JP2007335908A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 基板と、該基板上に順次形成された、露光光を反射する多層反射膜及び露光光を吸収する吸収体層を備えた反射型マスクブランクスであって、
   前記吸収体層は、少なくとも最上層と、それ以外の下層とからなる積層構造となっており、前記最上層は、前記吸収体層に形成された吸収体層のパターンの検査に使用する検査波長の光に対する反射率が２０％以下であり、かつ下層へのパターン形成の際のエッチング条件に対し耐性を有する無機材料で形成されており、
   前記下層にパターンを形成する際における前記最上層と下層とのエッチング選択比が５以上であることを特徴とする反射型マスクブランクス。
2. 基板と、該基板上に順次形成された、露光光を反射する多層反射膜及び露光光を吸収する吸収体層を備えた反射型マスクブランクスであって、
   前記吸収体層は、少なくとも最上層と、それ以外の下層とからなる積層構造となっており、
   前記最上層は、前記吸収体層に形成された吸収体層のパターンの検査に使用する検査波長の光において、前記吸収体層下の前記多層反射膜に対する下記の式で示されるコントラスト値が４０％以上であり、かつ下層へのパターン形成の際のエッチング条件に対し耐性を有する無機材料で形成されており、
   前記下層にパターンを形成する際における前記最上層と下層とのエッチング選択比が５以上であることを特徴とする反射型マスクブランクス。
   （式）コントラスト値（％）＝（Ｒ_２−Ｒ_１）／（Ｒ_２＋Ｒ_１）×１００
   （ただし、Ｒ_１は検査波長の光に対する最上層表面の反射率、Ｒ_２は吸収体層下の多層反射膜表面の反射率）
3. 前記最上層は、前記吸収体層に形成された吸収体層のパターンの検査に使用する検査波長の光において、前記吸収体層下の前記多層反射膜に対する下記の式で示されるコントラスト値が４０％以上であることを特徴とする請求項１記載の反射型マスクブランクス。
   （式）コントラスト値（％）＝（Ｒ_２−Ｒ_１）／（Ｒ_２＋Ｒ_１）×１００
   （ただし、Ｒ_１は検査波長の光に対する最上層表面の反射率、Ｒ_２は吸収体層下の多層反射膜表面の反射率）
4. 前記吸収体層のパターンの検査に使用する検査波長が１９０ｎｍ〜２６０ｎｍの範囲に含まれることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の反射型マスクブランクス。
5. 前記最上層のＥＵＶ吸収係数が０．０１以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の反射型マスクブランクス。
6. 前記下層のＥＵＶ吸収係数が０．０２５以上であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の反射型マスクブランクス。
7. 前記吸収体層の下層がタンタル（Ｔａ）を含む材料で、前記最上層がケイ素（Ｓｉ）を含む材料でそれぞれ構成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の反射型マスクブランクス。
8. 請求項１乃至７のいずれかに記載の反射型マスクブランクスの吸収体層にパターンを形成してなることを特徴とする反射型マスク。