JP2007324318A - 基板の処理装置および基板の処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板の処理精度を向上させるとともに、電極の低コスト化および長寿命化を図り、基板の処理面積の大型化にも対応する。
【解決手段】内部を0.001気圧以上1気圧未満に保持可能な処理容器11と、この処理容器11内に配置される導電性の基板Wに3eV以上の仕事エネルギを有する紫外線Lを照射する光源12と、基板Wと光源12との間に基板Wに対向して配置されてこの基板Wを負にバイアスさせる電極13と、処理容器11内にプロセスガスGを供給する導入口14とが備えられ、処理容器11内に配置された基板Wに、負のバイアス電圧を印加しつつ紫外線Lを照射するとともに、導入口14から処理容器11内にプロセスガスGを供給することにより基板Wを処理する基板の処理装置10であって、電極13は、板厚が0.1mm以上とされた平板の表面に多数の貫通孔が形成されて、その開口率が50%以上95以下%とされている。
【選択図】図1
【解決手段】内部を0.001気圧以上1気圧未満に保持可能な処理容器11と、この処理容器11内に配置される導電性の基板Wに3eV以上の仕事エネルギを有する紫外線Lを照射する光源12と、基板Wと光源12との間に基板Wに対向して配置されてこの基板Wを負にバイアスさせる電極13と、処理容器11内にプロセスガスGを供給する導入口14とが備えられ、処理容器11内に配置された基板Wに、負のバイアス電圧を印加しつつ紫外線Lを照射するとともに、導入口14から処理容器11内にプロセスガスGを供給することにより基板Wを処理する基板の処理装置10であって、電極13は、板厚が0.1mm以上とされた平板の表面に多数の貫通孔が形成されて、その開口率が50%以上95以下%とされている。
【選択図】図1
Description
本発明は、光励起プロセスを利用して導電性の基板を処理する基板の処理装置および基板の処理方法に関するものである。
この種の基板の処理装置として、例えば下記特許文献1に示されるように、内部を0.001気圧以上1気圧未満に保持可能な処理容器と、この処理容器内に配置される導電性の基板に3eV以上の仕事エネルギを有する紫外線を照射する光源と、基板と光源との間に基板に対向して配置されてこの基板を負にバイアスさせる電極と、処理容器内にプロセスガスを供給する導入口とが備えられ、前記電極により処理容器内に配置された基板を負にバイアスさせつつ、この基板に紫外線を照射するとともに、導入口から処理容器内にプロセスガスを供給することにより基板を処理する構成が知られている。
そして、前記電極として、複数本のワイヤーが組まれてなるメッシュ体が枠体に嵌め込まれて接合された構成が採用されている。なお、各ワイヤーの外径は0.03mm〜0.10mmとされ、メッシュ体は、縦100mm、横100mmの平面視四角形とされるとともに、20メッシュ〜150メッシュとされている。
特開2004−47610号公報
そして、前記電極として、複数本のワイヤーが組まれてなるメッシュ体が枠体に嵌め込まれて接合された構成が採用されている。なお、各ワイヤーの外径は0.03mm〜0.10mmとされ、メッシュ体は、縦100mm、横100mmの平面視四角形とされるとともに、20メッシュ〜150メッシュとされている。
しかしながら、前記従来の基板の処理装置では、電極が前記メッシュ体とされていたので、自重やこの装置を使用する際に発生する熱ひずみにより、電極がその表面が波打った状態でたわみ、基板と電極との間の電界強度が、これらの基板および電極の各表面に沿った方向における位置ごとでばらつき、基板の表面の極近傍で生成されるラジカルやイオンの状態が不安定になり、基板の処理精度が低くなるおそれがあった。なお、前記熱ひずみは、基板の表面に紫外線が照射されたときにこの基板から放出された電子が、電極に衝突することによって生ずる。
また、このようなたわみの発生に起因して、電極の表面において局所的に電界強度が高くなりアーキングが生ずる部分があり、この電極を構成する各ワイヤーが切れ易くなるという問題もあった。
