JP2007334775A - 回路解析装置、回路解析方法および回路解析プログラム - Google Patents

Abstract

【課題】基板上に回路素子を配置する構成の回路装置の動作特性を精度良く解析するための構成を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の材料に依存する基板パラメータであって動作周波数又は温度に依存する基板パラメータの該当する動作周波数又は動作温度に対する値を自動的に求め、基板パラメータの該当する動作周波数又は動作温度に対する値に基づいて該当する回路装置の動作を解析する構成を有する。
【選択図】図２

Description

本発明は回路解析装置、回路解析方法および回路解析プログラムに係り、特に基板上に回路素子を配置する構成の回路装置の動作特性を解析するための回路解析装置、回路解析方法および回路解析プログラムに関する。

昨今、基板上に回路素子を配置する構成の回路装置において、その動作特性を解析するにあたり、基板の材料の特性に依存する値を有する比誘電率、誘電正接等のパラメータ（以下「基板パラメータ」と称する）による影響が無視できない場合が多い。

すなわち本来、解析の条件たる動作周波数／動作温度（以下、「解析周波数／温度」と称する）における各パラメータの値が必要になるが、上記比誘電率(εr)や誘電正接(tanδ)のような基板パラメータには周波数／温度依存性があるため、それぞれの条件に応じた値が必要となる。しかしながら基板材料のカタログには代表的な周波数／温度のときの値のみが掲載されている場合が多い。

例えば図１に示す例のごとく、解析周波数が２ＧＨｚの場合、カタログに掲載されている値が動作周波数1ＭＨｚにおける値のみであった場合、設計者はその値をそのまま使用する場合がある。そのような場合当該基板パラメータが本来の値から大きくずれている可能性がある。このため、結果的に得られた解析結果としての信号波形が大きな誤差を含む可能性がある。

また図２に示す例のごとく基板メーカーが２つの代表値をカタログに掲載しているような場合、これら２つの値から特性を表す近似式（多くの場合直線近似による1次関数）を求め、同近似式により該当する解析周波数での値を求める場合がある。しかしながら１次関数の近似式による値の算出では計算誤差が避けられない場合が多い。

また、基板パラメータの温度特性に関し特にカタログに記載のないことが多く、設計者はカタログに記載の代表温度での値を使わざるを得ない場合が多かった。

低周波数による伝送シミュレーション時には特に基板パラメータを考慮しなくても大きな問題は生じなかった。しかしながら動作周波数が高周波になるにつれて解析精度の向上が求められ、基板パラメータの周波数／温度依存特性を考慮に入れて解析する必要性が生じている。
特開２００１−１６５９７４号公報 特表２００５−５３４０８３号公報 特開２００３−１３２１１２号公報

本発明は上記状況に鑑みてなされたものであり、基板パラメータの周波数又は温度特性と考慮した高精度の回路動作解析を可能とする回路解析装置、回路解析方法および回路解析プログラムを提供することを目的とする。

本発明では前記基板に係る基板パラメータであって回路の動作周波数に依存する値を有する基板パラメータの該当する動作周波数あるいは動作温度に対する値を自動的に求めるようにした。

このように求められる基板パラメータに基づいて回路装置の動作解析を行うことにより、該当する動作周波数あるいは動作温度に対する高精度の回路装置の動作解析が容易に実現され得る。

本発明によれば、動作周波数あるいは動作温度に対する高精度の回路装置の動作解析が容易に実現可能となり、高性能の回路装置を確実に提供することが可能となる。

以下図とともに本発明の実施例による回路解析方法および回路解析装置について詳細に説明する。

本発明の実施例による回路解析方法は伝送シミュレーションにおける基板パラメータの自動設定手法に係るものを含む。

ここで「伝送シミュレーション」とは、回路装置開発作業において、開発に係る回路装置をデータ伝送装置として実際に動作させた場合を想定した、回路動作解析による動作シミュレーションをいう。

