JP2007505439A - Ramアドレス・デコーダの抵抗オープン故障のテスティング - Google Patents
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 24
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- XEBWQGVWTUSTLN-UHFFFAOYSA-M phenylmercury acetate Chemical compound CC(=O)O[Hg]C1=CC=CC=C1 XEBWQGVWTUSTLN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
- G11C29/024—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in decoders
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- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
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- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
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- G—PHYSICS
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- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
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Abstract
Description
− 第1の論理状態を前記複数のセルの第1のセルに書き込み;
− 前記第1の論理状態を相補する第2の論理状態を、前記第1のセルに論理的に隣接する第2のセルに書き込み;
− 前記第2の論理状態が前記第2のセルに書き込まれてしまった後に、前記第1のセルを読み出す;というサイクルのシーケンスを含む一連の連続するステージを備える方法において、
前記サイクルのそれぞれは、クロックパルスの結果として発生すると共に;前記第1のセルが遅い立ち下がり[slow-to-fall]動作を論証している場合に、前記第1のセルの論理状態がその最小レベルへと立ち下がってしまう前に、読み出しサイクルが実行させられるようにして、クロックサイクルを設定するステップを備えることを特徴とする方法が提供される。
− 第1の論理状態を前記複数のセルの第1のセルに書き込み;
− 前記第1の論理状態を相補する第2の論理状態を、前記第1のセルに論理的に隣接する第2のセルに書き込み;
− 前記第2の論理状態が前記第2のセルに書き込まれてしまった後に、前記第1のセルを読み出す;というサイクルのシーケンスを含む一連の連続するステージを実行する手段を備える装置において、
前記サイクルのそれぞれは、クロックパルスの結果として発生すると共に;前記第1のセルが遅い立ち下がり[slow-to-fall]動作を論証している場合に、前記第1のセルの論理状態がその最小レベルへと立ち下がってしまう前に、読み出しサイクルが実行させられるようにして、クロックサイクルを設定する手段を備えることを特徴とする装置が提供されている。
− 第1の論理状態を前記複数のセルの第1のセルに書き込み;
− 前記第1の論理状態を相補する第2の論理状態を、前記第1のセルに論理的に隣接する第2のセルに書き込み;
− 前記第2の論理状態が前記第2のセルに書き込まれてしまった後に、前記第1のセルを読み出す;というサイクルのシーケンスを含む一連の連続するステージを備える方法において、
前記サイクルのそれぞれは、クロックパルスの結果として発生すると共に;前記第1のセルが遅い立ち上がり[slow-to-rise]動作を論証している場合に、前記第1のセルの論理状態がその最大レベルへと立ち上がってしまう前に、読み出しサイクルが実行させられるようにして、クロックパルスの幅を設定するステップを備えることを特徴とする方法が提供される。
− 第1の論理状態を前記複数のセルの第1のセルに書き込み;
− 前記第1の論理状態を相補する第2の論理状態を、前記第1のセルに論理的に隣接する第2のセルに書き込み;
− 前記第2の論理状態が前記第2のセルに書き込まれてしまった後に、前記第1のセルを読み出す;というサイクルのシーケンスを含む一連の連続するステージを実行する手段を備える装置において、
前記サイクルのそれぞれは、クロックパルスの結果として発生すると共に;前記第1のセルが遅い立ち上がり[slow-to-rise]動作を論証している場合に、前記第1のセルの論理状態がその最大レベルへと立ち上がってしまう前に、読み出しサイクルが実行させられるようにして、クロックパルスの幅を設定する手段を備えることを特徴とする装置が提供されている。
− 第1の論理状態を前記複数のセルの第1のセルに書き込み;
− 前記第1の論理状態を相補する第2の論理状態を、前記第1のセルに論理的に隣接する第2のセルに書き込み;
− 前記第2の論理状態が前記第2のセルに書き込まれてしまった後に、前記第1のセルを読み出す;というサイクルのシーケンスを含む一連の連続するステージを備える方法において、