さらに、電極のメッシュ体が、上記のような細いワイヤーが組まれて構成されているので、このメッシュ体を、その表面の全域にわたって均等な張力を付与した状態で枠体に嵌め込んで接合するのは困難で、その製造コストが高くなるという問題があり、また、基板の処理面積が大きいと、電極のメッシュ体全体の縦および横の寸法を大きくして、基板の表面全域に電極を対向させる必要があるが、この場合、自重により電極のメッシュ体が大きくたわみ、上記のようにラジカルやイオンの生成状態が不安定になったり、アーキングが生じ易くなったりするおそれがある。
また、このようなたわみの発生に起因して、電極の表面において局所的に電界強度が高くなりアーキングが生ずる部分があり、この電極を構成する各ワイヤーが切れ易くなるという問題もあった。
さらに、電極のメッシュ体が、上記のような細いワイヤーが組まれて構成されているので、このメッシュ体を、その表面の全域にわたって均等な張力を付与した状態で枠体に嵌め込んで接合するのは困難で、その製造コストが高くなるという問題があり、また、基板の処理面積が大きいと、電極のメッシュ体全体の縦および横の寸法を大きくして、基板の表面全域に電極を対向させる必要があるが、この場合、自重により電極のメッシュ体が大きくたわみ、上記のようにラジカルやイオンの生成状態が不安定になったり、アーキングが生じ易くなったりするおそれがある。
本発明は、このような背景の下になされたもので、基板の処理精度を向上させるとともに、電極の低コスト化および長寿命化を図り、基板の処理面積の大型化にも対応することができる基板の処理装置および基板の処理方法を提供することを目的とする。
このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明の基板の処理装置は、内部を0.001気圧以上1気圧未満に保持可能な処理容器と、この処理容器内に配置される導電性の基板に3eV以上の仕事エネルギを有する紫外線を照射する光源と、基板と光源との間に基板に対向して配置されてこの基板を負にバイアスさせる電極と、処理容器内にプロセスガスを供給する導入口とが備えられ、前記電極により処理容器内に配置された基板を負にバイアスさせつつ、この基板に紫外線を照射するとともに、導入口から処理容器内にプロセスガスを供給することにより基板を処理する基板の処理装置であって、前記電極は、板厚が0.1mm以上とされた平板の表面に多数の貫通孔が形成されて、その開口率が50%以上95%以下とされていることを特徴とする。
この発明によれば、電極が、板厚が0.1mm以上の平板で形成されるとともに、開口率が95%以下とされているので、上記従来のメッシュ体と比べて曲げ剛性を向上させることが可能になり、自重やこの装置を使用する際に発生する熱ひずみによるたわみを抑えることができる。したがって、基板の表面の極近傍で生成するラジカルやイオンの状態が不安定になり基板の処理精度が低下したり、アーキングが発生したりするのを抑えることができるとともに、基板の処理面積の大型化にも対応することが可能になる。
また、電極が前記平板に多数の貫通孔が形成されて構成されているので、この電極を容易かつ高精度に形成することができるとともに、前記熱ひずみが生じた場合においても、このひずみを、各貫通孔を縮径または拡径させることによって平板の表面に沿った方向で発生させて、この平板の表面内で吸収することが可能になり、たわみの発生をより一層抑えることができる。
しかも、電極の開口率が50%以上とされているので、光源から基板への紫外線の照射量を現行同等に維持することが可能になり、基板の処理効率を低下させることなく、上記の作用効果を奏効させることができる。
なお、前記板厚を10mmより大きくすると、電極の重量が大きくなりこの電極を処理容器内に組付けるのに要する時間がかかるとともに、材料費も高くなり、さらには前記貫通孔の加工時間が長くなるおそれがあるので、前記板厚は、0.1mm以上10mm以下とするのが望ましい。
また、前記開口率を95%より大きくすると、前述のような曲げ剛性の向上を図ることができなくなるばかりでなく、前記貫通孔を、その径や配設ピッチを高精度にして形成する必要があり、この電極の製造コストが増大するおそれがある。