より具体的には、本発明の実施例による回路解析方法は、伝送シミュレーションにおいて、伝送周波数に応じた最適な周波数依存基板パラメータを自動設定する方法を含む。

また本発明の実施例による回路解析方法によれば、最適な基板パラメータを得るための周波数特性テーブルを持つシミュレーションツールとしての機能を実現し得る。

また本発明の実施例による回路解析方法は、伝送シミュレーションにおいて、周囲温度に応じた最適な温度依存基板パラメータを自動設定する方法を含む。

また本発明の実施例による回路解析方法によれば、最適な基板パラメータを得るための温度特性テーブルを持つシミュレーションツールとしての機能を実現し得る。

また本発明の実施例による回路解析方法によれば、周波数、温度両方の最適な基板パラメータを自動設定可能なシミュレーションツールとしての機能を実現し得る。

本発明の実施例による回路解析方法によれば、このように周波数／温度依存の基板パラメータを自動的に設定する手段を用意することによって、ユーザは使用する基板と解析周波数、温度を指定するだけで、ツール内部に存在するテーブルから該当する各周波数／温度における基板パラメータが自動的に設定され、その設定にしたがった高精度な解析が行えるようになる。

図２は本発明の実施例による回路解析方法を実施するための回路解析装置の概要を説明するためのブロック図である。

本発明の回路解析装置は回路条件入力部１１，基板パラメータ決定部１２，動作解析部１４および解析結果出力部１５よりなる。

ユーザ、すなわち回路設計者あるいは開発者はまず解析条件入力部１１により、回路動作解析による伝送シミュレーションに必要な解析条件を入力する。この入力内容に従って、あらかじめ用意されたテーブル１３を参照することにより、基板パラメータ決定部１２が回路動作解析による伝送シミュレーションに必要な基板パラメータを決定する。ここで得られた基板パラメータに基づき、動作解析部１４が回路動作解析による伝送シミュレーションを実行する。そこで得られた解析結果、すなわち伝送シミュレーション結果が解析結果出力部１５から出力される。

ここで回路動作解析による伝送シミュレーションの対象となるのは上記のごとく、所定の基板上にＬＳＩ等の回路素子を配置してなる回路装置である。

このような回路装置の動作は上記のごとく基板の材料に依存する値を有する基板パラメータにより影響を受ける。そこで基板パラメータ決定部１２では、解析条件入力部１１から入力された条件に従って該当する基板の基板パラメータを求め、このようにして得られた基板パラメータに基づいて動作解析部１４が同回路装置の動作を解析して伝送シミュレーションを実行する。

また基板パラメータ決定部１２はあらかじめ用意されているテーブル１３を参照して基板パラメータの値を求める。その結果、解析周波数／温度に応じた、高精度の基板パラメータ値を得ることが可能となる。その結果、解析周波数／温度に応じた高精度の動作解析が実施可能となり、高精度の伝送シミュレーション結果を得ることが可能となる。

以下に回路装置開発作業全体の流れにおける上記本発明の実施例による回路解析方法の構成について説明する。

図３は回路装置開発作業全体の流れを示す作業フローチャートである。

図中、ステップＳ１で回路設計が済むと、ステップＳ２にて適宜プレ・アートワーク（ＡＷ）設計・修正作業を行う。具体的には後述する伝送シミュレーション（ステップＳ４）結果に基づいて設計内容を適宜修正する。

次にステップＳ３にて、上記伝送シミュレーション（ステップＳ４）の準備作業としてシミュレーションモデルを作成する。ここでは伝送シミュレーションに必要な動作解析条件を作成する。動作解析条件には、該当する回路装置の回路構成に係るＬＳＩ素子等自体の特性、実際に当該回路装置をデータ伝送装置として動作させた際の動作をシミュレーションするための入力信号等に加え、上記基板パラメータによる条件が含まれる。

ステップＳ４では、ステップＳ３にて作成されたシミュレーションモデルにしたがって伝送シミュレーションを実施する。具体的には、いわゆるフィールドソルバと称される回路解析シミュレーションツール（ソフトウェア等よりなる）が適用され、コンピュータにより自動実行される。

