されていない。強誘電体薄膜の原料は、例えば、3種類の有機金属錯体Sr(DPM)2、Bi(C6H5)3及びTa(OC2H5)5であり、それぞれTHF(テトラヒドロフラン)、ヘキサンその他の溶剤に溶かし、原料溶液として使用されている。
最近は、Sr(Ta(OEt)6)2、Bi(OtAm)3をヘキサンその他の溶剤に溶かし、原料溶液として使用できる。
なお、DPMはジビバロイメタンの略である。
それぞれの材料特性を表1に示す。
一般にSrBi2TaO9強誘電体薄膜形成は、スピンコート法により作成されている。
将来性があると考えられるMOCVD(有機金属気相成長)法は、1996年に発表され、可能性は実証されたが、大量生産には、未だに導入されていない。強誘電体薄膜の原料は、例えば、3種類の有機金属錯体Sr(DPM)2、Bi(C6H5)3及びTa(OC2H5)5であり、それぞれTHF(テトラヒドロフラン)、ヘキサンその他の溶剤に溶かし、原料溶液として使用されている。
最近は、Sr(Ta(OEt)6)2、Bi(OtAm)3をヘキサンその他の溶剤に溶かし、原料溶液として使用できる。
なお、DPMはジビバロイメタンの略である。
それぞれの材料特性を表1に示す。
表1に示すように、強誘電体薄膜の原材料は、常温で固体であり、蒸気圧も低いため、相反応でもって薄膜を形成する従来のCVD法では、強誘電体薄膜を形成することはできない。
そのため、上記材料を溶媒に溶かした溶液を、気化器を用いて、一気に蒸発させて、CVD法で薄膜を形成するCVD法が提案されている。
ここでは、強誘電体薄膜の形成を例に説明しているが、常温で固体であり、蒸気圧も低い材料を用いて、誘電体薄膜・金属薄膜・酸化物導電性薄膜を形成する場合も同様である。
そのため、上記材料を溶媒に溶かした溶液を、気化器を用いて、一気に蒸発させて、CVD法で薄膜を形成するCVD法が提案されている。
ここでは、強誘電体薄膜の形成を例に説明しているが、常温で固体であり、蒸気圧も低い材料を用いて、誘電体薄膜・金属薄膜・酸化物導電性薄膜を形成する場合も同様である。
従来、気化器に関する技術としては、図16に示す各方法が知られている。図16(a)に示すものはメタルフィルター式と称されるものであり、周囲に存在する気体とSrBi2TaO9強誘電体薄膜原料溶液との接触面積を増加させる目的で用いられたメタルフィルターに、所定の温度に加熱された原料溶液を導入することにより気化を行う方法である。
しかし、この技術においては、数時間の気化でメタルフィルターが目詰まりを起すので、長期使用に耐えられないという問題を有している。その原因は、溶液が加熱され気化温度の低いものから蒸発するためであると本発明者は推測した。
しかし、この技術においては、数時間の気化でメタルフィルターが目詰まりを起すので、長期使用に耐えられないという問題を有している。その原因は、溶液が加熱され気化温度の低いものから蒸発するためであると本発明者は推測した。
図16(b)は原料溶液に30kgf/cm2の圧力をかけて10μmの細孔から原料溶液を放出させ膨張によって原料溶液を気化させる技術である。
しかし、この技術においては、数時間の使用により細孔が詰まり、やはり長期の使用に耐えられないという問題を有している。
また、原料溶液が、複数の有機金属錯体の混合溶液、例えば、Sr(DPM)2/THFとBi(C6H5)3/THFとTa(OC2H5)5/THFの混合溶液であり、この混合溶液を加熱によって気化する場合、蒸気圧の最も高い溶剤(この場合THF)がいち速く気化し、加熱面上には有機金属錯体が析出付着するため反応部への安定な原料供給ができないという問題が生ずる。図16に示すこれらの方法は全て液体又はミスト状態に於いて溶剤の蒸発又は変化しうる熱量が加えられてしまう。
さらに、MOCVDにおいて、均一性に優れた膜を得るためには原料溶液が均一に分散した気化ガスを得ることが要請される。しかし、上記従来技術では必ずしもかかる要請に応えきれていない。
しかし、この技術においては、数時間の使用により細孔が詰まり、やはり長期の使用に耐えられないという問題を有している。
また、原料溶液が、複数の有機金属錯体の混合溶液、例えば、Sr(DPM)2/THFとBi(C6H5)3/THFとTa(OC2H5)5/THFの混合溶液であり、この混合溶液を加熱によって気化する場合、蒸気圧の最も高い溶剤(この場合THF)がいち速く気化し、加熱面上には有機金属錯体が析出付着するため反応部への安定な原料供給ができないという問題が生ずる。図16に示すこれらの方法は全て液体又はミスト状態に於いて溶剤の蒸発又は変化しうる熱量が加えられてしまう。
さらに、MOCVDにおいて、均一性に優れた膜を得るためには原料溶液が均一に分散した気化ガスを得ることが要請される。しかし、上記従来技術では必ずしもかかる要請に応えきれていない。
かかかる要請に応えるべく、本発明者は、別途、次なる技術を提供している。
すなわち、図15に示す通り、
(1)内部に形成されたガス通路と、該ガス通路に加圧されたキャリアガスを導入するためのガス導入口と、該ガス通路に原料溶液を供給するための手段と、原料溶液を含むキャリアガスを気化部に送るためのガス出口と、該ガス通路を冷却するための手段と、気化部よりの輻射熱により原料ガスに分散部内で熱エネルギーが加わらない様に冷却された輻射熱防止噴出部、を有する分散部と;
(2)一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が前記ガス出口に接続された気化管と、該気化管を加熱するための加熱手段と、を有し、前記分散部から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部と;気化部よりの輻射熱により原料ガスに分散部内で熱エネルギーが加わらぬ用を有するMOCVD用気化器である。
すなわち、図15に示す通り、
(1)内部に形成されたガス通路と、該ガス通路に加圧されたキャリアガスを導入するためのガス導入口と、該ガス通路に原料溶液を供給するための手段と、原料溶液を含むキャリアガスを気化部に送るためのガス出口と、該ガス通路を冷却するための手段と、気化部よりの輻射熱により原料ガスに分散部内で熱エネルギーが加わらない様に冷却された輻射熱防止噴出部、を有する分散部と;
(2)一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が前記ガス出口に接続された気化管と、該気化管を加熱するための加熱手段と、を有し、前記分散部から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部と;気化部よりの輻射熱により原料ガスに分散部内で熱エネルギーが加わらぬ用を有するMOCVD用気化器である。
この技術は、従来に比べ目詰まりが極めて少なく、長期使用が可能であり、かつ、反応部への安定的な原料供給が可能なMOCVD用気化器である。
また、この技術は、予め加熱された酸素の導入口が、気化部下流に設けられている。
しかし、この技術によってもまだ、ガスの通路に結晶の析出がみられ、目詰まりが生じることがある。
また、形成された膜中には大量の炭素(30〜40at%)が含有されている。この炭素を除去するためには成膜後 高温においてアニールを行う(例:800℃、60分、酸素雰囲気)必要が生じてしまう。
さらに成膜を行う場合においては、組成比のバラツキが大きく生じてしまう。
また、この技術は、予め加熱された酸素の導入口が、気化部下流に設けられている。
しかし、この技術によってもまだ、ガスの通路に結晶の析出がみられ、目詰まりが生じることがある。
また、形成された膜中には大量の炭素(30〜40at%)が含有されている。この炭素を除去するためには成膜後 高温においてアニールを行う(例:800℃、60分、酸素雰囲気)必要が生じてしまう。
さらに成膜を行う場合においては、組成比のバラツキが大きく生じてしまう。
本発明の目的は、良好な残留分極特性が得られる最適な組成範囲を有すると共に信頼性の高いビスマス系層状結晶構造を有する強誘電体薄膜を提供することにある。
高温の熱処理を施した場合においても精密にかつ再現性良く、最適組成のビスマス系層状結晶構造の強誘電体薄膜を製造することができる強誘電体薄膜の製造方法および製造装置を提供することにある。
高温の熱処理を施した場合においても精密にかつ再現性良く、最適組成のビスマス系層状結晶構造の強誘電体薄膜を製造することができる強誘電体薄膜の製造方法および製造装置を提供することにある。
本発明は、目詰まりなどを起こすことがなく長期使用が可能であり、かつ、反応部への安定的な原料供給が可能な気化器を提供することを目的とする。
本発明は、アズデポ状態においても膜中における炭素の含有量が極めて少なくすることができ、膜の組成比を正確に制御することが可能な気化器、成膜装置その他の各種装置及び気化方法を提供することを目的とする。
本発明は、原料溶液が均一に分散した気化ガスを得ることができる気化器及び気化方法を提供することを目的とする。
本発明の要旨はそれぞれ次ぎに存在する。
層状結晶構造であり、組成式を、SrBiyTa2O9±dもしくはSrxBiy(Ta,Nb)2O9±d(但し、0.60≦x<1.00、2.00<y≦2.50、0≦d≦1.00)とすることを特徴とする強誘電体薄膜である。
前記薄膜の製造方法は、少なくともストロンチウム(Sr)、ビスマス(Bi)およびタンタル(Ta)の各成分を含む有機金属錯体を溶剤に分散あるいは溶解した溶液を霧化する分散工程と、
気化室で気化させる気化工程と、
気化された有機金属錯体を含むキャリアガスと酸素ガス、オゾンガスその他の酸化性ガスとを所定の割合で混合させるガス混合工程と、
混合された有機金属錯体を含むキャリアガスと酸化性ガスとを所定の圧力範囲の反応室内において反応させて分解し、所定の温度範囲で加熱された基板上に堆積させることにより酸化物薄膜を形成する薄膜形成工程と、