前記サイクルのそれぞれは、クロックパルスの結果として発生すると共に;前記第1のセルが遅い立ち下がり[slow-to-fall]動作を論証する場合に、前記第1のセルの論理状態がその最小レベルへと立ち下がってしまった後に、読み出しサイクルが実行させられるようにして、クロックサイクルを設定するステップと、前記第1のセルが遅い立ち上がり[slow-to-rise]動作を論証している場合に、前記第1のセルの論理状態がその最大レベルへと立ち上がってしまう前に、読み出しサイクルが実行させられるようにして、クロックパルスの幅を設定するステップと、を備えることを特徴とする方法が提供される。
遅い立ち上がりの抵抗オープン欠陥を検出するため、デューティサイクルはクロックサイクルの25%〜50%の間であることが好ましく、このことは、パルス幅は遅い立ち上がりの検出のし易さを少なくすることを意味している。デューティサイクルが50%から25%にまで減少させられると、遅い立ち上がり遅延欠陥タイプ用の欠陥の集中が増加させられる。
Claims (7)
- 論理データを受け入れる複数のセルを含む電子回路をテストする方法であって:
− 第1の論理状態を前記複数のセルの第1のセルに書き込み;
− 前記第1の論理状態を相補する第2の論理状態を、前記第1のセルに論理的に隣接する第2のセルに書き込み;
− 前記第2の論理状態が前記第2のセルに書き込まれてしまった後に、前記第1のセルを読み出す;というサイクルのシーケンスを含む一連の連続するステージを備える方法において、
前記サイクルのそれぞれは、クロックパルスの結果として発生すると共に;前記第1のセルが遅い立ち下がり[slow-to-fall]動作を論証している場合に、前記第1のセルの論理状態がその最小レベルへと立ち下がってしまう前に、読み出しサイクルが実行させられるようにして、クロックサイクルを設定するステップを備えることを特徴とする方法。 - 論理データを受け入れる複数のセルを含む電子回路をテストする方法であって:
− 第1の論理状態を前記複数のセルの第1のセルに書き込み;
− 前記第1の論理状態を相補する第2の論理状態を、前記第1のセルに論理的に隣接する第2のセルに書き込み;
− 前記第2の論理状態が前記第2のセルに書き込まれてしまった後に、前記第1のセルを読み出す;というサイクルのシーケンスを含む一連の連続するステージを備える方法において、
前記サイクルのそれぞれは、クロックパルスの結果として発生すると共に;前記第1のセルが遅い立ち上がり[slow-to-rise]動作を論証している場合に、前記第1のセルの論理状態がその最大レベルへと立ち上がってしまう前に、読み出しサイクルが実行させられるようにして、クロックパルスの幅を設定するステップを備えることを特徴とする方法。 - 論理データを受け入れる複数のセルを含む電子回路をテストする方法であって:
− 第1の論理状態を前記複数のセルの第1のセルに書き込み;
− 前記第1の論理状態を相補する第2の論理状態を、前記第1のセルに論理的に隣接する第2のセルに書き込み;
− 前記第2の論理状態が前記第2のセルに書き込まれてしまった後に、前記第1のセルを読み出す;というサイクルのシーケンスを含む一連の連続するステージを備える方法において、
前記サイクルのそれぞれは、クロックパルスの結果として発生すると共に;前記第1のセルが遅い立ち下がり[slow-to-fall]動作を論証する場合に、前記第1のセルの論理状態がその最小レベルへと立ち下がってしまった後に、読み出しサイクルが実行させられるようにして、クロックサイクルを設定するステップと、前記第1のセルが遅い立ち上がり[slow-to-rise]動作を論証している場合に、前記第1のセルの論理状態がその最大レベルへと立ち上がってしまう前に、読み出しサイクルが実行させられるようにして、クロックパルスの幅を設定するステップと、を備えることを特徴とする方法。 - 前記複数のセルは、複数の行と、複数の列とに配置され、前記電子回路が、アドレスを受け入れるのに適切な入力手段と、この入力手段と前記複数のセルとの間で複数のアドレスに基づいて前記セルをアドレスするのに適切である復号化手段であって、複数の行デコーダを備える前記復号化手段とを備えるものにおいて、前記行のそれぞれの行を表示する前記第1のアドレスと前記第2のアドレスとを有することにより、前記行デコーダの第1および第2のデコーダをテストすることを可能にする、請求項1ないし3の何れかに記載の方法。
- 前記複数のセルは、複数の行と、複数の列とに配置され、前記電子回路が、アドレスを受け入れるのに適切な入力手段と、この入力手段と前記複数のセルとの間で複数のアドレスに基づいて前記セルをアドレスするのに適切である復号化手段であって、複数の列デコーダを備える前記復号化手段とを備えるものにおいて、前記行のそれぞれの行を表示する前記第1のアドレスと前記第2のアドレスとを有することにより、前記列デコーダの第1および第2のデコーダをテストすることを可能にする、請求項1ないし3の何れかに記載の方法。
- 論理データを受け入れる複数のセルを含む電子回路をテストする装置であって:
− 第1の論理状態を前記複数のセルの第1のセルに書き込み;
− 前記第1の論理状態を相補する第2の論理状態を、前記第1のセルに論理的に隣接する第2のセルに書き込み;
− 前記第2の論理状態が前記第2のセルに書き込まれてしまった後に、前記第1のセルを読み出す;というサイクルのシーケンスを含む一連の連続するステージを実行する手段を備える装置において、
前記サイクルのそれぞれは、クロックパルスの結果として発生すると共に;前記第1のセルが遅い立下り[slow-to-fall]動作を論証している場合に、前記第1のセルの論理状態がその最小レベルへと立ち下がってしまう前に、読み出しサイクルが実行させられるようにして、クロックサイクルを設定する手段を備えることを特徴とする装置。 - 論理データを受け入れる複数のセルを含む電子回路をテストする装置であって:
