JP2007324823A - フィルタ - Google Patents
フィルタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007324823A JP2007324823A JP2006151474A JP2006151474A JP2007324823A JP 2007324823 A JP2007324823 A JP 2007324823A JP 2006151474 A JP2006151474 A JP 2006151474A JP 2006151474 A JP2006151474 A JP 2006151474A JP 2007324823 A JP2007324823 A JP 2007324823A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonator
- lower electrode
- piezoelectric film
- film
- outer periphery
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 108
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 20
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 6
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/60—Electric coupling means therefor
- H03H9/605—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02118—Means for compensation or elimination of undesirable effects of lateral leakage between adjacent resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02141—Means for compensation or elimination of undesirable effects of electric discharge due to pyroelectricity
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/132—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials characterized by a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/173—Air-gaps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/174—Membranes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/021—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the air-gap type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
【課題】低損失で、ＥＳＤ破壊に対する耐性の高いフィルタを提供すること。
【解決手段】本発明は、基板と、基板上に設けられた下部電極と、下部電極上に設けられた圧電膜と、圧電膜を挟み前記下部電極と対向する部分を有するように圧電膜上に設けられた上部電極と、を有する複数の圧電薄膜共振器を具備し、複数の圧電薄膜共振器のうち一部（Ｓ１１、Ｓ１４、Ｐ１１、Ｐ１４）は、圧電膜の外周の少なくとも一部が上部電極と下部電極とが対向する領域の外周より外側に位置する第１共振器（４１）であり、複数の圧電薄膜共振器のうち他の一部（Ｓ１２、Ｓ１３、Ｐ１２、Ｐ１３）は、圧電膜の外周の少なくとも一部が上部電極と下部電極とが対向する領域の外周と略一致または内側に位置する第２共振器（４２）であることを特徴とするフィルタである。
【選択図】図２
【解決手段】本発明は、基板と、基板上に設けられた下部電極と、下部電極上に設けられた圧電膜と、圧電膜を挟み前記下部電極と対向する部分を有するように圧電膜上に設けられた上部電極と、を有する複数の圧電薄膜共振器を具備し、複数の圧電薄膜共振器のうち一部（Ｓ１１、Ｓ１４、Ｐ１１、Ｐ１４）は、圧電膜の外周の少なくとも一部が上部電極と下部電極とが対向する領域の外周より外側に位置する第１共振器（４１）であり、複数の圧電薄膜共振器のうち他の一部（Ｓ１２、Ｓ１３、Ｐ１２、Ｐ１３）は、圧電膜の外周の少なくとも一部が上部電極と下部電極とが対向する領域の外周と略一致または内側に位置する第２共振器（４２）であることを特徴とするフィルタである。
【選択図】図２
Description
本発明は、フィルタに関し、特に複数の圧電薄膜共振子を有するフィルタに関する。
携帯電話に代表される無線機器の急速な普及により、小型で軽量な共振器およびこれを組み合わせて構成したフィルタの需要が増大している。これまでは主として誘電体と表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタが使用されてきたが、最近では、特に高周波での特性が良好で、かつ小型化とモノリシック化が可能な素子である圧電薄膜共振器およびこれを用いて構成されたフィルタが注目されつつある。
圧電薄膜共振子の中には、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）タイプとＳＭＲ(Solidly Mounted Resonator)タイプがある。特許文献１および２にはＦＢＡＲタイプの圧電薄膜共振子が開示されている。図１（ａ）および図１（ｂ）は従来のＦＢＡＲを示す図である。空隙（ＦＢＡＲの場合）または音響多層膜（ＳＭＲの場合）を有する基板１１上に、下部電極１３、圧電膜１４および上部電極１５が順次積層されている。空隙１６または音響多層膜は、圧電膜１４を挟み上部電極１５と下部電極１３とが対向する部分（以下、共振部という）の下に形成されている。ＦＢＡＲにおける空隙１６は、基板１１裏面からのウェットまたはドライエッチング等により基板１１に形成される。ＳＭＲにおける音響多層膜は、音響インピーダンスが高い膜と低い膜を交互にλ/４（λ：弾性波の波長）の膜厚で積層されており、音響反射膜として利用される。ＦＢＡＲにおける空隙としては、Ｓｉ基板１１表面に設けた犠牲層のウェットエッチングにより、下部電極１３と基板１１との間に形成することもできる。