基板上に形成された酸化物薄膜に所定の温度範囲の熱処理を施し組成制御を含む結晶化を行うことにより所望のビスマス層状構造の強誘電体薄膜を形成する熱処理工程と、
を含むことを特徴とする請求項1記載の強誘電体薄膜である。
気化室で気化させる気化工程と、
気化された有機金属錯体を含むキャリアガスと酸素ガス、オゾンガスその他の酸化性ガスとを所定の割合で混合させるガス混合工程と、
混合された有機金属錯体を含むキャリアガスと酸化性ガスとを所定の圧力範囲の反応室内において反応させて分解し、所定の温度範囲で加熱された基板上に堆積させることにより酸化物薄膜を形成する薄膜形成工程と、
基板上に形成された酸化物薄膜に所定の温度範囲の熱処理を施し組成制御を含む結晶化を行うことにより所望のビスマス層状構造の強誘電体薄膜を形成する熱処理工程と、
を含むことを特徴とする請求項1記載の強誘電体薄膜である。
前記強誘電体薄膜を有することを特徴とする強誘電体デバイスである。
(実施例1)
図1に実施例1に係るMOCVD用気化器を示す。
本例では、分散部を構成する分散部本体1の内部に形成されたガス通路2と、ガス通路2に加圧されたキャリアガス3を導入するためのガス導入口4と、ガス通路2を通過するキャリアガスに原料溶液5を供給し、原料溶液5をミスト化するための手段(原料供給孔)6と、ミスト化された原料溶液5を含むキャリアガス(原料ガス)を気化部22に送るためのガス出口7と、ガス通路2内を流れるキャリアガスを冷却するための手段(冷却水)18と、を有する分散部8と、一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が分散部8のガス出口7に接続された気化管20と、気化管20を加熱するための加熱手段(ヒーター)21と、を有し、前記分散部8から送られてきた、原料溶液が分散されたキャリアガスを加熱して気化させるための気化部22と、を有し、ガス出口7の外側に細孔101を有する輻射防止部102を設けてある。
図1に実施例1に係るMOCVD用気化器を示す。
本例では、分散部を構成する分散部本体1の内部に形成されたガス通路2と、ガス通路2に加圧されたキャリアガス3を導入するためのガス導入口4と、ガス通路2を通過するキャリアガスに原料溶液5を供給し、原料溶液5をミスト化するための手段(原料供給孔)6と、ミスト化された原料溶液5を含むキャリアガス(原料ガス)を気化部22に送るためのガス出口7と、ガス通路2内を流れるキャリアガスを冷却するための手段(冷却水)18と、を有する分散部8と、一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が分散部8のガス出口7に接続された気化管20と、気化管20を加熱するための加熱手段(ヒーター)21と、を有し、前記分散部8から送られてきた、原料溶液が分散されたキャリアガスを加熱して気化させるための気化部22と、を有し、ガス出口7の外側に細孔101を有する輻射防止部102を設けてある。
なお、ガス通路の断面積は0.10〜0.5mm2が好ましい。0.10mm2未満では加工が困難である。0.5mm2を超えるとキャリアガスを高速化するために高圧のキャリアガスを大流量用いる必要が生じてしまう。大流量のキャリアガスを用いると、反応チャンバーを減圧(例:1.0Torr)に維持するために、大容量の大型真空ポンプが必要になる。排気容量が、1万リットル/min(at1.0Torr)を超える真空ポンプの採用は困難であるから、工業的な実用化を図るためには、適正な流量、即ち、ガス通路面積0.10〜0.5mm2が好ましい。
このガス通路2の一端にはガス導入口4が設けられている。ガス導入口4にはキャリアガス(例えばN2,Ar,He)源(図示せず)が接続されている。
分散部本体1のほぼ中央の側部には、ガス通路2に連通せしめて原料供給孔6を設けてあり、原料溶液5をガス通路2に導入して、原料溶液5をガス通路2を通過するキャリアガスに原料溶液5を分散させ原料ガスとすることができる。
ガス通路2の一端には、気化部22の気化管20に連通するガス出口7が設けられている。
分散部本体1のほぼ中央の側部には、ガス通路2に連通せしめて原料供給孔6を設けてあり、原料溶液5をガス通路2に導入して、原料溶液5をガス通路2を通過するキャリアガスに原料溶液5を分散させ原料ガスとすることができる。
ガス通路2の一端には、気化部22の気化管20に連通するガス出口7が設けられている。
分散部本体1には、冷却水18を流すための空間11が形成されており、この空間内に冷却水8を流すことによりガス通路2内を流れるキャリアガスを冷却する。あるいはこの空間の代わりに例えばペルチェ素子等を設置し冷却してもよい。分散部8のガス通路2内は気化部22のヒーター21による熱影響を受けるためガス通路2内において原料溶液の溶剤と有機金属錯体との同時気化が生ずることなく、溶剤のみの気化が生じてしまう。そこで、ガス通路2内を流れる原料溶液が分散したキャリアガスを冷却することにより溶剤のみの気化を防止する。特に、原料供給孔6より下流側の冷却が重要であり、少なくとも原料供給孔6の下流側の冷却を行う。冷却温度は、溶剤の沸点以下の温度である。例えば、THFの場合67℃以下である。特に、ガス出口7における温度が重要である。
本例では、さらに、ガス出口7の外側に細孔101を有する輻射防止部102を設けてある。なお、103,104はOリングなどのシール部材である。この輻射防止部102は、例えば、テフロン、ステンレス、セラミックなどにより構成すればよい。本発明者の知見によれば、従来技術においては、気化部における熱が、輻射熱としてガス出口7を介してガス通路2内におけるガスを過熱してしまう。従って、冷却水18により冷却したとしてもガス中の低融点成分がガス出口7近傍に析出してしまう。
輻射防止部は、かかる輻射熱がガスに伝播することを防止するための部材である。従って、細孔101の断面積は、ガス通路2の断面積より小さくすることが好ましい。1/2以下とすることが好ましく、1/3以下とすることがより好ましい。
また、分散部を冷却することにより、長期間にわる使用に対してもガス通路内(特にガス出口)における炭化物による閉塞を生ずることがない。
分散部本体1の下流側において、分散部本体1は気化管20に接続されている。分散部本体1と気化管20との接続は継手24により行われ、この部分が接続部23となる。
全体図を図2に示す。気化部22は気化管20と加熱手段(ヒーター)21とから構成される。ヒーター21は気化管20内を流れる原料溶液が分散したキャリアガスを加熱し気化させるためのヒーターである。ヒーター21としては、従来は円筒型ヒーターやマントルヒーターを気化管20の外周に貼り付けることにより構成するが、気化管の長さ方向に対して、均一な温度になるよう加熱するには、熱容量が大きい液体や気体を熱媒体に用いる方法が最も優れていたため、これを採用した。
また、分散部を冷却することにより、長期間にわる使用に対してもガス通路内(特にガス出口)における炭化物による閉塞を生ずることがない。
分散部本体1の下流側において、分散部本体1は気化管20に接続されている。分散部本体1と気化管20との接続は継手24により行われ、この部分が接続部23となる。
全体図を図2に示す。気化部22は気化管20と加熱手段(ヒーター)21とから構成される。ヒーター21は気化管20内を流れる原料溶液が分散したキャリアガスを加熱し気化させるためのヒーターである。ヒーター21としては、従来は円筒型ヒーターやマントルヒーターを気化管20の外周に貼り付けることにより構成するが、気化管の長さ方向に対して、均一な温度になるよう加熱するには、熱容量が大きい液体や気体を熱媒体に用いる方法が最も優れていたため、これを採用した。
気化管20としては、例えばSUS316Lなどのステンレス鋼を用いることが好ましい。気化管20の寸法は、気化ガスの温度が、十分に加熱される長さに、適宜決定すればよいが、例えば、SrBi2Ta2O9原料溶液0.04ccmを気化する場合には、外径3/4インチ、長さ数百mmのものを用いればよい。
気化管20の下流側端はMOCVD装置の反応管に接続されるが、本例では気化管20に酸素供給手段として酸素供給口25を設けてあり、所定の温度に加熱された酸素をキャリアガスに混入せしめ得るようにしてある。
気化管20の下流側端はMOCVD装置の反応管に接続されるが、本例では気化管20に酸素供給手段として酸素供給口25を設けてあり、所定の温度に加熱された酸素をキャリアガスに混入せしめ得るようにしてある。
まず、気化器への原料溶液の供始について述べる。
図3に示すように、原料供給口6には、それぞれ、リザーブタンク32a,32b,32c,32dが、マスフローコントローラ30a,30b,30c,30d及びバルブ31a,31b,31c,31dを介して接続されている。
また、それぞれのリザーブタンク32a,32b,32c,32dにはキャリアガスボンベ33に接続されている。
図3に示すように、原料供給口6には、それぞれ、リザーブタンク32a,32b,32c,32dが、マスフローコントローラ30a,30b,30c,30d及びバルブ31a,31b,31c,31dを介して接続されている。
また、それぞれのリザーブタンク32a,32b,32c,32dにはキャリアガスボンベ33に接続されている。
リザーブタンクの詳細を図4に示す。
リザーブタンクには、原料溶液が充填されており、それぞれのリザーバータンク(内容積300cc、SUS製に例えば1.0〜3.0kgf/cm2のキャリアガス(例えば不活性ガスAr,He,Ne)を送り込む。リザーバータンク内はキャリアガスにより加圧されるため、原料溶液は溶液と接している側の管内を押し上げられ液体用マスフローコントローラ(STEC製、フルスケール流量0.2cc/min)まで圧送され、ここで流量が制御され、気化器の原料供給入口29から原料供給孔6に輸送される。
