JP2008053646A - 表面処理方法および表面処理装置 - Google Patents

表面処理方法および表面処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008053646A
JP2008053646A JP2006231093A JP2006231093A JP2008053646A JP 2008053646 A JP2008053646 A JP 2008053646A JP 2006231093 A JP2006231093 A JP 2006231093A JP 2006231093 A JP2006231093 A JP 2006231093A JP 2008053646 A JP2008053646 A JP 2008053646A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
treatment
treatment liquid
liquid
electron beam
treated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006231093A
Other languages
English (en)
Inventor
Yutaro Yanagisawa
雄太郎 柳沢
Katsuyoshi Fujita
勝吉 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Priority to JP2006231093A priority Critical patent/JP2008053646A/ja
Priority to PCT/JP2007/062595 priority patent/WO2008026366A1/ja
Priority to US12/438,773 priority patent/US20100015810A1/en
Publication of JP2008053646A publication Critical patent/JP2008053646A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • B08B7/0057—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Abstract

【課題】処理対象物の表面のダメージを抑制して該表面を容易に処理することができる表面処理方法および表面処理装置を提供する。
【解決手段】処理対象物２は、吸着部１１により吸着固定され、回転部１２により回転される。その状態で、処理液供給部２２から供給される処理液は、処理液塗布チューブ２１を経て、処理対象物２の表面に塗布される。そして、熱電子源３３から放出された熱電子は、加速電極３４により加速され、Ｂｅ膜３２を透過して、処理対象物２の表面上の処理液に照射される。処理対象物２の表面上の処理液に電子ビームが照射されると、その処理液がイオン化またはラジカル化して活性化し、これにより、処理対象物２の表面の処理が効果的に行われ得る。
【選択図】図１

Description

本発明は、処理対象物の表面を処理する方法および装置に関するものである。
処理対象物の表面を処理する技術としては種々のものが知られており（特許文献１および非特許文献１，２を参照）、例えば、０.１％〜数％のＨＦを純水に含んだＨＦ溶液をＳｉウェハの表面に塗布する等して、そのＳｉウェハの表面のＳｉＯ２膜を除去する技術が知られている。また、チェンバ内にＳｉウェハを置き、そのチェンバ内に活性ガス（例えばＮＦ３含有水素）を導入し、その活性ガスをプラズマ化して、その活性ガスイオンによりＳｉウェハの表面のＳｉＯ２膜を除去する技術も知られている。さらに、チェンバ内に処理対象物を置き、そのチェンバ内に酸素や窒素などのガスを導入し、そのガスをマイクロ波によりプラズマ化して、処理対象物の表面にある有機物をプラズマにより分解し除去する技術も知られている。
特開平６−１９０２６９号公報 T. Hattori, et al., J.Electrochem.Soc., Vol.145(1998) pp.3278-3284. J. Kikuchi,et al., Jpn.J.Appl.Phys. Vol.35 (1996) pp.1022-1026.
しかしながら、上記のような従来の表面処理技術は以下のような問題点を有している。すなわち、ＨＦ溶液を用いてＳｉウェハ表面のＳｉＯ２膜を除去する技術では、ＨＦ溶液を大量に使用するだけでなく、ＨＦが有害であることから、ＨＦ溶液の扱いや廃液処理が容易でない。また、活性ガスのプラズマによりＳｉウェハ表面のＳｉＯ２膜を除去する技術では、Ｓｉウェハ表面から除去されたＳｉＯ２を流し去ることができないので、長時間に亘って処理した場合に不純物がチェンバ内面に堆積していき、その堆積物がＳｉウェハ表面に再付着するという問題がある。さらに、プラズマを用いた表面処理技術では、プラズマのイオンが処理対象物の表面に衝突して、その表面にダメージを与えるという問題がある。
