JP2007509241A - ワークピースを流体処理する方法及び装置 - Google Patents

ワークピースを流体処理する方法及び装置 Download PDF

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Abstract

ワークピースを流体処理する方法及び装置を記載する。本システムは、処理モジュールと、前記ワークピースの処理中に流体の流れ、及び/又は、電界分布を制御するための流体処理要素を有する。或る部材を使用してフィルムの蒸着中に流体を攪拌する(例えば、振動によって)。プレートを使用してワークピースの表面に入射する電界を成形する。流体の流れと電界分布を制御することにより、ワークピース表面へのフィルムの蒸着を改善する。また、垂直構成、及び/又は、モジュールアーキテクチャを使用して、処理能力を向上させ、生産性を増加させ、コストを低減する。

Description

本特許出願は、2003年10月22日に出願された米国暫定特許出願第60/513,761号に基づいて出願され、その優先権の恩恵を受ける。この暫定特許出願の譲受人は本願と同じであり、この暫定特許出願の開示は、参照によりその全てが本明細書に援用される。
本発明は、ワークピースを流体処理する方法及び装置に関し、詳しくは、ワークピースを流体処理する際に流体フローや電界分布を制御する方法及び装置に関する。
電着は、とりわけ、半導体ウェーハやシリコンワークピースのような種々の構造及び表面にフィルム(例えば金属フィルム)を付着させるための製造技術として使用されている。こうした処理に使用されるシステムにとって重要な機能は、均一且つ再現可能な特性(フィルムの厚さ、組成、土台となるワークピースの特性に対する相対的特性など)のフィルムを生成する機能である。
均一なフィルムの形成の妨げとなる多数の要因がある。システムのアノードからカソードへメッキ電流が流れるときにその電流が拡散されると、ワークピースの外縁部の辺りに厚いメッキ部分が生じることがある。また、処理チャンバ内の流体分布、特に、アノードやカソードの表面における流体分布は、均一でないことがある。カソード部分における流体分布が不均一であると、ワークピース表面にわたる拡散境界層の厚さにばらつきが生じ、その結果、フィルム厚が不均一になることがある。更に、フィルムを電着する表面付近における流体の混合が不十分であると、その表面に空気やガスの泡が捕捉されることがある。その結果、気泡付近におけるそれ以上の電着が不可能になり、不均一な電着が生じることがある。最後に、ワークピースが処理チャンバ内の適切な位置に維持されていない場合、処理中にワークピースの位置が変動したり、ワークピースに対して強固な流体シールが形成されていない場合、流体が不要な領域に漏れ出すことがある。
従来技術のシステムにはこのような幾つかの制約があるため、ワークピースの処理中に流体フロー及び電界分布を制御し、処理中にワークピースを確実に保持するための、新規で改良された方法及び装置が必要とされている。
種々の実施形態において、本発明は、ワークピース(複数の場合もあり)に対して材料を付着又は除去することにより1以上のワークピースを処理するシステム及びコンポーネントを提供する。この付着や除去は、ワークピース表面における流体フローの制御、及び/又は、電界の制御によって実施される。ワークピースはほぼ平坦、又は平坦であってよく、薄くても、非常に薄くてもよい。制限はしないが、適当なワークピースには、半導体ウェーハ、シリコンワークピース、配線基板、及び、プリント回路基板がある。当該分野は、流体処理、又は、湿式処理と呼ばれることがあり、電着、電気メッキ、無電界メッキ、化学エッチング、レジストコーティング、レジスト除去、誘電体コーティング、ワークピースクリーニング、及び、その他の処理を含む。
一実施形態において、本発明は、ワークピースを流体処理するための方法及び装置を提供する。このシステムは、処理モジュールと、ワークピースの流体処理中に流体フロー、及び/又は、電界分布を制御するための1以上の流体処理要素からなるシステムとを含む。種々の実施形態において、フィルムの蒸着中に、ある部材を使用して流体を攪拌する。この部材には、攪拌パドル(例えば、マサチューセッツ州ビレリカにあるネックスシステムズから市販されているシアプレート)が使用される。実施形態によっては、プレートを使用して、ワークピースの表面に入射する電界を成形する場合もある。
流体フローと電界分布を制御することにより、ワークピース表面に対するフィルムの蒸着を改善することができる。また、垂直構成、及び/又は、複数のワークピースを背中合わせにして固定することが可能なワークピースホルダを使用することにより、ワークピース処理システムの処理能力を向上させ、ワークピースホルダの痕跡を減らすことができる。その結果、生産性が向上し、コストが低減される。また、処理システムにモジュール・アーキテクチャを採用することにより、流体処理や処理能力の要件に合わせてシステムレイアウトを最適化することが可能になる。
一態様において、本発明は、ワークピースを流体処理するための装置を提供する。この装置は、流体を収容することが可能なハウジングと、該ハウジング内に配置され、前記ワークピースを保持するように構成されたワークピースホルダとを有する。この装置は、前記ハウジング内に前記ワークピースホルダの隣りに配置され、不均一な振動をしながら前記ワークピースの表面に対して実質的に平行に移動し、前記流体を攪拌する部材を更に有する。一実施形態において、この不均一な振動は、各ストーク(ひとかき)の後に変化する逆転位置を含む。この不均一な振動は、一次振動ストロークと、少なくとも1つの二次振動ストロークとを含む。一次振動ストロークの長さは、前記部材に形成された開口部間の間隔に等しく、二次振動ストロークは、前記部材の不均一な振動の逆転位置を変化させる。
一実施形態において、前記部材には、複数の開口部が間隔を空けて形成される。一実施形態において、この部材は、間隔を空けて配置された複数のブレードを有する。間隔を空けて配置される複数のブレードの形は、カップ形、又は、傾斜した形などが可能である。実施形態によっては、この部材は、2枚の攪拌プレートをスペーサによって結合し、ワークピースホルダを挿入できるような単一のアセンブリとして形成したものからなる場合がある。一実施形態において、この装置は、前記部材を移動させるためのリニアモータ・アセンブリを更に有する場合がある。
一実施形態において、本装置は、前記部材の隣りに配置され、前記ワークピースの表面に入射する電界を成形するプレートを含む。このプレートの本体には複数の穴が形成され(例えば、実質的に放射状のパターンで)、穴の直径は、プレートの表面において変化する。種々の実施形態において、この部材は、ワークピースの表面に非周期的流体境界層を形成する。一実施形態において、この部材は、ワークピースの表面における流体境界層の厚さを例えば約10μm未満に低減することができる。この部材は、ワークピースの表面から約2mm見万の位置に配置することができる。
他の実施形態において、本発明は、ワークピースを処理する方法を提供する。この方法は、流体を収容することが可能なハウジング内にワークピースホルダを配置することを含む。ワークピースホルダはワークピースを保持する。この方法は、前記ハウジング内の前記ワークピースホルダの隣りに、ある部材を配置し、その部材を不均一に振動させながら前記ワークピースの表面に対して実質的に平行に移動させることにより、前記流体を攪拌することを含む。種々の実施形態において、この方法は、前記不均一な振動による、前記ワークピースの表面上の前記部材の電界撮影、及び/又は、流体フロー撮影を最小限に抑えることを含む。一実施形態において、この方法は、前記ワークピースの表面から前記流体に捕捉された気泡を除去することを含む。種々の実施形態において、この方法は、前記ワークピースの表面にある金属又はプラスチックを蒸着、又は、溶解することを含む場合がある。
更に他の実施形態において、本発明は、ワークピース表面における電界を変化させる装置を提供する。この装置は、流体を収容することが可能なハウジングと、前記ハウジング内に配置され、前記ワークピースを保持するように構成されたワークピースホルダと、前記ハウジング内に、前記ワークピースから間隔を空けて配置されたプレートとを含む。このプレートには複数の穴が形成される。穴サイズの分布は、プレートを通過してワークピースの表面へ向かう電界に比例して変化する。一実施形態において、穴サイズの分布は、一定の傾きで変化する穴サイズの分布(実質的に放射状パターン)である。一実施形態において、ワークピースの表面付近の電界は均一である。電界特性には、振幅がある。一実施形態において、プレートは、電界がワークピースの表面へ向けてプレートを通過する際に、その電界の一部を遮断する働きをする非導電性材料を含む。
種々の実施形態において、本装置は、不均一な振動をしながら、ワークピースの表面に対して実質的に平行に移動し、流体を攪拌するように構成された部材を更に含む。この不均一な振動は、不均一な振動の各ストークの後に変化する逆転位置を含む。一実施形態において、この不均一な振動は、一次振動ストロークと、少なくとも1つの二次ストロークとを含む。一次振動ストロークの長さは、前記部材に形成された開口部間の間隔に等しく、二次振動ストロークは、前記不均一な振動の逆転位置を変化させる。一実施形態において、この部材は、間隔を空けて配置された複数の開口部を有する。一実施形態において、この部材は、間隔を空けて配置された複数のブレードを有する。
更に他の実施形態において、本発明は、ワークピース表面における電界を変化させる方法を提供する。この方法は、流体を収容することが可能なハウジング内にワークピースを配置するステップと、前記ハウジング内に、前記ワークピースホルダから間隔を空けてプレートを配置するステップとを含む。ワークピースホルダはワークピースを保持し、プレートには、複数の穴が形成される。複数の穴は、穴サイズの分布を有する。この方法は、プレートを通して前記ワークピースの表面へ向けて電界を印加し、その電界の特性を変化させるステップを更に含む。
種々の実施形態において、本方法は、不均一な振動により、ワークピースの表面における前記部材の電界撮影、及び/又は、流体フロー撮影を最小限に抑えることを更に含む。一実施形態において、この方法は、前記ワークピースの表面から前記流体に捕捉された気泡を除去することを含む。種々の実施形態において、この方法は、ワークピースの表面に対して金属又はプラスチックを蒸着又は溶解することを含む。一実施形態において、この方法は、前記部材の不均一な振動により、前記ワークピースの表面に非周期的な流体境界層を形成することを含む。一実施形態において、この方法は、前記部材の不均一な振動により、前記ワークピースの表面における流体境界層の厚さを低減することを含む。
更に他の実施形態において、本発明は、ワークピースを流体処理する装置を提供する。この装置は、流体を収容することが可能なハウジングと、前記ハウジング内に配置され、前記ワークピースを保持するように構成されたワークピースホルダと、間隔を空けて複数の開口部が形成された部材とを含む。この部材は、前記ハウジング内の前記ワークピースホルダの隣りに配置され、前記ワークピースの表面に対して実質的に平行に移動し、間隔を空けて配置された前記複数の開口部によって前記流体を攪拌することが出来るように構成される。一実施形態では、間隔を空けて配置された複数の開口部の不均一な振動により、前記流体が攪拌される。この不均一な振動は、前記不均一な振動の各ストークの後に変化する逆転位置を含む。一実施形態において、この不均一な振動は、一次振動ストロークと、少なくとも1つの二次振動ストロークとを含む。一次振動ストロークの長さは、前記部材に形成された開口部間の間隔に等しく、二次振動ストロークは、前記部材の不均一な振動の逆転位置を変化させる。一実施形態において、前記部材は、リニアモータアセンブリによって移動される。
一実施形態において、本装置は、前記部材の隣りに配置され、前記ワークピースの表面に入射する電界を成形するプレートを更に有する。このプレートの本体には複数の穴が形成される。穴の直径は、プレートの表面において変化する。これらの複数の穴は、実質的に放射状パターンで変化する。この部材は、ワークピースの表面に、非周期的流体境界層を形成する。一実施形態において、この部材は、ワークピース表面における流体境界層の厚さを例えば約10μm未満に低減させる。一実施形態において、この部材は、前記ワークピースの表面から約2mm未満の位置に配置される。
更に他の実施形態において、本発明は、ワークピースを流体処理する方法を提供する。この方法は、流体を収容することが可能なハウジング内にワークピースホルダを配置することと、前記ハウジング内の前記ワークピースホルダの隣りに或る部材を配置することとを含む。ワークピースホルダはワークピースを保持し、前記部材には、複数の開口部が間隔を空けて形成される。この方法は、前記部材を前記ワークピースの表面に対して実質的に平行に移動させることにより、前記間隔を空けて配置された複数の開口部によって前記流体を攪拌することを更に含む。
種々の実施形態において、本方法は、不均一な振動により、ワークピースの表面にある前記部材の電界撮影、及び/又は、流体フロー撮影を最小限に抑えることを含む。一実施形態において、この方法は、前記ワークピースの表面から前記流体に捕捉された気泡を除去することを含む。種々の実施形態において、この方法は、前記ワークピースの表面に対して金属又はプラスチックを蒸着又は溶解することを含む。
更に他の実施形態において、本発明は、ワークピースを流体処理する装置を提供する。この装置は、流体を収容することが可能なハウジング内にワークピースを保持するための手段と、前記ワークピースの表面に対して実質的に平行な不均一な振動によって前記流体を攪拌する手段とを有する。
更に他の実施形態において、本発明は、ワークピースの表面における電界を変化させる装置を提供する。この装置は、流体を収容することが可能なハウジング内にワークピースを保持するための手段と、前記ワークピースの表面に入射する電界を変化させる穴サイズの分布を有する複数の穴が形成された手段とを有する。
更に他の実施形態において、本発明は、ワークピースを流体処理するための装置を提供する。この装置は、流体を収容することが可能なハウジング内にワークピースを保持するための手段と、前記ワークピースの表面に対して実質的に平行な運動によって前記流体を攪拌するための、間隔を空けて配置された複数の開口部が形成された手段とを有する。
一実施形態において、本発明は、ワークピースをワークピースホルダに対して接触させた状態で維持するための方法及び装置を提供する。撓み部材を使用して、ワークピースをしっかりと固定するための実質的に均一な力を加え、それによって、ワークピースを処理モジュールに対して確実に位置決めする。1つの詳細な実施形態において、ワークピースと、ワークピースをワークピースホルダに対して接触させた状態に維持するためのリングとの間に、流体浸入バリアを形成する。これにより、流体処理中に、流体がワークピースの下側へ入り込むことを防止するための確実なシールが得られる。種々の実施形態において、ワークピースホルダを使用して、ワークピースを処理モジュールに対して位置決め(例えば、正確に位置決め)したり、ワークピースを攪拌パドル(例えばシアプレート攪拌パドル)やシールドプレートに対して位置決めする。ワークピースホルダは、1以上のワークピースを垂直構成、及び/又は、背中合わせ構成で保持することにより、ワークピース処理システムの処理能力を高め、ワークピース処理システムの痕跡を低減することにも使用することができる。その結果、生産性やコストも低減される場合がある。また、処理システムにモジュールアーキテクチャを使用して、流体処理や処理能力要件に合わせてシステムレイアウトを最適化することも可能である。
一実施形態において、本発明は、複数のワークピースを保持するための装置を提供する。この装置は、第1の表面及び第2の表面を有するワークピースホルダと、前記ワークピースホルダの第1の表面上に第1のワークピースを維持するための第1のリングと、前記ワークピースホルダの第2の表面上に第2のワークピースを維持するための第2のリングとを含む。種々の実施形態において、前記第1のリング及び前記第2のリングは、各ワークピースに対する流体浸入バリアを形成するように構成される。前記第1のリング及び前記第2のリングは、前記ワークピースホルダに着脱可能に取り付けられる。
種々の実施形態において、本装置は、前記第1のリングの近くに第1の部材を更に有する。第1の部材には、少なくとも1つの保持機構が形成され、前記第1のリングは、前記第1の部材の少なくとも1つの保持機構に係合可能な少なくとも1つの係合機構を有する。前記第1の部材を曲げて、前記少なくとも1つの係合機構に力を加えることにより、前記第1のリングによって前記第1のワークピースに対する流体浸入バリアを形成することができる。一実施形態では、この力によって、前記第1の部材は、前記第1のリングの前記少なくとも1つの係合機構を引っ張り、前記第1のリングを前記第1のワークピースに押し付けて、流体浸入バリアを形成する。前記第1の部材は、該第1の部材の面に対して実質的に垂直な力を生成し、流体浸入バリアを形成するように構成された少なくとも1つの撓み機構を含む場合がある。一実施形態において、前記第1の部材の周辺部には、該第1の部材の周辺部から均一に力を加えるための、複数の撓み機構が形成される。一実施形態において、この装置は、前記第2のリングによって第2のワークピースに対する流体侵入バリアを形成するための、第2の力を生成する第2の部材を更に含む場合がある。
実施形態によっては、前記第1の部材を曲げる力を加えるように構成された裏打ち部材を有する場合がある。この裏打ち部材は、前記第1の部材に接触するプッシュピンを有する場合がある。一実施形態において、この装置は、前記裏打ち部材の近くに、前記裏打ち部材を動かして前記第1の部材を曲げる力を加えるための膨張式袋を更に有する。前記第1の部材は、前記ワークピースホルダの少なくとも1つの歯型機構に係合させるための少なくとも1つのタブ部を有する場合がある。一実施形態において、前記第1のリングは、前記第1のワークピースの表面に対する流体浸入バリアを形成するための第1のエラストマー領域を有する。前記第1のリングは、前記ワークピースホルダの第1の表面に対する第2の流体浸入バリアを形成するための第2のエラストマー領域を更に有する場合がある。