マスフローコントローラで一定流量に制御されたキャリアガスによって反応部へ輸送される。同時にマスフローコントローラ(STEC製、フルスケール流量2L/minで一定流量に制御された酸素(酸化剤)も反応部へ輸送する。
リザーブタンクには、原料溶液が充填されており、それぞれのリザーバータンク(内容積300cc、SUS製に例えば1.0〜3.0kgf/cm2のキャリアガス(例えば不活性ガスAr,He,Ne)を送り込む。リザーバータンク内はキャリアガスにより加圧されるため、原料溶液は溶液と接している側の管内を押し上げられ液体用マスフローコントローラ(STEC製、フルスケール流量0.2cc/min)まで圧送され、ここで流量が制御され、気化器の原料供給入口29から原料供給孔6に輸送される。
マスフローコントローラで一定流量に制御されたキャリアガスによって反応部へ輸送される。同時にマスフローコントローラ(STEC製、フルスケール流量2L/minで一定流量に制御された酸素(酸化剤)も反応部へ輸送する。
原料溶液は、溶剤であるTHFその他の溶媒に常温で液体または固体状の有機金属錯体を溶解しているため、そのまま放置しておくとTHF溶剤の蒸発によって有機金属錯体が析出し、最終的に固形状になる。したがって原液と接触した配管内が、これによって配管の閉塞などを生ずることが想定される。よって配管の閉塞を抑制するためには、成膜作業終了後の配管内および気化器内をTHFその他の溶媒で洗浄すればよいと考え、洗浄ラインを設けてある。洗浄は、原料容器交換作業も含め容器出口側より気化器までの区間とし、各作業に適合した部分を溶剤にて洗い流すものである。
バルブ31b,31c,31dを開とし、リザーブタンク32b,32c,32d内にキャリアガスを圧送した。原料溶液は、マスフローコントローラ(STEC製 フルスケール流量0.2cc/min)まで圧送され、ここで流量が制御され、溶液原料を気化器の原料供給孔6に輸送される。
バルブ31b,31c,31dを開とし、リザーブタンク32b,32c,32d内にキャリアガスを圧送した。原料溶液は、マスフローコントローラ(STEC製 フルスケール流量0.2cc/min)まで圧送され、ここで流量が制御され、溶液原料を気化器の原料供給孔6に輸送される。
一方、キャリアガスを気化器のガス導入口から導入した。供給口側の最大圧力は3kgf/cm2以下とすることが好ましく、このとき通過可能な最大流量はおよそ1200cc/minであり、ガス通路2の通過流速は百数十m/secまで達する。
気化器のガス通路2を流れるキャリアガスに原料供給孔6から原料溶液が導入すると原料溶液はキャリアガスの高速流により剪断され、超微粒子化される。その結果原料溶液はキャリアガス中に超微粒子状態で分散する。原料溶液が超微粒子状態で分散したキャリアガス(原料ガス)は高速のまま気化部22に霧化され放出される。ガス通路と原料供給孔が形成する角度を最適化する。キャリア流路と原料溶液導入口が鋭角(30度)の場合、溶液はガスに引かれる。90度以上であれば、溶液はガスに押される。溶液の粘度・流量から、最適な角度が決まる。粘土や流量が大きい場合は、より鋭角にすることによって、溶液が円滑に流れる。ヘキサンを溶媒に用いて、SBT膜を形成する場合、粘土・流量ともに小さいため、約84度が好ましい。
気化器のガス通路2を流れるキャリアガスに原料供給孔6から原料溶液が導入すると原料溶液はキャリアガスの高速流により剪断され、超微粒子化される。その結果原料溶液はキャリアガス中に超微粒子状態で分散する。原料溶液が超微粒子状態で分散したキャリアガス(原料ガス)は高速のまま気化部22に霧化され放出される。ガス通路と原料供給孔が形成する角度を最適化する。キャリア流路と原料溶液導入口が鋭角(30度)の場合、溶液はガスに引かれる。90度以上であれば、溶液はガスに押される。溶液の粘度・流量から、最適な角度が決まる。粘土や流量が大きい場合は、より鋭角にすることによって、溶液が円滑に流れる。ヘキサンを溶媒に用いて、SBT膜を形成する場合、粘土・流量ともに小さいため、約84度が好ましい。
一定流量に制御された3種の原料溶液は、それぞれの原料供給入口29を介して原料供給孔6からガス通路2に流入し、高速気流となったキャリアガスとともにガス通路を移動した後、気化部22に放出される。分散部8においても、原料溶液は気化部22からの熱によって加熱されTHFなどの溶剤の蒸発が促進されるため、原料供給入口29から原料供給孔6までの区間及びガス通路2の区間を水等によって冷却する。
分散部8から放出された、キャリアガス中に微粒子状に分散した原料溶液は、ヒーター21によって所定の温度に加熱された気化管20内部を輸送中に気化が促進されMOCVDの反応管に到達する直前に設けられた酸素供給口25からの所定の温度に加熱された酸素の混入によって混合気体となり、反応管に流入する。なお、本例では、成膜に代え気化ガスの反応形態の解析を行うことにより評価した。
分散部8から放出された、キャリアガス中に微粒子状に分散した原料溶液は、ヒーター21によって所定の温度に加熱された気化管20内部を輸送中に気化が促進されMOCVDの反応管に到達する直前に設けられた酸素供給口25からの所定の温度に加熱された酸素の混入によって混合気体となり、反応管に流入する。なお、本例では、成膜に代え気化ガスの反応形態の解析を行うことにより評価した。
排気口42から真空ポンプ(図示せず)を接続し、約20分間の減圧操作により反応管44内の水分などの不純物を取り除き、排気口42下流のバルブ40を閉じた。
気化器に冷却水を約400cc/minで流した。一方、3kgf/cm2のキャリアガスを495cc/minで流し、反応管44内をキャリアガスで十分満たした後、バルブ40を開放した。ガス出口7における温度は67℃より低かった。
気化管20内を200℃、反応管44からガスパック46までの区間及びガスパックを100℃、反応管44内を300℃〜600℃に加熱した。
リザーブタンク内をキャリアガスで加圧し、マスフローコントローラで所定の液体を流した。
Sr(DPM)2、Bi(C6H5)3、Ta(OC2H5)5、THFをそれぞれ0.04cc/min、0.08cc/min、0.08cc/min、0.2cc/minの流量で流した。
気化器に冷却水を約400cc/minで流した。一方、3kgf/cm2のキャリアガスを495cc/minで流し、反応管44内をキャリアガスで十分満たした後、バルブ40を開放した。ガス出口7における温度は67℃より低かった。
気化管20内を200℃、反応管44からガスパック46までの区間及びガスパックを100℃、反応管44内を300℃〜600℃に加熱した。
リザーブタンク内をキャリアガスで加圧し、マスフローコントローラで所定の液体を流した。
Sr(DPM)2、Bi(C6H5)3、Ta(OC2H5)5、THFをそれぞれ0.04cc/min、0.08cc/min、0.08cc/min、0.2cc/minの流量で流した。
20分後ガスパック46直前のバルブを開きガスパック46内に反応生成物を回収し、ガスクロマトグラフにて分析し、検出された生成物と反応理論に基づき検討した反応式中の生成物が一致するかどうかを調べた。その結果、本例においては、検出された生成物と反応理論に基づき検討した反応式中の生成物はよく一致した。
また、分散部本体1のガス出口7側の外面における炭化物の付着量を測定した。その結果、炭化物の付着量はごくわずかであり、図14に示す装置を用いた場合よりさらに少なかった。
また、分散部本体1のガス出口7側の外面における炭化物の付着量を測定した。その結果、炭化物の付着量はごくわずかであり、図14に示す装置を用いた場合よりさらに少なかった。
なお、溶媒に膜原料となる金属を混合あるいは溶解させ原料溶液とした場合、該原料溶液は、金属は錯体となり、液体/液体状態(完全溶媒液)となるのが一般的である。しかし、本発明者は原料溶液を綿密に調べたところ、必ずしも金属錯体はバラバラの分子状態のものとはならず、金属錯体そのものが溶媒中で、1〜100nmの大きさの微粒子として存在する場合もあり、固体/液体状態として一部存在する場合もあることを知見した。気化時の目詰まりはかかる状態の原料溶液の時に特に生じやすいと考えられるが、本発明の気化器を用いた場合には、かかる状態の原料溶液の場合であっても目詰まりは生じない。
また、原料溶液の保存する溶液中では、微粒子がその重力のために底部に沈降しやすい。
そこで、底部を加熱(あくまでも溶媒の蒸発点以下に)することにより保存溶液内において対流を生じせしめ微粒子を均一分散せしめることが目詰まり防止上好ましい。また、底部を加熱するとともに容器上面の側面は冷却することがより好ましい。もちろん溶剤の蒸発温度以下の温度で加熱を行う。
そこで、底部を加熱(あくまでも溶媒の蒸発点以下に)することにより保存溶液内において対流を生じせしめ微粒子を均一分散せしめることが目詰まり防止上好ましい。また、底部を加熱するとともに容器上面の側面は冷却することがより好ましい。もちろん溶剤の蒸発温度以下の温度で加熱を行う。
(実施例2)
図5に実施例2に係るMOCVD用気化器を示す。
本例では、輻射防止部102の外周に冷却水通路106を形成し、また、接続部23の外周には冷却手段50を設け、輻射防止部102の冷却を行った。
また、細孔101の出口周辺にくぼみ107を設けた。
他の点は実施例1と同様とした。
本例においては、検出された生成物と反応理論に基づき検討した反応式中の生成物は実施例1の場合よりも良好な一致が見られた。
また、分散部本体1のガス出口7側の外面における炭化物の付着量を測定した結果は、炭化物の付着量は実施例1の場合の約1/3倍であった。
図5に実施例2に係るMOCVD用気化器を示す。
本例では、輻射防止部102の外周に冷却水通路106を形成し、また、接続部23の外周には冷却手段50を設け、輻射防止部102の冷却を行った。
