JP2007514185A - レジスト内でのパーツのサイズ変動 - Google Patents

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Abstract

基板上にパターンを作製する方法で、その方法は、基板上に第1のパターンをプリントする工程；及び、第2の実質的に同様なパターンで、第1及び第2のパターンの組み合わせは基板上の画成された素子の最終的なサイズにおける系統的な変動を引き起こすように第1のパターンに対してずれているものをプリントする工程を有する。

Description

本発明は一般には、イメージセンサの分野に関する。特に、アパーチャのサイズがイメージセンサの周囲に接近するほど増加するアパーチャサイズを有するイメージセンサの装置に関する。
リソグラフィによって画成された像には重要な寸法上の系統的な変動があり、半導体産業におけるプロセスのばらつきを補償するために、そのような変動が時として要求される。現時点では、従来の技術は特許文献1のように、系統的な変動を排除しようとするのみである。
米国特許第6331711号明細書
そのような技術はしかし、パターン内の最小可能である重要な寸法差を決定する場合に、マスク書き込みツールアドレスのグリッド（スポットサイズ）の限界による制約を受ける。
このため、歪みを除いて同一な2つの露光箇所を重ねることによるパーツのサイズの擬似的に連続的な変動を許容する方法の存在が必要となる。歪みとは、つまり拡大、回転、並進及びそれと同様の操作のことである。
本発明は先述した1つ以上の問題の解決を目指す。簡単に要約すると、本発明の1つの特徴は、本発明には、基板上にパターンを作製する方法が存在する。その方法は、(a)基板上に第1のパターンをプリントする工程；及び、(b)第2のパターンは第1のパターンに対して意図的にずらしてある第2の実質的に同様なパターンをプリントする工程であり、第1及び第2のパターンは基板上の画成された設計素子の最終的なサイズが系統的に変動するようなパターンプリント工程を有する。
本発明は以下のような利点を有する：
マスク書き込みツールからのグリッドスナッピングの影響なしにチップ上のレジストの部位サイズを変動させる；及び、この方法で許容される部位のサイズにおける増加による差異は、現在のマスク書き込み技術では禁止されている（つまり非常に小さなスポットサイズ）くらいに小さい。
本発明のこれら及び他の特徴、対象、機能及び利点は、以降の添付の請求項と好適実施例に関する詳細な説明及び添付の図面を参照することから、より明確に理解そして評価できるだろう。
図1を参照すると、基板上に作製されたアパーチャのサイズにおける所定又は系統的な変動を有する本発明の基板の上面図が図示されている。図1を見れば、マスク書き込み又はステッパ（両方とも以下リソグラフィツールという）がアパーチャを作製するために使用されることが分かるだろう。そのようなリソグラフィツールは当技術分野で十分であり、ここで詳細には説明しない。リソグラフィツールは基板上に実質的に同時にアパーチャの第1のパターン20を露光する。パターンは図1に図示されている。リソグラフィツールは第1のパターンに対してずれている（厳密に整合していない）アパーチャの第2のパターン30を露光する。基板上のずれは、第2のパターンが第1のパターン20に対して増加又は拡大するようなものである。第1及び第2のパターンの結果として生じる組み合わせは、基板周辺に作製されたアパーチャは中心及び中心と周辺の間のものよりも大きくなるように基板上のサイズを増加させる一連のアパーチャである。好適実施例の場合、X軸で10μmの周期を有するアパーチャの列を有するパターン20が図示されている。第2のパターン30は第1のパターンよりも100万個のパーツ数につき10個だけ多い。重なっている領域25は2回露光される。従って2パターン露光されるのに使用されるエネルギーを調節する必要がある。隣接する列におけるアパーチャのサイズの増加は0.0001μmで、シングルパスによるイメージ形成によって実現されるサイズ増加よりも小さい。
好適実施例がx軸でサイズ増加を示しても、ずれは拡大（上述の）、並進（いずれかの軸での移動）及び回転の組み合わせを有することができる。ただそれに限定されない。
図2を参照すると、は特定の要素、たとえば、それには限定されないが、上述の増大するアパーチャ又はマイクロレンズの方法で作製されるアパーチャ50及びマイクロレンズ60、を有する基板45上のイメージセンサ40が図示されている。
図3を参照すると、上述の方法で作製されたアパーチャ75のパターンを有するマスクが図示されている。
本発明で作製されたアパーチャのパターンの上面図である。 本発明で作製された素子を有するイメージセンサの側面図である。 本発明で作製された素子をも有するマスクの側面図である。
符号の説明
20 第1のパターン
25 重なる領域
30 第2のパターン
40 イメージセンサ
45 基板
50 アパーチャ
60 マイクロレンズ
70 マスク
75 アパーチャ

Claims (7)

  1. 基板上にパターンを作製する方法であって：
    (a)前記基板上に第1のパターンをプリントする工程；及び、
    (b)前記第1のパターンに対して所定の方法で意図的にずらされている第2の実質的に同様なパターンをプリントする工程であり、前記第1及び第2のパターンの組み合わせにより前記基板上に画成された要素の最終的なサイズが連続的、系統的かつ所定の変動を有し、前記画成された少なくとも2つの要素がそれぞれ異なるサイズを有するように、前記変動が所定のずれと一致しているようなパターンプリント工程；

    を有する方法。
  2. 請求項1に記載の方法であって、
    工程(b)はイメージセンサに使用される構造の素子の提供を有することを特徴とする方法。
  3. 請求項2に記載の方法であって、
    工程(b)はアパーチャとしての前記素子の提供を有することを特徴とする方法。
  4. 請求項1に記載の方法であって、
    工程(b)はマイクロレンズとしての素子の提供を有することを特徴とする方法。
  5. 請求項1に記載の方法であって、
    工程(b)は前記基板としての、素子製造のためのテンプレートとして使用されるマスクの提供を有することを特徴とする方法。
  6. 請求項1に記載の方法であって、
    工程(b)は前記基板として製造された前記素子上への材料の提供を有することを特徴とする方法。
  7. 請求項3に記載の方法であって、
    工程(b)は前記アパーチャが前記基板周辺に接近するに従ったアパーチャのサイズの系統的な増加を有することを特徴とする方法。
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