一実施形態において、ワークピースホルダは、第1のワークピース、又は、第2のワークピースに電気的に接続される。1つの詳細な実施形態において、第1のワークピースと第2のワークピースは、背中合わせ構成でワークピースホルダに保持される。種々の実施形態において、前記第1のワークピースと前記第2のワークピースのうちの少なくとも一方は、実質的に円形でない形を有する。実施形態によっては、ワークピースホルダの端面に、少なくとも1つのガイドストリップが機械加工される場合がある。少なくとも1つのガイドストリップを使用して、ワークピースホルダを処理モジュールに対して位置決めすることができる。ワークピースホルダは、輸送手段に係合させることが可能なハンドル(取っ手)を更に有する場合がある。
種々の実施形態において、本装置は、実質的に平坦なリング形の第1の部材を有する。第1の部材の周辺部(例えば、内側周辺部、外側周辺部、あるいは、内側周辺部と外側周辺部の両方)には、複数の撓み機構が形成される。これらの複数の撓み機構によれば、第1の部材を曲げたときに、第1のワークピースの周辺部に均一に力を加えることができる。この力は、第1の部材の面に対して実質的に垂直に加えられる。一実施形態において、この力は、第1のワークピースをワークピースホルダの第1の表面の一部に対して接触させた状態に維持する。第1のワークピースは、実質的に円形でない形であってもよい。一実施形態において、この装置は、第2のワークピースの周辺部に均一に力を加えるための第2の部材を更に有する場合がある。
他の実施形態において、本発明は、複数のワークピースを保持するための方法を提供する。この方法は、第1の表面及び第2の表面を有するワークピースホルダを用意し、第1のリングによって前記ワークピースホルダの第1の面に第1のワークピースを接触させた状態に維持し、第2のリングによって前記ワークピースホルダの第2の面に第2のワークピースを接触させた状態に維持することを含む。一実施形態において、この方法は、第1のリングを回転させ、第1のリングの少なくとも1つの係合機構を第1の部材の少なくとも1つの保持機構にロックすることを含む。この方法は、流体浸入バリアの完全性をテストすることを含む場合がある。種々の実施形態において、この方法は、第1のワークピースと第2のワークピースのうちの少なくとも一方の面に対して、金属、プラスチック、又は、ポリマーを蒸着又は溶解することを含む場合がある。
更に他の実施形態において、本発明は、複数のワークピースを保持するための装置を提供する。この装置は、第1の表面及び第2の表面を有するワークピースホルダと、第1のワークピースを前記ワークピースホルダの第1の表面上に維持する手段と、第2のワークピースを前記ワークピースホルダの第2の表面上に維持する手段とを有する。
一実施形態において、本発明は、ワークピースを流体シールする装置を提供する。この装置は、少なくとも1つの保持機構が形成された部材と、前記部材の少なくとも1つの保持機構に係合させることが可能な少なくとも1つの係合機構を備えたリングとを有する。この部材は、この部材を曲げることにより、前記少なくとも1つの係合機構に対して力を加えることができ、前記リングにより、前記ワークピースに対する流体侵入バリアを形成することができる。一実施形態では、この力により、前記部材が、前記リングの少なくとも1つの係合機構を引っ張り、前記リングを前記ワークピースに対して押し付け、流体浸入バリアを形成することができる。種々の実施形態において、この部材は、前記部材の面に対して実質的に垂直な力を生成し、流体浸入バリアを形成するように構成された少なくとも1つの撓み機構を有する。部材の周辺部から少なくと実質的に均一に力を加えるために、この部材の周辺部には、複数の撓み機構が形成される場合がある。
一実施形態において、本装置はワークピースホルダを更に有し、前記部材及び前記リングは、ワークピースホルダに着脱可能に取り付けられる。前記部材は、前記ワークピースホルダの少なくとも1つの歯型機構に係合させるための少なくとも1つのタブ部を有する場合がある。一実施形態において、この装置は、前記部材を曲げる力を加えるように構成された裏打ち部材を有する。裏打ち部材は、前記部材に接触するプッシュピンを含む場合がある。1つの詳細な実施形態において、この装置は、前記裏打ち部材の近くに、前記裏打ち部材を動かして前記部材を曲げる力を加えるための膨張式袋を有する。
種々の実施形態において、前記リングは、前記ワークピースの表面に対する流体侵入バリアを形成するための第1のエラストマー領域を有する。前記リングは、前記ワークピースホルダの表面に対する第2の流体侵入バリアを形成するための第2のエラストマー領域を有する場合がある。一実施形態において、前記リングは、前記ワークピースに対する電気的接続を形成するように構成された少なくとも1つの接点を有する。前記ワークピースの形は、実質的に円形でなくてもよい。1つの詳細な実施形態において、前記ワークピースホルダには、第1の表面から第2の表面まで穴が形成される。穴の直径はリングの直径よりも小さい。この穴は、前記ワークピースの複数の表面を処理する場合に使用される。
他の実施形態において、本発明は、ワークピースを流体シールする方法を提供する。この方法は、ワークピースをリング上に配置し、前記リングの少なくとも1つの係合機構を或る部材に形成された少なくとも1つの保持機構に係合させ、前記部材を曲げて前記少なくとも1つの係合機構に力を加え、前記リングにより、前記ワークピースに対する流体侵入バリアを形成することを含む。一実施形態において、この方法は、前記リングを回転させ、前記リングの少なくとも1つの係合機構を前記部材の少なくとも1つの保持機構にロックすることを含む。種々の実施形態において、前記部材は過剰突出状態を有し、その状態において、前記少なくとも1つの保持機構は、前記部材を曲げる前に、前記リングの少なくとも1つの係合機構を引き付ける。種々の実施形態において、この方法は、前記ワークピースの表面に対して金属又はプラスチックを蒸着又は溶解することを含む。他の実施形態において、この方法は、流体浸入バリアの完全性をテストすることを更に含む。
更に他の実施形態において、本発明は、物体に力を加えるための装置を提供する。この装置は、実質的に平坦でリング形の部材を有し、該部材の周辺部には、複数の撓み機構が形成される。これら複数の撓み機構は、前記部材が曲げられたときに、前記物体の周辺部に少なくとも実質的に均一に力を加える。一実施形態において、この力は、前記部材の面に対して実質的に垂直に加えられる。種々の実施形態において、前記部材には、リングの少なくとも1つの係合機構に係合させることが可能な少なくとも1つの保持機構が形成される。前記力を加えている間、前記リングは前記物体を保持することができる。この力は、物体をワークピースホルダの表面の一部に対して接触させた状態に維持することができる。1つの詳細な実施形態において、前記物体は、実質的に円形でない形を有する。
一実施形態において、本装置は、前記部材を曲げる力を加えるように構成された裏打ち部材を更に有する。種々の実施形態において、複数の撓み機構が、前記部材の内側周辺部、前記部材の外側周辺部、又は、前記部材の内側周辺部と外側周辺部の両方に、設けられる場合がある。前記部材は、スプリング(例えば、ステンレス鋼やチタニウム)のような材料から形成される。
更に他の実施形態において、本発明は、物体に均一な力を加える方法を提供する。この方法は、実質的に平坦でリング形の部材を設け、前記部材の周辺部に複数の撓み機構を設け、前記部材を曲げ、前記複数の撓み機構から物体の周辺部に均一に力を加えることを含む。
更に他の実施形態において、本発明は、ワークピースを流体シールする装置を提供する。この装置は、少なくとも1つの保持機構が形成された第1の手段と、前記少なくとも1つの保持機構に係合させることが可能な少なくとも1つの係合機構を備えたリングと、前記第1の手段を曲げて、前記少なくとも1つの係合形状に力を加え、前記リングにより、前記ワークピースに対する流体侵入バリアを形成する第2の手段とを含む。
更にたの実施形態において、本発明は、物体に力を加えるための装置を提供する。この装置は、実質的に平坦でリング形の部材を含み、該部材の周辺部には、複数の撓み機構が形成される。前記装置は、前記部材を曲げて、前記複数の撓み機構から物体の周辺部に均一に力を加えるための手段を更に含む。
本発明の他の態様及び利点は、下記の図面、詳細な説明、及び、特許請求の範囲から明らかになるであろう。それらはすべて、本発明の原理を単なる例として示すものである。
上で述べた本発明の利点、並びに他の利点は、添付の図面を参照して下記の説明を読むと、分かりやすいであろう。種々の図面を通じて、同じ参照文字は、大抵同じ部品を指している。図面は必ずしも同じ倍率で拡大縮小されているわけではなく、本発明の原理を示するために大抵は強調されている。
図1は、ワークピースの製造システム10の一例を示している。製造システム10は、本発明の種々の機能を使用することができる。製造システム10は、ワークピースをワークピースホルダ18まで運ぶための搭載ステーション14を含む。製造システム10は、ワークピースを処理するための1以上のモジュール22、例えば処理モジュールを更に含む場合がある。搭載ステーション14と1以上のモジュール22は、1つのフレーム構造に取り付けてもよいし、隣り合った複数のフレーム構造に取り付けてもよい。フレーム構造は、搭載ステーション14から第1のモジュールへワークピースホルダ18を移動させたり、モジュール間でワークピースホルダ18を移動させたりするための、輸送システム26を含む場合がある。製造システムの一例は、マサチューセッツ州ビレリカにあるネックスシステムズから入手できるStratus Systemである。
ワークピース(ワークピースの例は次の図面に描かれている)は、平坦、実質的に平坦、及び/又は、実質的に円形であってよい。種々の実施形態において、ワークピースは、円形、又は、実質的に円形である。他の実施形態において、ワークピースは円形ではない場合もある。例えば、ワークピースは、矩形、正方形、楕円形、又は他の適当な幾何学構成であってもよい。種々の実施形態において、ワークピースは、例えば、半導体ウェーハ、シリコンワークピース、配線基板、プリント回路基板、又は、処理に適した他のワークピースであってもよい。搭載ステーション14は、カリフォルニア州アーバインにあるニューポート・オートメーションや、マサチューセッツ州チェムスフォードにあるブルックス・オートメーションから入手可能な自動ウェーハ処理フロントエンドのような自動搭載ステーションであってもよい。
本発明によれば、ワークピースホルダ18は、単一のワークピースの保持にも、複数のワークピースの保持にも使用される。2以上のワークピースを使用する場合、ワークピースホルダ18は、背中合わせ構成を採用する場合がある。また、単一のワークピースの複数の面を処理するために、ワークピースホルダ18には、その中心を貫通する穴が形成される場合がある。そのような実施形態の詳細については、後で説明する。
本発明によれば、1以上のモジュール22はそれぞれ、洗浄、すすぎ、乾燥、前処理、メッキ、バッファリング/ホールディング、エッチング、電着、電気メッキ、電気エッチング、電気溶解、無電界メッキ、無電界溶解、フォトレジスト蒸着、フォトレジスト剥離、化学エッチング処理、シード層エッチング、並びに、流体フロー及び/又は電界制御の制御及び使用が必要となる同様の処理のうちの、いずれに使用してもよい。種々の実施形態において、処理を実施している間、ワークピースはワークピースホルダ18に保持される。1以上のモジュール22のそれぞれ、及び/又は、ワークピースホルダ18は、ワークピースの表面に、金属フィルム、プラスチックフィルム、又はポリマーフィルムのような種々のフィルムを付着させるのに使用される。制限はしないが、適当な金属の例には、銅、金、鉛、錫、ニッケル、鉄がある。また、それらの金属の合金、化合物、及び、はんだ(例えば、鉛/錫や、ニッケル/鉄)をワークピースの表面に付着させてもよい。
種々の実施形態において、蒸着されるフィルムの厚さは、約1μm〜約150μmである。本発明の機能を使用すれば、フィルムを高純度にすることができ、ワークピースの表面にわたってフィルムの厚さを均一にすることができる。(i)平坦で連続した一様な表面、(ii)マイクロスケールの地形を有する平坦で連続した表面、及び/又は、(iii)地形、及び/又は、フォトレジストパターンを有する平坦な表面において、フィルムの電気特性を均一にすることができる。
種々の実施形態において、製造システム10は、1個から30個のモジュールを有することができ、もちろん、用途によってはもっと多くのモジュールを使用してもよい。1以上のモジュール22の種々の新規な機能の詳細について、以下で説明する。1以上のモジュール22はそれぞれ、頑丈なモジュール構成を有し、製造システム10から取り外すことができる。従って、製造システム10は特定の用途に合わせてカスタマイズすることができる。例えば、モジュールやワークピースホルダは、別のサイズのワークピースを処理するように構成することもでき、例えば、150、200、250、又は、300mmのサイズのウェーハを処理するように構成することができ、カスタマイズ中に失われる製造時間は最小限で済む。
また、特定の流体処理、又は、一連の流体処理に合わせて、処理システムのレイアウト(例えば、1以上の処理モジュールの位置や並び)をカスタマイズし、処理能力を向上させることも可能である。例えば、ストラトスシステムで使用されているような垂直ラインアーキテクチャをデュアルウェーハ処理システムと組み合わせて使用することが可能である。蒸着モジュールの幅は約20cmであり、モジュールの数は、搭載ステーションの速度に合わせて調節することができる。速度の一例は、1時間あたりワークピース約40本である。
また、処理システムのレイアウトの向きを変更することにより、ワークピースを垂直構成にしてもよい。長い蒸着時間を要する処理又は一連の処理の場合、垂直構成によれば、多数のワークピースを同時に処理することが可能である。例えば、処理時間が10分よりも長い場合、20個を超える数のワークピースを同時に処理することができる。更に、ワークピースの表面に大量のガス又は空気が発生する処理(例えば、フォトレジストの電気泳動析出など)の場合、垂直構成によれば、ワークピースの表面から空気やガスの泡を除去することが容易になる。
製造システム10自体は、手動であっても自動であってもよい。製造システム10は、搭載ステーション14、及び/又は、輸送システム26、並びに、1以上のモジュール22の動作を制御するコンピュータを有する場合がある。自動システムの一実施形態において、新たに搭載されたワークピースは、搭載ステーション14から最も遠いモジュールへ運ばれ、次の処理において、処理の終わったワークピースが搭載ステーション14に戻される。
図2は、ワークピース30を保持するワークピースホルダ18の一実施形態を示している。図示の実施形態において、ワークピースホルダ18は、ワークピースホルダ18を持ち上げたり運んだりするのに使用されるハンドル34を有する。図1に示すように、ハンドルは、輸送機構26に係合させることができる。ワークピースホルダ18は、本体38と、ワークピース30に接触するリング42とを更に有する。種々の実施形態において、ワークピースホルダ18の本体38は、高密度ポリエチレン(HDPE)やポリふっ化ビニリデン(PVDF)のようなプラスチックから形成される。本体38は、その少なくとも1つの縁部44にガイドストリップを更に有する場合がある(図5及び図6に示す)。ガイドストリップ(複数の場合もあり)は、ワークピースホルダ18をモジュール22の1つに位置決めするのに使用される。
リング42は、ワークピース30をワークピースホルダの本体38に接触させた状態に固定、及び/又は、維持する。例えば、2mm未満の外周のワークピース30を接触させることにより、ワークピース30の外周部において、ワークピース30とリング42の間に接触が生じる。種々の実施形態において、リング42は、エラストマーに包まれた可撓性部材を有する。エラストマーの幾つかの部分は、ワークピース30との接触に使用され、実施形態によっては、ワークピース30との間にシールを形成する場合がある。
種々の実施形態において、リング42は、円形、実質的に円形、又は、円形以外(例えば、矩形、正方形、楕円形、又は、三角形、あるいは、他の適当な幾何構成)の形を有する場合がある。一実施形態において、リング42は、ワークピース30に比べて薄型である。例えば、1つの詳細な実施形態において、リング42は、ワークピース30の露出面から約1mm未満だけ超えて延びる。種々の実施形態において、リング42は、接触リングであってもよいし、シーリングリングであってもよい。一実施形態において、リング42は、Keigler他に付与された米国特許第6,540,899号に記載されているシーリングリングアセンブリである。この文献の開示は全て、参照によって本明細書に援用される。
図3は、複数のワークピース30の保持に使用されるワークピースホルダ18’の一実施形態を示す断面図である。ワークピースホルダ18’の本体38は、第1の面において第1の表面43を有し、第2の面において第2の表面45を有する(例えば、表面と裏面)。ワークピースを保持するために(例えば、ワークピース30をワークピースホルダ18’の対応する表面43又は45に接触させた状態に維持するために)、各表面に、リング42がそれぞれ取り付けられている。例えば、第1のリングは、第1の面においてワークピースホルダの第1の表面上に第1のワークピースを保持することができ、第2のリングは、第2の面においてワークピースホルダの第2の表面上に第2のワークピースを保持することができる。