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、処理対象物の表面のダメージを抑制して該表面を容易に処理することができる表面処理方法および表面処理装置を提供することを目的とする。
本発明に係る表面処理方法は、処理対象物の表面に処理液を塗布し、その塗布された処理液に電子ビームを照射して、処理対象物の表面を処理することを特徴とする。また、本発明に係る表面処理装置は、処理対象物の表面に処理液を塗布する処理液塗布手段と、処理液塗布手段により塗布された処理液に電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、を備えることを特徴とする。本発明に係る表面処理方法または表面処理装置では、処理対象物の表面に処理液が塗布され、その塗布された処理液に電子ビームが照射されて、処理対象物の表面が処理される。処理対象物の表面上の処理液に電子ビームが照射されると、その処理液がイオン化またはラジカル化して活性化し、これにより、処理対象物の表面の処理が効果的に行われ得る。
本発明に係る表面処理方法では、処理液は、処理対象物の表面をエッチングするためのエッチング液であるのが好適であり、或いは、機能水であるのも好適である。処理対象物の表面における処理液の厚さが１０μｍ〜３００μｍの範囲内であるのが好適である。処理対象物の表面を昇温するとともに、処理液をも昇温して該処理液を処理対象物の表面に塗布するのが好適である。処理対象物の表面に処理液を噴霧して塗布するのが好適である。また、処理対象物の表面に処理液を塗布する際に処理対象物の周囲を窒素ガス，オゾンガスまたは高圧オゾンガスの雰囲気とするのが好適である。また、電子ビーム
本発明に係る表面処理方法では、処理対象物がＳｉＯ２膜を表面に有するＳｉウェハであって、処理液がＨＦ溶液であり、Ｓｉウェハの表面に塗布されたＨＦ溶液に電子ビームを照射して、Ｓｉウェハの表面上のＳｉＯ２膜を除去するのが好適である。処理対象物が半導体、金属、ガラスまたはセラミックであり、処理対象物の表面に塗布された機能水に電子ビームを照射して、処理対象物の表面の有機物不純物、微粒子または金属不純物を除去するのが好適である。また、処理対象物がレジスト膜を表面に有する半導体ウェハであり、半導体ウェハの表面に塗布された機能水に電子ビームを照射して、半導体ウェハの表面のレジスト膜を除去するのが好適である。
本発明に係る表面処理装置では、処理液塗布手段は、処理対象物の表面をエッチングするためのエッチング液を処理液として処理対象物の表面に塗布するのが好適であり、或いは、機能水を処理液として処理対象物の表面に塗布するのも好適である。処理液塗布手段は、処理対象物の表面における処理液の厚さが１０μｍ〜３００μｍの範囲内となるように処理対象物の表面に処理液を塗布するのが好適である。表面処理装置は、処理対象物の表面を昇温する第１昇温手段と、処理対象物の表面に塗布する処理液を昇温する第２昇温手段と、を更に備えるのが好適である。処理液塗布手段は、処理対象物の表面に処理液を噴霧して塗布するのが好適である。表面処理装置は、処理対象物の表面に処理液を塗布する際に処理対象物の周囲を窒素ガス，オゾンガスまたは高圧オゾンガスの雰囲気とする雰囲気設定手段を更に備えるのが好適である。また、前記電子ビーム手段による電子ビームの照射部分に窒素ガスを噴射する窒素ガス噴射部を更に備えるのが好適でる。
本発明によれば、処理対象物の表面のダメージを抑制して該表面を容易に処理することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図１は、本実施形態に係る表面処理装置１の構成図である。この図に示される表面所理装置１は、処理対象物２の表面を処理するための装置であって、処理対象物２を載置して回転させる試料台１０、処理対象物２の表面に処理液を塗布する処理液塗布手段２０、処理液塗布手段２０により塗布された処理液に電子ビームを照射する電子ビーム照射手段３０、およびシールド容器４０を備える。
試料台１０は、吸着部１１および回転部１２を含む。吸着部１１は、処理対象物２を真空吸引して吸着固定する。回転部１２は、吸着部１１とともに処理対象物２を回転させる。処理液塗布手段２０は、処理液塗布チューブ２１および処理液供給部２２を含む。処理液塗布チューブ２１は、処理液供給部２２から供給される処理液を、吸着部１１により吸着固定された処理対象物２の表面に塗布する。