この発明によれば、電極が、板厚が0.1mm以上の平板で形成されるとともに、開口率が95%以下とされているので、上記従来のメッシュ体と比べて曲げ剛性を向上させることが可能になり、自重やこの装置を使用する際に発生する熱ひずみによるたわみを抑えることができる。したがって、基板の表面の極近傍で生成するラジカルやイオンの状態が不安定になり基板の処理精度が低下したり、アーキングが発生したりするのを抑えることができるとともに、基板の処理面積の大型化にも対応することが可能になる。
また、電極が前記平板に多数の貫通孔が形成されて構成されているので、この電極を容易かつ高精度に形成することができるとともに、前記熱ひずみが生じた場合においても、このひずみを、各貫通孔を縮径または拡径させることによって平板の表面に沿った方向で発生させて、この平板の表面内で吸収することが可能になり、たわみの発生をより一層抑えることができる。
しかも、電極の開口率が50%以上とされているので、光源から基板への紫外線の照射量を現行同等に維持することが可能になり、基板の処理効率を低下させることなく、上記の作用効果を奏効させることができる。
なお、前記板厚を10mmより大きくすると、電極の重量が大きくなりこの電極を処理容器内に組付けるのに要する時間がかかるとともに、材料費も高くなり、さらには前記貫通孔の加工時間が長くなるおそれがあるので、前記板厚は、0.1mm以上10mm以下とするのが望ましい。
また、前記開口率を95%より大きくすると、前述のような曲げ剛性の向上を図ることができなくなるばかりでなく、前記貫通孔を、その径や配設ピッチを高精度にして形成する必要があり、この電極の製造コストが増大するおそれがある。
ここで、前記電極は、前記貫通孔が平面視正6角形とされたハニカム形状とされてもよい。
この場合、前記の作用効果が確実に奏効されることになる。
この場合、前記の作用効果が確実に奏効されることになる。
また、本発明の基板の処理方法は、導電性の基板を0.001気圧以上1気圧未満に保った処理容器内に置いて、この基板を負にバイアスさせつつ、3eV以上の仕事エネルギを有する紫外線を照射するとともに、処理容器内にプロセスガスを供給することにより基板を処理する基板の処理方法であって、本発明の基板の処理装置を用いて基板を処理することを特徴とする。
本発明に係る基板の処理装置および基板の処理方法によれば、基板の処理精度を向上させるとともに、電極の低コスト化および長寿命化を図り、基板の処理面積の大型化にも対応することができる。
以下、図1および図2に基づいて本発明の一実施形態を説明する。本実施形態に係る基板の処理装置10は、内部を0.001気圧以上1気圧未満に保持可能な処理容器11と、この処理容器11内に配置される導電性の基板Wに3eV以上の仕事エネルギを有する紫外線Lを照射する光源12と、基板Wと光源12との間に基板Wに対向して配置されてこの基板Wを負にバイアスさせる電圧を印加する電極13と、処理容器11内にプロセスガスGを供給する導入口14とが備えられている。
ここで、電極13は、処理容器11に対して電気的に絶縁された状態でこの処理容器11内に設けられている。また、処理容器11内には、基板Wがこの容器11に対して電気的に絶縁した状態で保持される基板ホルダー16が設けられている。そして、これらの電極13および基板ホルダー16には直流電源17が接続され、基板Wに電極13に対して負のバイアス電圧が印加できるようになっている。
また、図示の例では、処理容器11に、排気装置に連結された排気口15が設けられており、処理容器11の内圧が減圧調整可能とされている。さらに、光源12は、光出力窓を有する光源容器内に収納された状態で処理容器11内に収納されている。これにより、導入口14からのプロセスガスGに光源12が晒されて破損し易くなるのを防ぐとともに、腐食性ガス等どんな種類のガスであってもプロセスガスGとして使用できる等、基板Wの表面の処理の態様を拡げることができるようになっている。そして、光源12からの紫外線Lは、前記光出力窓、および電極13に形成された後述の貫通孔13aをこの順に通過して基板Wの表面に到達するようになっている。
なお、光源12から照射される紫外線Lは、例えば185nmの波長のものを用いることができ、このような光源12としては、例えば半導体のレジスト除去用の紫外線源(低圧水銀ランプ、重水素ランプ、またはキセノン(Xe)ランプ等)を採用することができる。