図3の実施形態によれば、第1の面と第2の面は互いに平行であり、互いに間隔を空けて配置されている。種々の実施形態において、第1の面と第2の面は或る角度を成す場合がある。一実施形態において、第1の面と第2の面は直交する場合がある。他の実施形態において、第1の面と第2の面は、鋭角を成す場合もあれば、鈍角を成す場合もある。本発明が2つの面しか持たないワークピースホルダに制限されることはないものと考えられる。1つの面しか使用しない実施形態や、3以上の面を使用する実施形態を使用することも可能である。ここでは、2つの面を使用して複数のワークピースを保持する装置の一実施形態を例示している。
一実施形態において、ワークピースは背中合わせ構成で保持される。詳細な実施形態において、ワークピースは、背中合わせ構成で互いに中心合わせされる。実施形態によっては、ワークピースホルダは異なる表面に保持され、互いにオフセットされる場合がある。他の実施形態では、複数のワークピースをワークピースホルダの1つの表面に保持し、例えばそれらを横並び構成で保持する場合がある。実施形態によっては、複数のワークピースをワークピースホルダの1つの面に保持し、同時に、別の1以上のワークピースをワークピースホルダのもう1つの面に保持する場合がある。
図4は、ワークピースホルダ18’’の他の実施形態を示す断面図である。この図は、ワークピース30をワークピースホルダ18’’に対して接触させた状態に維持するシステムの一例を示している。リング42’は、ワークピース30をワークピースホルダ18’’の本体38’に対して固定する。ワークピース30は、接点46において本体38’に接触する。本体38’には収容部50が形成され、ワークピース30が本体38’の一部にしか接触しないように構成される場合がある。
図示の実施形態によれば、ワークピースホルダ18’’の本体38’には、少なくとも1つの部材58、裏打ち部材62、及び、袋66を保持するための溝54が形成される。部材58は可撓性であり、フレキシャープレートと呼ばれることもある。部材58は、円形、実質的に円形、又は、円形以外(例えば、矩形、正方形、楕円形、三角形、又は、他の適当な幾何構成)の形を有する。実施形態によっては、部材58は、リングやプレートの形であってもよく、1つの詳細な実施形態では、実質的に平坦なリング形である場合がある。種々の実施形態において、部材58は、ステンレス鋼やチタニウムのようなスプリング状の材料から形成される場合がある。部材58は、例えばリング42の係合機構70のような、リングの少なくとも1つの係合機構に係合させることが可能な少なくとも1つの保持機構(例えば、図5や図6に示すような)を有する場合がある。種々の実施形態において、リング42’及び部材58は、ワークピースホルダ18’’に対して着脱可能に取り付けられる。
裏打ち部材62は、プレートであってもプッシュプレートであってもよく、少なくとも1つのプッシュピン74を有する。種々の実施形態において、裏打ち部材62は、円形、実質的に円形、又は、円形以外の形である。種々の実施形態において、裏打ち部材62は、リングであってもプレートであってもよい。裏打ち部材62は金属材料から形成しても、プラスチック材料から形成しても、ポリマー材料から形成してもよい。袋66は、空気袋であってもよく、キャビティ78を形成する。キャビティ78に空気のような流体を満たすことにより、袋66を膨らませることができる。袋66を膨らませると、袋66は裏打ち部材62を押し、それによって少なくとも1つのプッシュピン74が部材58に接触し、それによって部材58が曲がる。袋66は、円形であっても、実質的に円形であっても、円形以外の形であってもよく、種々の実施形態において、リング、又は、プレートであってもよい。種々の実施形態において、袋66は、フッ素エラストマー、ウレタン、又は、マイラーなどの材料から形成される場合がある。
図5及び図6は、ワークピース30を保持するためのワークピースホルダ18’’’の他の例を示す展開図である。図5は、第1の方向から見たときの図であり、図6は、第2の方向から見たときの図である。この実施形態のワークピースホルダ18’’’は、リング42’、溝54、裏打ち部材62、及び、袋66を含む。ワークピースホルダ18’’’は、ハンドル34’、及び、部材58’を更に有する場合がある。
図5及び図6に示すワークピースホルダ18’’’は、本体38’’を更に含み、本体38’’はガイドストリップ82を有する場合がある。一実施形態において、本体38’’に形成される収容部50は、ワークピース30を支持するための複数の接点46を有する。図示の実施形態において、本体38’’は、流体を袋66に供給したり、本体38’’のダクト(図示せず)を介してリング42’の下側を減圧したりするための少なくとも1つのポート86を有する。種々の実施形態において、本体38’’は、ワークピース30に電流を流すための少なくとも1つの接点90を更に有する場合がある。裏打ち部材62は、本体38’’に係合させることが可能なスタッド(鋲)92に結合される場合がある。スタッド92は、裏打ち部材62を部材58’に接触させる力を加える。
図6に示すリング42’は、少なくとも1つの係合機構70を有し、一実施形態において、この係合機構70は1以上のスタッドとして形成される。密閉溝94が、リング42’の外周を取り囲む。密閉溝94は、リング42’のエラストマー領域であってもよく、ワークピースホルダ18’’’の外周を取り囲む密閉ボス98に係合させることができる。一実施形態では、この係合によって、例えば、ワークピースホルダ18’’’とリング42’の間に、流体密閉シールのような流体浸入バリアが形成される。
種々の実施形態において、リング42’は、ワークピース30に対する流体浸入バリアを形成することが可能な内側シール面102を更に有する。内側シール面102には、ワークピース30への電気接続を形成することができる。例えば、内側シール面102は、ワークピース20に接触する可撓性指部材を有する場合がある。可撓性指部材の先端は、電気的接点を形成するために露出させる場合がある。この電流経路は、最大で75アンペアの電流をワークピースの表面に運ぶことができ、複数のワークピースに対して個別の電流制御が可能である。
種々の実施形態において、内側シール面102は、大きな力を受けると湾曲し、流体浸入バリアを形成する。
実施形態によっては、部材58’には、少なくとも1つの保持機構110と、少なくとも1つの屈曲機構114が形成される場合がある。部材58’は、少なくとも1つのタブ部118を有する場合がある。部材58’の種々の機構は、例えばレーザー切断などによって、部材58’に形成することができる。少なくとも1つの保持機構110は、リング42’の少なくとも1つの係合機構70に係合させることができる。種々の実施形態において、少なくとも1つの保持機構110は、部材58’に切り込まれた鍵穴スロット、又は、捕捉スロットであってもよい。一実施形態において、少なくとも1つの撓み機構114は、雄羊の頭の形を有する場合がある。
一実施形態において、部材58’には、複数の撓み機構114が形成される。複数の撓み機構114を組み合わせることにより、部材58’の本体122の周りに実質的印長い経路が形成され、部材58’を大きく曲げることができる。一実施形態において、部材58’を曲げたとき、複数の撓み機構114は、例えばワークピース30のような物体の周りに、少なくとも実質的に均一な力を加えることができる。この力は、部材58’の面に対して実質的に垂直に加えられる。力を加えると、リング42’は、その物体を保持することができる。この実施形態又は他の実施形態において、撓み機構(複数の場合もあり)114は、部材58’の周囲に形成することができ、例えば、部材58’の内周、外周、又は、内周と外周の両方に形成することができる。
実施形態によっては、溝54(例えば、本体38’’に形成されるリング形のキャビティ)は、部材58’の少なくとも1つのタブ部118に係合させることが可能な、少なくとも1つの歯機構126を有する場合がある。複数のタブ部118を本体122から離す方向に曲げると、タブ部118間に、ワークピース30の面に対して垂直に力が生じる。
図5及び図6を参照すると、リング42’及び部材58’は、ワークピースホルダ18’’’に着脱可能に取り付けられる。一実施形態において、リング42’の1以上の係合機構70は、部材58’の1以上の保持機構110に係合(挿入又は取り付け)させることができる。例えば、鍵穴スロットを有する実施形態では、係合機構(複数の場合もあり)70が、保持機構(複数の場合もあり)110の狭い方の端部に接触して止まるまで、リング42’を数度だけ回転させることができる。その結果、係合機構(複数の場合もあり)70の肩部が、部材58’の裏側にくる。次に、袋66を部分的に又は完全に収縮させることができる。撓み機構114によって生じる撓み力により、部材58’が曲がり、1以上の係合機構70とは反対の方向に引っ張られる。その結果、この実施形態では、リング42’がワークピースホルダ18’’’の方へ引っ張られる。
一実施形態において、撓み部材は、少なくとも1つの係合機構に力を加え、リングにより、ワークピースに対する流体侵入バリアを形成する。例えば、この力は、部材58’はリング42’の少なくとも1つの係合機構70を引っ張り、係合機構70をワークピース30に押し付けて、流体浸入バリアを形成する。少なくとも1つの撓み機構114は、部材58’の面に対して実質的に垂直に力を加え、バリアを形成するように構成される。撓み機構14は、部材58’の周辺部に設けられ、周辺部(例えば、内周、外周、又は、内周と外周の両方)から、少なくとも実質的に均一に力を加えることができる。部材58’を変形する力は、リング42’の周囲の直線センチメートルあたり約1キログラムになる場合がある。
ワークピースホルダから第1のワークピースを取り外したり、第1のワークピースと第2のワークピースを交換したりするためには、袋66を膨らまし、裏打ち部材62を部材58’(プッシュピン74を有する場合もあれば、有しない場合もある)に接触させ、部材58’を変形させることにより、部材58’とリング42’の間の力を除去する。係合機構(複数の場合もあり)70の係合力を緩めることにより、保持機構100から係合機構70を外すことができる。一実施形態において、係合機構(複数の場合もあり)70の係合力を緩めると、リング42’を回転させ、ワークピースホルダ18’’’からリング42’を取り外すことができる。リング42’から第1のワークピースを取り除くことができ、必要であれば、新たなワークピースをリング42’上に配置することができる。
一実施形態において、この流体シールは、十分に大きな力でワークピースを固定することができ、予期せぬ出来事により処理システムの電力が全て失われた場合であっても、流体の浸入を防ぐことができる。一実施形態において、この流体浸入バリアは、ワークピース搭載手順の後、及び/又は、ワークピースを確実に適切に搭載するためのワークピースの処理の前に、テストされる場合がある。例えば、マイナス約0.05アトムのような小さな真空が、ワークピースホルダ18’’’のキャビティに印加される。この真空は、例えば収容部50に印加される。所定の時間の間に、ワークピースホルダ18’’’におけるこの真空が、所定量を超えて変化しない場合(例えば、約5秒未満において約10%)、バリアの完全性を確認しなければならないとみなされる。真空が比較的速い速度で変化する場合は、リング42’が適切に取り付けされていなかったり、ワークピースが取り外しや再取り付けが行われている可能性がある。
図7は、保持機構110、撓み機構114、及び、タブ部118を含む、部材58’の一部128の詳細を示している。図示のように、部材58’には、部材58’のほぼ内周と外周に沿ってそれぞれ延びるライン130及び134が規定される。ライン130及び134は、少なくとも実質的に本体122を貫通して切り込まれる。1つの詳細な実施形態において、ライン130及び134は、本体122を貫通して切り込まれる。これらのラインは、内周や外周に沿って連続して延びているのではない。そうではなく、ライン130及び134は、一連の幾つかの不連続なラインからなる。例えば、ライン130aは、第1の保持機構114aから隣りの撓み機構114bまで延びている。ライン130aは、撓み機構114a及び114bにそれぞれ規定された2つの涙形の領域138a及び138bで終わっている。図示の実施形態によれば、撓み機構114、114a、又は、114bは、オーム形ライン142を更に有する。一実施形態では、2つの近接した涙形の領域とオーム形ラインが結合し、1つの撓み機構を形成する。この可撓性形状は、雄羊の頭の形を有する。
一連の個別のラインを使用することにより、前記部材の周辺部の周りに実質的に長い経路を形成することができ、その経路に沿って前記部材を曲げることが可能になる。また、一連の個別のラインを使用することにより、周辺部から少なくとも実質的に均一な力を加えることが容易になる。
種々の実施形態において、タブ部118はノッチ146を有する。一実施形態において、ノッチ146は、ワークピースホルダの溝54にある対応する落とし穴に係合する。ノッチ146は、部材58’の回転を防止する。部材58’は、外側タブ部148を有する場合があり、外側タブ部148は、部材58’をワークピースホルダに保持するのに使用される場合がある。
部材58又は58’の動き、及び、撓み機構(複数の場合もあり)114の動きが、図示されている。理論にとらわれることなく、例示の目的で、図8A〜図8Cは図を示している。
図8Aは、弛緩状態にある部材58又は58’を示している。プレート150とスプリング154が、部材58又は58’に相当する。撓み機構(複数の場合もあり)114は、力を加えるためのスプリング154のような働きをする。アンカーポイント138は、ワークピースホルダの保持機構に相当する。例えば、アンカーポイント138は、ワークピースホルダの溝54に形成された歯形機構(複数の場合もあり)126である場合がある。アンカーポイント138は、部材58又は58’のタブ部118を制限することができる。
図8Bは、係合機構70(図8B及び図8Cにスタッドとして示したような)を含む、リング42又は42’の一部を示している。プレート150(すなわち、部材58又は58’)に力162を加えると、部材58又は58’は突き出た状態になる。突き出た状態にすると、リング42又は42’と部材58又は58’を係合させることができる(例えば、一実施形態において、保持機構が係合機構を受け止める)。1つの詳細な実施形態では、係合機構70と保持機構110の間に係合が生じる。一実施形態では、裏打ち部材62によって力162を加える場合がある。スプリング154(すなわち、撓み機構114)は、力162とは実質的に反対方向に力166を加える。
図8Cは、部材58又は58’が保持機構110を介して係合機構70に力166を加えている状態における装置を示している。スプリング154は、部材58又は58’の面に対して実質的に垂直に力166を加える。一実施形態では、力166により、部材58又は58’は係合機構70を引っ張り、係合機構70は、リング42又は42’をワークピース30に接触させる。この接触により、ワークピース30とリング42又は42’との間に流体侵入バリアが形成される。
図9は、ワークピースホルダ170の他の例示的実施形態を示している。この実施形態は、ワークピース30の複数の表面を処理するのに使用することができる。ワークピースホルダ170は、ワークピースを保持するためのリング42を有する。ワークピースホルダ170の本体174には、第1の表面182から第2の表面186まで貫通する穴178が形成される。穴178の直径は、リング42の直径よりも小さい。種々の実施形態において、ワークピースホルダ18’’’は、限定はしないが、部材58又は58’、裏打ち部材62、及び、袋66等を含む、上で述べた種々の機構を有する。ワークピース30の裏面と穴178の端部は、それらの部品を流体処理に使用される流体から隔離するためのシールを形成することができる。
図10は、ワークピースを処理(例えば、流体処理)するための装置の一例を示している。この装置はモジュール22を含み、モジュール22自体がハウジング200を有する場合もある。一実施形態において、モジュール22には流体が収容され、例えばハウジング200は、その流体を入れておくキャビティを画定する。図10に示すように、この装置は、ワークピースホルダ18、部材204、プレート208、及びアノード212の一実施形態を更に含む。実施形態によっては、これらの要素が使用されない場合や、存在しない場合もある。以下では、変形実施形態について詳細に説明する。種々の実施形態において、部材204、プレート208、及び/又は、アノード212は、モジュール20、及び/又は、ハウジング200内に配置される。モジュールの設計から、これらの要素は、ハウジング200の中に着脱可能、又は固定可能に取り付けられる。
図10において、ワークピースホルダ18は、ハウジング200から取り外されている。ワークピースホルダ18をモジュール22やハウジング200と一体化する必要は必ずしもない。1つの詳細な実施形態において、ワークピースホルダ18は、ハウジング200から取り外すことができる。ワークピースホルダ18は、2以上のモジュール22間で輸送することができる。ハウジング200の両側の内側の面には、溝が形成される場合がある。ワークピースホルダ18’’’’のワークピースホルダ18や、ガイドストリップ82の端部44は、その溝に挿入することができる。
電着や、電気エッチングの用途の場合、ハウジング200の長さは、例えば約180mm未満である場合がある。プレート208やアノード212を必要としない用途の場合、ハウジング200の長さは約75mmである場合がある。ハウジング200の幅は、約300mm〜約500mmであってもよい。200mmのワークピースの実施例では、モジュールの寸法は、約180mm×400mmであってもよい。ただし、寸法は、用途やワークピースのサイズに応じて変更してもよい。