電子ビーム照射手段３０は、真空チェンバ３１、Ｂｅ膜３２、熱電子源３３、加速電極３４、電圧源３５、雰囲気ガス噴射部３６、雰囲気ガス供給部３７および窒素ガス噴射部４１を含む。真空チェンバ３１は、内部を排気状態とすることができ、その内部に熱電子源３３および加速電極３４が配置される。真空チェンバ３１の底面の一部は、電子ビームを内部から外部へ通過させ得るＢｅ膜３２とされている。このＢｅ膜３２の厚さは例えば１０μｍ〜２０μｍである。ここで、この膜は、Ｂｅ膜にかぎらず、その他のダイヤモンド膜、Ｓｉ膜等の電子を容易に通過させて、しかも真空にもつような金属であればよい。
熱電子源３３は、電圧源３５から供給された電力により加熱されて熱電子を放出するものである。また、加速電極３４は、電圧源３５によって熱電子源３３より高電位（例えば数十ｋＶ〜２００ｋＶ）に設定され、熱電子源３３から放出された熱電子をＢｅ膜３２へ向けて加速する。処理対象物２の周囲の雰囲気を設定する雰囲気設定手段としての雰囲気ガス噴射部３６は、雰囲気ガス供給部３７から供給されるオゾンガスまたは高圧オゾンガス等を噴射することで、純水中にオゾンガスを供給できる。また、Ｂｅ膜３２の酸化を防止するために、Ｂｅ膜３２の部分に、迷路状に構成された窒素ガス噴射部が配置される。
シールド室４０は、その内部から外部へＸ線が漏洩するのを防止するものであって、鉛により構成されている。シールド室４０の内部に、試料台１０、処理液塗布チューブ２１の先端部分、真空チェンバ３１、Ｂｅ膜３２、熱電子源３３、加速電極３４および雰囲気ガス噴射部３６が配置される。
なお、処理液は、処理対象物２の表面をエッチングや洗浄するための液体であり、例えばＨＦ溶液や機能水である。機能水は、電解生成水（純水、水素水、イオン水、酸化還元水、各種ガス（窒素ガス、Ａｒガス、Ｈｅガス、酸素ガス等）を含む水）およびオゾン水を含む概念のものである。また、処理液は、半導体をウェット洗浄する際に用いられるＳＣ１溶液やＳＣ２溶液などの洗浄液であってもよい。
また、処理対象物２は、その材料が特に限定されるものでは無いが、処理液がエッチング液である場合には、その処理液でエッチングされ得る材料からなる。処理液が機能水である場合には、処理対象物２は、例えば、半導体、金属、ガラス、セラミック等であり、処理液は、この処理対象物２の表面に付着した有機物不純物、微粒子、金属不純物等を除去する。例えば、処理対象物２がレジスト膜を表面に有する半導体ウェハであり、この半導体ウェハの表面に塗布された機能水に電子ビームを照射して、半導体ウェハの表面のレジスト膜を除去する。
次に、この表面処理装置１を用いた本実施形態に係る表面処理方法について説明する。処理対象物２は、吸着部１１により吸着固定され、回転部１２により回転される。その状態で、処理液供給部２２から供給される処理液は、処理液塗布チューブ２１を経て、処理対象物２の表面に塗布される。そして、熱電子源３３から放出された熱電子は、加速電極３４により加速され、Ｂｅ膜３２を透過して、処理対象物２の表面上の処理液に照射される。処理対象物２の表面上の処理液に電子ビームが照射されると、その処理液がイオン化またはラジカル化して活性化し、これにより、処理対象物２の表面の処理が効果的に行われ得る。ここで、図２に水中での電子ビームの透過距離を示す。電子ビームのエネルギが１００ＫｅＶであると、電子ビームは水中１５０μｍを透過して全てのエネルギを、水に与えることがわかる。電子ビームのエネルギが高いので、極めて活性な水の層が、水の表面に作られることがわかる。
本実施形態に係る表面処理装置１または表面処理方法を用いれば、処理液が有害成分を含む場合であっても、その有害成分の含有量を減らすことができ、或いは、処理液の使用量を減らすことができるので、処理対象物２の表面を容易に処理することができる。また、処理効率が向上し、処理時間を短縮することができる。
また、従来のプラズマを用いた表面処理技術では、高エネルギの分子が処理対象物の表面に衝突することから、その表面にダメージを与えるという問題があった。これに対して、本実施形態では、処理対象物の表面に適当な厚さで塗布された処理液に電子ビームが照射されるので、処理対象物の表面に衝突するときの電子のエネルギは例えば１０ＫｅＶ以下となって非常に小さく、また、イオンと比べて電子の質量は約２０００分の１であることから、処理対象物の表面のダメージを抑制することができる。
なお、上述したように熱電子の加速電圧は数十ｋＶ〜２００ｋＶであることから、処理対象物２の表面における処理液の厚さは１０μｍ〜３００μｍの範囲内であるのが好ましい。このようにすることにより、処理液が効果的に活性化され、処理対象物２の表面の処理が効果的に行われ得る。処理液の厚さは、処理液の粘度や処理対象物の回転速度により調整される。
また、処理対象物２の表面を昇温する第１昇温手段として例えばヒータが試料台１０に設けられ、また、処理対象物２の表面に塗布する処理液を昇温する第２昇温手段として例えばヒータが処理液供給部２２に設けられて、これにより、処理対象物２の表面を昇温するとともに、処理液をも昇温して該処理液を処理対象物２の表面に塗布するのが好適である。このようにすることにより、処理対象物２の表面上の処理液は、電子ビームが照射されると更に効果的に活性化され、処理対象物２の表面の処理を更に効果的に行うことができる。