ステップＳ２〜Ｓ４のプレ・アートワーク設計に係る作業が終了すると、以降最終アートワーク設計（いわゆる「実装設計」）に係る作業を行う。

なお、プレ・アートワーク設計とは実装設計に対応した最終アートワーク設計に先だって行われるものであり、最終アートワーク設計に比して簡略化された回路モデルによってその動作の検証を行うものである。伝送シミュレーション（ステップＳ４）で得られた解析結果、すなわち動作波形等として所望の条件を満たすものが得られた場合にステップＳ２〜Ｓ４のループを終了し、次のステップＳ５〜Ｓ７のループすなわち最終アートワーク設計に係る作業に移行する。

この場合も上記のプレ・アートワーク設計に係る作業の場合同様、伝送シミュレーション（ステップＳ７）の結果に基づいた設計の修正（ステップＳ５）、同設計内容に基づいたシミュレーションモデルの作成（ステップＳ６）、および同シミュレーションモデルにしたがった実際の伝送シミュレーション（ステップＳ７）を繰り返す。そして所望の条件を満たす解析結果が得られた場合に同ループを終了し、ステップＳ８以降の作業に移行する。

ステップＳ８、Ｓ９ではステップＳ１〜Ｓ７によって最終的に得られた最終アートワーク設計の内容に従って実際に回路装置の製造を行い、ステップＳ１０にてその評価を行い、ステップＳ１１にて出荷を行う。

図３中、二点差線で囲った部分、すなわちステップＳ２〜Ｓ７の動作が、図２に示す回路解析装置による動作に対応する。

図４は図３中、ステップＳ３〜Ｓ４又はステップＳ６〜Ｓ７の作業を詳細に説明するための動作フローチャートである。なお図４中ステップＳ２２〜Ｓ３４の動作は、図１０に例示されるごとくの構成のコンピュータのＣＰＵが所定のプログラムを実行することにより自動実行される。

図４中、あらかじめ所定の基板材料につき、比誘電率εｒ、誘電正接ｔａｎδ等の基板パラメータの動作周波数／動作温度毎の値を求めてテーブル化する（図２中、テーブル１３）（ステップＳ２１）。

次にシミュレーションモデル作成の際、まず、解析条件入力部１１を介して基板材料の指定がなされたか否かを判断する（ステップＳ２２）。特に基板材料の指定がなかった場合、一般的な基板材料としてＦＲ−４（Flame Retardant Type 4）基板を設定する（ステップＳ２３）。他方個別に基板材料の指定があった場合には指定された基板材料を設定する（ステップＳ２４）。

このようにステップＳ２３又はＳ２４にて選択された基板材料に対し、該当する回路設計における各ネット（回路網要素）毎に伝送周波数を設定する（ステップＳ２５）。

次に、このようにして設定した伝送周波数につき、ステップＳ２１にて用意したテーブルに該当する値が存在するか否かを判定する（ステップＳ２６）。該当値がない場合、その前後の値から線形近似によっての該当する周波数における基板パラメータ値（上記εｒ、ｔａｎδ等）を求める（ステップＳ２７）。他方伝送周波数の該当値がテーブルに存在する場合、その値における基板パラメータの値（上記εｒ、ｔａｎδ等）を得る（ステップＳ２８）。

上記フィールドソルバ等の回路解析シミュレーションツールの機能により、このようにして求められた基板パラメータに基づき、それ以外の必要な基板パラメータを算出する（ステップＳ２９，Ｓ３０）。

次にこのようにして得られた基板パラメータに基づき、上記回路解析シミュレーションツールを用いて該当する回路の動作解析を実施する（ステップＳ２９）。

以後ステップＳ２４〜Ｓ３１の処理を該当する回路に含まれる全てのネットに対して実施する（ステップＳ３２）ことにより、全ネットにおける動作波形のシミュレーション結果を得る（ステップＳ３３）。

