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Claims (24)

  1. 使用温度において酸化物イオン空孔を有する結晶格子の形態、より具体的には、立方相、ホタル石相、オーリビリウスタイプのペロブスカイト相、褐色針ニッケル鉱相またはパイロクロア相の形態にある、ドープされたセラミック酸化物から選ばれる複合電子/酸素O2−アニオン伝導性化合物(C)少なくとも75vol%、および
    酸化物タイプのセラミック、非酸化物タイプのセラミック、金属、金属合金またはこれらのタイプの物質の混合物から選ばれる、化合物(C)とは異なる化合物(C)0.01〜25vol%、および
    式:
    xFc1 + yFc2 → zFc3
    (式中、Fc1、Fc2およびFc3は、化合物C、CおよびCそれぞれの実験式を表し、x、yおよびzは、0以上の比の数値を表す)により表される少なくとも1の化学反応から生成する化合物(C)0vol%〜2.5vol%
    を含む複合物(M)。
  2. 化合物(C)の粒子が、0.1μm〜5μmの範囲の、好ましくは1μm未満の、直径を有する等軸形状を有する請求項1に記載の複合物。
  3. 化合物(C)の体積割合が、1.5%を超えず、より特には、0.5体積%を超えない請求項1または2に記載の複合物。
  4. 化合物(C)の体積割合が、0.1%以上であるが、10%を超えない請求項1〜のいずれか1項に記載の複合物。
  5. 化合物(C)が、酸化物タイプの物質から、好ましくは酸化マグネシウム(MgO)、酸化カルシウム(CaO)、酸化アルミニウム(Al)、酸化ジルコニウム(ZrO)、酸化チタン(TiO)、複合ストロンチウム・アルミニウム酸化物SrAlまたはSrAl、複合バリウム・チタン酸化物(BaTiO)、複合カルシウム・チタン酸化物(CaTiO)、La0.5Sr0.5Fe0.9Ti0.13−δまたはLa0.6Sr0.4Fe0.9Ga0.13−δから選ばれる請求項1〜のいずれか1項に記載の複合物。
  6. 化合物(C)が、非酸化物タイプの物質から、好ましくは炭化ケイ素(SiC)、窒化ホウ素(BN)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)およびロジウム(Rh)から選ばれる請求項1〜のいずれか1項に記載の複合物。
  7. 化合物(C)が、式(I):
    (R1−x(R (I)
    (ここで、
    は、主としてビスマス(Bi)、セリウム(Ce)、ジルコニウム(Zr)、トリウム(Th)、ガリウム(Ga)およびハフニウム(Hf)から選ばれる、少なくとも1の3価または4価の原子を表し、aおよびbは、構造Rが電気的に中性となるようなものであり、
    は、主としてマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、ガドリニウム(Gd)、スカンジウム(Sc)、イッテルビウム(Yb)、イットリウム(Y)、サマリウム(Sm)、エルビウム(Er)、インジウム(In)、ニオブ(Nb)およびランタン(La)から選ばれる、少なくとも1の2価または3価の原子であり、cおよびdは、構造Rが電気的に中性となるようなものであり、
    xは、一般的に、0.05〜0.30であり、より特には、0.075〜0.15である)で示される酸化物から選ばれる請求項1〜のいずれか1項に記載の複合物。
  8. 化合物(C)が、式(Ia):
    (ZrO1−x(Y (Ia)
    (ここで、xは、0.05〜0.15である)で示される安定化ジルコニアから選ばれる請求項に記載の複合物。
  9. 化合物(C)が、式(II):
    [Ma1−x−uMa’Ma”][Mb1−y−vMb’Mb”]O3−w (II)
    (ここで、
    Maは、スカンジウム、イットリウムから、またはランタニド、アクチニドまたはアルカリ土類金属の族から選ばれる原子を表し、
    Ma’は、Maと異なり、スカンジウム、イットリウムから、またはランタニド、アクチニドまたはアルカリ土類金属の族から選ばれる原子を表し、
    Ma”は、MaおよびMa’と異なり、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、タリウム(Tl)から、またはアルカリ土類金属の族から選ばれる原子を表し、
    Mbは、遷移金属から選ばれる原子を表し、
    Mb’は、Mbと異なり、遷移金属、アルミニウム(Al)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)、スズ(Sn)、鉛(Pb)およびチタン(Ti)から選ばれる原子を表し、
    Mb”は、MbおよびMb’と異なり、遷移金属、アルカリ土類金属、アルミニウム(Al)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)、スズ(Sn)、鉛(Pb)およびチタン(Ti)から選ばれる原子を表し、
    0<x≦0.5であり、
    0≦u≦0.5であり、
    (x+u)≦0.5であり、
    0≦y≦0.9であり、
    0≦v≦0.9であり、
    0≦(y+v)≦0.9であり、
    wは、当該構造が電気的に中性となるようなものである)で示されるペロブスカイト酸化物から選ばれる請求項1〜のいずれか1項に記載の複合物。
  10. 化合物(C)が、Maがランタン原子を表すところの式(II)に相当する式(IIa):
    La(1−x−u)Ma’Ma”Mb(1−y−v)Mb’Mb”3−δ (IIa)
    で示される化合物から選ばれる請求項に記載の複合物。
  11. 化合物(C)が、Ma’がストロンチウム原子を表すところの式(II)に相当する式(IIb):
    Ma(1−x−u)SrMa”Mb(1−y−v)Mb’Mb”3−δ (IIb)