− 第1の論理状態を前記複数のセルの第1のセルに書き込み;
− 前記第1の論理状態を相補する第2の論理状態を、前記第1のセルに論理的に隣接する第2のセルに書き込み;
− 前記第2の論理状態が前記第2のセルに書き込まれてしまった後に、前記第1のセルを読み出す;というサイクルのシーケンスを含む一連の連続するステージを実行する手段を備える装置において、
前記サイクルのそれぞれは、クロックパルスの結果として発生すると共に;前記第1のセルが遅い立ち上がり[slow-to-rise]動作を論証している場合に、前記第1のセルの論理状態がその最大レベルへと立ち上がってしまう前に、読み出しサイクルが実行させられるようにして、クロックパルスの幅を設定する手段を備えることを特徴とする装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP03101471 | 2003-05-22 | ||
PCT/IB2004/050696 WO2004105043A1 (en) | 2003-05-22 | 2004-05-14 | Testing ram address decoder for resistive open defects |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007505439A true JP2007505439A (ja) | 2007-03-08 |
Family
ID=33462202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006530853A Pending JP2007505439A (ja) | 2003-05-22 | 2004-05-14 | Ramアドレス・デコーダの抵抗オープン故障のテスティング |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7392465B2 (ja) |
EP (1) | EP1629505B1 (ja) |
JP (1) | JP2007505439A (ja) |
KR (1) | KR20060014057A (ja) |
CN (1) | CN1791942B (ja) |
DE (1) | DE602004022045D1 (ja) |
TW (1) | TWI330717B (ja) |
WO (1) | WO2004105043A1 (ja) |
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2004
- 2004-05-14 EP EP04733058A patent/EP1629505B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-05-14 WO PCT/IB2004/050696 patent/WO2004105043A1/en active Application Filing
- 2004-05-14 CN CN200480013812.4A patent/CN1791942B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-14 KR KR1020057022216A patent/KR20060014057A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-05-14 JP JP2006530853A patent/JP2007505439A/ja active Pending
- 2004-05-14 US US10/557,375 patent/US7392465B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-14 DE DE602004022045T patent/DE602004022045D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-05-19 TW TW093114153A patent/TWI330717B/zh not_active IP Right Cessation
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CN1791942B (zh) | 2010-10-13 |
DE602004022045D1 (de) | 2009-08-27 |
EP1629505A1 (en) | 2006-03-01 |
KR20060014057A (ko) | 2006-02-14 |
US7392465B2 (en) | 2008-06-24 |
EP1629505B1 (en) | 2009-07-15 |
CN1791942A (zh) | 2006-06-21 |
TW200506402A (en) | 2005-02-16 |
US20070067706A1 (en) | 2007-03-22 |
WO2004105043A1 (en) | 2004-12-02 |
TWI330717B (en) | 2010-09-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080619 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100312 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100924 |