種々の実施形態において、部材204は、パドルアセンブリ、又は、流体攪拌パドルである。1つの詳細な実施形態において、部材204は、シアプレート攪拌パドルである。部材204は、ワークピースホルダ18によって保持されるワークピースの表面に対して実質的に平行に動かすことができる。部材204を不均一に振動させることにより、流体を攪拌することができる。種々の実施形態において、部材204の振動周波数は、約0Hz〜約20Hzである。ただし、用途によってはもっと高い周波数を使用してもよい。一実施形態において、部材200の振動周波数は約4Hz〜約10Hzである。一実施形態において、振動周波数は約6Hzである。
実施形態によっては、部材204を1以上のモータ216によって動かす場合がある。部材204は、接続ロッド220を使用して、モータ(複数の場合もあり)216に接続することができる。1つの詳細な実施形態において、モータ(複数の場合もあり)216は、直線駆動型モータ、又は、リニアモータアセンブリである。適当なリニアモータとして、ウィスコンシン州にあるリンモット・コーポレイションから市販されている直線駆動型モータがある。種々の実施形態において、モータ216は、ハウジング200に対して固定的に取り付けてもよいし、着脱可能に取り付けてもよい。モータ216は、ハウジング200の中心面上に配置される。1つの詳細な実施形態において、部材204の重さと、部材204の往復運動中に生じる内力は、機械的なベアリングによって支持されるのではなく、リニアモータにより、モータスライダとモーター巻線の間の磁界によって支持される。1以上のモータ216は、コンピュータ制御してもよい。
種々の実施形態において、プレート208は、シールドプレートであってもよいし、シールドアセンブリであってもよい。プレート208は、部材204に保持されているワークピースの表面に発生する磁界の成形に使用される。プレート208’は、非導電性材料から形成することができる。限定はしないが、適当な材料には、HDPEや、PVDFがある。種々の実施形態において、プレート208は、円形、実質的に円形、又は、円形以外(例えば、矩形、正方形、楕円形、三角形、又は、他の適当な貴下構成)の形を有する場合がある。プレート208は、あまり苦労することなく、取り外して交換することが可能である点に特徴がある。そのため、失われる製造時間を最小限に抑えつつ、1つのモジュールを種々のサイズのワークピースの処理のために構成することができる。
一実施形態において、アノード212は、ハウジング200の外壁を形成する。一実施形態において、アノード212は、アノードアセンブリの構成部品であり、アノードアセンブリは、ハウジング200の外壁を形成する。種々の実施形態において、ハウジング200は外壁を有し、アノード212又はアノードアセンブリは、その壁に着脱可能に取り付けられるか、又は、その壁から隙間を空けて取り付けられる。
種々の実施形態において、アノード212は、銅ディスクであってもよい。一実施形態において、アノード212の露出される表面積は、約300cmである。一実施形態において、アノード212は、電着、又は、銅やはんだの蒸着のような他の流体処理の際に消費される。アノード212は、失われる製造時間を最小限に抑えつつ、僅かな労力で取り外し、置き換えることができる点に特徴がある。
アノード212の実施形態によっては、ワークピースの表面が、カソードとして機能する場合がある。なお、実施形態によっては、システムの極性を反転させたほうが望ましいこともある。つまり、モジュール22に配置されたカソードに対するアノードになるように、ワークピースの表面が制御される。そのような実施形態では、アノード212をカソードと交換したほうが望ましい。
図11は、ワークピースを処理するための装置の他の実施形態を示す断面図である。この実施形態は、例えば、2つのワークピースの同時処理に使用することができる。この図は、側壁224及び端壁226を有するハウジング200’と、部材202、部材204a及び204b、プレート208及びアノード212の相対的位置を示している。これらの要素又は距離は、原寸通りに描かれてはいない。ただし、部材204aと204bは2つの個別の構造として描かれていて、それらは1つのアセンブリを形成している。
流体処理のためのハウジング200’の一実施形態において、流体は、ハウジング200’の底壁にある少なくとも1つのポート228からハウジング200’に入る。実施形態によっては、ポート228は、ハウジング200’の底壁230の中心部に配置される場合もある。一実施形態において、ポート228は、側壁24の底部に配置される場合がある。流体は、1以上のワークピースの表面に沿って上に流れる。流体は、ワークピースホルダ18と対応する部材204、204a又は204bの間、又は、ワークピースホルダ18とプレート208の間を流れる。種々の実施形態において、流体は、ハウジングの上部、側壁224の上部、又は、端壁226の上部を通じて、ハウジング200’から出る。矢印は、流れの一般的方向を示している。
種々の実施形態において、流速は、一分あたり約20リットルから一分あたり約40リットルである場合がある。1つの詳細な実施形態において、流速は、一分あたり約28リットルである。一実施形態において、流体は電解液である。電解液は、処理中にリザーバからハウジング200’を通じて循環する場合がある。流速が一分あたり約27.6リットルであるとき、循環速度は約0.8分である。電解液の例には、硫酸銅、水、硫酸、塩酸などがある。
ワークピース30と、それに対応する部材204、204a、又は204bとの間の距離は、約1mm〜約5mmである。ただし、この距離は用途に応じて変更可能である。一実施形態において、部材204、204a又は204bは、ワークピース30の表面から約2mm未満の位置に配置される。要素間の距離を短くするほど、表面における流体の混合が良好になる。リング42がワークピースの外側表面から約1mm突き出るような1つの詳細な実施形態では、ワークピース30の表面から約1.5mmの面において、部材204、204a又は204bを動かすことができる。プレート208は、ワークピース30の表面から約2mm〜約20mmの位置に配置することができる。ただし、この距離は、用途に応じて変更可能である。1つの詳細な実施形態において、プレート208は、ワークピースの表面から約5mmの位置に配置される。
図12は、ワークピースの流体処理中に、流体を攪拌するための部材204’の一実施形態を示す斜視図である。部材204’は、第1のプレート232及び第2のプレート234を有する。各プレート232及び234には、間隔を空けて一連の開口部236が形成される。間隔を空けて配置される開口部236の形は、例えば、楕円形であってもよいし、矩形であってもよい。各プレート232及び234は、流体を攪拌するための、間隔を空けて配置された一連のブレード240を更に有する。間隔を空けて配置されるブレード240は、真っ直ぐであってもよいし、角が付いていてもよく、カップ形であってもよいし、正方形であってもよい。間隔を空けて配置される一連の開口部236、又は、間隔を空けて配置される一連のブレード240は、実質的に等間隔の周期的アレイとして配置される。例えば、中心は、それらの間の約10mmから約30mmの位置に配置される。1つの詳細な実施形態において、中心は、20mm離れた位置に配置される。
一実施形態において、間隔を空けて配置される一連の開口部236は、部材204’が動かされるときに、流体を攪拌する。一実施形態において、間隔を空けて配置される一連のブレード240は、部材204’が動かされるときに、流体を攪拌する。一実施形態では、開口部236とブレード240の両方が、流体を攪拌する。1つの詳細な実施形態において、間隔を空けて配置されるブレード240の端面は、流体を攪拌する。
プレート232及び234は、適当な金属、プラスチック、又は、ポリマーから形成される。適当な金属には、チタニウム、ステンレス鋼、アルミニウムがある。適当なプラスチックには、ポリ塩化ビニル(PVC)、塩化PVC(CPVC)、HDPE、及び、PVDFがある。種々の実施形態において、プレート232及び234はいずれも、ワークピースの表面から約2mm〜約10mmの位置に配置される。ただし、用途によっては、もっと短い距離や、もっと長い距離を使用してもよい。1つの詳細な実施形態において、プレート232及び234のうちの少なくとも一方の厚さは、約3mm〜約6mmmである。ただし、用途、及び/又は、材料の組成によっては、もっとも短い距離や、もっと長い距離を使用してもよい。使用するワークピースが薄いほど、プレート208はワークピースに近づけて配置される。その結果、蒸着の均一度が向上する。
第1のプレート232と第2のプレート234は、1以上のスペーサ機構244によって結合され、部材204’を形成する。図12では、第1のプレート232及び第2のプレート234が、スクリュー248によってスペーサ機構244に取り付けられるように描かれているが、他の手段を使用することもでき、限定はしないが、例えば、リベット(鋲)、糊、エポキシ、接着剤、又は、他の適当な取り付け手段を使用して取り付けることも可能である。プレート232及び234並びにスペーサ機構244は、キャビティを画定し、処理の際に、ワークピースホルダ18の一実施形態は、キャビティに挿入される。スペーサ機構244により、部材204’をワークピースホルダ18に対して位置決めすることが容易になる。
種々の実施形態において、部材204又は204’は、部材204又は204’を機械的に支持しなくても高い精度が得られるようなやり方で、ハウジング200によってワークピースホルダ18に対して位置決めされる。上記のように、モータ216は、部材204又は204’を支持することができる。部材204又は204’とワークピースホルダ18の間の正確で確実な分離を実現するために、ハウジング200に取り付けられたガイドホイール(図示せず)を使用する場合がある。ガイドホイールは、ハウジング200の側壁にしっかりと取り付けられた軸を中心として、自由に回転する。ハウジング200にアライメントホイールを更に取り付け、ワークピースホルダ18を位置決めしてもよい。ガイドホイールとアライメントホイールの関係は、部材204又は204’からワークピース表面までが、約1/4mm未満になるようにする。このようにすると、部材204又は204’をワークピース表面に対して実質的に平行に動かしたときに、ワークピース表面に実質的に均一な流体境界層を発生させることが容易になる。
ガイドホイールの軸は、ジャーナル・ベアリング・シャフトのような働きをする。部材204又は204’は、摩擦力すなわち軸受け摩擦がゼロの状態で動かすことができる。そのため、耐荷重性の摩擦面又は摩擦軸受けを使用するシステムにかかる修理コストやメンテナンスコストを大幅に削減することができる。
図13は、ワークピースの流体処理中に流体を攪拌するための部材204’’の他の実施形態を示す断面図である。間隔を空けて配置されるブレード240’は、カップの形をしている。図13において、間隔を空けて配置されるブレード240’は、リング42を使用してワークピースホルダ18上に保持されているワークピース30の隣りにあるように描かれている。種々の実施形態において、間隔を空けて配置される一連の開口部236、及び/又は、間隔を空けて配置される一連のブレード240’は、部材204’’が動かされるときに流体を攪拌する。一実施形態において、間隔を空けて配置されるブレード240’の端面は、流体を攪拌する。この実施形態の場合、端面は側面であってもよく、あるいは、尖った表面や丸みを帯びた表面であってもよい。
図14は、部材204’’’の他の実施形態を示す断面図である。間隔を空けて配置されるブレード240’’は、傾きのあるプロファイルを有し、リング42を使用してワークピースホルダ18上に保持されているワークピース30の隣りにあるように描かれている。種々の実施形態において、間隔を空けて配置される一連の開口部236、及び/又は、間隔を空けて配置される一連のブレード240’’は、部材204’’が動かされるときに流体を攪拌する。
上記のように、部材204、204’、204’’、又は204’’’(本明細書では、まとめて204xと呼ぶ)は、流体の攪拌に使用される。実施形態によっては、不均一な振動特性を使用して、部材204xを動かす場合もある。一実施形態において、この不均一な振動は、不均一な振動の各ストークの後に変化する逆転位置を有する場合がある。
例えば、図15を参照すると、ワークピース30の表面上にある特定のワークピースポイント256の隣りにあるブレード240、240’又は240’’、あるいは、間隔を空けて配置された開口部236の中心点(本明細書では、まとめて中心点252と呼ぶ)は、一回の振動の後に、同じワークピースポイント256に戻る必要はない。部材204xが振動するのに従って、中心点252はワークピース30の表面に沿って移動し、一回の振動の後、中心点252’は、ワークピースポイント260になる場合がある。
一実施形態において、不均一な振動は、一次振動ストロークと、少なくとも1つの二次振動ストロークとを含む。一次振動ストロークの長さは、部材204xに規定される開口部間の間隔に実質的に等しい。1つの詳細な実施形態において、一次振動ストロークの長さは、間隔を空けて配置される隣り合う開口部236間の間隔に実質的に等しい。
図16を参照すると、図示の一次振動ストローク264は、部材204xの振動ストロークの逆転位置を変化させる。一実施形態において、一次振動ストローク264は、部材204xの中心点252の逆転位置268を変化させる。図示の第1の二次振動ストローク272は、部材204xの振動の逆転位置を変化させることができる。1つの詳細な実施形態において、第1の二次振動ストローク272は、中心点252の逆転位置276を変化させる。種々の実施形態において、一次振動ストローク264の逆転位置を変化させる際にも、これは可能であると考えられる。図示の第2の二次ストローク280は、部材204xの振動の逆転位置を変化させることができる。1つの詳細な実施形態において、第2の二次振動ストローク280は、中心点252の逆転位置284を変化させる。種々の実施形態において、第1の二次振動ストローク272の逆転位置を変化させる際にも、これは可能であると考えられる。
図示のように、中心点252は、部材204xの相対移動を示すのに使用される。ただし、部材204xの表面上のどの点Xを使用しても、部材204xが動くときの、点Xの相対位置の変化を示すことは可能である。実施形態によっては、部材は、複数のピースから形成される場合がある。各ピースは、間隔を空けて配置された1以上の開口部、又は、間隔を空けて配置された1以上のブレードを有する。一実施形態において、各ピースは、独立したモータに接続することができ、その結果、ピースの動きは、隣りのピースとは無関係になる。一実施形態では、各ピースを同じモータに接続し、各ピースを一斉に動かせるようにする場合もある。実施形態によっては、複数のピースをワークピースの同じ面に配置し、部材204xの2以上のピースの動きによって、流体を攪拌する場合がある。
図17は、ワークピースの流体処理中に流体を攪拌するための不均一な振動特性の一例を示すグラフである。図15及び図16に示すワークピース30及び中心点252は、例示のために記載したものである。ワークピース30の表面にあるワークピースポイント256に対する、部材204xの中心点の位置が、時間に対してプロットされている。この実施形態の部材204xは、中心点252間の間隔が約20mmである。一次振動ストロークは、中心点252と、部材204xの隣りの中心点との間の間隔と実質的に同じである。二次振動ストロークは約40mmである。ライン292は、一次振動ストロークによって生じる中心点の相対移動を示している。ライン293は、二次振動ストロークによって生じる中心点の相対移動を示している。
一次振動ストロークと二次振動ストロークの組み合わせを使用することにより、ワークピース30の正面における振動パターンの逆転位置を、処理時間に応じて大きく変化させることができる。その結果、ワークピースの表面における電界や流体の流れ場の不均一な時間平均を防止することができる。その結果、ワークピースの表面にある部材の電界画像や、流体フロー画像を最小限に抑えることができ、その結果、蒸着の均一度を向上させることができる。
図18は、ワークピースの流体処理中に流体を攪拌するための不均一な振動特性300の他の例を示すグラフである。この実施形態の部材204xでは、中心点252間の間隔が、約20mmである。一次振動ストロークは、中心点252と、部材204xの隣りの中心点との間の間隔と実質的に同じである。第1の二次振動ストロークは約30mmである。第2の二次振動ストロークは約40mmである。この振動は、二次振動ストロークを更に含む場合がある。ライン304は、一次振動ストロークによって生じる中心点の相対移動を示している。ライン308は、第1の二次振動ストロークによって生じる中心点の相対移動を示している。ライン312は、第2の二次振動ストロークによって生じる中心点の相対移動を示している。
第1の二次振動ストロークの時間は約2秒であり、第2の二次振動ストロークの時間は約10秒である。従って、振動の逆転が起きる位置を動かすことができ、間隔を空けて配置される各ブレードの逆転ポイント、又は、間隔を空けて配置される各開口部の中心点を約0.1mmだけ広げることができる。その結果、ワークピース表面への逆転位置の画像化はいずれも、低減又は実質的に抑制される。
また、部材204xの振動によって、ワークピース30の表面に、非周期的な流体境界層を形成することもできる。一実施形態において、部材204xは、ワークピース表面における流体境界層の厚さを低減する。1つの詳細な実施形態において、流体境界層の厚さは、約10μm未満にまで低減される。また、部材の動きを低減、又は、実質的に抑制することもでき、ワークピース30の表面から空気やガスの泡が流体中に捕捉されることも、低減、又は、実質的に抑制される。1つの詳細な実施形態において、流体の流れは、メッキや蒸着の際に、ハウジング200の成長するフィルムの表面付近に空気やガスの泡を運ぶ。