    で示される化合物から選ばれる請求項または10に記載の複合物。
  12. 化合物(C)が、Mbが鉄原子を表すところの式(II)に相当する式(IIc):
    Ma(1−x−u)Ma’Ma”Fe(1−y−v)Mb’Mb”3−δ (IIc)
    で示される化合物から選ばれる請求項11のいずれか1項に記載の複合物。
  13. 化合物(C)が、u=0、y=0であり、Mbが鉄原子を表し、Maがランタン原子を表し、Ma’がストロンチウム原子を表すところの式(II)に相当する式(IId):
    La(1−x)SrFe(1−v)Mb”3−δ (IId)
    で示される化合物から選ばれる請求項12のいずれか1項に記載の複合物。
  14. 化合物(C)が、式(II’):
    Ma(a) (1−x−u)Ma’(a−1) Ma”(a”) Mb(b) (1−s−y−v)Mb(b+1) Mb’(b+β) Mb”(b”) 3−δ (II’)
    (式(II’)において、
    a、a−1、a”、b、(b+1)、(b+β)およびb”は、それぞれ、Ma、Ma’、Ma”、Mb、Mb’およびMb”原子の原子価を表す数値であり、a、a”、b、b”、β、x、y、s、u、vおよびδは、結晶格子の電気的中性が保存されるようなものであり、
    a>1であり、
    a”、bおよびb”は、ゼロよりも大きく、
    −2≦β≦2であり、
    a+b=6であり、
    0<s<xであり、
    0<x≦0.5であり、
    0≦u≦0.5であり、
    (x+u)≦0.5であり、
    0≦y≦0.9であり、
    0≦v≦0.9であり、
    0≦(y+v+s)≦0.9であり、
    [u(a”−a)+v(b”−b)−x+s+βy+2δ]=0」であり、
    δmin<δ<δmax
    (ここで、
    δmin=[u(a−a”)+v(b−b”)−βy]/2であり、
    δmax=[u(a−a”)+v(b−b”)−βy+x]/2である)であり、
    Ma、Ma’、Ma”、Mb、Mb’およびMb”は、上記定義のとおりであり、Mbは、2つ以上の原子価で存在し得る遷移金属から選ばれる原子を表す)で示される化合物から選ばれる請求項13に記載の複合物。
  15. 化合物(C)が、式(III):
    [Mc2−xMc’][Md2−yMd’]O6−w (III)
    (ここで、
    Mcは、スカンジウム、イットリウムから、またはランタニド、アクチニドおよびアルカリ土類金属の族から選ばれる原子を表し、
    Mc’は、Mcと異なり、スカンジウム、イットリウムから、またはランタニド、アクチニドおよびアルカリ土類金属の族から選ばれる原子を表し、
    Mdは、遷移金属から選ばれる原子を表し、
    Md’は、Mdと異なり、遷移金属、アルミニウム(Al)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)、スズ(Sn)、鉛(Pb)およびチタン(Ti)から選ばれる原子を表し、
    xおよびyは、0以上、2以下であり、wは、当該構造が電気的に中性となるようなものである)で示される酸化物から選ばれる請求項1〜のいずれか1項に記載の複合物。
  16. 化合物(C)が、式(IIIa):
    [Mc2−xLa][Md2−yFe]O6−w (IIIa)
    で示される化合物、
    式(IIIb):
    [Sr2−xLa][Ga2−yMd’]O6−w (IIIb)
    で示される化合物、および
    より特には、式(IIIc):
    [Sr2−xLa][Ga2−yFe]O6−w (IIIc)
    で示される化合物である請求項15に記載の複合物。
  17. 化合物(C)が、式:
    La0.6Sr0.4Fe0.9Ga0.13−δ、または
    La0.5Sr0.5Fe0.9Ti0.13−δ
    で示される化合物から選ばれ、化合物(C)が、酸化マグネシウム(MgO)、酸化アルミニウム(Al)、複合ストロンチウム・アルミニウム酸化物SrAlおよび複合バリウム・チタン酸化物(BaTiO)から選ばれる請求項に記載の複合物。
  18. 2〜10vol%の酸化マグネシウム(MgO)、および90〜98vol%のLa0.6Sr0.4Fe0.9Ga0.13−δを含む請求項17に記載の複合物。
  19. 反応混合物を取り囲むガス雰囲気の酸素分圧(pO)を制御しながら、化合物(C)および化合物(C)の粉末混合物を焼結する少なくとも1つの工程を含むことを特徴とする請求項1〜18のいずれか1項に記載の複合物を製造する方法。
  20. 前記焼結工程を、0.1Pa以下の酸素分圧を有するガス雰囲気中で行う請求項19に記載の方法。
  21. 化合物(C)および化合物(C)の粉末混合物を、前記焼結工程前に、成形工程およびその後のバインダー除去工程に供する請求項19または20に記載の方法。
  22. 請求項1〜18のいずれか1項に記載の複合物の、メタンまたは天然ガスの接触酸化による合成ガスの合成のために使用することが意図された触媒膜反応器用の複合伝導性複合物としての、および/または空気から酸素を分離するために使用することが意図されたセラミック膜のための複合伝導性複合物としての使用。
  23. 触媒膜反応器の製造における焼結工程中に複合電子/酸化物イオン伝導性化合物の粒子の結晶成長を阻害および/または制御するための方法であって、75〜99.99vol%の複合伝導体(C)を、0.01〜25vol%の化合物(C)と混合する事前工程を含むことを特徴とする方法。
  24. 2〜10vol%の酸化マグネシウム(MgO)および90〜98vol%のLa0.6Sr0.4Fe0.9Ga0.13−δを含む請求項23に記載の方法。
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