ここで、電極１３、１５としては、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）等を用いることができる。圧電膜１４としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3）等を用いることができる。また、基板１１としては、シリコン、ガラス等を用いることができる。
ＦＢＡＲやＳＭＲを用いた圧電薄膜共振子の損失要因の１つとして、図１（ａ）および図１（ｂ）の矢印のように、弾性波３０が共振部２３から外側（以下、非共振部）に漏れることがあげられる。このように、弾性波３０が電気信号に再変換されない領域（非共振部）に漏れてしまう。このため、損失が増大する。ここでは、この現象を弾性波３０の”横方向漏れ”と呼ぶ。圧電薄膜共振器を用いたフィルタでは、弾性波の横方向漏れを抑制し、損失を抑制することが求められる。さらに、圧電薄膜共振器を用いたフィルタではＥＳＤ（Electrostatic Discharge：静電気放電）破壊に対する耐性が高いことが要求されている。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、低損失で、ＥＳＤ破壊に対する耐性の高いフィルタを提供することを目的とする。
本発明は、基板と、該基板上に設けられた下部電極と、該下部電極上に設けられた圧電膜と、前記圧電膜を挟み前記下部電極と対向する部分を有するように前記圧電膜上に設けられた上部電極と、を有する複数の圧電薄膜共振器を具備し、前記複数の圧電薄膜共振器のうち一部は、前記圧電膜の外周の少なくとも一部が前記上部電極と前記下部電極とが対向する領域の外周より外側に位置する第１共振器であり、前記複数の圧電薄膜共振器のうち他の一部は、前記圧電膜の外周の少なくとも一部が前記上部電極と前記下部電極とが対向する領域の外周と略一致または内側に位置する第２共振器であることを特徴とするフィルタである。本発明によれば、ＥＳＤ耐性が求められる共振器に第１共振器を用い、その他の共振器に第２共振器を用いる。これにより、低損失で、ＥＳＤ破壊に対する耐性の高いフィルタを提供することができる。
上記構成において、入力端子と出力端子とを具備し、前記入力端子に最も近い直列共振器、並列共振器、前記出力端子に最も近い直列共振器および並列共振器の少なくとも１つは前記第１共振器である構成とすることができる。この構成によれば、ＥＳＤに曝され易い共振器を第１共振器とすることにより、ＥＳＤ破壊に対する耐性を一層高めることができる。
上記構成において、入力端子と出力端子とを具備し、前記入力端子および前記出力端子のいずれか一方に最も近い直列共振器に並列にインダクタが接続され、前記インダクタが並列に接続された直列共振器に最も近い直列共振器、並列共振器、前記入力端子および前記出力端子の他方に最も近い直列共振器および並列共振器の少なくとも１つは前記第１共振器である構成とすることができる。この構成によれば、ＥＳＤに曝され易い共振器を第１共振器とすることにより、ＥＳＤ破壊に対する耐性を一層高めることができる。
上記構成において、前記第１共振器の前記圧電膜の外周の少なくとも一部と前記対向する領域の外周とは略相似形である構成とすることができる。
上記構成において、前記第１共振器の前記圧電膜の外周の少なくとも一部の前記圧電膜上に前記外周に沿って設けられた付加膜を具備する構成とすることができる。この構成によれば、第１共振器の圧電膜の外周の少なくとも一部を上部電極の外周から外側に制御よく形成することができる。
上記構成において、前記付加膜は前記上部電極と同じ材料の膜である構成とすることができる。この構成によれば、製造工程を簡略化することができる。
上記構成において、前記上部電極と前記下部電極とが対向する領域は楕円形である構成とすることができる。この構成によれば、圧電膜の外周で反射された弾性波が共振部内で横方向の定在波として存在することを抑制することができる。これにより、通過帯域内にリップルが発生することを抑制することができる。
上記構成において、前記上部電極と前記下部電極とが対向する領域は非平行からなる多角形である構成とすることができる。この構成によれば、圧電膜の外周で反射された弾性波が共振部内で横方向の定在波として存在することを抑制することができる。これにより、通過帯域内にリップルが発生することを抑制することができる。
上記構成において、前記上部電極と前記下部電極とが対向する領域の前記下部電極は、前記基板との間にドーム状の膨らみを有する空隙が形成されるように設けられた構成とすることができる。この構成によれば、生産性の向上が図れる。また、基板の機械的強度の劣化防止も図ることができる。さらに、集積化を図ることができる。信頼性劣化を抑制することがきる。良好な圧電膜の配向性を確保することができる。
上記構成において、上部電極と前記下部電極とが対向する領域を前記基板に投影した領域は、前記空隙を前記基板に投影した領域に含まれる構成とすることができる。この構成によれば、圧電薄膜共振器の共振特性を向上させ優れた性能を得ることができる。
上記構成において、前記圧電膜を挟み前記上部電極と前記下部電極とが対向する部分は圧縮応力である構成とすることができる。この構成によれば、ドーム状の膨らみを有する空隙が潰れることを抑制することができる。
上記構成において、前記下部電極には前記空隙に通じる孔部が設けられている構成とすることができる。この構成によれば、ドーム状の膨らみを有する空隙を形成することができる。
上記構成において、前記圧電膜を挟み前記上部電極と前記下部電極とが対向する部分下の前記基板には空隙が形成されている構成とすることもできる。
上記構成において、前記圧電膜は（００２）方向を主軸とする配向性を示す窒化アルミニウムまたは酸化亜鉛である構成とすることができる。
本発明によれば、低損失で、ＥＳＤ破壊に対する耐性の高いフィルタを提供することができる。
以下、図面を参照に本発明に係る実施例について説明する。
図２は実施例１に係るラダー型フィルタの回路図である。入力端子ｉｎと出力端子ｏｕｔとの間に直列共振器Ｓ１１からＳ１４が接続され、並列共振器Ｐ１１からＰ１４が並列に接続されている。ここで、直列共振器Ｓ１１、Ｓ１４、並列共振器Ｐ１１、Ｐ１４は第１共振器４１を、直列共振器Ｓ１２、Ｓ１３、並列共振器Ｐ１２、Ｐ１３は第２共振器４２を用いている。第１共振器４１と第２共振器４２とは後述するように共振器の構造が異なる。