また、細孔101の出口周辺にくぼみ107を設けた。
他の点は実施例1と同様とした。
本例においては、検出された生成物と反応理論に基づき検討した反応式中の生成物は実施例1の場合よりも良好な一致が見られた。
また、分散部本体1のガス出口7側の外面における炭化物の付着量を測定した結果は、炭化物の付着量は実施例1の場合の約1/3倍であった。
(実施例3)
図6に実施例3に係るMOCVD用気化器を示す。
本例では、輻射防止部102にテーパー51を設けてある。かかるテーパー51のためその部分のデッドゾーンが無くなり、原料の滞留を防止することができる。
他の点は実施例2と同様とした。
本例においては、検出された生成物と反応理論に基づき検討した反応式中の生成物は実施例2の場合よりも良好な一致が見られた。
また、分散部本体1のガス出口7側の外面における炭化物の付着量を測定した結果は、炭化物の付着量は皆無に近かった。
図6に実施例3に係るMOCVD用気化器を示す。
本例では、輻射防止部102にテーパー51を設けてある。かかるテーパー51のためその部分のデッドゾーンが無くなり、原料の滞留を防止することができる。
他の点は実施例2と同様とした。
本例においては、検出された生成物と反応理論に基づき検討した反応式中の生成物は実施例2の場合よりも良好な一致が見られた。
また、分散部本体1のガス出口7側の外面における炭化物の付着量を測定した結果は、炭化物の付着量は皆無に近かった。
(実施例4)
図7にガス通路の変形実施例を示す。
図7(a)ではロッド10の表面に溝70を形成してあり、ロッド10の外径を分散部本体1の内部にあけた孔の内径とほぼ同一としてある。従って、ロッド10を孔にはめ込むだけで、偏心することなく孔内にロッド10を配置することができる。また、ビスなどを用いる必要もない。この溝70がガス通路となる。
なお、溝70はロッド10の長手方向中心軸と平行に複数本形成してもよいが、ロッド10の表面に螺旋状に形成してもよい。螺旋状の場合にはより均一性に優れた原料ガスを得ることができる。
図7(b)はロッド10の先端部に混合部を設けた例である。先端部の最も大きな径を分散部本体1の内部にあけた孔の内径とほぼ同一としてある。ロッド先端部と孔の内面とで形成される空間がガス通路となる。
なお、(a)、(b)に示した例は、ロッド10の表面に加工を施してた例であるが、ロッドとして断面円形のものを用い、孔の方に凹部を設けてガス通路としてもよいことはいうまでもない。なお、ロッドの設置は、例えば、JISに規定するH7×h6〜JS7程度で行うことが好ましい。
図7にガス通路の変形実施例を示す。
図7(a)ではロッド10の表面に溝70を形成してあり、ロッド10の外径を分散部本体1の内部にあけた孔の内径とほぼ同一としてある。従って、ロッド10を孔にはめ込むだけで、偏心することなく孔内にロッド10を配置することができる。また、ビスなどを用いる必要もない。この溝70がガス通路となる。
なお、溝70はロッド10の長手方向中心軸と平行に複数本形成してもよいが、ロッド10の表面に螺旋状に形成してもよい。螺旋状の場合にはより均一性に優れた原料ガスを得ることができる。
図7(b)はロッド10の先端部に混合部を設けた例である。先端部の最も大きな径を分散部本体1の内部にあけた孔の内径とほぼ同一としてある。ロッド先端部と孔の内面とで形成される空間がガス通路となる。
なお、(a)、(b)に示した例は、ロッド10の表面に加工を施してた例であるが、ロッドとして断面円形のものを用い、孔の方に凹部を設けてガス通路としてもよいことはいうまでもない。なお、ロッドの設置は、例えば、JISに規定するH7×h6〜JS7程度で行うことが好ましい。
(実施例5)
図8に基づき実施例5を説明する。
本例のMOCVD用気化器は、内部に形成されたガス通路と、ガス通路に加圧されたキャリアガス3を導入するためのガス導入口4と、ガス通路に原料溶液5a,5bを供給するための手段と、原料溶液5a、5bを含むキャリアガスを気化部22に送るためのガス出口7と、を有する分散部8と、一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が前ガス出口7に接続された気化管20と、気化管20を加熱するための加熱手段と、を有し、分散部8から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部22と、を有し、分散部8は、円筒状中空部を有する分散部本体1と、円筒状中空部の内径より小さな外径を有するロッド10とを有し、ロッド10の外周の気化器22側に1又は2以上の螺旋状の溝60を有し、ロッド10は該円筒状中空部に挿入され、ガス出口7の外側に、細孔101を有し、気化器22側に向かい内径がテーパー状に広がる輻射防止部101を設けてある。
高速のキャリアガス3が流れるガス通路に原料溶液5が供給されると、原料溶液は剪断・霧化される。すなわち、液体である原料溶液は、キャリアガスの高速流により剪断され、粒子化される。粒子化した原料溶液は粒子状態でキャリアガス中に分散しする。この点は、実施例1と同様である。
図8に基づき実施例5を説明する。
本例のMOCVD用気化器は、内部に形成されたガス通路と、ガス通路に加圧されたキャリアガス3を導入するためのガス導入口4と、ガス通路に原料溶液5a,5bを供給するための手段と、原料溶液5a、5bを含むキャリアガスを気化部22に送るためのガス出口7と、を有する分散部8と、一端がMOCVD装置の反応管に接続され、他端が前ガス出口7に接続された気化管20と、気化管20を加熱するための加熱手段と、を有し、分散部8から送られてきた、原料溶液を含むキャリアガスを加熱して気化させるための気化部22と、を有し、分散部8は、円筒状中空部を有する分散部本体1と、円筒状中空部の内径より小さな外径を有するロッド10とを有し、ロッド10の外周の気化器22側に1又は2以上の螺旋状の溝60を有し、ロッド10は該円筒状中空部に挿入され、ガス出口7の外側に、細孔101を有し、気化器22側に向かい内径がテーパー状に広がる輻射防止部101を設けてある。
高速のキャリアガス3が流れるガス通路に原料溶液5が供給されると、原料溶液は剪断・霧化される。すなわち、液体である原料溶液は、キャリアガスの高速流により剪断され、粒子化される。粒子化した原料溶液は粒子状態でキャリアガス中に分散しする。この点は、実施例1と同様である。
なお、剪断・霧化を最適に行うためには、次ぎの条件が好ましい。
原料溶液5の供給は、0.005〜2cc/minで行うことが好ましく、0.005〜0.02c/minで行うことがより好ましく、0.1〜0.3cc/minで行うことがさらに好ましい。複数の原料溶液(溶剤を含む)を同時に供給する場合には、そのトータル量である。
また、キャリアガスは、10〜200m/secの速度で供給することが好ましく、100〜200m/secがより好ましい。
原料溶液5の供給は、0.005〜2cc/minで行うことが好ましく、0.005〜0.02c/minで行うことがより好ましく、0.1〜0.3cc/minで行うことがさらに好ましい。複数の原料溶液(溶剤を含む)を同時に供給する場合には、そのトータル量である。
また、キャリアガスは、10〜200m/secの速度で供給することが好ましく、100〜200m/secがより好ましい。
原料溶液流量とキャリアガス流量は相関関係が有り、最適なせん断・霧化を実現し、超微粒子ミストが得られる流路断面積と形状を選択することは言うまでのない。
本例では、ロッド10の外周には、螺旋状の溝60が形成してあり、かつ、分散部本体1とロッド10との間には隙間空間が存在するため、霧化状態となった原料溶液を含むキャリアガスはこの隙間空間を直進流として直進するとともに、螺旋状の溝60に沿って旋回流を形成する。
このように、直進流と旋回流とが併存する状態において霧化した原料溶液はキャリアガス中に一様に分散することを本発明者は見いだしたのである。直進流と旋回流とが併存すると何故に一様の分散が得られるのかの理由は必ずしも明らかではないが、次のように考えられる。旋回流の存在により、流れに遠心力が働き、二次の流れが生じる。この二次の流れにより、原料及びキャリアガスの混合が促進される。すなわち、旋回流の遠心効果により流れに対して直角方向に2次的な派生流が生じ、これによって霧化した原料溶液がキャリアガス中により一様に分散するものと思われる。
本例では、ロッド10の外周には、螺旋状の溝60が形成してあり、かつ、分散部本体1とロッド10との間には隙間空間が存在するため、霧化状態となった原料溶液を含むキャリアガスはこの隙間空間を直進流として直進するとともに、螺旋状の溝60に沿って旋回流を形成する。
このように、直進流と旋回流とが併存する状態において霧化した原料溶液はキャリアガス中に一様に分散することを本発明者は見いだしたのである。直進流と旋回流とが併存すると何故に一様の分散が得られるのかの理由は必ずしも明らかではないが、次のように考えられる。旋回流の存在により、流れに遠心力が働き、二次の流れが生じる。この二次の流れにより、原料及びキャリアガスの混合が促進される。すなわち、旋回流の遠心効果により流れに対して直角方向に2次的な派生流が生じ、これによって霧化した原料溶液がキャリアガス中により一様に分散するものと思われる。
以下、本実施例をより詳細に説明する。
本実施例では、一例として4種類の原料溶液5a、5b、5c、5d(5a、5b、5cは有機金属原料、5dはTHFなどの溶剤原料)をガス通路に供給するように構成されている。
それぞれ霧化し、超微粒子状となった原料溶液を含むキャリアガス(「原料ガス」という)を混合するために、本例では、ロッド10の原料供給孔6に対応する部分の下流部分に螺旋状の溝のない部分を設けてある。この部分はプレミキシング部65となる。プレミキシング部65において、3種類の有機金属の原料ガスはある程度混合され、さらに、下流の螺旋構造の領域において完全な混合原料ガスとなる。均一な混合原料ガスを得るためには、このミキシング部65の長さは、5〜20mmが好ましく、8〜15mmがより好ましい。この範囲外の場合、3種類の有機金属の原料ガスのうち1種類のみの濃度が高い混合原料ガスが気化部22に送られてしまうことがある。