なお、光源12から照射される紫外線Lは、例えば185nmの波長のものを用いることができ、このような光源12としては、例えば半導体のレジスト除去用の紫外線源(低圧水銀ランプ、重水素ランプ、またはキセノン(Xe)ランプ等)を採用することができる。
以上の構成において、光源12から紫外線Lを、電極13の貫通孔13aを通過させて基板Wの表面に照射すると、基板W内の電子が励起されることにより、この基板Wの表面から電子が放出され、この電子は、基板Wと電極13との間の電界により電極13に向けて加速される。この際、基板Wの表面から極短く離間したときにプロセスガスGの分子と衝突することにより、基板Wの表面の極近傍でラジカルやイオン6が生成される。このように、基板Wの表面の極近傍でラジカルやイオン6が生成されることから、これらのイオン6等が効率よく基板Wの表面に移送され基板Wの表面処理が行われることになる。
さらに、このようにして生成されたイオン6のうち、正のイオンは、前記負のバイアス電圧により、電極13から基板Wの表面に向かう加速力を受けて基板Wの表面に衝突し、基板Wからの電子の放出が促進され、さらにまたこの正のイオンが電子と再結合して中性ラジカルとなるときに二次的に紫外線が発生し、基板Wから新たに電子が放出される。
さらに、このようにして生成されたイオン6のうち、正のイオンは、前記負のバイアス電圧により、電極13から基板Wの表面に向かう加速力を受けて基板Wの表面に衝突し、基板Wからの電子の放出が促進され、さらにまたこの正のイオンが電子と再結合して中性ラジカルとなるときに二次的に紫外線が発生し、基板Wから新たに電子が放出される。
ところで、紫外線Lの仕事エネルギの下限を3eV未満にすると、基板Wの表面から電子を放出させることができない。一般に、物質の仕事関数は3eV〜5eVであり、紫外線Lの仕事エネルギを3eV以上、特に4eV以上にすると電子を確実に放出させることができる。このように、仕事エネルギが3eV以上の紫外線Lを基板Wに照射して放出させた電子の運動エネルギは、数eV以下と非常に小さいが、基板Wに印加する負のバイアス電圧を調整することにより、高い反応効率でプロセスガスGを分解またはイオン化できる運動エネルギへと加速することが可能となる。
一方、紫外線Lの上限の仕事エネルギは、前記光出力窓を形成する材質の光吸収係数により決定され、例えば10eVとすることができる。
一方、紫外線Lの上限の仕事エネルギは、前記光出力窓を形成する材質の光吸収係数により決定され、例えば10eVとすることができる。
以上のように比較的低い仕事エネルギの紫外線Lを用いて、基板Wの表面での反応を確実なものにするため、本実施形態では、処理容器11内の圧力が0.001気圧以上1気圧未満、好ましくは0.01気圧以上0.5気圧以下に保持できるようになっている。このように処理容器11内の圧力を比較的高く保つと、紫外線Lの照射により基板Wの表面から放出される電子は、数μm程度走行しただけでプロセスガスGの分子と衝突し、電子衝撃解離によりラジカルやイオン6を生成する。このように基板Wの表面から放出される電子が、プロセスガスGの分子と衝突するまでに走行する距離は、処理容器11内の圧力が増大するのに伴い短くなり、例えば0.1気圧において1μm以下となって多数回の衝突を繰り返すことになる。
このような観点から、処理容器11内の圧力は0.001気圧以上、好適には0.01気圧以上とする。他方で、処理容器11内の圧力を大気圧以上とすると、紫外線Lの仕事エネルギが3eV〜10eVでは、基板Wの表面から放出された電子によって前記電子衝撃解離反応が発生し難くなる。
なお、処理容器11内の圧力が0.001以上1気圧未満と高いが、酸素を除いて多くのプロセスガスGの分子は、仕事エネルギが3eV以上10eV以下の紫外線Lを殆んど吸収しないので、処理容器11内の圧力値に依らず紫外線Lは減衰しないで基板Wの表面に到達する。
なお、処理容器11内の圧力が0.001以上1気圧未満と高いが、酸素を除いて多くのプロセスガスGの分子は、仕事エネルギが3eV以上10eV以下の紫外線Lを殆んど吸収しないので、処理容器11内の圧力値に依らず紫外線Lは減衰しないで基板Wの表面に到達する。