第１共振器の構造について説明する。図３（ａ）は第１共振器４１の平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ断面図、図３（ｃ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図３（ａ）から図３（ｃ）を参照に、Ｓｉ基板１１上に、基板１１との間に下部電極１３側にドーム状の膨らみを有する空隙１６が形成されるように下部電極１３が設けられている。ドーム状の膨らみとは、例えば空隙１６の周辺では空隙１６の高さが小さく、空隙１６の内部ほど空隙１６の高さが高くなるような形状の膨らみである。下部電極１３上に圧電膜１４が設けられ、圧電膜１４を挟み下部電極１３と対向する部分（共振部２３）を有するように圧電膜１４上に上部電極１５が設けられている。下部電極１３、圧電膜１４および上部電極１５は複合膜を構成している。下部電極１３および上部電極１５はＲｕ、圧電膜１４は（００２）方向を主軸とするＡｌＮを用いている。図３（ａ）より下部電極１３にはＢ−Ｂの方向に後述する犠牲層をエッチングするための導入路１９が形成されている。導入路１９の先端付近は圧電膜１４で覆われておらず、下部電極１３は導入路１９の先端に孔部１７を有する。圧電膜１４には下部電極１３と電気的に接続するための開口部２０が設けられている。第１共振器４１においては、開口部２０で圧電膜１４の外周２８の少なくとも一部が上部電極１５と下部電極１３とが対向する領域２４の外周２６より距離ｄ１をおいて外側に位置している。
第２共振器４２の構造について説明する。図４（ａ）は第２共振器４２の平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。第１共振器４１と比較し、圧電膜１４の開口部２０が上部電極１５の外周まで延在している。つまり圧電膜１４の外周２８の少なくとも一部が上部電極１５と下部電極１３とが対向する領域２４の外周２６と略一致している。ここで略一致するとは製造バラツキ程度に一致していることである。その他の構成は第１共振器４１と同じであり説明を省略する。
第１共振器４１は従来例の図１（ａ）および図１（ｂ）と同様に弾性波が横方向に漏れてしまう。このため、第１共振器４１は損失が大きくなる。一方、第２共振器４２は圧電膜１４の外周２８と領域２４の外周２６とが略一致している。このため、圧電膜１４の外周２８で弾性波が反射される。このため、共振部２３から非共振部への弾性波３０の（右側への）漏れが抑制される。よって、損失を抑制することができる。
図４（ｃ）は第２共振器４２の変形例である第２共振器４２ａの断面図である。第２共振器４２と比較し、圧電膜１４の外周２８の少なくとも一部が上部電極１５と下部電極１３とが対向する領域２４の外周２６より距離ｄ２をおいて内側に位置している。このため、共振部２３は領域２４の内側となる。その他の構成は第２共振器４２と同じであり説明を省略する。
第２共振器４２においては、圧電膜１４を介した弾性波の横方向漏れは抑制できるが、下部電極を介して弾性波が横方向へ漏れてしまう。第２共振器４２ａにおいては、上部電極が圧電膜１４の外周２８の一部から庇状に延在している。この庇状の上部電極１５が振動することで下部電極１３の不要振動を抑制する。これにより、第２共振器４２のような下部電極１３を介した弾性波の横方向漏れを抑制することができる。
しかしながら、第２共振器４２および４２ａにおいては、ＥＳＤ破壊の耐圧が低く、第１共振器４１において距離ｄ１を長くすることで、ＥＳＤ破壊の耐圧を向上させることができることがわかった。そこで、図２と同様の回路で全ての共振器を第２共振器４２とした比較例と、図２のように、第１共振器４１と第２共振器４２とで構成した実施例１のＥＳＤ試験を行った。図５はその結果であり、横軸がＥＳＤ試験で印加した電圧、縦軸がＥＳＤ試験により異常となったフィルタの割合を示している。図５を参照に、比較例では２００Ｖの印加で全てのフィルタが破壊されるのに対し、実施例１では２００Ｖの印加では異常となるフィルタは２０％であり、６００Ｖまで異常とならないフィルタもある。
このように、実施例１によれば、フィルタを構成する複数の圧電薄膜共振器のうち、一部の共振器として第１共振器４１を用い、他の一部の共振器に第２共振器４２または４２ａを用いる。このように、ＥＳＤ耐性が求められる共振器に第１共振器４１を用い、その他の共振器を第２共振器４２または４２ａとする。これにより、全てを第１共振器４１とする場合に比べ損失が小さく、全て第２共振器４２または４２ａとする場合に比べＥＳＤ耐圧が大きいフィルタを提供することができる。
特に、図２における入力端子ｉｎまたは出力端子ｏｕｔに隣接する共振器はＥＳＤの電圧が直接印加される。よって、ＥＳＤに曝され易い共振器である。したがって、入力端子ｉｎ最も近い直列共振器Ｓ１１および並列共振器Ｐ１１、出力端子ｏｕｔに最も近い直列共振器Ｓ１４および並列共振器Ｐ１４、これら共振器Ｓ１１、Ｓ１４,Ｐ１１およびＰ１４の少なくとも１つの共振器を第１共振器４１とすることが好ましい。さらに、共振器Ｓ１１、Ｓ１４、Ｐ１１およびＰ１４を全て第１共振器４１とすることが一層好ましい。
実施例２は入力端子側の直列共振器に並列にインダクタが接続された例である。図６を参照に、実施例２に係るラダー型フィルタは直列共振器Ｓ２１からＳ２４および並列共振器Ｐ２１からＰ２４から構成される。最も入力端子ｉｎ側の直列共振器Ｓ２１には並列にインダクタＬが接続されている。インダクタＬが付加された直列共振器Ｓ２１はラダー型フィルタの直列共振器としても機能するが、入力端子ｉｎからみたインピーダンスを変換するための整合回路としても機能する。このように、最も入力端子ｉｎ（または出力端子ｏｕｔ側）の直列共振器Ｓ２１に並列なパスが接続された場合、ＥＳＤとして印加される電圧は並列のパスを経由してしまう。図６では、直列共振器Ｓ２１とＳ２２との間のノードが、ＥＳＤの観点からは実質的な入力端子ｉｎ２として機能する。つまり、入力端子ｉｎまたは出力端子ｏｕｔに最も近い直列共振器Ｓ２１に並列にインダクタＬが接続され、インダクタＬが並列に接続された直列共振器Ｓ２１に最も近い直列共振器Ｓ２２および並列共振器Ｐ２１、インダクタＬが接続されない方の入力端子ｉｎまたは出力端子ｏｕｔに最も近い直列共振器Ｓ２４および並列共振器Ｐ２４、これら共振器Ｓ２２、Ｓ２４、Ｐ２１およびＰ２４の少なくとも１つは第１共振器４１であることが好ましい。さらに、共振器Ｓ２２、Ｓ２４、Ｐ２１、Ｐ２４を第１共振器４１、残りの共振器Ｓ２１、Ｓ２３、Ｐ２２、Ｐ２３を第２共振器４２または４２ａとすることが一層好ましい。
実施例３は第１共振器４１が、圧電膜１４の外周２８の圧電膜１４上に付加膜２２を有する第１共振器４１ａの例である。図７（ａ）は第１共振器４１ａの平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ断面図である。実施例１の第１共振器４１の図３（ａ）および図３（ｂ）と比較し、圧電膜１４の外周２８の少なくとも一部の圧電膜１４上に外周２８に沿って付加膜２２が設けられている。その他の構成は第１共振器４１と同じであり説明を省略する。