本発明の実施例によれば、このように、解析周波数に応じた基板パラメータを使用して、精度の良い回路動作解析を行うことができる。

図５は図４中、ステップＳ２１にて作成するテーブル１３の一例を示す。

同図中、（ａ）はＦＲ−４基板についての、各動作周波数、動作温度毎のεｒの値のテーブルの例を示し、（ｂ）は同ｔａｎδの値のテーブルの例を示す。

同テーブル中の値としては該当する基板材料についての実測データ等を適用する。

次に、図４中、ステップＳ２９，Ｓ３０における、基板パラメータの算出の実際の例について図６〜図９とともに説明する。

図６（ａ）は解析対象の基板の層構成を示し、図６（ｂ）は解析対象の回路構成を示す。

この例では、以下の解析条件、基板材料、基板の層構成および回路構成を例に挙げて説明を行う。

・解析周波数：1ＧＨｚ
・解析温度：８０℃
・基板材料：ＦＲ―4
・層構成：
Ｓ（信号層）−Ｇ（接地層）−Ｓ−Ｓ−Ｖ（電源層）−Ｓ
の６層構成(図６（ａ）参照)
・回路構成：ＤＶ（ドライバ素子） ― ダンピング抵抗 ― 配線（Ｌ１） ― ＲＶ（レシーバ素子）の回路構成（図６（ｂ）参照)

この場合の回路動作解析に必要な伝送シミュレーション用のシミュレーションモデル(ｗモデルと称する)を作成するのに必要な基板パラメータは、インダクタンス値Ｌ；キャパシタンス値Ｃ；直流抵抗値Ｒ０；コンダクタンス値Ｇ０；表皮抵抗係数値Ｒｓ；誘電損係数Ｇｄである。

これらのうち、まず基板の断面形状から周波数に依存しない基板パラメータ（Ｒ、Ｌ）を求める。これらＲ、Ｌの詳細な計算方法としては、例えば本出願人の提案による「表皮効果を考慮した導体抵抗を計算するプログラムおよび方法」(特許文献３；後述)を適用可能である。

次に周波数に依存する基板パラメータＣ、Ｒｓ、Ｇｄを求める。

このうち表皮抵抗係数Ｒｓは以下の計算式より求める。なおこのＲｓの詳細な計算方法についても上記「表皮効果を考慮した導体抵抗を計算するプログラムおよび方法」(特許文献３；後述)を適用可能である。

Ｒ＝Ｒ0＋Ｒｓ√ｆ

より

Ｒｓ＝（Ｒ−Ｒ０）／√ｆ

として求める。

なお上記Ｒ０は直流抵抗値を示し、ｆは解析周波数を示す。

次に誘電損係数Ｇｄは以下の計算式より求める。

Ｇｄ＝２πＣ＊ｔａｎδ

Ｇｄだけでなく、Ｃも周波数／温度に依存する。Ｃがεｒに依存するからである。なおこれは誘電体中の平行板コンデンサの容量Ｃが真空中の非誘電率をε0、極板面積をＳ、板間隔をdとして、

Ｃ＝εｒ＊ε0＊Ｓ／ｄ

と表され、基板の信号と接地（ＧＮＤ）との間の関係も平行板コンデンサと考えることができることによる。そこでこのCを求める際のεｒ、とＧｄを求める際のＣとｔａｎδの解析周波数、解析温度での値が必要となる。

設計者又は開発者が解析条件である解析周波数1ＧＨｚ、基板材料ＦＲ―４、温度８０℃を当該回路解析装置の解析条件入力部１１により入力すると、基板パラメータ決定部１２がテーブル１３を参照し、同解析条件に対応するεｒおよびｔａｎδの値を得る。図５の例の場合、εｒ＝４．３、ｔａｎδ=１．２が得られる（図４中、ステップＳ２８）。

この設定動作は上記のごとくコンピュータのＣＰＵの動作により自動的になされる。またこのとき、解析条件に対応する値そのものがテーブル１３中に実際に無い場合、その条件値の前後の値から線形近似によって求めたい条件での値を計算する（ステップＳ２７）。この場合元々テーブル１３を細かい刻みで作成しておくことにより近似する２つの値の区間を極力に短くすることが可能であり、その結果近似であっても精度的に問題が生じないように構成することが可能である。