図19は、ワークピースの表面における境界層の厚さと流体攪拌速度の関係を示すグラフである。流体攪拌速度は、部材204xの振動速度である。図示のように、流体攪拌速度が増加するのに従って、流体境界層の厚さは、約55μmから約10μm未満にまで減少する。境界層の厚さは、電流測定値を制限することによって導出することができ、電流測定値は、基準電極の既知の挙動と比較したり、ボルタンメトリーを線形掃引したり、クロノメータで電流測定したりすることによって判定することができる。流体の混合は、境界層の厚さに反比例する。従って、流体処理において境界層が減少すれば、ワークピース表面における流体の混合は向上する。その結果、処理能力や均一度も改善され、その結果、材料の消費も低減することができる。
図20は、ワークピース30の処理中に電界を変化させるためのプレート208’の一実施形態を示している。ワークピース表面における電界を変化させると、ワークピース表面を通る電圧降下は、ワークピース周辺部からワークピース中心部へ向けて変化するが、フィルムの均一な蒸着は容易になる。一実施形態において、プレート208’は、アノード212の面からワークピース30の表面へ向けて電界が通過する際に、その電界を遮断することが可能な非導電性材料から作成される。プレート208’は実質的に円形である。プレート208’は、プレート208’をハウジング200又は200’に接続したり、プレート208’をハウジング200又は200’内に吊るすための支持機構(図示せず)に接続したりするための固定穴314を有する場合がある。
一実施形態において、プレート208(図10及び図11に示したようなもの)又は208’(図20に示したようなもの)は、ワークピース30に入射する電界を成形する。プレート208又は208’の本体316には、複数の穴320が形成される。穴320は、穴サイズに分布を有する。例えば、プレートの表面における穴の直径を変化させる場合がある。穴サイズを変化させることにより、プレート208又は208’の表面の平均開口面積を変化させることができ、プレート208又は208’を通過してワークピース30の表面へ向かう電界の特性を変化させることができる。変化させる電界の特性は、振幅であってもよいし、電気であってもよい。種々の実施形態において、ワークピースの表面に近接する電界は均一にすることができる。
一実施形態において、穴サイズの分布は、穴サイズの連続的な勾配からなる。1つの詳細な実施形態において、穴は、実質的に放射状パターンで変化する。図20に示すように、例えば、プレート208’の中心に近いほど大きな穴を形成し、プレート208’の外縁に近いほど小さい穴を形成する場合がある。種々の実施形態において、プレートは約500〜約10000個の穴を有することができる。ただし、用途、及び/又は、ワークピースのサイズによっては、もっと多くの穴又はもっと少ない穴を使用してもよい。一実施形態において、プレートは約1000〜約5000個の穴を有する。1つの詳細な実施形態において、プレート208又は208’は、約3000個の穴を有し、200mmのワークピースに適する。種々の実施形態において、穴の直径は約0.1mm〜約20mmである。ただし、用途によっては、もっと大きい穴やもっと小さい穴を使用してもよい。一実施形態において、最大直径の穴は、直径約5mmである。最小直径の穴は、直径約1mmである。
図21A及び図21Bは、搭載ステーション14’の一実施形態を示している。搭載ステーション14’は、1以上のワークピース30を一実施形態によるワークピースホルダ18に搭載するのに使用される。図21A及び図21Bは、ワークピースホルダ18のホルダ324と、ワークピース30を移動させるための土台部材328、及び、ホルダ324と土台部材328を接続するアーム332を示している。図21Bは、土台部材328に搭載されたワークピース30を示している。アーム332及びホルダ324は、ヒンジ接続336を有することができ、それによって、アーム332は、土台部材328を実質的に水平な位置と実質的に垂直な位置の間で、あるいは中間の位置に動かすことができる。土台部材328及びアーム332は、同じピースの部品であってもよい。
ホルダ324は、ワークピース30をワークピースホルダ18に搭載したり、ワークピースホルダ18からワークピース30を取り外したりしているときに、ワークピースホルダ18を保持することができる。実施形態によっては、ホルダ324は、ワークピース30を土台部材328に搭載したり、土台部材328からワークピース30を取り外したりしているときに、ワークピースホルダ18を保持することができる。ホルダ324は、適当な金属材料、プラスチック材料、又は、ポリマー材料から形成される。第2のエンドエフェクタ(図示せず)を使用して、ワークピース30を土台328に搭載してもよい。搭載ステーション14’は、水圧機構や、アーム332の位置を制御するためのコンピュータに接続される場合がある。
種々の実施形態において、土台部材328は、土台部材328の中心部に配置されたエンドエフェクタ340と、土台部材328の外周部に配置されたチャンク(塊)とを有する場合がある。エンドエフェクタ340には、ベルヌーイ・エフェクタ、静電気のチャンク、又は、真空エンドエフェクタを使用することができる。エンドエフェクタは、ワークピース30をエンドエフェクタに接触させることなく、保持することができる。実施形態によっては、チャンク344は、真空チャンクであってもよいし、吸引チャンクであってもよい。チャンク344は、土台部材328上にリング42を保持することができる。一実施形態において、エンドエフェクタ340は、ワークピース30をワークピースホルダ18に搭載したり、ワークピースホルダ18からワークピース30を取り外しているときに、ワークピース30をリング42に対して固定することができる。一実施形態において、エンドエフェクタ340は、ワークピース30に接触することなく、ワークピース30をリング42に対して固定することができる。
一実施形態では、ワークピース30をワークピースホルダ18に搭載するために、リング42をチャンク344に係合させる場合がある。ワークピース30は、リング42上に置くことができる。エンドエフェクタ340を作動させることで、ワークピース30をリング42に対して固定することができる。アーム332は、実質的に垂直位置に動かすことができる。ワークピース30からエンドエフェクタ340を外し、リング42からチャンク344を外すことができる。ワークピースホルダ18の面からアーム332を移動させ、片付けることができる。ホルダ324からワークピースホルダ18を取り外し、モジュールへ導いて、処理することができる。ワークピース30を搭載するためのステップは、必ずしもこの順序で実施する必要はない。
一実施形態において、ワークピースホルダ18からワークピース30を取り外すために、アーム332を実質的に垂直位置に動かすことができる。エンドエフェクタ340をワークピース30に係合させ、チャンク344をリング42に係合させることができる。リング42は、ワークピースホルダ18から外される。アーム332は、実質的に水平位置に動かすことができる。ワークピース30を取り外すためのステップは、必ずしもこの順序で実施する必要はない。
搭載ステーション14’は、単一のワークピース30をワークピースホルダ18に搭載することができる場合もあれば、複数のワークピース30をワークピースホルダ18に搭載できる場合もある。一実施形態では、2つのワークピースが実質的に同時にワークピースホルダ18に搭載される。一実施形態では、2つのワークピースが実質的に同時にワークピースホルダ18から取り外される。実施形態によっては、第2のワークピースを搭載したり取り外したりする前に、第1のワークピースをワークピースホルダ18から取り外したり、ワークピースホルダ18に搭載する場合がある。
本発明は特定の実施形態を参照して説明されているが、特許請求の範囲に規定されるような本発明の思想及び範囲から外れることなく、その形態や細部に変更を施すことも可能であると考えられる。例えば、特定の実施形態を参照して、特定の動作、移動、及び、処理が記載されているが、それらの動作、移動、及び、処理は、同じ又は同様の機構を使用する任意の実施形態によって実施することができる。同様に、実施形態によっては、本発明は特定の機能を使用するシステムとして記載されているが、システムとは無関係に、それらの機能の一部を使用することも可能である。
ワークピースの製造システムの一例を示すブロック図である。 本発明によるワークピースホルダの一実施形態を示す斜視図である。 本発明による、複数のワークピースを保持するためのワークピースホルダの一例を示す断面図である。 本発明によるワークピースホルダの一例を示す断面図である。 本発明によるワークピースホルダの他の例を示す分解図である。 図5のワークピースホルダの別の分解図である。 本発明による、複数の撓み機構を備えた部材の例の一部を示す平面図である。 本発明による、ワークピースを保持するための装置の前記部材と撓み部材(複数の場合もあり)の移動と動きを示す図である。 本発明による、ワークピースを保持するための装置の前記部材と撓み部材(複数の場合もあり)の移動と動きを示す図である。 本発明による、ワークピースを保持するための装置の前記部材と撓み部材(複数の場合もあり)の移動と動きを示す図である。 本発明による、ワークピースの複数の表面を処理するための、貫通する穴を有するワークピースホルダの他の例を示す斜視図である。 本発明による、ワークピースを処理するための装置の例を示す分解図である。 本発明による、ワークピースを処理するための装置の他の実施形態を部分的に示す図である。 本発明による、流体処理中に流体を攪拌するための部材の一実施形態を示す斜視図である。 本発明による、ワークピースの流体処理中に流体を攪拌するための部材の他の実施形態を示す部分的図である。 本発明による、流体処理中に流体を攪拌するための部材の他の実施形態を示す部分的図である。 本発明による、振動させながら、ワークピース表面に隣接する流体を攪拌するための部材の一部の位置を示す図である。 本発明による、流体を攪拌するための、ワークピース表面に隣接する部材の一部の振動を示す図である。 本発明による、ワークピースの流体処理中に流体を攪拌するための不均一な振動特性の例を示すグラフである。 本発明による、ワークピースの流体処理中に流体を攪拌するための不均一な振動特性の他の例を示すグラフである。 本発明による、境界層の厚さと流体攪拌速度の関係を示すグラフである。 本発明による、ワークピースの処理中に電界を変化させるためのプレートの一実施形態を示す平面図である。 本発明による、ワークピースのための搭載ステーションの一例を示す平面図である。 図21Aに示した搭載ステーションの側面図である。

Claims (132)

  1. ワークピースを流体処理するための装置であって、
    流体を収容することが可能なハウジングと、
    前記ハウジング内に配置され、前記ワークピースを保持するように構成されるワークピースホルダと、
    前記ハウジング内に前記ワークピースホルダの隣りに配置され、不均一な振動をしながら前記ワークピースの表面に対して実質的に平行に移動し、前記流体を攪拌するように構成される部材と
    からなる装置。
  2. 前記不均一な振動は、前記不均一な振動の各ストロークの後に変化する逆転位置を含む、請求項1に記載の装置。
  3. 前記不均一な振動は、一次振動ストロークと、少なくとも1つの二次振動ストロークとを含む、請求項1に記載の装置。
  4. 前記一次振動ストロークの長さは、前記部材に形成された開口部間の間隔に等しく、前記二次振動ストロークは、前記部材の不均一な振動の逆転位置を変化させる、請求項4に記載の装置。
  5. 前記部材は、間隔を空けて形成された複数の開口部を有する、請求項1に記載の装置。
  6. 前記部材は、間隔を空けて配置された複数のブレードを有する、請求項1に記載の装置。
  7. 前記間隔を空けて配置された複数のブレードのうちの少なくとも1つの断面形状は、カップ形である、請求項6に記載の装置。
  8. 前記間隔を空けて配置された複数のブレードのうちの少なくとも1つの断面形状は、角のある断面形状である、請求項6に記載の装置。
  9. 前記部材は、スペーサ機構によって1つのアセンブリとして結合された2つのパドルプレートからなり、前記ワークピースホルダは、前記部材に挿入される、請求項1に記載の装置。
  10. 前記部材を動かすためのリニアモータアセンブリを更に含む、請求項1に記載の装置。
  11. 前記部材の隣りに配置され、前記ワークピースの表面に入射する電界を成形するプレートを更に含む、請求項1に記載の装置。
  12. 前記プレートの本体に複数の穴が形成され、前記複数の穴の直径は、前記プレートの表面において変化する、請求項11に記載の装置。
  13. 前記複数の穴は、実質的に放射状パターンで変化する、請求項12に記載の装置。
  14. 前記部材は、前記ワークピースの表面に、非周期的な流体境界層を形成する、請求項1に記載の装置。
  15. 前記部材は、前記ワークピースの表面における流体境界層の厚さを低減する、請求項1に記載の装置。
  16. 前記流体境界層の厚さは、約10μm未満にまで低減される、請求項15に記載の装置。
  17. 前記部材は、前記ワークピースの表面から約2mm未満の位置に配置される、請求項1に記載の装置。
  18. ワークピースを流体処理するための方法であって、
    流体を収容することが可能なハウジング内に、ワークピースを保持するワークピースホルダを配置し、
    前記ハウジング内の前記ワークピースホルダの隣りに或る部材を配置し、
    不均一な振動をさせながら前記部材を前記ワークピースの表面に対して平行に動かすことにより、前記流体を攪拌すること
    からなる方法。
  19. 前記不均一な振動の各ストークの後に、前記不均一な振動の逆転位置を変化させることを更に含む、請求項18に記載の方法。
  20. 前記不均一な振動は、一次振動ストロークと、少なくとも1つの二次振動ストロークとを含む、請求項18に記載の方法。
  21. 前記一次振動ストロークの長さを前記部材に形成された開口部間の間隔に一致させ、二次振動ストロークを使用して、前記不均一な振動の逆転位置を変化させることを更に含む、請求項20に記載の方法。
  22. 前記不均一な振動により、前記ワークピースの表面における前記部材の電界撮像を最小限に抑えることを更に含む、請求項18に記載の方法。
  23. 前記部材の不均一な振動により、前記部材の表面における前記部材の流体フロー撮像を最小限に抑えることを更に含む、請求項18に記載の方法。
  24. 前記部材の隣りに配置されたプレートを使用して、前記ワークピースの表面に入射する電界を成形することを更に含む、請求項18に記載の方法。
  25. 前記ワークピースの表面から、前記流体に捕捉されたガスの泡を除去することを更に含む、請求項16に記載の方法。
  26. 前記部材の不均一な振動により、前記ワークピースの表面に非周期的な流体境界層を形成することを更に含む、請求項18に記載の方法。
  27. 前記部材の不均一な振動により、前記ワークピースの表面における流体境界層の厚さを低減することを更に含む、請求項18に記載の方法。
  28. 前記流体境界層の厚さを約10μm未満にまで低減することを更に含む、請求項27に記載の方法。
  29. 前記ワークピースの表面から約2mm未満の位置に前記部材を配置することを更に含む、請求項18に記載の方法。
  30. 前記ワークピースの表面に金属又はプラスチックを蒸着することを更に含む、請求項18に記載の方法。
  31. 前記ワークピースの表面にある金属又はプラスチックを溶解することを更に含む、請求項18に記載の方法。
  32. ワークピースの表面における電界を変化させる装置であって、
    流体を収容することが可能なハウジングと、
    前記ハウジング内に配置され、前記ワークピースを保持するように構成されたワークピースホルダと、
    前記ハウジング内に前記ワークピースから間隔を空けて配置されたプレートであって、複数の穴が形成され、該複数の穴が、該プレートを通過してワークピースの表面へ向かう電界の特性を変化させる穴サイズの分布を有するように構成される、プレートと
    からなる装置。
  33. 前記穴サイズの分布は、穴サイズの連続的な勾配からなる、請求項32に記載の装置。
  34. 前記穴サイズの連続的勾配は、シールドプレートの表面にわたって実質的に放射状パターンで変化する、請求項33に記載の装置。
  35. 前記ワークピースの表面付近にある電界は均一である、請求項32に記載の装置。
  36. 前記電界の特性は振幅を含む、請求項32に記載の装置。
  37. 前記プレートは、前記電界が前記プレートを通過して前記ワークピースの表面へ向かうときに、その電界の一部を遮断する働きを持つ非導電性材料からなる、請求項32に記載の装置。
  38. 不均一な振動をしながら前記ワークピースの表面に対して実質的に平行に移動し、前記流体を攪拌するように構成された部材を更に含む、請求項32に記載の装置。
  39. 前記不均一な振動は、前記不均一な振動の各ストークの後に変化する逆転位置を含む、請求項38に記載の装置。
  40. 前記不均一な振動は、一次振動ストロークと、少なくとも1つの二次振動ストロークとを含む、請求項38に記載の装置。
  41. 前記一次振動ストロークの長さは、前記部材に形成された開口部間の間隔に実質的に等しく、前記二次振動ストロークは、前記部材の不均一な振動の逆転位置を変化させる、請求項40に記載の装置。
  42. 前記部材は、間隔を空けて形成された複数の開口部を有する、請求項38に記載の装置。
  43. 前記部材は、間隔を空けて配置された複数のブレードを有する、請求項38に記載の装置。
  44. ワークピースの表面における電界を変化させる方法であって、
    流体を収容することが可能なハウジング内に、ワークピースを保持するワークピースホルダを配置し、
    前記ハウジング内に前記ワークピースホルダから間隔を空けて、穴サイズの分布を有する複数の穴が形成されたプレートを配置し、
    前記プレートに電界を通過させ、前記ワークピースに入射する電界の特性を変化させること
    からなる方法。
  45. 前記穴サイズの分布は、穴サイズの連続的勾配からなる、請求項44に記載の方法。