そして、本実施形態では、電極13は、板厚が0.1mm以上10mm以下とされた平板の表面に多数の貫通孔13aが形成されて、その開口率が50%以上95%以下とされている。この電極13は、例えば、厚さが約1.0mmのステンレス鋼(SUS316L)、若しくは厚さが約0.8mmのCu合金(C1020)等の円板とされ、また、この円板の外径は約160mmとされ、この円板の表面において直径約120mmの領域内に、多数の平面視正6角形の貫通孔13aが、この電極13の平面視がハニカム形状となるように配置されている。すなわち、全ての貫通孔13aは略同形同大とされるとともに、各貫通孔13aは、隣合う貫通孔13aそれぞれの正6角形をなす辺のうち、互いに隣合う辺同士が平行となるようにして同一のピッチ間隔で配置されている。
なお、隣合う貫通孔13a同士の中心間距離は例えば約3.5mmとされるとともに、個々の貫通孔13aにおいて互いに平行に対向する辺同士の間隔は例えば約3.5mmとされ、さらに、隣合う貫通孔13a同士において平行して隣合う辺同士の距離は例えば約0.5mmとされている。
また、これらの貫通孔13aは、円板の表面にエッチング処理を施すことにより形成することができる。また、前記開口率は、前記平板において貫通孔13aの形成領域全体の平面積に対する全ての貫通孔13aの開口面積の総和の割合で算出できる。
また、これらの貫通孔13aは、円板の表面にエッチング処理を施すことにより形成することができる。また、前記開口率は、前記平板において貫通孔13aの形成領域全体の平面積に対する全ての貫通孔13aの開口面積の総和の割合で算出できる。
以上説明したように、本実施形態に係る基板の処理装置10によれば、電極13が、板厚が0.1mm以上の平板で形成されるとともに、開口率が95%以下とされているので、上記従来のメッシュ体と比べて曲げ剛性を向上させることが可能になり、自重やこの装置10を使用する際に発生する熱ひずみによるたわみを抑えることができる。したがって、基板Wの表面の極近傍で生成するラジカルやイオン6の状態が不安定になり基板Wの処理精度が低下したり、アーキングが発生したりするのを抑えることができるとともに、基板Wの処理面積の大型化にも対応することが可能になる。
また、電極13が前記平板に多数の貫通孔13aが形成されて構成されているので、この電極13を容易かつ高精度に形成することができるとともに、前記熱ひずみが生じた場合においても、このひずみを、各貫通孔13aを縮径または拡径させることによって平板の表面に沿った方向で発生させて、この平板の表面内で吸収することが可能になり、たわみの発生をより一層抑えることができる。
しかも、電極13の開口率が50%以上とされているので、光源12から基板Wへの紫外線Lの照射量を現行同等に維持することが可能になり、基板Wの処理効率を低下させることなく、上記の作用効果を奏効させることができる。さらに、前記板厚が10mm以下とされているので、電極13の重量が大きくなり処理容器11内に組付けるのに要する時間が長くなったり、材料費が高くなったり、さらに貫通孔13aの加工時間が長くなったりするのを防ぐことができる。さらにまた、電極13の開口率が95%以下とされているので、電極13の製造コストを増大させることなく、上記の作用効果を奏効させることができる。
なお、本発明の技術的範囲は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
前記実施形態では、基板Wに負のバイアス電圧を印加する例を示したが、これに代えて、例えば電極13に正のバイアス電圧を印加しても良いし、バイアス電圧は直流に限る必要はない。
また、前記実施形態では、電極13を形成する材質として、ステンレス鋼(SUS316L)またはCu合金(C1020)を示したが、導体または導体で被覆された材料であればその材質は特に限定されるものではない。
また、前記実施形態では、電極13として円板を示したが、これに代えて、例えば矩形板や多角形板等を採用してもよい。
さらに、前記実施形態では、電極13を構成する平板に形成した貫通孔13aとして、平面視正6角形のものを示したが、これに代えて、例えば円形や多角形等にしてもよい。
前記実施形態では、基板Wに負のバイアス電圧を印加する例を示したが、これに代えて、例えば電極13に正のバイアス電圧を印加しても良いし、バイアス電圧は直流に限る必要はない。