以上のようにして求めた基板パラメータに基づいて伝送シミュレーション用のシミュレーションモデルを作成（図３中、ステップＳ３又はＳ６）し、ＨＳＰＩＣＥ（日本シノプシス株式会社）等の回路シミュレータ（上記フィールドソルバに該当する）で計算して動作波形を求める（ステップＳ４又はＳ７）。

図７に実際に求められた基板パラメータに基づいてｗモデルの例を示す。

このように本発明の実施例によれば、周波数／温度特性を持つ基板パラメータをあらかじめテーブル化しておくことで、指定の解析周波数／基板材料／温度に応じて最適な周波数依存基板パラメータが自動に選択設定されるようにすることが可能である。

したがって伝送シミュレーション工程に要する時間短縮化と、解析結果として得られる動作波形の精度向上を図ることが可能となり、回路装置が有する多くの伝送ネットの解析に要されるトータルの解析時間を大幅に短縮することが可能となる。その結果、回路装置開発期間の大幅な短縮を果たし得る。

以下上記「表皮効果を考慮した導体抵抗を計算するプログラムおよび方法」によるＲｓの求め方の例について簡単に説明する。

なお表皮抵抗係数の算出は以下の論文を参考にして実施した。

IBM J. RES. DEVELOP VOL.23 No.6 NOVEMBER 1979, 'Resistive and Inductive Skin Effect in Rectangular Conductors'

<計算方法詳細>
１）基板断面寸法、導電率、周波数を入力する。
２）所定のルール（後述）に沿ってセグメントを分割する。
・GND導体を除く導体にそれぞれ1番から順に番号をつける。GND導体は0番とする。
・各導体を電流の流れる向きに沿って細かく分割し、それぞれのセグメントに１から順に番号をつける。GND導体は0番から順に番号をつける（図８に示すマイクロストリップラインの場合の分割イメージ参照）。
・ストリップラインの場合、上部、下部のGND導体はともに0番とし、セグメントにつける番号は下部から上部への続き番号とする（図９に示すストリップラインの場合の分割イメージ参照）。

なお図８は解析対象の導体がマイクロストリップラインの場合の分割イメージを示し、図９は解析対象の導体がストリップラインの場合の分割イメージを示す。

分割した導体のインダクタンスは下式で算出する。

なおi,kは導体の番号（0〜N:Nは信号導体数）を示し、j,mは導体内のセグメント（1〜Ni:Niは着目導体のセグメント数）を示す。

またμは透磁率（真空の透磁率4π×10^-7を使う）を示し、A_ijはセグメントの断面積を示す。

これより

を算出する。
３）インピーダンス行列を算出する。

から
・DC（つまり周波数0Hz）の時： Z_ij,km(DC)
・指定された解析周波数fの時： Z_ij,km(f)
の2種の値を算出し、これをもとに下記の４）以降の算出を行う。
４）アドミタンス行列を算出する。

５）以下の各セグメントの電流値を算出する。Vの値はデフォルトで1[V]とする。

６）以下のごとくアドミタンス行列をリダクションする。

７）最後に以下のごとくインピーダンス行列に戻す。

８）表皮効果係数 は以下のようにして求められる。ｚ_（ｘ）＝R_（ｘ）＋ｊｗL_（ｘ）より

注）直流抵抗R_（ｘ）につき、理論上は上記のようにして求めても良いが、結果的には信号導体およびGND導体の抵抗の和と等価であるため、実際には下記の計算方法で求める。

−単導体の場合
R = [信号導体の直流抵抗] + [GND導体の直流抵抗]
= 1/(σ×Asig1) + 1/(σ×Agnd)

−2導体の場合
R11 = [信号導体1の直流抵抗] + [GND導体の直流抵抗]
= 1/(σ×Asig1) + 1/(σ×Agnd)
R12 = R21 = [GND導体の直流抵抗]
= 1/(σ×Agnd)
R22 = [信号導体2の直流抵抗] + [GND導体の直流抵抗]
= 1/(σ×Asig2) + 1/(σ×Agnd)

ここでAsig1,Asig2は信号導体1,2の断面積を示し、AgndはGND導体の断面積（ストリップラインの場合はGND断面積の和）を示す。
また、実際にはセグメントの断面積ではなく、分割前の導体の断面積で直流抵抗を求める。

図１０は図２と共に上述の回路解析装置をコンピュータで実現する場合を説明するための、コンピュータの構成例を示すブロック図である。

図１０に示すごとく、同コンピュータ１００は、与えられたプログラムを構成する命令を実行することによって様々な動作をコンピュータで自動実行するためのＣＰＵ１０１と、キーボード、マウス等よりなりユーザが操作内容又はデータを入力するための操作部１０２と、ユーザにＣＰＵによる処理経過、処理結果等を表示するＣＲＴ、液晶表示器等よりなる表示部１０３と、ＲＯＭ、ＲＡＭ等よりなりＣＰＵ１０４が実行するプログラム、データ等を記憶したり作業領域として使用されるメモリ１０４と，プログラム、データ等を格納するハードディスク装置１０５と、ＣＤ−ＲＯＭ１０７を媒介として外部からプログラムをロードしたりデータをロードするためのＣＤ−ＲＯＭドライブ１０６と、インターネット、ＬＡＮ等の通信網１０９を介して外部サーバからプログラムをダウンロードするためのモデム１０８とを有する。

これらのうち、操作部１０２は図２中の解析条件入力部１１に該当し、ＣＰＵ１０１およびメモリ１０４が基板パラメータ決定部１２および動作解析部１４に該当し、ハードディスク装置１０５がテーブル１３を格納し、表示部１０３が解析結果出力部１５に該当する。

同コンピュータ１００はＣＤ−ＲＯＭ１０７を媒介として、あるいは通信網１０９を媒介として図３，図４と共に上述の伝送シミュレーションのための回路解析動作をＣＰＵ１０１に実行させるための命令よりなるプログラムをロードあるいはダウンロードし、これがハードディスク装置１０５にインストールされ、適宜メモリ１０４にロードされてＣＰＵ１０１に実行される。その結果、同コンピュータ１００により上記回路解析動作が自動実行される。