本例では、ロッド10の上流側の端部66には、平行部67とテーパー部58とを設けてある。分散部本体1の円筒中空部にも平行部67とテーパー部58に対応した、ロッド10の平行部67の外径と同じ内径の平行部と、ロッド10のテーパーと同じテーパーのテーパー部とを設けてある。従って、ロッド10を図面上左側から挿入すれば、ロッド10は分散部本体1の中空部内に保持される。
本実施例では、一例として4種類の原料溶液5a、5b、5c、5d(5a、5b、5cは有機金属原料、5dはTHFなどの溶剤原料)をガス通路に供給するように構成されている。
それぞれ霧化し、超微粒子状となった原料溶液を含むキャリアガス(「原料ガス」という)を混合するために、本例では、ロッド10の原料供給孔6に対応する部分の下流部分に螺旋状の溝のない部分を設けてある。この部分はプレミキシング部65となる。プレミキシング部65において、3種類の有機金属の原料ガスはある程度混合され、さらに、下流の螺旋構造の領域において完全な混合原料ガスとなる。均一な混合原料ガスを得るためには、このミキシング部65の長さは、5〜20mmが好ましく、8〜15mmがより好ましい。この範囲外の場合、3種類の有機金属の原料ガスのうち1種類のみの濃度が高い混合原料ガスが気化部22に送られてしまうことがある。
本例では、ロッド10の上流側の端部66には、平行部67とテーパー部58とを設けてある。分散部本体1の円筒中空部にも平行部67とテーパー部58に対応した、ロッド10の平行部67の外径と同じ内径の平行部と、ロッド10のテーパーと同じテーパーのテーパー部とを設けてある。従って、ロッド10を図面上左側から挿入すれば、ロッド10は分散部本体1の中空部内に保持される。
本例では、実施例1の場合とは異なり、ロッド10にテーパーを設けて保持しているため、3kgf/cm2よりも高圧のキャリアガスを用いてもロッド10の移動を防止することができる。すなわち、図8に示す保持技術を採用すれば、3kg/cm2以上の圧力でキャリアガスを流すことができる。その結果、ガス通路の断面積を小さくして、少量のガスでより高速のキャリアガスの供給が可能となる。すなわち、50〜300mm/secの高速のキャリアガスの供給も可能となる。前記した他の実施例においてもこの保持技術を採用すれば同様である。
なお、ロッド10の原料供給孔6に対応する部分には、図9(b)に示すように、キャリアガスの通路として溝67a、67b、67c、67dを形成しておく。各溝67a、67b、67c、67の深さとしては、0.005〜0.1mmが好ましい。0.005mm未満では溝の成形加工が困難となる。また、0.01〜0.05がより好ましい。この範囲とすることにより目詰まりなどの発生がなくなる。また、高速流が得られやすい。
なお、ロッド10の原料供給孔6に対応する部分には、図9(b)に示すように、キャリアガスの通路として溝67a、67b、67c、67dを形成しておく。各溝67a、67b、67c、67の深さとしては、0.005〜0.1mmが好ましい。0.005mm未満では溝の成形加工が困難となる。また、0.01〜0.05がより好ましい。この範囲とすることにより目詰まりなどの発生がなくなる。また、高速流が得られやすい。
ロッド10の保持、ガス通路の形成については、実施例1における図1に示す構成その他の構成を採用してもかまわない。
螺旋状の溝60は、図9(a)に示すように、1本でもよいが、図10に示すように複数本でもよい。また、螺旋状の溝を複数本形成する場合には、クロスさせてもよい。クロスさせた場合には、より均一に分散した原料ガスが得られる。但し、各溝に対するガス流速は10m/sec以上が得られる断面積とする。
螺旋状の溝60の寸法・形状には特に限定されず、図9(c)に示した寸法・形状が一例としてあげられる。
螺旋状の溝60は、図9(a)に示すように、1本でもよいが、図10に示すように複数本でもよい。また、螺旋状の溝を複数本形成する場合には、クロスさせてもよい。クロスさせた場合には、より均一に分散した原料ガスが得られる。但し、各溝に対するガス流速は10m/sec以上が得られる断面積とする。
螺旋状の溝60の寸法・形状には特に限定されず、図9(c)に示した寸法・形状が一例としてあげられる。
なお、本例では、図8に示すとおり、ガス通路は、冷却水18により冷却している。
また、本例では、分散部22の入口手前において、拡張部69を独立して設けてあり、この拡張部に長手の輻射防止部102が配置してある。輻射防止部のガス出口7側は細孔101が形成され、気化器側に向かい内径がテーパー状に広がっている。
この拡張部69は実施例3において、述べた原料ガスの滞留を防止するための部分でもある。もちろん、拡張部69を独立して設ける必要はなく、図6に示したように一体化した構成としてもよい。
拡張部69における拡張角度θとしては、5〜10度が好ましい。θがこの範囲内の場合、旋回流を壊すことなく原料ガスを分散部に供給することができる。また、θがこの範囲内の場合、拡大による流体抵抗が最小となり、また、デッドの存在が最小となり、デッドゾーンの存在による渦流の存在を最小にすることができる。なお、θとしては、6〜7度がより好ましい。なお、図6に示した実施例の場合においても好ましいθの範囲は同様である。
また、本例では、分散部22の入口手前において、拡張部69を独立して設けてあり、この拡張部に長手の輻射防止部102が配置してある。輻射防止部のガス出口7側は細孔101が形成され、気化器側に向かい内径がテーパー状に広がっている。
この拡張部69は実施例3において、述べた原料ガスの滞留を防止するための部分でもある。もちろん、拡張部69を独立して設ける必要はなく、図6に示したように一体化した構成としてもよい。
拡張部69における拡張角度θとしては、5〜10度が好ましい。θがこの範囲内の場合、旋回流を壊すことなく原料ガスを分散部に供給することができる。また、θがこの範囲内の場合、拡大による流体抵抗が最小となり、また、デッドの存在が最小となり、デッドゾーンの存在による渦流の存在を最小にすることができる。なお、θとしては、6〜7度がより好ましい。なお、図6に示した実施例の場合においても好ましいθの範囲は同様である。
(実施例6)
図8に示す装置を用い、次ぎなる条件で原料溶液及びキャリアガスの供給を行い、原料ガスにおける均一性を調べた。
図8に示す装置を用い、次ぎなる条件で原料溶液及びキャリアガスの供給を行い、原料ガスにおける均一性を調べた。
原料溶液を原料供給孔6から供給するとともにキャリアガスをその速度を各種変化させた。なお、原料供給孔からは、溝67aにはSr(DPM)2、溝67bにはBi(C6H5)3、溝67cにはTa(OC2H5)5、溝67dにはTHFなどの溶剤をそれぞれ供給した。
気化部における加熱を行わず、ガス出口7において原料ガスを採取し、採取した原料ガスにおける原料溶液の粒子径の測定を行った。
気化部における加熱を行わず、ガス出口7において原料ガスを採取し、採取した原料ガスにおける原料溶液の粒子径の測定を行った。
その結果を相対値(図12(a)に示す従来例に係る装置を用いた場合を1とする)として図11に示す。図11からわかるように、流速を50m/sec以上とすることにより分散粒子径は小さくなり、100m/sec以上とすることにより分散粒子径はさらに小さくなる。ただ、200m/sec以上としても分散粒子径は飽和する。従って、100〜200m/secがより好ましい範囲である。
(実施例7)
本例では、ロッドとして螺旋溝を形成したロッドを使用した。
他の点は実施例6と同様とした。
実施例6では、溝の延長部において、溝に供給された原料溶液の濃度が濃かった。すなわち、すなわち、溝67aの延長部では、Sr(DPM)2が、溝67bの延長部ではBi(C6H5)3が、溝67cの延長部ではTa(OC2H5)5がそれぞれ他の濃度が高かった。
しかし、本例では、螺旋溝の端において得られた混合原料ガスはどの部分においても各有機金属原料が均一であった。
本例では、ロッドとして螺旋溝を形成したロッドを使用した。
他の点は実施例6と同様とした。
実施例6では、溝の延長部において、溝に供給された原料溶液の濃度が濃かった。すなわち、すなわち、溝67aの延長部では、Sr(DPM)2が、溝67bの延長部ではBi(C6H5)3が、溝67cの延長部ではTa(OC2H5)5がそれぞれ他の濃度が高かった。
しかし、本例では、螺旋溝の端において得られた混合原料ガスはどの部分においても各有機金属原料が均一であった。
(実施例8)
図12及び図13に実施例8を示す。
従来、酸素の導入は、図2に示すように、気化部22の下流においてのみ行われていた。
従来の技術において形成された膜中に炭素が大量に含有されていることは従来の技術の欄において述べて通りである。また、原料における組成配分と成膜された膜中における組成配分とにはズレが生じていた。すなわち、原料を化学量論比通りの組成比に調整して気化、成膜を行った場合、実際に成膜された膜は化学量論比からずれた組成の膜となってしまっていた。特に、ビスマスが殆んど含有されない(0.1at%程度)現象が観察された。
図12及び図13に実施例8を示す。
従来、酸素の導入は、図2に示すように、気化部22の下流においてのみ行われていた。
従来の技術において形成された膜中に炭素が大量に含有されていることは従来の技術の欄において述べて通りである。また、原料における組成配分と成膜された膜中における組成配分とにはズレが生じていた。すなわち、原料を化学量論比通りの組成比に調整して気化、成膜を行った場合、実際に成膜された膜は化学量論比からずれた組成の膜となってしまっていた。特に、ビスマスが殆んど含有されない(0.1at%程度)現象が観察された。