  46. 前記穴サイズの連続的勾配は、シールドプレートの表面にわたって実質的に放射状パターンで変化する、請求項45に記載の方法。
  47. 前記ワークピースの表面付近における電界は均一である、請求項44に記載の方法。
  48. 前記電界の特性は振幅を含む、請求項44に記載の方法。
  49. 前記通過させるステップは、前記電界が前記プレートを通過して前記ワークピースの表面へ向かうときに、その電界の一部を遮断することを含む、請求項44に記載の方法。
  50. 前記プレートは非導電性材料からなる、請求項44に記載の方法。
  51. 前記ハウジング内の前記ワークピースホルダと前記プレートの間に、或る部材を配置することを更に含む、請求項44に記載の方法。
  52. 不均一な振動をさせながら前記部材を前記ワークピースの表面に対して実質的に平行に移動させ、前記流体を攪拌することを更に含む、請求項51に記載の方法。
  53. 前記不均一な振動の各ストークの後に、前記不均一な振動の逆転位置を変化させることを更に含む、請求項52に記載の方法。
  54. 前記不均一な振動は、一次振動ストロークと、少なくとも1つの二次振動ストロークとを含む、請求項52に記載の方法。
  55. 前記一次振動ストロークの長さを前記部材に形成された開口部間の間隔に一致させ、前記二次振動ストロークを使用して、前記部材の不均一な振動の逆転位置を変化させることを更に含む、請求項54に記載の方法。
  56. 前記不均一な振動により、前記ワークピースの表面における前記部材の電界撮像を最小限に抑えることを更に含む、請求項52に記載の方法。
  57. 前記部材の前記不均一な振動により、前記ワークピースの表面における前記部材のい流体フロー撮像を最小限に抑えることを更に含む、請求項52に記載の方法。
  58. 前記部材の前記不均一な振動により、前記ワークピースの表面に非周期的な流体境界層を形成することを更に含む、請求項52に記載の方法。
  59. 前記部材の不均一な振動により、前記ワークピースの表面における流体境界層の厚さを低減することを更に含む、請求項52に記載の方法。
  60. 前記ワークピースの表面から前記流体に捕捉されたガスの泡を除去することを更に含む、請求項52に記載の方法。
  61. 前記ワークピースの表面に金属又はプラスチックを蒸着することを更に含む、請求項44に記載の方法。
  62. 前記ワークピースの表面にある金属又はプラスチックを溶解することを更に含む、請求項44に記載の方法。
  63. ワークピースを流体処理するための装置であって、
    流体を収容することが可能なハウジングと、
    前記ハウジング内に配置され、前記ワークピースを保持するように構成されたワークピースホルダと、
    間隔を空けて複数の開口部が形成された部材であって、前記ハウジング内の前記ワークピースホルダの隣りに配置され、前記ワークピースの表面に対して実質的に平行に移動するように構成され、前記複数の開口部によって前記流体を攪拌するように構成される部材と
    からなる装置。
  64. 間隔を空けて形成された前記複数の開口部の不均一な振動により、前記流体が攪拌される、請求項63に記載の装置。
  65. 前記不均一な振動は、前記不均一な振動の各ストークの後に変化する逆転位置を含む、請求項64に記載の装置。
  66. 前記不均一な振動は、一次振動ストロークと、少なくとも1つの二次振動ストロークとを含む、請求項64に記載の装置。
  67. 前記一次振動ストロークの長さは、前記部材に規定された複数の開口部間の間隔に等しく、前記二次振動ストロークは、前記部材の不均一な振動の逆転位置を変化させる、請求項66に記載の装置。
  68. 前記部材を動かすためのリニアモータアセンブリを更に含む、請求項63に記載の装置。
  69. 前記部材の隣りに配置され、前記ワークピースの表面に入射する電界を成形するプレートを更に含む、請求項63に記載の装置。
  70. 前記プレートの本体に複数の穴が形成され、前記複数の穴の直径は、前記プレートの表面において変化する、請求項69に記載の装置。
  71. 前記複数の穴は、実質的に放射状パターンで変化する、請求項70に記載の装置。
  72. 前記部材は、前記ワークピースの表面に非周期的な流体境界層を形成する、請求項63に記載の装置。
  73. 前記部材は、前記ワークピースの表面における流体境界層の厚さを低減する、請求項63に記載の装置。
  74. 前記流体境界層の厚さは、約10μm未満にまで低減される、請求項73に記載の装置。
  75. 前記部材は、前記ワークピースの表面から約2mm未満の位置に配置される、請求項63に記載の装置。
  76. ワークピースを流体処理するための方法であって、
    流体を収容することが可能なハウジング内に、ワークピースを保持するワークピースホルダを配置し、
    前記ハウジング内の前記ワークピースホルダの隣りに、間隔を空けて複数の開口部が形成された部材を配置し、
    前記部材を前記ワークピースの表面に対して実質的に平行に動かすことにより、前記複数の開口部によって前記流体を攪拌すること
    からなる方法。
  77. 前記部材の不均一な振動を使用して前記流体を攪拌することを更に含む、請求項76に記載の方法。
  78. 前記不均一な振動の各ストークの後に前記不均一な振動の逆転位置を変化させることを更に含む、請求項77に記載の方法。
  79. 前記不均一な振動は、一次振動ストロークと、少なくとも1つの二次振動ストロークとを含む、請求項77に記載の方法。
  80. 前記一次振動ストロークの長さを前記部材に形成された複数の開口部間の間隔に一致させ、二次振動ストロークを使用して、前記部材の不均一な振動の逆転位置を変化させることを更に含む、請求項79に記載の方法。
  81. 前記不均一な振動により、前記ワークピースの表面における前記部材の電界撮像を最小限に抑えることを更に含む、請求項77に記載の方法。
  82. 前記部材の不均一な振動により、前記ワークピースの表面における前記部材の流体フロー撮像を最小限に抑えることを更に含む、請求項77に記載の方法。
  83. 前記部材の隣りに配置されたプレートを使用して、前記ワークピースの表面に入射する電界を成形することを更に含む、請求項76に記載の方法。
  84. 前記ワークピースの表面から前記流体に捕捉されたガスの泡を除去することを更に含む、請求項76に記載の方法。
  85. 前記部材の不均一な振動により、前記ワークピースの表面に非周期的な流体境界層を形成することを更に含む、請求項77に記載の方法。
  86. 前記部材の不均一な振動により、前記ワークピースの表面における流体境界層の厚さを低減することを更に含む、請求項77に記載の方法。
  87. 前記流体境界層の厚さは約10μm未満にまで低減される、請求項86に記載の方法。
  88. 前記ワークピースの表面から約2mm未満の位置に前記部材を配置することを更に含む、請求項76に記載の方法。
  89. 前記ワークピースの表面に金属又はプラスチックを蒸着することを更に含む、請求項76に記載の方法。
  90. 前記ワークピースの表面にある金属又はプラスチックを溶解することを更に含む、請求項76に記載の方法。
  91. ワークピースを流体処理するための装置であって、
    流体を収容することが可能なハウジング内に配置された、ワークピースを保持する手段と、
    前記ワークピースの表面に対して実質的に平行な不均一な振動により、前記流体を攪拌する手段と
    からなる装置。
  92. ワークピースの表面における電界を変化させる装置であって、
    流体を収容することが可能なハウジング内に配置された、ワークピースを保持する手段と、
    前記ワークピースの表面に入射する電界を変化させる穴サイズの分布を有する複数の穴が形成された手段と
    からなる装置。
  93. ワークピースを流体処理するための装置であって、
    流体を収容することが可能なハウジング内に配置された、ワークピースを保持する手段と、
    前記ワークピースの表面に対して実質的に平行な動きによって前記流体を攪拌するための複数の開口部が間隔を空けて形成された手段と
    からなる装置。
  94. ワークピースを流体シールするための装置であって、
    少なくとも1つの保持機構が形成された部材と、
    前記部材の前記少なくとも1つの保持機構に係合可能な少なくとも1つの係合機構を有するリングと
    を含み、前記部材を曲げることにより、前記少なくとも1つの係合機構に力を加え、前記リングにより、前記ワークピースに対する流体侵入バリアが形成される、装置。
  95. 前記力により、前記部材が、前記リングの少なくとも1つの係合機構を引っ張り、前記リングが前記ワークピースに押し付けられ、流体浸入シールが形成される、請求項94jに記載の装置。
  96. 前記部材は、前記部材の面に対して実質的に垂直な力を生成するように構成された少なくとも1つの撓み機構を有する、請求項94に記載の装置。
  97. 前記部材の周辺付近に複数の撓み機構が形成され、前記部材の周辺部から少なくとも実質的に均一な力が生成される、請求項94に記載の装置。
  98. ワークピースを流体シールするための方法であって、
    リング上にワークピースを配置し、
    前記リングの少なくとも1つの係合機構を前記部材に形成された少なくとも1つの保持機構に係合させ、
    前記部材を曲げ、前記少なくとも1つの係合機構に力を加え、前記リングにより、前記ワークピースに対する流体侵入バリアを形成すること
    からなる方法。
  99. 前記力により、前記部材が、前記リングの少なくとも1つの係合機構を引っ張り、前記リングを前記ワークピースに押し付けて、前記流体浸入シールが形成される、請求項98に記載の方法。
  100. 前記周辺付近に位置する複数の撓み機構により、前記部材の周辺部から少なくとも実質的に均一に力が生成される、請求項98に記載の方法。
  101. 前記リングを回転させ、前記リングの少なくとも1つの係合機構を前記部材の少なくとも1つの保持機構にロックすることを更に含む、請求項98に記載の方法。
  102. 前記部材の少なくとも1つの撓み機構を使用して、前記部材の面に対して実質的に垂直な力を生成することを更に含む、請求項98に記載の方法。
  103. 前記部材を曲げる前に、前記部材は突き出した状態を有し、その状態において、前記少なくとも1つの保持機構が、前記リングの少なくとも1つの係合機構を捕捉する、請求項98に記載の方法。
  104. 物体に力を加えるための装置であって、
    実質的に平坦なリング形の部材であって、該部材の周辺付近に複数の撓み機構が形成され、該部材を曲げたときに、前記複数の撓み機構が、前記物体の周辺付近に少なくとも実質的に均一に力を加えるように構成された部材
    を含む、装置。
  105. 前記力は、前記部材の面に対して実質的に垂直に生成される、請求項104に記載の装置。
  106. 前記部材に、リングの少なくとも1つの係合機構に係合可能な少なくとも1つの保持機構が形成される、請求項104に記載の装置。
  107. 物体に均一な力を加えるための方法であって、
    実質的に平坦なリング形の部材を用意し、
    前記部材の周辺付近に複数の撓み機構を設け、
    前記部材を曲げて、前記複数の撓み機構から、物体の周辺付近に少なくとも実質的に均一に力を加えること
    からなる方法。
  108. 前記部材の面に対して実質的に垂直な力を生成することを更に含む、請求項107に記載の方法。
  109. 前記力を加えたまま前記物体をリングと共に保持することを更に含む、請求項107に記載の方法。
  110. 前記リングを回転させ、前記リングの少なくとも1つの係合機構を前記部材に形成された少なくとも1つの保持機構にロックすることを更に含む、請求項109に記載の方法。
  111. ワークピースを流体シールするための装置であって、
    少なくとも1つの保持機構が形成された第1の手段と、
    前記少なくとも1つの保持機構に係合可能な少なくとも1つの係合機構を有するリングと
    前記第1の手段を曲げ、前記少なくとも1つの係合手段に力を加え、該リングにより、前記ワークピースに対する流体侵入バリアを形成する、第2の手段と
    からなる装置。
  112. 物体に力を加えるための装置であって、
    実質的に平坦でリング形の部材であって、該部材の周辺付近に複数の撓み機構が形成される、部材と、
    前記部材を曲げ、前記複数の撓み機構から、物体の周辺付近に少なくとも実質的に均一に力を加えるための手段と
    からなる装置。
  113. 複数のワークピースを保持するための装置であって、
    第1の面に第1の表面を有し、第2の面に第2の表面を有するワークピースホルダと、
    前記第1の面において、前記ワークピースの前記第1の表面上に第1のワークピースを保持するための第1のリングと、
    前記第2の面において、前記ワークピースの前記第2の表面上に第2のワークピースを保持するための第2のリングと
    からなる装置。
  114. 前記第1のリング及び前記第2のリングは、対応するワークピースに対する流体侵入バリアを形成するように構成される、請求項113に記載の装置。
  115. 前記第1のワークピース及び前記第2のワークピースは、背中合わせ構成で前記ワークピースホルダ上に保持される、請求項113に記載の装置。
  116. 前記第1のリングの近くに配置され、少なくとも1つの保持機構が形成された第1の部材と、
    前記第1の部材の少なくとも1つの保持機構に係合可能な少なくとも1つの係合機構を有する第1のリングと
    を更に含み、前記第1の部材を曲げることにより、前記少なくとも1つの係合機構に力を加え、前記第1のリングにより、前記第1のワークピースに対する流体侵入バリアが形成される、第1の部材と
    からなる装置。
  117. 前記力により、前記第1の部材が、前記第1のリングの少なくとも1つの係合機構を引っ張り、前記第1のリングを前記第1のワークピースに押し付けて、流体浸入バリアが形成される、請求項116に記載の装置。
  118. 前記第1の部材は、前記第1の部材の面に対して実質的に垂直な力を生成し、前記流体浸入バリアを形成するように構成された少なくとも1つの撓み機構を有する、請求項116に記載の装置。
  119. 前記第1の部材の周辺付近に複数の撓み機構が形成され、前記第1の部材の周辺部から少なくとも実質的に均一に力が生成される、請求項116に記載の装置。
  120. 実質的に平坦でリング形の第1の部材を更に含み、該第1の部材の周辺部に複数の撓み機構が形成され、前記第1の部材が曲げられたときに、前記複数の撓み機構が前記第1のワークピースの周辺付近に均一に力を加えるように構成される、請求項113に記載の装置。
  121. 前記力は、前記第1の部材の平面に対して実質的に垂直に生成される、請求項120に記載の装置。
  122. 複数のワークピースを保持するための方法であって、
    第1の面に第1の表面を有し、第2の面に第2の表面を有するワークピースホルダを用意し、
    前記第1の面にある第1のリングを使用して、前記ワークピースホルダの第1の表面に第1のワークピースを保持し、
    前記第2の面にある第2のリングを使用して、前記ワークピースホルダの第2の表面に第2のワークピースを保持すること
    からなる方法。
  123. 前記第1のリング又は前記第2のリングと、それに対応するワークピースとの間に、流体侵入バリアを形成することを更に含む、請求項122に記載の方法。
  124. 前記第1のワークピースと前記第2のワークピースを背中合わせ構成で保持することを更に含む、請求項122に記載の方法。
  125. 前記第1のリングの少なくとも1つの係合機構を第1の部材に形成された少なくとも1つの保持機構に係合させ、
    前記第1の部材を曲げ、前記少なくとも1つの係合機構に力を加え、前記第1のリングにより、前記第1のワークピースに対する流体浸入バリアを形成すること
    を更に含む、請求項122に記載の方法。
  126. 前記第2のリングの少なくとも1つの係合機構を前記第2の部材に形成された少なくとも1つの保持機構に係合させ、
    前記第2の部材を曲げ、前記少なくとも1つの係合機構に第2の力を加え、前記第2のリングにより、前記第2のワークピースに対する流体侵入バリアを形成すること
    を更に含む、請求項125に記載の方法。
  127. 前記力により、前記第1の部材が、前記第1のリングの少なくとも1つの係合機構を引っ張り、前記第1のリングを前記第1のワークピースに押し付けて、流体浸入バリアが形成される、請求項126に記載の方法。
  128. 前記第1の部材の周辺付近に位置する複数の撓み機構により、前記第1の部材の周辺部から均一に力を加えることを更に含む、請求項126に記載の方法。
  129. 前記第1のリングを回転させ、前記第1のリングの少なくとも1つの係合機構を前記第1の部材の少なくとも1つの保持機構にロックすることを更に含む、請求項126に記載の方法。
  130. 前記第1の部材の少なくとも1つの撓み機構を使用して、前記第1の部材の面に対して実質的に垂直な力を生成することを更に含む、請求項126に記載の方法。
  131. 実質的に平坦でリング形の第1の部材を用意し、
    前記第1の部材の周辺付近に複数の撓み機構を設け、
    前記第1の部材を曲げ、前記複数の撓み機構により、前記第1のワークピースの周辺付近に少なくとも実質的に均一に力を加えること
    を更に含む、請求項122に記載の方法。
  132. 複数のワークピースを保持するための装置であって、
    第1の面に第1の表面を有し、第2の面に第2の表面を有するワークピースホルダと、
    前記第1の面にある前記ワークピースの前記第1の表面上に第1のワークピースを保持するための第1の手段と、
    前記第2の面にある前記ワークピースの前記第2の表面上に第2のワークピースを保持するための第2の手段と
    からなる装置。