次に第１共振器４１ａと第２共振器４２の製造方法について説明する。図８（ａ）から図８（ｈ）は、第１共振器４１ａの製造工程を示す断面図である。図８（ａ）から図８（ｄ）は図７（ａ）のＡ−Ａ断面に相当する断面であり、図８（ｅ）から図８（ｈ）は図７（ｂ）のＢ−Ｂ断面に相当する。図９（ａ）および図９（ｂ）は第２共振器４２の製造工程を示す断面図であり、図４（ａ）のＡ−Ａ断面に相当する。図８（ａ）および図８（ｅ）を参照に、シリコン基板１１上に、例えばＭｇＯ等からなる膜厚が約２０ｎｍの犠牲層１８を例えばスパッタリング法または蒸着法を用い形成する。基板１１はシリコン基板以外にも石英基板、ガラス基板、ＧａＡｓ基板等を用いることができる。特に、空隙１６を形成する際、基板１１をエッチングしないため、エッチングの難しい基板も用いることができる。犠牲層１８としては、ＺｎＯ、Ｇｅ、Ｔｉなど、エッチング液により、容易に溶解できる材料が好ましい。露光技術とエッチング技術を用い、犠牲層１８を所定の形状とする。
図８（ｂ）および図８（ｆ）を参照に、Ｒｕからなり膜厚が約２５０ｎｍの下部電極を０．６〜１．２ＰａのＡｒガス雰囲気中のスパッタリングで形成する。下部電極１３としては、例えば背景技術で例示した金属を用いることができる。露光技術とエッチング技術を用い、下部電極１３を所定の形状とする。導入路１９の先端には、孔部１７が形成される。なお、孔部１７は後に形成しても良い。
図８（ｃ）および図８（ｇ）を参照に、下部電極１３および基板１１上に、（００２）方向を主軸とするＡｌＮ膜からなり膜厚が約１０００ｎｍの圧電膜１４を、約０．３Ｐａの圧力のＡｒ／Ｎ２混合ガス雰囲気中のスパッタリングで形成する。圧電膜１４上に、Ｒｕからなり膜厚が約２５０ｎｍの上部電極１３を０．６〜１．２ＰａのＡｒガス雰囲気中のスパッタリングで形成する。圧電膜１４としては、例えば背景技術で例示したＺｎＯ等の圧電材料を用いることもできる。上部電極１５は下部電極１３と同様の金属を用いることができる。露光技術とエッチング技術を用い上部電極１５を所定の形状とする。このとき、第１共振器４１ａにおいては上部電極１５と同じ材料の膜から付加膜２２を形成する。次に、露光技術とエッチング技術を用い圧電膜１４をエッチングする。この際、付加膜２２によって、圧電膜１４の横方向のエッチングを抑制することができる。よって、圧電膜１４の外周２８がほぼ付加膜２２で停止する。このように、付加膜２２により、上部電極１５の外周２６の外側に圧電膜１４の外周２８を制御良く形成することができる。
図８（ｄ）および図８（ｈ）を参照に、犠牲層１８をエッチングするためのエッチング液を孔部１７、導入路１９を経て導入し、犠牲層１８を除去する。ここで、下部電極１３、圧電膜１４および上部電極１５からなる複合膜の応力は、スパッタリング条件の調整により圧縮応力となるように設定されている。このため、犠牲層１８のエッチングが完了した時点で、複合膜は膨れ上がり、下部電極１３と基板１１の間に複合膜側にドーム状形状を有する空隙１６が形成される。なお、実施例３では複合膜の圧縮応力は−３００ＭＰａとなるように設定されている。
図９（ａ）を参照に、第２共振器４２においては、付加膜２２を形成せず、圧電膜１４の外周２８が上部電極１５に略一致するように形成される。図９（ｂ）を参照に、図８（ｄ）と同様に、下部電極１３と基板１１の間に複合膜側にドーム状形状を有する空隙１６が形成される。
実施例３によれば、圧電膜１４の外周２８の少なくとも一部の圧電膜１４上に外周２８に沿って付加膜２２が設けられている。これにより、図８（ｃ）を用い説明したように、圧電膜１４の外周２８の少なくとも一部を上部電極１５の外周２６から外側に制御よく形成することができる。さらに、付加膜２２を上部電極１５と同じ材料の膜で形成することにより、製造工程の簡略化を図ることができる。圧電膜１４のエッチングはウェットエッチングを用いることにより、付加膜２２を用い横方向のエッチングを一層抑制することができる。
実施例１から実施例３のように、空隙１６を複合膜側にドーム状形状としているため、基板１１をエッチングする必要がない。よって、生産性の向上が図れる。また、基板１１をエッチングしないため基板１１の機械的強度の劣化防止も図ることができる。さらに、空隙１６を形成する領域は小さくて済むため集積化を図ることができる。特許文献１に比べ、空隙１６の大きさを小さくできるため、複合膜の機械振動による信頼性劣化を抑制することがきる。また、空隙１６を形成するための犠牲層１８の厚さを薄くすることができるため、良好な圧電膜１４の配向性を確保することができる。
さらに、下部電極１３、圧電膜１４および上部電極１５からなる複合膜の応力を圧縮応力とすることにより、ドーム状の膨らみを有する空隙１６が潰れることなく形成することができる。また、下部電極１３に空隙１６に通じる孔部１７が設けられている。この孔部１７より犠牲層１８をエッチングすることにより、ドーム状の膨らみを有する空隙１６を形成することができる。
さらに、圧電膜１４として、（００２）方向を主軸とする配向性を示す窒化アルミニウム、または酸化亜鉛を用いることにより、良好な共振特性を有する圧電薄膜共振器を提供することができる。
さらに、上部電極１５と下部電極１３とが対向する領域２４の形状を楕円形とすることにより、平行な辺が存在しないため、圧電膜１４の外周２８で反射された弾性波が共振部内で横方向の定在波として存在することを抑制することができる。これにより、通過帯域内にリップルが発生することを抑制することができる。
さらに、第１共振器４１の圧電膜１４の外周２８の少なくとも一部と対向する領域２４の外周２６とは相似形である形状とすることができる。
さらに、図１０のように、空隙１６の基板１１面上への投影領域は上部電極１５と下部電極１３とが対向する領域２４を含むことにより、圧電薄膜共振器の共振特性を向上させ優れた性能を得ることができる。
さらに、図１１のように、上部電極１５と下部電極１３とが対向する領域２４は非平行からなる多角形とすることができる。これにより、圧電膜１４の外周２８で反射された弾性波が共振部２３内で横方向の定在波として存在することを抑制することができる。これにより、通過帯域内にリップルが発生することを抑制することができる。
実施例５は基板１１に空隙１６ａが設けられた例である。図１２（ａ）および図１２（ｂ）を参照に、実施例１から実施例３のように、基板１１上に空隙１６を介し下部電極１２が設けられていなくとも、実施例５のように上部電極１５と下部電極１３との対向する領域２４下の基板１１に空隙１６ａが形成されていても良い。この空隙はＤｅｅｐ−ＲＩＥを用いることにより略垂直とすることができる。
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
１１ 基板
１３ 下部電極
１４ 圧電膜
１５ 上部電極
１６ 空隙
１７ 孔部
１８ 犠牲層
１９ 導入部
２０ 開口部
２２ 付加膜
２４ 対向する領域
２６ 上部電極の外周
２８ 圧電膜の外周
１３ 下部電極
１４ 圧電膜
１５ 上部電極
１６ 空隙