また、前記実施形態では、電極13を形成する材質として、ステンレス鋼(SUS316L)またはCu合金(C1020)を示したが、導体または導体で被覆された材料であればその材質は特に限定されるものではない。
また、前記実施形態では、電極13として円板を示したが、これに代えて、例えば矩形板や多角形板等を採用してもよい。
さらに、前記実施形態では、電極13を構成する平板に形成した貫通孔13aとして、平面視正6角形のものを示したが、これに代えて、例えば円形や多角形等にしてもよい。
また、プロセスガスGとして、例えば、メタンガスと水素ガスとの混合ガスを採用することにより、基板Wの表面にカーボン膜、特にダイヤモンド状の膜を生成してもよく、あるいは、基板Wと反応する成分を含むガスを採用して、基板Wの表面に前記成分に由来する被膜を生成するようにしてもよい。後者の場合、例えば、プロセスガスGとして、酸素または/および窒素を含むガスを採用することにより、基板Wの表面に酸化膜または/および窒化膜を生成することができる。さらに、プロセスガスGとして、例えばアルゴンガスを採用し、基板Wの表面に衝突エネルギを付与することによって基板Wの表面を平坦に加工することもできる。
なお、前記実施形態のように基板Wを処理した後に、電極13を負にバイアスさせた状態で光源12から紫外線Lを電極13に照射すると、この電極13において基板ホルダー16と対向する表面の極近傍でラジカルやイオン6が生成されることによって、この電極13に付着していた着膜物質等を除去することができる。すなわち、電極13を処理装置10から取り外して、例えばやすりで研いだり、ブラスト加工を施したりしなくても、この処理装置10に装着したままで着膜物質等を除去することができる。
例えば、前記着膜物質等が炭素系の材質である場合には、処理ガスGとして水素ガスを導入して還元したり、あるいは酸素ガスを導入して着膜物質等を酸化して取り除くことができる。また、前記着膜物質等がこのような還元や酸化では除去することができない材質である場合には、処理ガスGとしてアルゴンガスを導入することにより物理的にエッチングすることができる。
例えば、前記着膜物質等が炭素系の材質である場合には、処理ガスGとして水素ガスを導入して還元したり、あるいは酸素ガスを導入して着膜物質等を酸化して取り除くことができる。また、前記着膜物質等がこのような還元や酸化では除去することができない材質である場合には、処理ガスGとしてアルゴンガスを導入することにより物理的にエッチングすることができる。
基板の処理精度を向上させるとともに、電極の低コスト化および長寿命化を図り、基板の処理面積の大型化にも対応することができる。
10 基板の処理装置
11 処理容器
12 光源
13 電極
13a 貫通孔
14 導入口
G プロセスガス
L 紫外線
W 基板
11 処理容器
12 光源
13 電極
13a 貫通孔
14 導入口
G プロセスガス
L 紫外線
W 基板
Claims (3)
- 内部を0.001気圧以上1気圧未満に保持可能な処理容器と、この処理容器内に配置される導電性の基板に3eV以上の仕事エネルギを有する紫外線を照射する光源と、基板と光源との間に基板に対向して配置されてこの基板を負にバイアスさせる電極と、処理容器内にプロセスガスを供給する導入口とが備えられ、
前記電極により処理容器内に配置された基板を負にバイアスさせつつ、この基板に紫外線を照射するとともに、導入口から処理容器内にプロセスガスを供給することにより基板を処理する基板の処理装置であって、
前記電極は、板厚が0.1mm以上とされた平板の表面に多数の貫通孔が形成されて、その開口率が50%以上95%以下とされていることを特徴とする基板の処理装置。 - 請求項1記載の基板の処理装置において、
前記電極は、前記貫通孔が平面視正6角形とされたハニカム形状とされていることを特徴とする基板の処理装置。 - 導電性の基板を0.001気圧以上1気圧未満に保った処理容器内に置いて、この基板を負にバイアスさせつつ、3eV以上の仕事エネルギを有する紫外線を照射するとともに、処理容器内にプロセスガスを供給することにより基板を処理する基板の処理方法であって、
請求項1または2に記載の基板の処理装置を用いて基板を処理することを特徴とする基板の処理方法。
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