本発明者はこの原因が酸素の導入位置に関係することを見いだした。すなわち、図20に示すように、酸素をガス導入口4 及び 噴出口直近二次酸素供給口200 及び 酸素導入口(一次酸素供給口)25からキャリアガスとともに導入すれば、形成された膜中の組成は、原料溶液中の組成との間の組成比のずれは極めて小さなものとすることができることがわかった。
なお、予めキャリアガスと酸素とを混合しておき、その混合ガスをガス導入口4から導入してもよい。
なお、予めキャリアガスと酸素とを混合しておき、その混合ガスをガス導入口4から導入してもよい。
(実施例9)
本例は、強誘電体SBT膜の形成例である。
図19、20に示す気化器、図21に示すCVD装置を用いて、SBT膜を形成し、さらに分極特性等を評価した。
具体的には気化器の条件及び反応室の条件は下記のように制御し、酸化したシリコン基板上に、白金200nmを形成した基板上に、SBT薄膜を形成した。
具体的条件:
ヘキサエトキシ・ストロンチウムタンタルSr[Ta(OC2H5)6]20.1モル溶液(溶媒:ヘキサン)0.02ml/min
トリ−t−アミロキシドビスマス Bi(O−t−C5H11)30.2モル溶液(溶媒:ヘキサン)0.02ml/min
第一キャリア Ar=200sccm(ガス導入口4から入れる)
第一キャリア O2=10sccm(ガス導入口4から入れる)
第二キャリア Ar=20sccm(ガス導入口200から入れる)
第二キャリア O2=10sccm(ガス導入口200から入れる
反応酸素 O2=200sccm(分散噴出部 下部25から入れる)
反応酸素温度 216℃(分散噴出部 下部から入れる前に別途設けたヒーターで温度制御)
ウエーハ温度 475℃
空間温度 299℃
空間距離 30mm
シャワーヘッド温度 201℃
反応圧力 1Torr
成膜時間 20分
その結果、
SBT膜厚さ 約300nm (堆積速度 約150nm/min)
SBT組成 Sr 6.9at%
Bi 14.1at%
Ta 14.1at%
O 61.4at%
C 3.5at%
本例は、強誘電体SBT膜の形成例である。
図19、20に示す気化器、図21に示すCVD装置を用いて、SBT膜を形成し、さらに分極特性等を評価した。
具体的には気化器の条件及び反応室の条件は下記のように制御し、酸化したシリコン基板上に、白金200nmを形成した基板上に、SBT薄膜を形成した。
具体的条件:
ヘキサエトキシ・ストロンチウムタンタルSr[Ta(OC2H5)6]20.1モル溶液(溶媒:ヘキサン)0.02ml/min
トリ−t−アミロキシドビスマス Bi(O−t−C5H11)30.2モル溶液(溶媒:ヘキサン)0.02ml/min
第一キャリア Ar=200sccm(ガス導入口4から入れる)
第一キャリア O2=10sccm(ガス導入口4から入れる)
第二キャリア Ar=20sccm(ガス導入口200から入れる)
第二キャリア O2=10sccm(ガス導入口200から入れる
反応酸素 O2=200sccm(分散噴出部 下部25から入れる)
反応酸素温度 216℃(分散噴出部 下部から入れる前に別途設けたヒーターで温度制御)
ウエーハ温度 475℃
空間温度 299℃
空間距離 30mm
シャワーヘッド温度 201℃
反応圧力 1Torr
成膜時間 20分
その結果、
SBT膜厚さ 約300nm (堆積速度 約150nm/min)
SBT組成 Sr 6.9at%
Bi 14.1at%
Ta 14.1at%
O 61.4at%
C 3.5at%
形成された膜中の組成は、原料溶液中の組成との間の組成比のずれは小さく、堆積速度も従来比 約5倍になった。少量の酸素をガス導入口4からキャリアガスとともに導入する効果は極めて大きい事がわかる。カーボン含有量も3.5 at%と少ない。反応酸素200cc/minを、分散噴出部下部から入れる前に別途設けたヒーターで正確に温度制御(216℃)したため、気化した、有機金属化合物の再凝縮・昇華(固化)を抑制する効果が大きい事が、気化管下部の汚れが無くなった事から確認できた。このSBT薄膜形成後、酸素雰囲気で550℃、30分の結晶化処理を行い、上部電極を形成して測定評価した所、優れた結晶化特性と分極特性を示した。これを図17、18 に示した。
ガス導入口4または噴出口直近の一次酸素供給口から酸素等の酸化性ガスを導入しさえすれば、図2に示すように、気化部の下流において同時に酸素を導入して酸素の量を適宜制御することが、より組成比のズレを小さくし、また、炭素含有量を減少させる上から好ましい。
形成された膜中における炭素の含有量を従来の5%〜20%に減少させることができる。
図20を用いて、SBT薄膜堆積プロセスを説明する。
バルブ2を開き、バルブ1を閉じて、反応チャンバーを高真空に引き、数分後にロードロックチャンバーから、反応チャンバーへウエーハを移載する。この時 気化器には、
ヘキサエトキシ・ストロンチウムタンタルSr[Ta(OC2H5)6]20.1モル溶液(溶媒:ヘキサン)
0.02ml/min
トリ−t−アミロキシドビスマス Bi(O−t−C5H11)30.2モル溶液(溶媒
:ヘキサン)
0.02ml/min
第一キャリア Ar=200sccm(ガス導入口4から入れる)
第一キャリア O2=10sccm(ガス導入口4から入れる)
が流れており、バルブ2 及び圧力自動調整弁を経由して、真空ポンプへ引かれている。
この時 圧力計は、圧力自動調整弁によって、4Torr に制御される。
ウエーハを移載し 数分後 温度が安定したら、バルブ1を開き、バルブ2を閉じて、反応チャンバーへ下記のガスを流して、堆積を開始する。
ヘキサエトキシ・ストロンチウムタンタルSr[Ta(OC2H5)6]20.1モル溶液(溶媒:ヘキサン)
0.02ml/min
トリ−t−アミロキシドビスマス Bi(O−t−C5H11)30.2モル溶液(溶媒:ヘキサン)
0.02ml/min
第一キャリア Ar=200sccm(ガス導入口4から入れる)
第一キャリア O2=10sccm(ガス導入口4から入れる)
第2キャリア Ar=20sccm(ガス導入口200から入れる)
O2=10sccm(ガス導入口200から入れる)
反応酸素 O2=200sccm(分散噴出部下部25から入れる)
反応酸素温度 216℃(分散噴出部下部から入れる前に別途設けたヒーターで温度制御)
ウエーハ温度 475℃
反応圧力チャンバー圧力は、1Torr に制御する。(記載されていない圧力自動調整弁による)
所定の時間(此処では20分)が経過したら、バルブ2を開き、バルブ1を閉じて、堆積を終了する。
図20を用いて、SBT薄膜堆積プロセスを説明する。
バルブ2を開き、バルブ1を閉じて、反応チャンバーを高真空に引き、数分後にロードロックチャンバーから、反応チャンバーへウエーハを移載する。この時 気化器には、
ヘキサエトキシ・ストロンチウムタンタルSr[Ta(OC2H5)6]20.1モル溶液(溶媒:ヘキサン)
0.02ml/min
トリ−t−アミロキシドビスマス Bi(O−t−C5H11)30.2モル溶液(溶媒
:ヘキサン)
0.02ml/min
第一キャリア Ar=200sccm(ガス導入口4から入れる)
第一キャリア O2=10sccm(ガス導入口4から入れる)
が流れており、バルブ2 及び圧力自動調整弁を経由して、真空ポンプへ引かれている。
この時 圧力計は、圧力自動調整弁によって、4Torr に制御される。
ウエーハを移載し 数分後 温度が安定したら、バルブ1を開き、バルブ2を閉じて、反応チャンバーへ下記のガスを流して、堆積を開始する。
ヘキサエトキシ・ストロンチウムタンタルSr[Ta(OC2H5)6]20.1モル溶液(溶媒:ヘキサン)
0.02ml/min
トリ−t−アミロキシドビスマス Bi(O−t−C5H11)30.2モル溶液(溶媒:ヘキサン)
0.02ml/min
第一キャリア Ar=200sccm(ガス導入口4から入れる)
第一キャリア O2=10sccm(ガス導入口4から入れる)
第2キャリア Ar=20sccm(ガス導入口200から入れる)
O2=10sccm(ガス導入口200から入れる)
反応酸素 O2=200sccm(分散噴出部下部25から入れる)
反応酸素温度 216℃(分散噴出部下部から入れる前に別途設けたヒーターで温度制御)
ウエーハ温度 475℃
反応圧力チャンバー圧力は、1Torr に制御する。(記載されていない圧力自動調整弁による)
所定の時間(此処では20分)が経過したら、バルブ2を開き、バルブ1を閉じて、堆積を終了する。
反応チャンバーを高真空に引いて反応ガスを完全に除去して、1分後にロードロックチャンバーへウエーハを取り出す。
上記実施例により、有機金属材料が均一分散された気化ガスを得ることができ、固体材料を溶媒に溶解し気化される事により、高品質の強誘電体薄膜を再現性良く、作成する事ができる。
導電体薄膜・金属薄膜・酸化物導電体薄膜についても、固体材料を用いて上記と同様に再現性良く、高品質の薄膜を作成する事ができる。
誘電体薄膜 BST,STO,TaOx,
金属薄膜 Ir,Ru,Cu,Ti,TiN,Ta,TaN,SRO,
酸化物導電体薄膜 Ir,IrOx,Ru,RuOx
表2に誘電体薄膜・金属薄膜・酸化物導電体薄膜の原材料の特性 を示した。一例を下記に示す。
上記実施例により、有機金属材料が均一分散された気化ガスを得ることができ、固体材料を溶媒に溶解し気化される事により、高品質の強誘電体薄膜を再現性良く、作成する事ができる。
導電体薄膜・金属薄膜・酸化物導電体薄膜についても、固体材料を用いて上記と同様に再現性良く、高品質の薄膜を作成する事ができる。
誘電体薄膜 BST,STO,TaOx,
金属薄膜 Ir,Ru,Cu,Ti,TiN,Ta,TaN,SRO,