１７ 孔部
１８ 犠牲層
１９ 導入部
２０ 開口部
２２ 付加膜
２４ 対向する領域
２６ 上部電極の外周
２８ 圧電膜の外周
Claims (14)
- 基板と、該基板上に設けられた下部電極と、該下部電極上に設けられた圧電膜と、前記圧電膜を挟み前記下部電極と対向する部分を有するように前記圧電膜上に設けられた上部電極と、を有する複数の圧電薄膜共振器を具備し、
前記複数の圧電薄膜共振器のうち一部は、前記圧電膜の外周の少なくとも一部が前記上部電極と前記下部電極とが対向する領域の外周より外側に位置する第１共振器であり、
前記複数の圧電薄膜共振器のうち他の一部は、前記圧電膜の外周の少なくとも一部が前記上部電極と前記下部電極とが対向する領域の外周と略一致または内側に位置する第２共振器であることを特徴とするフィルタ。 - 入力端子と出力端子とを具備し、
前記入力端子に最も近い直列共振器、並列共振器、前記出力端子に最も近い直列共振器および並列共振器の少なくとも１つは前記第１共振器であることを特徴とする請求項１記載のフィルタ。 - 入力端子と出力端子とを具備し、
前記入力端子および前記出力端子のいずれか一方に最も近い直列共振器に並列にインダクタが接続され、前記インダクタが並列に接続された直列共振器に最も近い直列共振器、並列共振器、前記入力端子および前記出力端子の他方に最も近い直列共振器および並列共振器の少なくとも１つは前記第１共振器であることを特徴とする請求項１記載のフィルタ。 - 前記第１共振器の前記圧電膜の外周の少なくとも一部と前記対向する領域の外周とは相似形であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載のフィルタ。
- 前記第１共振器の前記圧電膜の外周の少なくとも一部の前記圧電膜上に前記外周に沿って設けられた付加膜を具備することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載のフィルタ。
- 前記付加膜は前記上部電極と同じ材料の膜であることを特徴とする請求項５記載のフィルタ。
- 前記上部電極と前記下部電極とが対向する領域は楕円形であることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載のフィルタ。
- 前記上部電極と前記下部電極とが対向する領域は非平行からなる多角形であることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載のフィルタ。
- 前記上部電極と前記下部電極とが対向する領域の前記下部電極は、前記基板との間にドーム状の膨らみを有する空隙が形成されるように設けられたことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項記載のフィルタ。
- 上部電極と前記下部電極とが対向する領域を前記基板に投影した領域は、前記空隙を前記基板に投影した領域に含まれることを特徴とする請求項９記載のフィルタ。
- 前記圧電膜を挟み前記上部電極と前記下部電極とが対向する部分は圧縮応力であることを特徴とする請求項９または１０記載のフィルタ。
- 前記下部電極には前記空隙に通じる孔部が設けられていることを特徴とする請求項９から１１のいずれか一項記載のフィルタ。
- 前記圧電膜を挟み前記上部電極と前記下部電極とが対向する部分下の前記基板には空隙が形成されていることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項記載のフィルタ。
- 前記圧電膜は（００２）方向を主軸とする配向性を示す窒化アルミニウムまたは酸化亜鉛であることを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項記載のフィルタ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006151474A JP4719623B2 (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | フィルタ |
| EP07109239A EP1863173A3 (en) | 2006-05-31 | 2007-05-30 | Filter having multiple piezoelectric thin-film resonators |
| US11/806,129 US7545077B2 (en) | 2006-05-31 | 2007-05-30 | Filter having multiple piezoelectric thin-film resonators |
| KR1020070052712A KR100865837B1 (ko) | 2006-05-31 | 2007-05-30 | 필터 |
| CN200710105462XA CN101083460B (zh) | 2006-05-31 | 2007-05-31 | 具有多个压电薄膜谐振器的滤波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006151474A JP4719623B2 (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007324823A true JP2007324823A (ja) | 2007-12-13 |
| JP4719623B2 JP4719623B2 (ja) | 2011-07-06 |
Family
ID=38441753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006151474A Active JP4719623B2 (ja) | 2006-05-31 | 2006-05-31 | フィルタ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7545077B2 (ja) |
| EP (1) | EP1863173A3 (ja) |
| JP (1) | JP4719623B2 (ja) |
| KR (1) | KR100865837B1 (ja) |
| CN (1) | CN101083460B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010045437A (ja) * | 2008-08-08 | 2010-02-25 | Fujitsu Ltd | 圧電薄膜共振子及びこれを用いたフィルタあるいは分波器 |
| JP2010226171A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | 圧電薄膜共振子、フィルタ、通信モジュール、通信装置 |