本発明は以下の付記に記載の構成をとり得る。
（付記１）
基板上に回路素子を配置する構成の回路装置の動作特性を解析するための回路解析装置であって、
前記基板に係る基板パラメータであって動作周波数に依存する数値を有する基板パラメータの該当する動作周波数に対する値を自動的に求める手段と、
前記基板パラメータの該当する動作周波数に対する値に基づいて該当する回路装置の動作を解析する手段とよりなる回路解析装置。
（付記２）
さらに前記動作周波数に依存する基板パラメータの動作周波数に対する値について第１のテーブルを設け、
前記動作周波数に依存する基板パラメータの動作周波数に対する値を求める手段は、前記第１のテーブルに基づいて該当する基板パラメータの動作周波数に対する値を求める構成とされてなる付記１に記載の回路解析装置。
（付記３）
さらに動作温度に対する前記基板パラメータの値を自動的に求める手段を有してなり、
前記回路装置の動作を解析する手段は、前記動作周波数に対する基板パラメータの値を求める手段および前記動作温度に対する基板パラメータの値を求める手段によって得られる所定の動作周波数および動作温度に対する基板パラメータの値に基づいて該当する回路装置の動作を解析する構成とされてなる付記１又は２に記載の回路解析装置。
（付記４）
基板上に回路素子を配置する構成の回路装置の動作特性を解析するための回路解析装置であって、
前記基板に係る基板パラメータであって動作温度に依存する値を有する基板パラメータの該当する動作温度に対する値を自動的に求める手段と、
前記基板パラメータの該当する動作温度に対する値に基づいて該当する回路装置の動作を解析する手段とよりなる回路解析装置。
（付記５）
さらに前記基板パラメータの動作温度に対する値について第２のテーブルを設け、
前記基板パラメータの動作温度に対する値を求める手段は、前記第２のテーブルに基づいて該当する基板パラメータの動作温度に対する値を求める構成とされてなる付記３又は４に記載の回路解析装置。
（付記６）
基板上に回路素子を配置する構成の回路装置の動作特性を解析するための回路解析方法であって、
前記基板に係る基板パラメータであって動作周波数に依存する値を有する基板パラメータの該当する動作周波数に対する値をＣＰＵによる演算処理によって求める段階と、
前記基板パラメータの該当する動作周波数に対する値に基づいて該当する回路装置の動作をＣＰＵによる演算処理によって解析する段階とよりなる回路解析方法。
（付記７）
さらに前記動作周波数に依存する基板パラメータの動作周波数に対する値について第１のテーブルを設け、
前記動作周波数に依存する基板パラメータの動作周波数に対する値を求める段階では、前記第１のテーブルに基づいて該当する基板パラメータの動作周波数に対する値を求める構成とされてなる付記６に記載の回路解析方法。
（付記８）
さらに動作温度に対する前記基板パラメータの値をＣＰＵによる演算処理によって求める段階を有してなり、
前記回路装置の動作を解析する段階では前記動作周波数に対する基板パラメータの値を求める段階および前記動作温度に対する基板パラメータの値を求める段階によって得られる所定の動作周波数および動作温度に対する基板パラメータの値に基づいて該当する回路装置の動作を解析する構成とされてなる付記６又は７に記載の回路解析方法。
（付記９）
基板上に回路素子を配置する構成の回路装置の動作特性を解析するための回路解析方法であって、
前記基板に係る基板パラメータであって動作温度に依存する値を有する基板パラメータの該当する動作温度に対する値をＣＰＵによる演算処理によって求める段階と、
前記基板パラメータの該当する動作温度に対する値に基づいて該当する回路装置の動作をＣＰＵによる演算処理によって解析する段階とよりなる回路解析方法。
（付記１０）
さらに前記基板パラメータの動作温度に対する値について第２のテーブルを設け、
前記基板パラメータの動作温度に対する値を求める段階では、前記第２のテーブルに基づいて該当する基板パラメータの動作温度に対する値を求める構成とされてなる付記８又は９に記載の回路解析方法。
（付記１１）
基板上に回路素子を配置する構成の回路装置の動作特性を解析するための回路解析方法をコンピュータに実行させるための回路解析プログラムであって、
前記基板に係る基板パラメータであって回路の動作周波数に依存する値を有する基板パラメータの該当する動作周波数に対する値をＣＰＵによる演算処理によって求める段階と、
前記基板パラメータの該当する動作周波数に対する値に基づいて該当する回路装置の動作を解析する段階をコンピュータに実行させるための命令よりなる回路解析プログラム。
（付記１２）
さらに前記動作周波数に依存する基板パラメータの動作周波数に対する値についての第１のテーブルを参照する段階をコンピュータに実行させるための命令を含み、
前記動作周波数に依存する基板パラメータの動作周波数に対する値を求める段階では、前記第１のテーブルに基づいて該当する基板パラメータの動作周波数に対する値を求める構成とされてなる付記１１に記載の回路解析プログラム。
（付記１３）
さらに動作温度に対する前記基板パラメータの値を求める段階をコンピュータに実行させるための命令を有してなり、
前記回路装置の動作を解析する段階では前記動作周波数に対する基板パラメータの値を求める段階および前記動作温度に対する基板パラメータの値を求める段階によって得られる所定の動作周波数および動作温度に対する基板パラメータの値に基づいて該当する回路装置の動作を解析する構成とされてなる付記１１又は１２に記載の回路解析プログラム。
（付記１４）
基板上に回路素子を配置する構成の回路装置の動作特性を解析するための回路解析方法をコンピュータに実行させるため回路解析プログラムであって、
前記基板に係る基板パラメータであって回路の動作温度に依存する値を有する基板パラメータの該当する動作温度に対する値をＣＰＵによる演算処理によって求める段階と、
前記基板パラメータの該当する動作温度に対する値に基づいて該当する回路装置の動作を解析する段階とをコンピュータに実行させるための命令よりなる回路解析プログラム。
（付記１５）
さらに前記基板パラメータの動作温度に対する値についての第２のテーブルを参照する段階をコンピュータに実行させるための命令を含み、
前記基板パラメータの動作温度に対する値を求める段階では、前記第２のテーブルに基づいて該当する基板パラメータの動作温度に対する値を求める構成とされてなる付記１３又は１４に記載の回路解析プログラム。