酸化物導電体薄膜 Ir,IrOx,Ru,RuOx
表2に誘電体薄膜・金属薄膜・酸化物導電体薄膜の原材料の特性 を示した。一例を下記に示す。
(実施例10)
本例は、BST薄膜形成例と電子デバイス試作例についての実施例である。図19、20に示す気化器、図21に示すCVD装置を用いて、BST膜を形成し、さらに誘電率等を評価した。具体的には気化器の条件及び反応室の条件は下記のように制御し、酸化したシリコン基板上に、白金200nmを形成した基板上に、BST薄膜を形成した。
具体的条件:
ヘキサエトキシ・ストロンチウムチタンSr[Ti(OC2H5)6]20.1モル溶液(溶媒:ヘキサン)
0.02ml/min
トリ−t−アミロキシドバリウム Ba(O−t−C5H11)30.2モル溶液(溶媒:ヘキサン)
0.02ml/min
第一キャリア Ar=200sccm(ガス導入口4から入れる)
第一キャリア O2=10sccm(ガス導入口4から入れる)
第二キャリア Ar=20sccm(ガス導入口200から入れる)
第二キャリア O2=10sccm(ガス導入口200から入れる
反応酸素 O2=200sccm(分散噴出部下部25から入れる)
反応酸素温度 216℃(分散噴出部下部から入れる前に別途設けたヒーターで温度制御)
ウエーハ温度 475℃
空間温度 299℃
空間距離 30mm
シャワーヘッド温度 201℃
反応圧力 1Torr
成膜時間 1分
その結果
BST膜厚さ、約5nm(堆積速度、約5nm/min)
BST組成 Ba 50.2at%
Sr 25.1at%
Ti 24.7at%
このBST薄膜成後、酸素雰囲気で650℃、30分の結晶化処理を行い、上部電極を形成して測定評価した所、誘電率250が得られた。
本例は、BST薄膜形成例と電子デバイス試作例についての実施例である。図19、20に示す気化器、図21に示すCVD装置を用いて、BST膜を形成し、さらに誘電率等を評価した。具体的には気化器の条件及び反応室の条件は下記のように制御し、酸化したシリコン基板上に、白金200nmを形成した基板上に、BST薄膜を形成した。
具体的条件:
ヘキサエトキシ・ストロンチウムチタンSr[Ti(OC2H5)6]20.1モル溶液(溶媒:ヘキサン)
0.02ml/min
トリ−t−アミロキシドバリウム Ba(O−t−C5H11)30.2モル溶液(溶媒:ヘキサン)
0.02ml/min
第一キャリア Ar=200sccm(ガス導入口4から入れる)
第一キャリア O2=10sccm(ガス導入口4から入れる)
第二キャリア Ar=20sccm(ガス導入口200から入れる)
第二キャリア O2=10sccm(ガス導入口200から入れる
反応酸素 O2=200sccm(分散噴出部下部25から入れる)
反応酸素温度 216℃(分散噴出部下部から入れる前に別途設けたヒーターで温度制御)
ウエーハ温度 475℃
空間温度 299℃
空間距離 30mm
シャワーヘッド温度 201℃
反応圧力 1Torr
成膜時間 1分
その結果
BST膜厚さ、約5nm(堆積速度、約5nm/min)
BST組成 Ba 50.2at%
Sr 25.1at%
Ti 24.7at%
このBST薄膜成後、酸素雰囲気で650℃、30分の結晶化処理を行い、上部電極を形成して測定評価した所、誘電率250が得られた。
(実施例11)
本例は、金属Ir薄膜の形成例である。
図19、20に示す気化器、図21に示すCVD装置を用いて、金属Ir薄膜を形成した。具体的には気化器の条件及び反応室の条件は下記のように制御し、酸化したシリコン基板上に、金属Ir薄膜を形成した。
具体的条件
Ir(EtCp)(cod)0.1モル溶液(溶媒:ヘキサン) 0.5ml/min
第一キャリア Ar=200sccm(ガス導入口4から入れる)
第一キャリア O2= 10sccm(ガス導入口4から入れる)
第二キャリア Ar= 20sccm(ガス導入口200から入れる)
第二キャリア O2= 10sccm(ガス導入口200から入れる
反応酸素 O2=200sccm(分散噴出部下部25から入れる)
反応酸素温度 216℃(分散噴出部下部から入れる前に別途設けたヒーターで温度制御)
ウエーハ温度 400℃
空間温度 290℃
空間距離 30mm
気化器温度 150℃
シャワーヘッド温度 180℃
反応圧力 2Torr
成膜時間 5分
その結果
Ir膜厚さ、約150nm(堆積速度、約30nm/min)
第一キャリアAr=200sccm+O2=10sccm(ガス導入口4から入れる)に酸素を加えることにより、Ru金属薄膜の堆積厚さは、反応時間に直線的に比例する。本気化器における気化管は、SBT薄膜堆積と同様に、Ir(EtCp)(cod)の酸化反応を一部分進行させる効果が確認された。
本例は、金属Ir薄膜の形成例である。
図19、20に示す気化器、図21に示すCVD装置を用いて、金属Ir薄膜を形成した。具体的には気化器の条件及び反応室の条件は下記のように制御し、酸化したシリコン基板上に、金属Ir薄膜を形成した。
具体的条件
Ir(EtCp)(cod)0.1モル溶液(溶媒:ヘキサン) 0.5ml/min
第一キャリア Ar=200sccm(ガス導入口4から入れる)
第一キャリア O2= 10sccm(ガス導入口4から入れる)
第二キャリア Ar= 20sccm(ガス導入口200から入れる)
第二キャリア O2= 10sccm(ガス導入口200から入れる
反応酸素 O2=200sccm(分散噴出部下部25から入れる)
反応酸素温度 216℃(分散噴出部下部から入れる前に別途設けたヒーターで温度制御)
ウエーハ温度 400℃
空間温度 290℃
空間距離 30mm
気化器温度 150℃
シャワーヘッド温度 180℃
反応圧力 2Torr
成膜時間 5分
その結果
Ir膜厚さ、約150nm(堆積速度、約30nm/min)
第一キャリアAr=200sccm+O2=10sccm(ガス導入口4から入れる)に酸素を加えることにより、Ru金属薄膜の堆積厚さは、反応時間に直線的に比例する。本気化器における気化管は、SBT薄膜堆積と同様に、Ir(EtCp)(cod)の酸化反応を一部分進行させる効果が確認された。
(実施例12)
本例は、金属Ru薄膜の堆積例である。
図19、20に示す気化器、図21に示すCVD装置を用いて、金属Ru薄膜を形成し、さらに電気特性等を評価した。具体的には気化器の条件及び反応室の条件は下記のように制御し、酸化したシリコン基板上に、金属Ru薄膜を形成した。
具体的条件
Ru(EtCp)20.1モル溶液(溶媒:ヘキサン) 0.5ml/min
第一キャリア Ar=200sccm(ガス導入口4から入れる)
第一キャリア O2=10sccm(ガス導入口4から入れる)
第二キャリア Ar=20sccm(ガス導入口200から入れる)
第二キャリア O2=10sccm(ガス導入口200から入れる
反応酸素 O2=200sccm(分散噴出部下部25から入れる)
反応酸素温度 216℃(分散噴出部下部から入れる前に別途設けたヒータで温度制御)
ウエーハ温度 400℃
空間温度 290℃
空間距離 30mm
気化器温度 150℃
シャワーヘッド温度 180℃
反応圧力 2Torr
成膜時間 5分
その結果
Ru膜厚さ、約150nm (堆積速度、約30nm/min)
第一キャリアAr=200sccm+O2=10sccm(ガス導入口4から入れる)に酸素を加えることにより、Ru金属薄膜の堆積厚さは、反応時間に直線的に比例する。本気化器における気化管は、SBT薄膜堆積と同様に、Ru(EtCp)2の酸化反応を一部進行させる効果が確認された。
本例は、金属Ru薄膜の堆積例である。
図19、20に示す気化器、図21に示すCVD装置を用いて、金属Ru薄膜を形成し、さらに電気特性等を評価した。具体的には気化器の条件及び反応室の条件は下記のように制御し、酸化したシリコン基板上に、金属Ru薄膜を形成した。
具体的条件
Ru(EtCp)20.1モル溶液(溶媒:ヘキサン) 0.5ml/min
第一キャリア Ar=200sccm(ガス導入口4から入れる)
第一キャリア O2=10sccm(ガス導入口4から入れる)
第二キャリア Ar=20sccm(ガス導入口200から入れる)
第二キャリア O2=10sccm(ガス導入口200から入れる
反応酸素 O2=200sccm(分散噴出部下部25から入れる)
反応酸素温度 216℃(分散噴出部下部から入れる前に別途設けたヒータで温度制御)
ウエーハ温度 400℃
空間温度 290℃
空間距離 30mm
気化器温度 150℃
シャワーヘッド温度 180℃
反応圧力 2Torr
成膜時間 5分
その結果
Ru膜厚さ、約150nm (堆積速度、約30nm/min)
第一キャリアAr=200sccm+O2=10sccm(ガス導入口4から入れる)に酸素を加えることにより、Ru金属薄膜の堆積厚さは、反応時間に直線的に比例する。本気化器における気化管は、SBT薄膜堆積と同様に、Ru(EtCp)2の酸化反応を一部進行させる効果が確認された。
(実施例13)
本例は、強誘電体薄膜PZTの堆積例である。
図19、20に示す気化器、図21に示すCVD装置を用いて、PZT膜を形成し、さらに分極特性等を評価した。具体的には気化器の条件及び反応室の条件は下記のように制御し、酸化したシリコン基板上に、白金200nmを形成した基板上に、PZT薄膜を形成した。
PZT薄膜の具体的堆積条件:
Pb(dpm)20.2モル溶液 0.02 cc/min(溶媒:ヘキサン)
Zr(dpm)40.1モル溶液 0.02 cc/min(溶媒:ヘキサン)
Ti(OiPr)2(dpm)20.1モル溶液 0.02 cc/min(溶媒:ヘキサン)
第一キャリア Ar=200sccm(ガス導入口4から入れる)
第一キャリア O2=10sccm(ガス導入口4から入れる)
第二キャリア Ar=20sccm(ガス導入口200から入れる)