| JP2011160232A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Ube Industries Ltd | 薄膜圧電共振器およびそれを用いた薄膜圧電フィルタ |
| JP2013168748A (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス |
| JP2017126900A (ja) * | 2016-01-14 | 2017-07-20 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ |
| US10666226B2 (en) | 2017-10-18 | 2020-05-26 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ladder-type filter, piezoelectric thin film resonator, and method of fabricating the same |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4252584B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2009-04-08 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 圧電薄膜共振器およびフィルタ |
| JP5792554B2 (ja) * | 2011-08-09 | 2015-10-14 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| RU2486664C1 (ru) * | 2012-02-10 | 2013-06-27 | Открытое акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (ОАО "ОНИИП") | Режекторный активный пьезоэлектрический фильтр |
| US10491193B2 (en) * | 2016-05-13 | 2019-11-26 | Qorvo Us, Inc. | Circuit for suppressing signals adjacent to a passband |
| DE112019003212T5 (de) * | 2018-07-05 | 2021-07-08 | Akoustis, Inc. | 5G 3,5 - 3,6 GHz Band HF-Filterschaltung für einen Akustische-Wellen-Resonator |
| JP7290941B2 (ja) * | 2018-12-27 | 2023-06-14 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ |
| CN111786648A (zh) * | 2019-04-04 | 2020-10-16 | 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 | 体声波谐振器及其制造方法和滤波器、射频通信系统 |
| CN111600566B (zh) * | 2020-04-21 | 2021-06-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 滤波器、体声波谐振器组件及其制造方法、电子设备 |
| CN115996038B (zh) * | 2022-12-26 | 2023-08-22 | 北京芯溪半导体科技有限公司 | 一种滤波器、多工器以及通信设备 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999037023A1 (fr) * | 1998-01-16 | 1999-07-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Element piezo-electrique a film mince |
| JP2002223144A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-08-09 | Agilent Technol Inc | バルク弾性共振器周辺反射システム |
| US20050269904A1 (en) * | 2004-06-03 | 2005-12-08 | Shuichi Oka | Thin film bulk acoustic resonator and method of manufacturing the same |
| JP2005347898A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Fujitsu Media Device Kk | 圧電薄膜共振子およびフィルタならびにそれらの製造方法 |
| JP2006506881A (ja) * | 2002-11-19 | 2006-02-23 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 送受切換器およびｒｘ帯域とｔｘ帯域とを分離する方法 |
| JP2006128993A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Fujitsu Media Device Kk | 圧電薄膜共振子及びこれを用いたフィルタ |
| JP2007300430A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Fujitsu Media Device Kk | 圧電薄膜共振器およびフィルタ |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189307A (ja) | 1984-03-09 | 1985-09-26 | Toshiba Corp | 圧電薄膜共振器およびその製造方法 |
| US6150703A (en) * | 1998-06-29 | 2000-11-21 | Trw Inc. | Lateral mode suppression in semiconductor bulk acoustic resonator (SBAR) devices using tapered electrodes, and electrodes edge damping materials |
| JP4063414B2 (ja) | 1998-08-25 | 2008-03-19 | 沖電気工業株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