従来の問題を説明するための図である。 本発明の実施例による回路解析装置の概要を説明するためのブロック図である。 本発明の実施例による回路解析装置の処理の流れを説明するためのフローチャート（その１）である。 本発明の実施例による回路解析装置の処理の流れを説明するためのフローチャート（その２）である。 本発明の実施例による回路解析装置による実際の処理の内容について説明するための図（その１）である。 本発明の実施例による回路解析装置による実際の処理の内容について説明するための図（その２）である。 本発明の実施例による回路解析装置による実際の処理の内容について説明するための図（その３）である。 本発明の実施例による回路解析装置による実際の処理の内容について説明するための図（その４）である。 本発明の実施例による回路解析装置による実際の処理の内容について説明するための図（その５）である。 本発明の実施例による回路解析装置をコンピュータで実現する例を説明するための図である。

符号の説明

１１ 解析条件入力部
１２ 基板パラメータ決定部
１３ テーブル部
１４ 動作解析部
１５ 解析結果出力部

Claims (5)

1. 基板上に回路素子を配置する構成の回路装置の動作特性を解析するための回路解析装置であって、
   前記基板に係る基板パラメータであって動作周波数に依存する数値を有する基板パラメータの該当する動作周波数に対する値を自動的に求める手段と、
   前記基板パラメータの該当する動作周波数に対する値に基づいて該当する回路装置の動作を解析する手段とよりなる回路解析装置。
2. さらに動作温度に対する前記基板パラメータの値を自動的に求める手段を有してなり、
   前記回路装置の動作を解析する手段は、前記動作周波数に対する基板パラメータの値を求める手段および前記動作温度に対する基板パラメータの値を求める手段によって得られる所定の動作周波数および動作温度に対する基板パラメータの値に基づいて該当する回路装置の動作を解析する構成とされてなる請求項１に記載の回路解析装置。
3. 基板上に回路素子を配置する構成の回路装置の動作特性を解析するための回路解析方法であって、
   前記基板に係る基板パラメータであって動作周波数に依存する値を有する基板パラメータの該当する動作周波数に対する値をＣＰＵによる演算処理によって求める段階と、
   前記基板パラメータの該当する動作周波数に対する値に基づいて該当する回路装置の動作をＣＰＵによる演算処理によって解析する段階とよりなる回路解析方法。
4. さらに動作温度に対する前記基板パラメータの値をＣＰＵによる演算処理によって求める段階を有してなり、
   前記回路装置の動作を解析する段階では前記動作周波数に対する基板パラメータの値を求める段階および前記動作温度に対する基板パラメータの値を求める段階によって得られる所定の動作周波数および動作温度に対する基板パラメータの値に基づいて該当する回路装置の動作を解析する構成とされてなる請求項３に記載の回路解析方法。
5. 基板上に回路素子を配置する構成の回路装置の動作特性を解析するための回路解析方法をコンピュータに実行させるための回路解析プログラムであって、
   前記基板に係る基板パラメータであって回路の動作周波数に依存する値を有する基板パラメータの該当する動作周波数に対する値をＣＰＵによる演算処理によって求める段階と、
   前記基板パラメータの該当する動作周波数に対する値に基づいて該当する回路装置の動作を解析する段階をコンピュータに実行させるための命令よりなる回路解析プログラム。

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