JP2007505466A - 均一なプラズマ発生のための適応型プラズマソース - Google Patents
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Abstract
【要約書】
プラズマを形成するための反応空間を有した反応チャンバの上部に配置されかつ外部のRF電源からRF(高周波)電力を供給されて反応空間内に電場を形成する適応型プラズマソースが提供される。この適応型プラズマソースは、1つの導電性ブッシングと少なくとも2個の単位コイルを具備する。ブッシングはRF電源に連結されかつ反応チャンバの上部中心部に配置されている。少なくとも2個の単位コイルは、ブッシングから分枝され、ブッシングを螺旋状に取り巻き、そしてa×(b/m)に等しい巻回数を有しており、ただし、a及びbは正の整数、mは単位コイルの個数である。
【選択図】図2
プラズマを形成するための反応空間を有した反応チャンバの上部に配置されかつ外部のRF電源からRF(高周波)電力を供給されて反応空間内に電場を形成する適応型プラズマソースが提供される。この適応型プラズマソースは、1つの導電性ブッシングと少なくとも2個の単位コイルを具備する。ブッシングはRF電源に連結されかつ反応チャンバの上部中心部に配置されている。少なくとも2個の単位コイルは、ブッシングから分枝され、ブッシングを螺旋状に取り巻き、そしてa×(b/m)に等しい巻回数を有しており、ただし、a及びbは正の整数、mは単位コイルの個数である。
【選択図】図2
Description
本発明は、プラズマ半導体処理に関し、さらに詳細には、プラズマ反応チャンバ内で均一なプラズマを発生するための適応型プラズマソースに関する。
超高集積(ULSI:Ultra−Large Scale Integrate)回路素子の製造技術は、過去20年間に目覚ましく発展した。これは、カットエッジ技術を用いた半導体製造設備による。それら半導体製造設備のうち一つであるプラズマ反応チャンバは、エッチング工程やデポジション(deposition)工程で使われ、その適用範囲が広がっている。
プラズマが、プラズマ反応チャンバ内で形成され、エッチング工程、デポジション工程等で用いられる。プラズマソースに基づいて、プラズマ反応チャンバは、電子サイクロトロン共振(ECR:Electron Cyclotron Resonance)プラズマソース、ヘリコン波励起プラズマ(HWEP:Helicon−WaveExcitedPlasma)ソース、容量性結合プラズマ(CCP:Capacitively Coupled Plasma)ソース、誘導性結合プラズマ(ICP:Inductively Coupled Plasma)ソースなど、さまざまな形態に分類される。ICPソースの場合には、誘導コイルに供給される高周波(RF)電力によって磁場が発生される。この磁場により誘起された電場によって、チャンバ内部中心に電子が閉じ込められ、低い圧力でも高密度プラズマが生成される。ICPソースは、ECRプラズマソースやHWEPソースと比較し、構成が簡単であり、また大面積のプラズマが容易に得られる。したがって、ICPソースが広く使われている。
ICPソースを用いたプラズマチャンバでは、共振回路のインダクタのコイルに大きいRF電流が流れる。このRF電流が、チャンバ内部で生成されるプラズマの分布に大きい影響を及ぼす。インダクタのコイルが自己抵抗を有することは周知である。従って、コイルに沿って電流が流れると、自己抵抗によりエネルギーが消散されて熱に変換される。その結果、コイルに流れる電流量が徐々に減少する。このように、電流量が不均一になれば、チャンバ内部で生成されるプラズマの分布もまた不均一となる。
図1は、プラズマチャンバ内におけるプラズマ密度(ni)と臨界寸法(CD)変化分布を示すグラフである。以下においては、その変化を△CDと呼ぶことにする。本明細書では、△CDは、工程前に予想されたCDと、工程後に得られたCDとの差によって定義される。
図1を参照すると、曲線12が、プラズマ密度(ni)を表している。プラズマ密度(ni)は、ウェーハの中心で最も高く、ウェーハのエッジに行くほど低下する。曲線14は、△CDを表している。プラズマ密度niが不均一になることにより、△CDはウェーハの中心からウェーハのエッジに行くほどに低下する。
今までは、プラズマ不均一により発生する問題は、製造工程で解決されていた。しかし、リソグラフィ工程の限界のような要因により、これらの問題を解決するのには限界がある。
本発明は、プラズマ反応チャンバの内部で均一なプラズマを形成する適応型プラズマソースを提供する。
本発明の1つの態様によれば、プラズマを形成するための(反応空間を有する反応チャンバの上部に配置され、外部の高周波電源からのRF(高周波)電力を供給され、前記反応空間内に電場を形成する適応型プラズマソースが提供される。この適応型プラズマソースは、前記RF電源と接続され、前記反応チャンバの上部の中心部に配置された導電性のブッシングと、前記ブッシングから分枝された少なくとも2つの単位コイルを具備しており、それらの単位コイルは螺旋状にブッシングを包囲していて、a×(b/m)に等しい巻回数を有しており、この場合、a及びbは正の整数、そして、mは単位コイルの個数である。
ブッシングは、所定直径を有した円形の形状を有していてもよく、単位コイルは、ブッシングのエッジで相互対称になる位置から分枝されてもよい。
ブッシングは、多角形の形状を有していてもよく、単位コイルも前記ブッシングと同じ多角形の形状を有し、ブッシングを螺旋状に包囲していてもよい。