| US6215375B1 (en) * | 1999-03-30 | 2001-04-10 | Agilent Technologies, Inc. | Bulk acoustic wave resonator with improved lateral mode suppression |
| US6222304B1 (en) * | 1999-07-28 | 2001-04-24 | The Charles Stark Draper Laboratory | Micro-shell transducer |
| US6407649B1 (en) * | 2001-01-05 | 2002-06-18 | Nokia Corporation | Monolithic FBAR duplexer and method of making the same |
| JP3954395B2 (ja) * | 2001-10-26 | 2007-08-08 | 富士通株式会社 | 圧電薄膜共振子、フィルタ、および圧電薄膜共振子の製造方法 |
| JP3969224B2 (ja) * | 2002-01-08 | 2007-09-05 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子及びそれを用いた圧電フィルタ・デュプレクサ・通信装置 |
| JP2004200843A (ja) | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Sony Corp | 圧電共振素子およびその製造方法ならびに電子機器 |
| JP4144509B2 (ja) * | 2003-01-16 | 2008-09-03 | 株式会社村田製作所 | ラダー型フィルタ、分波器、通信装置 |
| KR100517841B1 (ko) * | 2003-02-22 | 2005-09-30 | 주식회사 엠에스솔루션 | 체적탄성파 공진기 밴드 패스 필터, 이를 포함하는듀플렉서 및 그 제조 방법 |
| JP4111139B2 (ja) * | 2003-06-03 | 2008-07-02 | 株式会社村田製作所 | エネルギー閉じ込め型圧電共振部品 |
| KR100760780B1 (ko) * | 2004-09-28 | 2007-09-21 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 분파기 |
| US7170357B1 (en) * | 2005-03-04 | 2007-01-30 | Northrop Grumman Corporation | Crystal oscillator with wide tuning range |
-
2006
- 2006-05-31 JP JP2006151474A patent/JP4719623B2/ja active Active
-
2007
- 2007-05-30 EP EP07109239A patent/EP1863173A3/en not_active Withdrawn
- 2007-05-30 KR KR1020070052712A patent/KR100865837B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-30 US US11/806,129 patent/US7545077B2/en active Active
- 2007-05-31 CN CN200710105462XA patent/CN101083460B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999037023A1 (fr) * | 1998-01-16 | 1999-07-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Element piezo-electrique a film mince |
| JP2002223144A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-08-09 | Agilent Technol Inc | バルク弾性共振器周辺反射システム |
| JP2006506881A (ja) * | 2002-11-19 | 2006-02-23 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 送受切換器およびｒｘ帯域とｔｘ帯域とを分離する方法 |
| JP2005347898A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Fujitsu Media Device Kk | 圧電薄膜共振子およびフィルタならびにそれらの製造方法 |
| US20050269904A1 (en) * | 2004-06-03 | 2005-12-08 | Shuichi Oka | Thin film bulk acoustic resonator and method of manufacturing the same |
| JP2006128993A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Fujitsu Media Device Kk | 圧電薄膜共振子及びこれを用いたフィルタ |
| JP2007300430A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Fujitsu Media Device Kk | 圧電薄膜共振器およびフィルタ |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010045437A (ja) * | 2008-08-08 | 2010-02-25 | Fujitsu Ltd | 圧電薄膜共振子及びこれを用いたフィルタあるいは分波器 |
| JP2010226171A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | 圧電薄膜共振子、フィルタ、通信モジュール、通信装置 |
| US8240015B2 (en) | 2009-03-19 | 2012-08-14 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Method of manufacturing thin film resonator |