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CN (2) CN1920105B (ja)
WO (1) WO2005042804A2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013204057A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Ebara Corp めっき方法及びめっき装置
JP2014185375A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Ebara Corp めっき装置
JP2015518520A (ja) * 2012-04-11 2015-07-02 ティーイーエル ネックス,インコーポレイテッド 試料を流体処理するための方法および機器
JP2016135923A (ja) * 2014-12-24 2016-07-28 株式会社荏原製作所 めっき装置
JP2017110303A (ja) * 2016-02-25 2017-06-22 株式会社荏原製作所 めっき装置に使用される基板ホルダの漏れ検査方法
JP2020105616A (ja) * 2018-12-28 2020-07-09 株式会社荏原製作所 漏れ検査方法、漏れ検査装置、めっき方法、およびめっき装置
JP7399365B1 (ja) * 2022-12-20 2023-12-15 株式会社荏原製作所 めっき装置およびめっき装置の動作方法

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6547937B1 (en) 2000-01-03 2003-04-15 Semitool, Inc. Microelectronic workpiece processing tool including a processing reactor having a paddle assembly for agitation of a processing fluid proximate to the workpiece
US20050050767A1 (en) * 2003-06-06 2005-03-10 Hanson Kyle M. Wet chemical processing chambers for processing microfeature workpieces
US20050063798A1 (en) * 2003-06-06 2005-03-24 Davis Jeffry Alan Interchangeable workpiece handling apparatus and associated tool for processing microfeature workpieces
US20050034977A1 (en) * 2003-06-06 2005-02-17 Hanson Kyle M. Electrochemical deposition chambers for depositing materials onto microfeature workpieces
US7390383B2 (en) * 2003-07-01 2008-06-24 Semitool, Inc. Paddles and enclosures for enhancing mass transfer during processing of microfeature workpieces
US7393439B2 (en) * 2003-06-06 2008-07-01 Semitool, Inc. Integrated microfeature workpiece processing tools with registration systems for paddle reactors
US20070144912A1 (en) * 2003-07-01 2007-06-28 Woodruff Daniel J Linearly translating agitators for processing microfeature workpieces, and associated methods
JP4642771B2 (ja) 2003-10-22 2011-03-02 ネックス システムズ インコーポレイテッド ワークピースを流体処理する方法及び装置
US7727366B2 (en) * 2003-10-22 2010-06-01 Nexx Systems, Inc. Balancing pressure to improve a fluid seal
KR100907841B1 (ko) 2004-09-24 2009-07-14 이비덴 가부시키가이샤 도금 방법 및 도금 장치
US20070238265A1 (en) * 2005-04-05 2007-10-11 Keiichi Kurashina Plating apparatus and plating method
US20070081880A1 (en) * 2005-09-29 2007-04-12 Riordon Benjamin B Wafer-handling method, system, and apparatus
WO2007062114A2 (en) * 2005-11-23 2007-05-31 Semitool, Inc. Apparatus and method for agitating liquids in wet chemical processing of microfeature workpieces
TWI415968B (zh) * 2005-11-23 2013-11-21 Applied Materials Inc 用於在微特徵工件之濕式化學製程中攪動液體的裝置與方法
WO2007075910A2 (en) * 2005-12-23 2007-07-05 Perkinelmer Las, Inc. Methods and compositions for detecting enzymatic activity
NL1032069C2 (nl) * 2006-06-28 2008-01-02 Meco Equip Eng Inrichting voor het in een bad behandelen van een plaatvormig substraat.
US20080041727A1 (en) * 2006-08-18 2008-02-21 Semitool, Inc. Method and system for depositing alloy composition
US20080178460A1 (en) * 2007-01-29 2008-07-31 Woodruff Daniel J Protected magnets and magnet shielding for processing microfeature workpieces, and associated systems and methods
JP5323677B2 (ja) * 2007-03-02 2013-10-23 古河電気工業株式会社 表面粗化銅板の製造方法及び装置、並びに表面粗化銅板
DE102007022016B3 (de) * 2007-04-26 2008-09-11 Ramgraber Gmbh Galvanisierungsvorrichtung für flache, insbesondere scheibenförmige Gegenstände
US8177944B2 (en) * 2007-12-04 2012-05-15 Ebara Corporation Plating apparatus and plating method
FR2943688B1 (fr) 2009-03-27 2012-07-20 Alchimer Dispositif et procede pour realiser une reaction electrochimique sur une surface d'un substrat semi-conducteur
JP2011061457A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Elpida Memory Inc クロック生成回路及びこれを備える半導体装置並びにデータ処理システム
US8236151B1 (en) * 2009-10-30 2012-08-07 Cypress Semiconductor Corporation Substrate carrier for wet chemical processing
US9653339B2 (en) * 2010-02-16 2017-05-16 Deca Technologies Inc. Integrated shielding for wafer plating
US9714474B2 (en) 2010-04-06 2017-07-25 Tel Nexx, Inc. Seed layer deposition in microscale features
CN102041546B (zh) * 2011-01-27 2012-02-08 南通富士通微电子股份有限公司 一种半导体封装产品电镀挂架系统
US9005409B2 (en) 2011-04-14 2015-04-14 Tel Nexx, Inc. Electro chemical deposition and replenishment apparatus
US9017528B2 (en) * 2011-04-14 2015-04-28 Tel Nexx, Inc. Electro chemical deposition and replenishment apparatus
TWI564988B (zh) * 2011-06-03 2017-01-01 Tel Nexx公司 平行且單一的基板處理系統
US8932443B2 (en) 2011-06-07 2015-01-13 Deca Technologies Inc. Adjustable wafer plating shield and method
WO2012174732A1 (en) 2011-06-24 2012-12-27 Acm Research (Shanghai) Inc. Methods and apparatus for uniformly metallization on substrates
US9117856B2 (en) 2011-07-06 2015-08-25 Tel Nexx, Inc. Substrate loader and unloader having an air bearing support
US8858755B2 (en) 2011-08-26 2014-10-14 Tel Nexx, Inc. Edge bevel removal apparatus and method
TWI544102B (zh) * 2012-06-11 2016-08-01 鴻海精密工業股份有限公司 頂出裝置
GB2512056B (en) 2013-03-18 2018-04-18 Spts Technologies Ltd Electrochemical deposition chamber
US10385471B2 (en) 2013-03-18 2019-08-20 Spts Technologies Limited Electrochemical deposition chamber
US20150047674A1 (en) * 2013-08-16 2015-02-19 Tel Nexx, Inc. Method and apparatus for removal of photoresist using improved chemistry
US10259104B2 (en) * 2013-10-28 2019-04-16 Nikon Corporation Precision clamp
US10702882B2 (en) * 2014-10-30 2020-07-07 Corning Incorporated Method and system for the selective coating of an interior surface
US9978882B2 (en) * 2014-11-13 2018-05-22 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device and glass film forming apparatus
US9812344B2 (en) 2015-02-03 2017-11-07 Applied Materials, Inc. Wafer processing system with chuck assembly maintenance module
JP6408936B2 (ja) 2015-03-05 2018-10-17 株式会社荏原製作所 めっき装置
KR102628632B1 (ko) 2015-06-04 2024-01-23 카티바, 인크. 금속 표면 상에서 에치 레지스트 패턴의 제조 방법
JP6975463B2 (ja) 2015-08-13 2021-12-01 カティーバ, インコーポレイテッド 金属表面上のエッチレジストパターンの製造方法
US10398034B2 (en) 2016-12-12 2019-08-27 Kateeva, Inc. Methods of etching conductive features, and related devices and systems
GB201701166D0 (en) 2017-01-24 2017-03-08 Picofluidics Ltd An apparatus for electrochemically processing semiconductor substrates
JP6761763B2 (ja) * 2017-02-06 2020-09-30 株式会社荏原製作所 パドル、該パドルを備えためっき装置、およびめっき方法
JP6790016B2 (ja) * 2018-04-10 2020-11-25 上村工業株式会社 表面処理装置、表面処理方法及びパドル
US11608563B2 (en) * 2019-07-19 2023-03-21 Asmpt Nexx, Inc. Electrochemical deposition systems

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5754764U (ja) * 1980-09-17 1982-03-30
JPH076268U (ja) * 1993-06-29 1995-01-27 富士電気化学株式会社 片面メッキ用治具
JPH0755004A (ja) * 1993-05-21 1995-03-03 Advanced Prod Co Inc ばね付勢金属oリング・シール

Family Cites Families (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1700178A (en) 1923-09-01 1929-01-29 Porzel Joseph Device for controlling electrolytic operations
US1749953A (en) 1928-11-27 1930-03-11 Chromeplate Inc Rack or hanger for articles to be plated
DE970926C (de) * 1948-02-05 1958-11-13 Mueller Hans Vorrichtung zum Mischen, Ruehren usw. von Fluessigkeiten
US3053424A (en) * 1960-08-04 1962-09-11 Cheyenne A Reinhard Carrier for circular saw blades
US3503856A (en) 1968-01-30 1970-03-31 Rotary Plates Ltd Process for controlling electrodeposition
US3862891A (en) 1973-09-24 1975-01-28 Gte Automatic Electric Lab Inc Uniform plating current apparatus and method
CH613880A5 (ja) * 1975-09-29 1979-10-31 Emile Steiger
US4068162A (en) 1976-08-02 1978-01-10 Simekus, Inc. Rinse tank control system
US4102756A (en) 1976-12-30 1978-07-25 International Business Machines Corporation Nickel-iron (80:20) alloy thin film electroplating method and electrochemical treatment and plating apparatus
US4304641A (en) 1980-11-24 1981-12-08 International Business Machines Corporation Rotary electroplating cell with controlled current distribution
JPS5754764A (en) 1980-12-08 1982-04-01 Sony Corp Flywheel driver
CH659259A5 (fr) * 1983-12-01 1987-01-15 Em Microelectronic Marin Sa Dispositif pour le depot electrolytique d'un materiau conducteur sur des plaques de circuits integres.
US4654089A (en) 1985-05-31 1987-03-31 Singelyn Daniel D Counterflow spray rinse process
US4696729A (en) 1986-02-28 1987-09-29 International Business Machines Electroplating cell
US5024746A (en) * 1987-04-13 1991-06-18 Texas Instruments Incorporated Fixture and a method for plating contact bumps for integrated circuits
US4964964A (en) 1989-04-03 1990-10-23 Unisys Corporation Electroplating apparatus
US5048201A (en) * 1990-07-13 1991-09-17 Interlab, Inc. Laminar flow system for drying parts
DE4138432C1 (ja) 1991-11-22 1993-02-18 Aichelin Gmbh, 7015 Korntal-Muenchingen, De
JPH05291228A (ja) * 1992-04-07 1993-11-05 Fujitsu Ltd ウェーハ洗浄装置及び洗浄方法
US5273642A (en) 1992-04-21 1993-12-28 Itt Corporation Apparatus and method for electroplating wafers
JP3200468B2 (ja) 1992-05-21 2001-08-20 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 ウエーハ用めっき装置
US5227041A (en) 1992-06-12 1993-07-13 Digital Equipment Corporation Dry contact electroplating apparatus
US5232875A (en) 1992-10-15 1993-08-03 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for improving planarity of chemical-mechanical planarization operations
US5312532A (en) 1993-01-15 1994-05-17 International Business Machines Corporation Multi-compartment eletroplating system
US5342495A (en) 1993-02-03 1994-08-30 Vlsi Technology, Inc. Structure for holding integrated circuit dies to be electroplated
US5421987A (en) 1993-08-30 1995-06-06 Tzanavaras; George Precision high rate electroplating cell and method
US5516415A (en) * 1993-11-16 1996-05-14 Ontario Hydro Process and apparatus for in situ electroforming a structural layer of metal bonded to an internal wall of a metal tube
JP3377849B2 (ja) 1994-02-02 2003-02-17 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 ウエーハ用メッキ装置
US5556479A (en) * 1994-07-15 1996-09-17 Verteq, Inc. Method and apparatus for drying semiconductor wafers
US5660699A (en) * 1995-02-20 1997-08-26 Kao Corporation Electroplating apparatus
US5522975A (en) 1995-05-16 1996-06-04 International Business Machines Corporation Electroplating workpiece fixture
US5516412A (en) * 1995-05-16 1996-05-14 International Business Machines Corporation Vertical paddle plating cell
US6024630A (en) * 1995-06-09 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Fluid-pressure regulated wafer polishing head
DK172937B1 (da) * 1995-06-21 1999-10-11 Peter Torben Tang Galvanisk fremgangsmåde til dannelse af belægninger af nikkel, kobalt, nikkellegeringer eller kobaltlegeringer
US6746565B1 (en) 1995-08-17 2004-06-08 Semitool, Inc. Semiconductor processor with wafer face protection
US5807469A (en) 1995-09-27 1998-09-15 Intel Corporation Flexible continuous cathode contact circuit for electrolytic plating of C4, tab microbumps, and ultra large scale interconnects
US5842593A (en) * 1996-06-18 1998-12-01 John W. Von Holdt Two part plastic container lid
US6749391B2 (en) * 1996-07-15 2004-06-15 Semitool, Inc. Microelectronic workpiece transfer devices and methods of using such devices in the processing of microelectronic workpieces
US5683564A (en) * 1996-10-15 1997-11-04 Reynolds Tech Fabricators Inc. Plating cell and plating method with fluid wiper
US6071957A (en) 1996-11-27 2000-06-06 The University Of Tennessee Research Corporation Irreversible non-steroidal antagonist compound and its use in the treatment of prostate cancer
US5883762A (en) * 1997-03-13 1999-03-16 Calhoun; Robert B. Electroplating apparatus and process for reducing oxidation of oxidizable plating anions and cations
US5899001A (en) 1997-05-19 1999-05-04 Layton; Howard M. Laminar flow system for drying critical parts
US6119305A (en) * 1997-06-17 2000-09-19 Ta Mfg Co. Sealing elements
US6017437A (en) 1997-08-22 2000-01-25 Cutek Research, Inc. Process chamber and method for depositing and/or removing material on a substrate
US6936153B1 (en) 1997-09-30 2005-08-30 Semitool, Inc. Semiconductor plating system workpiece support having workpiece-engaging electrode with pre-conditioned contact face
US6159354A (en) 1997-11-13 2000-12-12 Novellus Systems, Inc. Electric potential shaping method for electroplating
US6108932A (en) 1998-05-05 2000-08-29 Steag Microtech Gmbh Method and apparatus for thermocapillary drying
WO2000003072A1 (en) 1998-07-10 2000-01-20 Semitool, Inc. Method and apparatus for copper plating using electroless plating and electroplating
US6080291A (en) 1998-07-10 2000-06-27 Semitool, Inc. Apparatus for electrochemically processing a workpiece including an electrical contact assembly having a seal member
US6248222B1 (en) * 1998-09-08 2001-06-19 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for holding and positioning semiconductor workpieces during electropolishing and/or electroplating of the workpieces
US6524461B2 (en) 1998-10-14 2003-02-25 Faraday Technology Marketing Group, Llc Electrodeposition of metals in small recesses using modulated electric fields
US6258220B1 (en) 1998-11-30 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system
US6372051B1 (en) * 1998-12-04 2002-04-16 Texas Instruments Incorporated Positive flow, positive displacement rinse tank
WO2000040779A1 (en) 1998-12-31 2000-07-13 Semitool, Inc. Method, chemistry, and apparatus for high deposition rate solder electroplating on a microelectronic workpiece
US6261426B1 (en) * 1999-01-22 2001-07-17 International Business Machines Corporation Method and apparatus for enhancing the uniformity of electrodeposition or electroetching
US20020041196A1 (en) 1999-02-12 2002-04-11 Paul Demone Delay locked loop
US6136163A (en) 1999-03-05 2000-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus for electro-chemical deposition with thermal anneal chamber
US6174011B1 (en) * 1999-04-14 2001-01-16 Arthur Keigler Method of and apparatus for handling thin and flat workpieces and the like
US7022211B2 (en) 2000-01-31 2006-04-04 Ebara Corporation Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer
US6360756B1 (en) * 1999-06-03 2002-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Wafer rinse tank for metal etching and method for using
US6251250B1 (en) * 1999-09-03 2001-06-26 Arthur Keigler Method of and apparatus for controlling fluid flow and electric fields involved in the electroplating of substantially flat workpieces and the like and more generally controlling fluid flow in the processing of other work piece surfaces as well
US6379511B1 (en) * 1999-09-23 2002-04-30 International Business Machines Corporation Paddle design for plating bath
US6547937B1 (en) 2000-01-03 2003-04-15 Semitool, Inc. Microelectronic workpiece processing tool including a processing reactor having a paddle assembly for agitation of a processing fluid proximate to the workpiece
KR100804714B1 (ko) * 2000-03-17 2008-02-18 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금장치 및 방법
DE10018108C2 (de) 2000-04-12 2002-04-04 Keiper Gmbh & Co Getriebebeschlag für einen Fahrzeugsitzeinsteller
JP2007308807A (ja) 2000-04-21 2007-11-29 Ebara Corp 電解処理装置及びその電場状態制御方法
WO2001081970A2 (en) * 2000-04-25 2001-11-01 Silicon Valley Group, Inc. Apparatus, system, and method for precision positioning and alignment of a lens in an optical system
US6495005B1 (en) 2000-05-01 2002-12-17 International Business Machines Corporation Electroplating apparatus
US6502591B1 (en) 2000-06-08 2003-01-07 Semitool, Inc. Surface tension effect dryer with porous vessel walls
CN1117178C (zh) * 2000-09-20 2003-08-06 华东师范大学 一种电沉积坡莫合金薄膜工艺及其实施设备
EP1470268A2 (en) * 2000-10-03 2004-10-27 Applied Materials, Inc. Method and associated apparatus for tilting a substrate upon entry for metal deposition
JP3922887B2 (ja) * 2001-03-16 2007-05-30 株式会社荏原製作所 ドレッサ及びポリッシング装置
US6540899B2 (en) * 2001-04-05 2003-04-01 All Wet Technologies, Inc. Method of and apparatus for fluid sealing, while electrically contacting, wet-processed workpieces
WO2002083995A1 (en) * 2001-04-12 2002-10-24 Arthur, Keigler Method of and apparatus for controlling fluid flow
CN100574059C (zh) * 2002-01-16 2009-12-23 科龙勇发株式会社 线性电动机
US6776887B2 (en) * 2002-03-29 2004-08-17 Imation Corp. Method and apparatus for thin film center shielding
US6988825B2 (en) 2002-07-03 2006-01-24 Bio/Data Corporation Method and apparatus for using vertical magnetic stirring to produce turbulent and chaotic mixing in various states, without compromising components
KR100506191B1 (ko) 2002-07-08 2005-08-04 주식회사 하이닉스반도체 플래쉬 메모리 소자에서의 트림 비트 신호 생성 회로
JP3827627B2 (ja) * 2002-08-13 2006-09-27 株式会社荏原製作所 めっき装置及びめっき方法
US7198055B2 (en) 2002-09-30 2007-04-03 Lam Research Corporation Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US7097749B2 (en) * 2002-10-08 2006-08-29 Lacks Enterprises, Inc. Plating rack with rotatable insert
US7393439B2 (en) * 2003-06-06 2008-07-01 Semitool, Inc. Integrated microfeature workpiece processing tools with registration systems for paddle reactors
US20040255442A1 (en) * 2003-06-19 2004-12-23 Mcdiarmid James Methods and apparatus for processing workpieces
JP4642771B2 (ja) 2003-10-22 2011-03-02 ネックス システムズ インコーポレイテッド ワークピースを流体処理する方法及び装置
US7727366B2 (en) * 2003-10-22 2010-06-01 Nexx Systems, Inc. Balancing pressure to improve a fluid seal
US20120305404A1 (en) 2003-10-22 2012-12-06 Arthur Keigler Method and apparatus for fluid processing a workpiece
US20050283993A1 (en) * 2004-06-18 2005-12-29 Qunwei Wu Method and apparatus for fluid processing and drying a workpiece
KR100907841B1 (ko) 2004-09-24 2009-07-14 이비덴 가부시키가이샤 도금 방법 및 도금 장치
JP4933175B2 (ja) 2006-07-05 2012-05-16 ネックス システムズ インコーポレイテッド ワークピースを流体処理する方法及び装置
US8177944B2 (en) 2007-12-04 2012-05-15 Ebara Corporation Plating apparatus and plating method
JP4594411B2 (ja) 2008-05-09 2010-12-08 三菱電機株式会社 イメージセンサ
US8425687B2 (en) * 2009-02-10 2013-04-23 Tel Nexx, Inc. Wetting a workpiece surface in a fluid-processing system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5754764U (ja) * 1980-09-17 1982-03-30
JPH0755004A (ja) * 1993-05-21 1995-03-03 Advanced Prod Co Inc ばね付勢金属oリング・シール
JPH076268U (ja) * 1993-06-29 1995-01-27 富士電気化学株式会社 片面メッキ用治具

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9611563B2 (en) 2012-03-27 2017-04-04 Ebara Corporation Plating method and plating apparatus
JP2015063761A (ja) * 2012-03-27 2015-04-09 株式会社荏原製作所 めっき方法及びめっき装置
JP2013204057A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Ebara Corp めっき方法及びめっき装置
US10309030B2 (en) 2012-03-27 2019-06-04 Ebara Corporation Plating method and plating apparatus
KR20160050017A (ko) 2012-03-27 2016-05-10 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금 방법 및 도금 장치
US9340891B2 (en) 2012-03-27 2016-05-17 Ebara Corporation Plating method and plating apparatus
US10641677B2 (en) 2012-03-27 2020-05-05 Ebara Corporation Plating method and plating apparatus
KR20160148492A (ko) 2012-03-27 2016-12-26 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금 장치
JP2015518520A (ja) * 2012-04-11 2015-07-02 ティーイーエル ネックス,インコーポレイテッド 試料を流体処理するための方法および機器
JP2014185375A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Ebara Corp めっき装置
JP2016135923A (ja) * 2014-12-24 2016-07-28 株式会社荏原製作所 めっき装置
JP2017110303A (ja) * 2016-02-25 2017-06-22 株式会社荏原製作所 めっき装置に使用される基板ホルダの漏れ検査方法
JP2020105616A (ja) * 2018-12-28 2020-07-09 株式会社荏原製作所 漏れ検査方法、漏れ検査装置、めっき方法、およびめっき装置
US11385125B2 (en) 2018-12-28 2022-07-12 Ebara Corporation Leak check method, leak check apparatus, plating method, and plating apparatus
JP7175187B2 (ja) 2018-12-28 2022-11-18 株式会社荏原製作所 めっき方法
US11686647B2 (en) 2018-12-28 2023-06-27 Ebara Corporation Leak check method, leak check apparatus, plating method, and plating apparatus
WO2024134741A1 (ja) * 2022-12-20 2024-06-27 株式会社荏原製作所 めっき装置およびめっき装置の動作方法
JP7399365B1 (ja) * 2022-12-20 2023-12-15 株式会社荏原製作所 めっき装置およびめっき装置の動作方法

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