この場合、ブッシングと単位コイルは、四角形の形状を有していてもよい。あるいは、ブッシングと単位コイルは、六角形の形状を有していてもよい。
ブッシングは、反応チャンバの上部に配置された単位コイルと同一平面上に配置されてもよい。
ブッシングは、反応チャンバの上部に配置された単位コイルが位置した第1平面上より高くに位置した第2平面上に配置されてもよい。
この場合、単位コイルは、ブッシングから分枝され、第2平面上に配置され、第1平面まで延長され、そして第1平面上に螺旋状に配置されてもよい。
本発明の他の態様によれば、プラズマを形成するための反応空間を有する反応チャンバの上部に配置され、外部のRF電源からのRF(高周波)電力を供給され、反応空間内に電場を形成させる適応型プラズマソースであって、反応チャンバの上部に位置した第1平面上で反応チャンバの上部の中心部に配置された導電性の第1ブッシングと、第1平面上で第1ブッシングから分枝され、第1ブッシングを螺旋状に取り巻き、a×(b/m1)に等しい巻回数を有する少なくとも2つの第1単位コイル(ただし、a及びbは正の整数、そして、m1は第1単位コイルの個数である)と、第1平面上より高くに位置した第2平面上に第のブッシングに対応して配置され、第1ブッシングに弾性的に連結された第2導電性ブッシングと、第2平面上で第2ブッシングから分枝され、第2ブッシングを螺旋状に取り巻き、かつa×(b/m2)に等しい巻回数を有している少なくとも第2単位コイル(ただし、a及びbは正の整数、m2は第2単位コイルの個数である)とを具備している。
第1ブッシングは、第2ブッシングの断面に等しいかあるいはそれより広いより断面を有していてもよい。
この適応型プラズマソースは、第1平面上と第2平面上との間の少なくとも1つの平面上で第1及び第2ブッシングと連結された少なくともつの第3のブッシングと、第3のブッシングから分枝され、第1単位コイル及び第2単位コイルと同じ態様で配置された少なくとも1つの第3の単位コイルとをさらに具備していてもよい。
本発明の適応型プラズマソースによれば、単位コイルは、コイル配置が任意の位置で対称となりうるように所定の規則に基づいてブッシング周囲に螺旋状に配置される。これにより、均一なプラズマ密度が達成できる。また、中心部に配置されたブッシングにより、プラズマ密度が、相対的に強いプラズマ密度を有する中心部で低下して、全体プラズマ密度が全体的に均一に分布される。さらに、ブッシングとび単位コイルが上部と下部に配置されていて、単位コイルの個数と巻回数を規制することによって全体のインピーダンスを微調整できる。
図2は、本発明の1つの実施形態による適応型プラズマソースを用いたプラズマ反応チャンバの断面図であり図3は、図2に示された適応型プラズマソースの平面図である。
図2を参照すると、プラズマ反応チャンバ200は、チャンバ外壁202により画定された所定容積の内部空間204を有する。処理しようとする対象物、例えば、半導体ウェーハ206は、プラズマ反応チャンバ200の内部空間204の下方部分に配置される。半導体ウェーハ206は、プラズマ反応チャンバ200の下方部分に設置されたサセプター208上に載置される。支持部材208は、プラズマ反応チャンバ200の外側から供給されるRF電源210に連結される。プラズマ反応チャンバ200の上部には、ドーム212が配置される。ドーム212と半導体ウェーハ206との間の空間でプラズマ214が形成される。
プラズマ214のための適応型プラズマソース300は、ドーム212上に配置されかつドーム212から所定の距離だけ離間される。適応型プラズマソース300は、ブッシング310と複数の単位コイル321を具備しており、ブッシング310は単位コイル321の中間に配置されている。ブッシング310は、RF電源216と連結される。RF電源216からRF電力が単位コイル321,322,323に供給され、そして単位コイル321,322,323が、電場を発生する。この電場は、ドーム212を通じて内部空間204に誘起される。内部空間204に誘起された電場は、内部空間204の放電でガスを生じ、それによってプラズマ214を形成する。プラズマ214が形成されるときに発生した中性のラジカル粒子と電荷を帯びたイオンとが互いに化学反応する。
図3を参照すると、前記プラズマ反応チャンバ200の内部空間204内でプラズマ214を発生する適応型プラズマソース300は、中心部のブッシング310から分枝された複数個の単位コイル321,322,323がブッシング310を螺旋状に取り巻いた構成を有する。ブッシング310は、円形の形状を有しているが、他の形状を有していてもよい。例えば、ブッシング310は、三角形のような多角形であることもあり、または、円形や多角形のドーナッツ状であってもよい。ブッシング310は、プラズマ反応チャンバの中心部に対応するように配置される。従って、プラズマ反応チャンバの中心部でのプラズマ密度を低下させることができる。
単位コイル321,322,323とブッシング310とが連結される分枝点a,b,cは、互いに対称をなす。単位コイル321,322,323は、ブッシング310を通じてRF電源216からのRF電力を供給されねばならないので、ブッシング310は一部または全部が導電体で作製される。図3は単位コイルの個数と各単位コイルの巻回数がそれぞれ3つと1回であると示しているが、単位コイルの個数は2つまたは4つ以上であってもよい。また、各単位コイルの巻回数は、次の式1で与えられうる。
<式1>
n=a×(b/m)
ここで、nは各単位コイルの巻回数を表し、a及びbは正の整数値を表し、そして、mは単位コイルの個数を表す。
<式1>
n=a×(b/m)
ここで、nは各単位コイルの巻回数を表し、a及びbは正の整数値を表し、そして、mは単位コイルの個数を表す。
式1によれば、図3に示された単位コイル321,322,323の個数が3であるから、各単位コイルの巻回数nは、1/3,2/3,1,1と1/3,1と2/3等々になりうる。これらの条件が満足される場合には、いかなる位置でも単位コイル321,322,323は対称に配置される。従って、均一なプラズマ密度を得ることができす。すなわち、ブッシング310の中心点を通過するラインのうち、いずれのラインに沿って切断しても、各単位コイルは両方に対称をなす。しかし、式1の条件が満足されない場合には、各単位コイルは非対称となるであろう。例えば、3個の単位コイルがすべてブッシングの右側に配置されているが、2個の単位コイルだけが左側に配置されてもよい。このような非対称的な配置は、プラズマ反応チャンバ内の内部空間に不均一プラズマ密度を生じさせる要因の1つとなるであろう。
図4A及び図4Bは、本発明の他の実施形態による適応型プラズマソースの図である。詳細には、図4Aは、適応型プラズマソースがプラズマ反応チャンバに装着される構成の図であり、図4Bは、図4Aに示された適応型プラズマソースを立体図である。図2及び4では同じ参照符号は、同じ要素を表すので、それらの説明は省略する。
図4A及び図4Bを参照すると、適応型プラズマソースは、上部に配置されたブッシング410と、下部に配置された2個以上の(例えば3個の)単位コイル421,422,423を備えている。単位コイル421,422,423は、プラズマ反応チャンバ200のドーム212上部表面に隣接した第1平面4a上に配置される。ブッシング410は、ドーム212の上部表面から相対的にさらに離間された第2平面4b上に配置される。具体的には、第2平面4b上でブッシング410から分枝される単位コイル421,422,423は、第1平面4aまで垂直方向に延長する。第1平面4aまで延長した各単位コイル421,422,423は、第1平面4a上で螺旋状に配置される。単位コイル421,422,423の螺旋状の構成は、図3で説明したところと同一なので、それの説明は省略する。
図5A及び図5Bは、本発明のさらに他の実施形態による適応型プラズマソースの図である。詳細には、図5Aは、適応型プラズマソースがプラズマ反応チャンバに装着される構成の図であり、図5Bは、図5Aに示された適応型プラズマソースの立体図である。同じ参照符号は、図2及び図5Aと同じ要素を表すので、それらの説明は省略する。
図5A及び図5Bを参照すると、適応型プラズマソースは、下部に配置された第1ブッシング510と、上部に配置された第2ブッシング530を具備している。第1ブッシング510は、プラズマ反応チャンバ200のドーム212上面上に位置した第1平面5a上に配置され、第2ブッシング530は、第1平面5aより所定の距離だけ高くに位置した第2平面5b上に配置される。第1ハウジング510の他に、2個以上の(例えば3個の)第1単位コイル521,522,523が第1平面5a上に配置される。同様に、第2ブッシング530の他に、2個以上の(例えば3個の)第2単位コイル541,542,543が第2平面5b上に配置される。第1ブッシング510と第2ブッシング530は、連結ロッド550により相互連結される。連結ロッド550は導電性材料で作製されている。したがって、RF電力が、第2ブッシング530及び連結ロッド550を通じて第1ブッシング510に供給されうる。
第1単位コイル521,522,523は、第1ブッシング510から分枝され、第1平面5a上で第1ブッシング510を螺旋状に取り巻く。第2単位コイル541,542,543は、第2ブッシング530から分枝され、第2平面5b上で第2ブッシング530を螺旋状に取り巻く。第1及び第2単位コイルの構造は、図3で説明したように同一であるから、それらの説明は省略する。
一方、図面には示されていないが、第1平面5aと第22平面5bとの間の所定の面上には、第1ブッシング510及び第2ブッシング530と同じ態様で配置される少なくとも1つのブッシングが配置される。そのブッシングから少なくとも2個の単位コイル(図示せず)が第1単位コイル及び第2単位コイルと同じ態様で配置されうる。また、第1単位コイルの個数は、第2単位コイルの個数と等しくてもよいし、異なっていてもよい。
図6は、本発明のさらに他の実施形態による適応型プラズマソースの図である。
図6を参照すると、適応型プラズマソースは、下部に配置された第1ブッシング510と、上部に配置された第2ブッシング540を具備している。図5Aの適応型プラズマソースとは異なり、図6の適応型プラズマソースは、第1ブッシング510の直径d1が、第2ブッシング540の直径d2とは相異なることを特徴とする。すなわち、第1平面5a上の第1ブッシング510の直径d1が第2平面5b上の第2ブッシング540の直径d2より大きい。これは、第1ブッシング510の断面が第2ブッシング540の断面よりさらに広いことを意味する。この構成は、第1ブッシング510の直径d1を広げることによって得られるものであり、プラズマ反応チャンバ200の中心部でのプラズマ密度を低下させるのにさらに効果的である。言い換えれば、第1単位コイル521,522,523と重複されるプラズマ反応チャンバ200の領域が減少すると、プラズマ密度が低くなる領域が広くなる。
図7は、本発明のさらに他の実施形態による適応型プラズマソースの図である。
図7を参照すると、図5Aの適応型プラズマソースとの差異は、第1単位コイル521,522,523の個数が、上部の第2単位コイル541,542,543,544の個数と等しくないことである。すなわち、下部に配置された第1単位コイル521,522,523の個数が3個であるが、第2単位コイル541,542,543,544の個数は4個である。このように、下部の単位コイルの個数と上部の単位コイルの個数とを調節することにより、より微細なインピーダンスを得ることができる。
図8は、図7に示された適応型プラズマコイルのインダクタンス成分の等価回路図である。
図8を参照すると、下部に配置された第1単位コイル521,522,523はすべて第1ブッシング510から分枝され回路構成となる。また、上部に配置された第2単位コイル541,542,543,544はすべて第2ブッシング530から分枝されて、回路構成となる。それぞれの単位コイルが同じインピーダンスZを有する場合、上部の第2単位コイル回路の第2等価インピーダンスZ2は、Z/4となる。同様に、第1単位コイル回路の第1等価インピーダンスZ1は、Z/3となる。従って、全体の等価インピーダンスZtは7Z/12であり、これは第1等価インピーダンスZ1と第2等価インピーダンスZ2との和である。すなわち、1つの単位コイルのインピーダンスの7/12倍に相当する等価インピーダンスを得ることができる。従って、さらに微細な等価インピーダンスを得ることができる。例えば、3個の単位コイルと4個の単位コイルが下部と上部とにそれぞれ配置される場合には、1つの単位コイルの1/12倍ないし12/12倍のインピーダンスが得られる。
図9A及び図9Bは、本発明のさらに他の実施形態による角張った形状を有する適応型プラズマソースの図である。
円形のブッシングについて上述したが、ブッシングは、角張った形状として形成されてもよい。図9Aに図示されているように、ブッシングは、四角形または六角形として形成されてもよい。図9Aに図示された四角形のブッシング910の場合には、2個以上の(例えば4個の)単位コイル921,922,923,924は、ブッシング910の4つの辺から対称に分枝される。この場合には、ブッシング910の各コーナーから分枝されうるということが明らかである。また、単位コイル921,922,923,924の巻回数は、上記の式1により決定される。すなわち、4個の単位コイル921,922,923,924が使われるので、その巻回数は、1/4、2/4、3/4、1、1と1/4、1と2/4、等となる。図9Bに図示されている六角形のブッシング930の場合には、2個以上の(例えば6個の)単位コイル941,942,943,944,945,946が、ブッシング930の各コーナーから対称に分枝される。単位コイル941,942,943,944,945,946の巻回数は、上記の数式1により決定される。すなわち、6個の単位コイル941,942,943,944,945,946が使われるので、巻回数は1/6、2/6、3/6、4/6、5/6、1、1と1/6、1と2/6、1と3/6、1と4/6等となる。
200 プラズマ反応チャンバ
204 内部空間
210 RF(高周波)電源
300 適応型プラスマソース
310 ブッシング
321、322、323 単位コイル
204 内部空間
210 RF(高周波)電源
300 適応型プラスマソース
310 ブッシング
321、322、323 単位コイル
Claims (11)
- プラズマを形成するための反応空間を有する反応チャンバの上部に配置され、外部の高周波電源からのRF(高周波)電力を供給され、前記反応空間内に電場を形成させる適応型プラズマソースであって、
前記RF電源と連結され、前記反応チャンバの上部中心部に配置される導電性のブッシングと、
前記ブッシングから分枝され、前記ブッシングを螺旋状に取り巻いて、a×(b/m)に等しい巻回数を有する少なくとも2つの単位コイルとを
具備し、a及びbは正の整数、そしてmは上記単位コイルの個数である適応型プラズマソース。 - 前記ブッシングは、所定の直径を有する円形の形状を有し、前記単位コイルは、前記ブッシングのエッジで相互対称になる位置から分枝される、請求項1に記載の適応型プラズマソース。
- 前記ブッシングは、多角形の形状を有し、前記単位コイルは前記ブッシングと同じ多角形の形状を有しかつ前記ブッシング周囲を螺旋状に取り巻いている請求項1に記載の適応型プラズマソース。
- 前記ブッシング及び単位コイルは、四角形の形状を有している請求項3に記載の適応型プラズマソース。
- 前記ブッシング及び単位コイルは、六角形の形状を有している請求項3に記載の適応型プラズマソース。
- 前記ブッシングは、前記反応チャンバの上部に配置された前記単位コイルと同一平面上に配置される請求項1に記載の適応型プラズマソース。
- 前記ブッシングは、前記反応チャンバの上部に配置された前記単位コイルが位置した第1平面上より高くに位置した第2平面上に配置される請求項1に記載の適応型プラズマソース。
- 前記単位コイルは、前記第2平面上に配置される前記ブッシングから分枝され、前記第1平面上まで延長され、そして前記第1平面上で螺旋状に配置される請求項7に記載の適応型プラズマソース。
- プラズマを形成するための反応空間を有する反応チャンバの上部に配置され、外部のRF電源からのRF(高周波)電力を供給され、前記反応空間内に電場を形成させる適応型プラズマソースであって、
前記反応チャンバの上部に位置した第1平面上で前記反応チャンバの上部中心部に配置される導電性の第1ブッシングと、
前記第1平面上で前記第1ブッシングから分枝され、前記第1ブッシング周囲を螺旋状に取り巻き、a×(b/m1)に等しい巻回数を有し、ここで、a及びbは正の整数、そして、m1は単位コイルの個数である少なくとも2個の第1単位コイルと、
前記第1平面より高くに位置した第2平面上で前記第1ブッシングに対応して配置され、前記第1ブッシングに弾性的に連結される導電性の第2ブッシングと、
前記第2平面上で前記第2ブッシングから分枝され、前記第2ブッシング周囲を螺旋状に取り巻き、a×(b/m2)に等しい巻回数を有し、ここで、a及びbは正の整数、そして、m2は単位コイルの個数である少なくとも2個の第2単位コイルとを具備した適応型プラズマソース。 - 前記第1ブッシングは、前記第2ブッシングの断面と等しいかそれより広い断面を有する請求項9に記載の適応型プラズマソース。
- 前記第1平面上と前記第2平面上との間の少なくとも1つの平面で前記第1ブッシング及び第2ブッシングと連結される少なくとも一つ以上の第3ブッシングと、
前記第3ブッシングから分枝され、前記第1単位コイル及び第2単位コイルと同じ態様で配置される少なくとも1つの第3単位コイルとをさらに具備した請求項9に記載の適応型プラズマソース。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030063416A KR100551138B1 (ko) | 2003-09-09 | 2003-09-09 | 균일한 플라즈마 발생을 위한 적응형 플라즈마 소스 |
PCT/KR2004/002282 WO2005025281A1 (en) | 2003-09-09 | 2004-09-08 | Adaptively plasma source for generating uniform plasma |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007505466A true JP2007505466A (ja) | 2007-03-08 |
Family
ID=36242202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006526028A Pending JP2007505466A (ja) | 2003-09-09 | 2004-09-08 | 均一なプラズマ発生のための適応型プラズマソース |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070084405A1 (ja) |
EP (1) | EP1665908A1 (ja) |
JP (1) | JP2007505466A (ja) |
KR (1) | KR100551138B1 (ja) |
CN (1) | CN100438718C (ja) |
WO (1) | WO2005025281A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019514168A (ja) * | 2016-04-05 | 2019-05-30 | アパン インストゥルメンツ エスピー. ゼット オー. オー.Apan Instruments Sp. Z O.O. | マイクロ波周波数においてトロイダルプラズマ放電を加熱する電磁場を成形するアダプタ |
Families Citing this family (335)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006031010A1 (en) * | 2004-09-14 | 2006-03-23 | Adaptive Plasma Technology Corp. | Adaptively plasma source and method of processing semiconductor wafer using the same |
KR100716720B1 (ko) * | 2004-10-13 | 2007-05-09 | 에이피티씨 주식회사 | 비원형의 플라즈마 소스코일 |
KR100748871B1 (ko) * | 2005-10-21 | 2007-08-13 | 에이피티씨 주식회사 | 균일한 자계분포를 갖도록 하는 적응형 플라즈마 소스 및이를 포함하는 플라즈마 챔버 |
KR100777635B1 (ko) * | 2006-01-17 | 2007-11-21 | (주)아이씨디 | 평판 타입 고밀도 icp 안테나 |
US8986456B2 (en) | 2006-10-10 | 2015-03-24 | Asm America, Inc. | Precursor delivery system |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US8883270B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-11-11 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species |
TW201143554A (en) * | 2009-11-27 | 2011-12-01 | Ulvac Inc | Plasma processing apparatus |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9341296B2 (en) | 2011-10-27 | 2016-05-17 | Asm America, Inc. | Heater jacket for a fluid line |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9005539B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Chamber sealing member |
US9167625B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shielding for a substrate holder |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
US9029253B2 (en) | 2012-05-02 | 2015-05-12 | Asm Ip Holding B.V. | Phase-stabilized thin films, structures and devices including the thin films, and methods of forming same |
US8728832B2 (en) | 2012-05-07 | 2014-05-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor device dielectric interface layer |
US8933375B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-01-13 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor heater and method of heating a substrate |
US9117866B2 (en) | 2012-07-31 | 2015-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions |
US9169975B2 (en) | 2012-08-28 | 2015-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for mass flow controller verification |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9396934B2 (en) | 2013-08-14 | 2016-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US9605343B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
KR102630343B1 (ko) * | 2017-08-03 | 2024-01-30 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
US10971333B2 (en) * | 2016-10-24 | 2021-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Antennas, circuits for generating plasma, plasma processing apparatus, and methods of manufacturing semiconductor devices using the same |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
KR102633318B1 (ko) | 2017-11-27 | 2024-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 청정 소형 구역을 포함한 장치 |
WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
CN116732497A (zh) | 2018-02-14 | 2023-09-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
TWI816783B (zh) | 2018-05-11 | 2023-10-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
TW202013553A (zh) | 2018-06-04 | 2020-04-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
CN112292477A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
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CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
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USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
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CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
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US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
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TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
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TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
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TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3105403B2 (ja) * | 1994-09-14 | 2000-10-30 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理装置 |
US5731565A (en) * | 1995-07-27 | 1998-03-24 | Lam Research Corporation | Segmented coil for generating plasma in plasma processing equipment |
US5800619A (en) * | 1996-06-10 | 1998-09-01 | Lam Research Corporation | Vacuum plasma processor having coil with minimum magnetic field in its center |
TW349234B (en) * | 1996-07-15 | 1999-01-01 | Applied Materials Inc | RF plasma reactor with hybrid conductor and multi-radius dome ceiling |
TW406523B (en) * | 1998-02-11 | 2000-09-21 | Tsai Chuen Hung | Inductively-coupled high density plasma producing apparatus and plasma processing equipment provided with the same |
US6164241A (en) * | 1998-06-30 | 2000-12-26 | Lam Research Corporation | Multiple coil antenna for inductively-coupled plasma generation systems |
US6238528B1 (en) * | 1998-10-13 | 2001-05-29 | Applied Materials, Inc. | Plasma density modulator for improved plasma density uniformity and thickness uniformity in an ionized metal plasma source |
-
2003
- 2003-09-09 KR KR1020030063416A patent/KR100551138B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-09-08 EP EP04774541A patent/EP1665908A1/en not_active Withdrawn
- 2004-09-08 CN CNB200480028661XA patent/CN100438718C/zh active Active
- 2004-09-08 WO PCT/KR2004/002282 patent/WO2005025281A1/en active Application Filing
- 2004-09-08 JP JP2006526028A patent/JP2007505466A/ja active Pending
- 2004-09-08 US US10/570,942 patent/US20070084405A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019514168A (ja) * | 2016-04-05 | 2019-05-30 | アパン インストゥルメンツ エスピー. ゼット オー. オー.Apan Instruments Sp. Z O.O. | マイクロ波周波数においてトロイダルプラズマ放電を加熱する電磁場を成形するアダプタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100438718C (zh) | 2008-11-26 |
KR20050026679A (ko) | 2005-03-15 |
WO2005025281A1 (en) | 2005-03-17 |
CN1864449A (zh) | 2006-11-15 |
KR100551138B1 (ko) | 2006-02-10 |
EP1665908A1 (en) | 2006-06-07 |
US20070084405A1 (en) | 2007-04-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081202 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090421 |