| US9240769B2 (en) | 2009-03-19 | 2016-01-19 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Piezoelectric thin film resonator, filter, communication module and communication device |
| JP2011160232A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Ube Industries Ltd | 薄膜圧電共振器およびそれを用いた薄膜圧電フィルタ |
| JP2013168748A (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス |
| JP2017126900A (ja) * | 2016-01-14 | 2017-07-20 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ |
| US10469049B2 (en) | 2016-01-14 | 2019-11-05 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer |
| US10666226B2 (en) | 2017-10-18 | 2020-05-26 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ladder-type filter, piezoelectric thin film resonator, and method of fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20070115722A (ko) | 2007-12-06 |
| US20070279154A1 (en) | 2007-12-06 |
| KR100865837B1 (ko) | 2008-10-29 |
| JP4719623B2 (ja) | 2011-07-06 |
| US7545077B2 (en) | 2009-06-09 |
| EP1863173A3 (en) | 2009-07-15 |
| EP1863173A2 (en) | 2007-12-05 |
| CN101083460A (zh) | 2007-12-05 |
| CN101083460B (zh) | 2010-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4719623B2 (ja) | フィルタ | |
| JP4968900B2 (ja) | ラダー型フィルタの製造方法 | |
| JP5080858B2 (ja) | 圧電薄膜共振器およびフィルタ | |
| JP5220503B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP5229945B2 (ja) | フィルタ、デュープレクサ、および通信装置 | |
| KR100863871B1 (ko) | 필터 및 분파기 | |
| JP2018182463A (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ | |
| JP6538007B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP2007300430A (ja) | 圧電薄膜共振器およびフィルタ | |
| WO2011021461A1 (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法 | |
| KR20180107852A (ko) | 음향 공진기 및 그 제조방법 | |
| JP2007208728A (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびその製造方法 | |
| JP4520415B2 (ja) | 圧電薄膜共振器及びその製作方法 | |
| JP2017139707A (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ | |
| WO2011036979A1 (ja) | 弾性波デバイス | |
| US10554196B2 (en) | Acoustic wave device | |
| WO2011105313A1 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP2017208711A (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ | |
| JP5750052B2 (ja) | 弾性波デバイス、フィルタ、通信モジュール、通信装置 | |
| JP7190313B2 (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ | |
| JP5681303B2 (ja) | 弾性波デバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081203 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100428 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100430 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100929 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100930 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101213 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110125 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110302 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110329 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110404 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4719623 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140408 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |