JP6415133B2 - 導電性ダイヤモンド電極の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)大気圧下において、窒素を作動ガスとして、これにホウ素、水素および/または希ガスを含有させて窒素プラズマジェットを生成し、この窒素プラズマジェットをダイヤモンド薄膜の表面に照射してホウ素と窒素をドープするとともに表面積を増大させることを特徴とするダイヤモンド電極の製造方法。
(2)ダイヤモンド薄膜が、予めホウ素をドープされてなる上記(1)に記載のダイヤモンド電極の製造方法。
実施例1
ペルメレック電極株式会社製ボロンドープダイヤモンド薄膜(Nb-BDD,ボロン濃度9000ppm)の表面に,大気圧窒素プラズマ発生装置を用いて、5,10,20,25,および30分間、窒素を含有する雰囲気中で、プラズマジェットと接触させて賦活化処理を行った。基盤温度:520℃、アーク電圧:4.5kV/A,パルスアーク:21kHZ,ガス:窒素20slmおよび水素0.22sccmであった。三極式セルを用い、電解液として0.5M硫酸水溶液を用いた。処理後に、得られたダイヤモンド薄膜を、顕微レーザーラマン分光測定(Raman),電界放出型走査電子顕微鏡(FE−SEM),エネルギー分散型蛍光X線分析装置(EDS),およびX線光電子分光分析(XPS)で評価した。また、電気化学特性を0.5M硫酸水溶液中でのサイクリックボルタンメトリー(CV)により試験した。
図1に窒素プラズマ処理を10〜30分間行った試料のSEM画像を示す。窒素プラズマ処理されていない試料との比較から,処理によって,ダイヤモンド構造由来の三角錐の形態が壊され,未処理では確認されなかった孔が確認された。その孔の径は,処理時間が長くなるにつれ大きくなった.よって,窒素プラズマ処理で,表面が微細に凹凸形成され表面積が増大することが示された。
図2のスペクトルにおいて、480cm−1におけるピークは、基盤に由来し、1200cm−1におけるピークは、不規則なダイヤモンド構造に由来するピークである。ID/IGは,sp3炭素に起因するDバンド(1300cm−1)強度/sp2炭素に起因するGバンド(1520cm−1)強度比を示す。
図3のXPS測定結果から、5分間の窒素プラズマ処理で窒素が導入されたことが確認された。
図4は、EDS測定結果を示す。5分間の窒素プラズマ処理で窒素の含有量が最大であった。
図5は、CV測定結果を示す。二重層容量を用いて比較した結果、窒素プラズマ処理で表面積が増大したことが確認された。二重層容量の増加率(未処理に対する)は、0.5V〜0.6Vの間で5分間:174%;10分間:143%;20分間:263%、25分間:148%;および30分間:389%、であった。
Claims (2)
- 大気圧下において、窒素を作動ガスとして、これにホウ素、水素および/または希ガスを含有させて窒素プラズマジェットを生成し、この窒素プラズマジェットをダイヤモンド薄膜の表面に照射してホウ素と窒素をドープするとともに表面積を増大させることを特徴とするダイヤモンド電極の製造方法。
- ダイヤモンド薄膜が、予めホウ素をドープされてなる請求項1に記載のダイヤモンド電極の製造方法。
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