第二キャリア O2=10sccm(ガス導入口200から入れる
反応酸素 O2=200sccm(分散噴出部下部25から入れる)
反応酸素温度 216℃(分散噴出部下部から入れる前に別途設けたヒーターで温度制御)
ウエーハ温度 430℃
空間温度 299℃
空間距離 30mm
シャワーヘッド温度 201℃
反応圧力 1Torr
成膜時間 10分
その結果
PZT膜厚さ、約150nm(堆積速度、約150nm/min)
PZT組成 Pb 50.5at%
Zr 19.4at%
Ti 30.1at%
このPZT薄膜形成後、酸素雰囲気で550℃、30分の結晶化処理を行い、上部電極を形成して測定評価した所、優れた結晶化特性と分極特性を示した。これを図17、18に示した。
本例は、強誘電体薄膜PZTの堆積例である。
図19、20に示す気化器、図21に示すCVD装置を用いて、PZT膜を形成し、さらに分極特性等を評価した。具体的には気化器の条件及び反応室の条件は下記のように制御し、酸化したシリコン基板上に、白金200nmを形成した基板上に、PZT薄膜を形成した。
PZT薄膜の具体的堆積条件:
Pb(dpm)20.2モル溶液 0.02 cc/min(溶媒:ヘキサン)
Zr(dpm)40.1モル溶液 0.02 cc/min(溶媒:ヘキサン)
Ti(OiPr)2(dpm)20.1モル溶液 0.02 cc/min(溶媒:ヘキサン)
第一キャリア Ar=200sccm(ガス導入口4から入れる)
第一キャリア O2=10sccm(ガス導入口4から入れる)
第二キャリア Ar=20sccm(ガス導入口200から入れる)
第二キャリア O2=10sccm(ガス導入口200から入れる
反応酸素 O2=200sccm(分散噴出部下部25から入れる)
反応酸素温度 216℃(分散噴出部下部から入れる前に別途設けたヒーターで温度制御)
ウエーハ温度 430℃
空間温度 299℃
空間距離 30mm
シャワーヘッド温度 201℃
反応圧力 1Torr
成膜時間 10分
その結果
PZT膜厚さ、約150nm(堆積速度、約150nm/min)
PZT組成 Pb 50.5at%
Zr 19.4at%
Ti 30.1at%
このPZT薄膜形成後、酸素雰囲気で550℃、30分の結晶化処理を行い、上部電極を形成して測定評価した所、優れた結晶化特性と分極特性を示した。これを図17、18に示した。
(実施例14)
本例は、金属薄膜の例としてのCu薄膜の堆積例である。
図19、20に示す気化器、図21に示すCVD装置を用いて、Cu薄膜を形成した。具体的には気化器の条件及び反応室の条件は下記のように制御し、酸化したシリコン基板上に、白金200nmを形成した基板上に、CuO薄膜を形成した。
PZT 薄膜の具体的堆積条件:
CU(DIBM)2 0.2モル溶液 0.02 CC/MIN(溶媒:ヘキサン)
第一キャリア Ar=200sccm(ガス導入口4から入れる)
第一キャリア O2=10sccm(ガス導入口4から入れる)
第二キャリア Ar=20sccm(ガス導入口200から入れる)
第二キャリア O2=10sccm(ガス導入口200から入れる
反応酸素 O2=200sccm(分散噴出部下部25から入れる)
反応酸素温度 216℃(分散噴出部下部から入れる前に別途設けたヒータで温度制御)
ウエーハ温度 430℃
空間温度 299℃
空間距離 30mm
シャワーヘッド温度 201℃
反応圧力 1Torr
成膜時間 2分
その結果
PZT膜厚さ、約400nm(堆積速度、約200nm/min)
このCuO薄膜形成後、水素雰囲気で550℃、30分の結晶化処理を行ったところ、金属銅に還元された。
産業上の利用可能性
本発明によれば下記のような諸々の効果を得る事ができた。
1.良好な残留分極特性が得られる最適な組成を有し、かつ信頼性の高いビスマス系層状結晶構造を有する強誘電体薄膜を制御性・再現性良く形成する事ができる。
2.ビスマス系層状構造の強誘電体SrxBiyTa2O9±d(0.90≦x<1.00,1.70<y≦3.20、0≦d≦1.00)を主たる相として、不純物炭素含有量が少ない(0.2wt%以下)薄膜結晶が制御性・再現性良く形成する事ができる。
3.上記薄膜を堆積後、酸化性雰囲気中で、温度400〜580℃で、数十分の熱処理を行う事によって、不純物炭素を減少させ、さらにペロブスカイト結晶化を進行させる。
4.上記薄膜に適当な電極を形成すると、良好な強誘電特性が得られる。
5.従来のSBT.CVD薄膜は、堆積後800℃、60分程度の熱処理を行う必要があったため特に下部電極は、上記熱処理を行っても酸化されない特性が求められ、白金が広く採用された。これは、高価で、微細加工が極めて困難である。
本例は、金属薄膜の例としてのCu薄膜の堆積例である。
図19、20に示す気化器、図21に示すCVD装置を用いて、Cu薄膜を形成した。具体的には気化器の条件及び反応室の条件は下記のように制御し、酸化したシリコン基板上に、白金200nmを形成した基板上に、CuO薄膜を形成した。
PZT 薄膜の具体的堆積条件:
CU(DIBM)2 0.2モル溶液 0.02 CC/MIN(溶媒:ヘキサン)
第一キャリア Ar=200sccm(ガス導入口4から入れる)
第一キャリア O2=10sccm(ガス導入口4から入れる)
第二キャリア Ar=20sccm(ガス導入口200から入れる)
第二キャリア O2=10sccm(ガス導入口200から入れる
反応酸素 O2=200sccm(分散噴出部下部25から入れる)
反応酸素温度 216℃(分散噴出部下部から入れる前に別途設けたヒータで温度制御)
ウエーハ温度 430℃
空間温度 299℃
空間距離 30mm
シャワーヘッド温度 201℃
反応圧力 1Torr
成膜時間 2分
その結果
PZT膜厚さ、約400nm(堆積速度、約200nm/min)
このCuO薄膜形成後、水素雰囲気で550℃、30分の結晶化処理を行ったところ、金属銅に還元された。
産業上の利用可能性
本発明によれば下記のような諸々の効果を得る事ができた。
1.良好な残留分極特性が得られる最適な組成を有し、かつ信頼性の高いビスマス系層状結晶構造を有する強誘電体薄膜を制御性・再現性良く形成する事ができる。
2.ビスマス系層状構造の強誘電体SrxBiyTa2O9±d(0.90≦x<1.00,1.70<y≦3.20、0≦d≦1.00)を主たる相として、不純物炭素含有量が少ない(0.2wt%以下)薄膜結晶が制御性・再現性良く形成する事ができる。
3.上記薄膜を堆積後、酸化性雰囲気中で、温度400〜580℃で、数十分の熱処理を行う事によって、不純物炭素を減少させ、さらにペロブスカイト結晶化を進行させる。
4.上記薄膜に適当な電極を形成すると、良好な強誘電特性が得られる。
5.従来のSBT.CVD薄膜は、堆積後800℃、60分程度の熱処理を行う必要があったため特に下部電極は、上記熱処理を行っても酸化されない特性が求められ、白金が広く採用された。これは、高価で、微細加工が極めて困難である。
本発明によれば、堆積後の熱処理温度が著しく低温化できたため、下部電極材料の耐熱性・耐酸化性規格が緩やかになり、より微細加工が容易な材料(例;RuOx,TiN,TiON etc)の採用が可能になった。
Claims (12)
- 層状結晶構造であり、組成式を、SrBiyTa2O9±dもしくはSrxBiy(Ta,Nb)2O9±d(但し、0.60≦x<1.00、2.00<y≦2.50、0≦d≦1.00)とすることを特徴とする強誘電体薄膜。
- カーボン含有量は30〜40at%の5〜20%であることを特徴とする請求項1記載の強誘電体薄膜。
- 前記薄膜の製造方法は、少なくともストロンチウム(Sr)、ビスマス(Bi)および
タンタル(Ta)の各成分を含む有機金属錯体を溶剤に分散あるいは溶解した溶液を霧化する分散工程と、
気化室で気化させる気化工程と、
気化された有機金属錯体を含むキャリアガスと酸素ガス、オゾンガスその他の酸化性ガスとを所定の割合で混合させるガス混合工程と、
混合された有機金属錯体を含むキャリアガスと酸化性ガスとを所定の圧力範囲の反応室内において反応させて分解し、所定の温度範囲で加熱された基板上に堆積させることにより酸化物薄膜を形成する薄膜形成工程と、
基板上に形成された酸化物薄膜に所定の温度範囲の熱処理を施し組成制御を含む結晶化を行うことにより所望のビスマス層状構造の強誘電体薄膜を形成する熱処理工程と、
を含むことを特徴とする請求項1記載の強誘電体薄膜。 - 前記結晶化熱処理工程は、酸化性雰囲気中で、温度400〜580℃で行うことを特徴とする請求項3記載の強誘電体薄膜。
- 前記気化工程において気化室の温度を180〜240℃の範囲とすることを特徴とする請求項3記載の強誘電体薄膜。
- 前記キャリアガスとしてアルゴン(Ar)および乾燥窒素(N2)、ヘリウムのうちの少なくとも1種を用いることを特徴とする請求項3記載の強誘電体薄膜。
- 気化された有機金属錯体を含むキャリアガスに対する酸素ガスの混合比(酸素/キャリアガス)を50〜150%の範囲とすることを特徴とする請求項6記載の強誘電体薄膜。
- 前記薄膜形成工程において前記基板の温度を300〜580℃の範囲とすることを特徴とする請求項3記載の強誘電体薄膜。
- 前記薄膜形成工程において反応室内の圧力を0.2〜12Torrの範囲とすることを特徴とする請求項3記載の強誘電体薄膜。
- 前記薄膜形成工程において反応室内の圧力を0.3〜3Torrの範囲とすることを特徴とする請求項9記載の強誘電体薄膜の製造方法。
- 前記熱処理工程において酸化物薄膜を400〜580℃の範囲の温度で熱処理することにより強誘電体薄膜を形成することを特徴とする請求項3記載の強誘電体薄膜。
- 請求項1または2記載の強誘電体薄膜を有することを特徴とする強誘電体デバイス。
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