また、処理液塗布チューブ２１から処理液を処理対象物２の表面に塗布する際に、処理液を噴霧して塗布するのが好適である。このようにすることにより、処理液塗布チューブ２１の先端から放出された処理液は、処理対象物２の表面に達するまでの間に電子ビームが照射されて更に効果的に活性化され、処理対象物２の表面の処理を更に効果的に行うことができる。
次に、表面処理装置１を用いた表面処理方法のより具体的な実施例１について説明する。実施例１では、Ｓｉウェハが処理対象物２として用いられ、０.０１％〜１％のＨＦを純水に含んだＨＦ溶液が処理液として用いられた。回転しているＳｉウェハの表面にＨＦ溶液が塗布されると、その表面上のＨＦ溶液の厚さは１００μｍ程度であった。この状態で、数十ｋｅＶ〜２００ｋｅＶのエネルギを有する電子ビームが、Ｓｉウェハ表面上のＨＦ溶液に照射された。その結果、ＨＦ濃度が従来より低濃度であるにも拘らず、Ｓｉウェハ表面上のＳｉＯ２膜が高効率にエッチングされた。
電子ビーム照射により、Ｓｉウェハ表面上のＨＦ溶液は、これに含まれる分子がイオン化またはラジカル化されて活性化される。ＨＦ溶液によるＳｉＯ２のエッチングの速度は、溶液中のＨＦ分子濃度[HF]およびＨＦ２ −イオン濃度[HF2 -]に依存していて、「[HF]＋７[HF2 -]＋０.３[HF]２」に比例すると言われている。ＨＦ溶液に電子ビームが照射されると、そのＨＦ溶液中において、Ｆ−イオンが発生し、さらに、このＦ−イオンとＨＦ分子とが結合してＨＦ２ −イオンが発生する。したがって、電子ビームが照射されない場合と比較すると、電子ビームが照射されて活性化されたＨＦ溶液でＳｉウェハ表面が処理されることにより、Ｓｉウェハ表面のＳｉＯ２膜が短時間にエッチング除去され得る。
図３は、実施例１におけるＳｉＯ２膜エッチング所要時間とＨＦ溶液濃度との関係を示すグラフである。ここで、ＳｉＯ２膜の厚さは１６０ｎｍであり、電子ビームの加速電圧は１００ｋＶであり、Ｓｉウェハ表面上のＨＦ溶液への電子ビームの照射量は１０μＡ／ｃｍ２であった。この図には、電子ビームが照射されなかった場合（比較例１）の結果も示されている。この図から判るように、電子ビームが照射されなかった比較例１と対比すると、電子ビームが照射された実施例１では、ＳｉＯ２膜のエッチング所要時間は平均で４分の１倍程度に短縮された。
次に、表面処理装置１を用いた表面処理方法のより具体的な実施例２について説明する。実施例２では、半導体、金属、ガラスまたはセラミックからなる平板状のものが処理対象物２として用いられ、機能水が処理液として用いられた。処理対象物の表面には、有機物不純物、微粒子または金属不純物が付着していた。回転している処理対象物の表面に機能水が塗布されると、その表面上の機能水の厚さは１００μｍ程度であった。この状態で、数十ｋｅＶ〜２００ｋｅＶのエネルギを有する電子ビームが、処理対象物の表面上の機能水に照射された。その結果、処理対象物の表面に付着していた不純物が高効率に除去された。
電子ビーム照射により、処理対象物の表面上の機能水は、これ含まれる分子がイオン化またはラジカル化され、或いは、オゾンが発生する。そして、発生したＨ＋イオン、ＯＨ−イオンまたはオゾンを含む機能水は活性が高いので、処理対象物の表面に付着している不純物が高効率に除去され得る。図４は、電子ビームを水の中に照射した場合の、水中で発生したオゾン濃度のグラフである。ここで、電子ビームの照射条件は、１００ｋＶ、８マイクロアンペアの電子ビームで、２０μｍのＢｅ膜を通して１ｃｍの所に置いた試料を照射した。
図５は、Ｓｉの表面に付着した有機不純物に電子ビームを照射して、有機物を除去したときのグラフである。横軸は電子ビームの照射時間であり、また、縦軸は、有機物による汚染の状態を調べるために、表面張力を測定したものである。条件は、１１０ｋＶ、６マイクロアンペアの電子ビームで、２０μｍのＢｅ膜を通して１ｃｍの所に置いた試料を照射した。有機物が有効に除去されていることがわかる。電子ビームは容易に数ｍＡオーダに増加させることができるので、迅速な有機物分解処理が可能である。
本実施形態に係る表面処理装置１の構成図である。 水中での電子ビームの透過距離を示すグラフである。 実施例１におけるＳｉＯ２膜エッチング所要時間とＨＦ溶液濃度との関係を示すグラフである。 電子ビームを水の中に照射した場合の、水中で発生したオゾン濃度のグラフである。 Ｓｉの表面に付着した有機不純物に電子ビームを照射して有機物を除去したときのグラフである
符号の説明
１…表面処理装置、２…処理対象物、１０…試料台、１１…吸着部、１２…回転部、２０…処理液塗布手段、２１…処理液塗布チューブ、２２…処理液供給部、３０…電子ビーム照射手段、３１…真空チェンバ、３２…Ｂｅ膜、３３…熱電子源、３４…加速電極、３５…電圧源、３６…雰囲気ガス噴射部、３７…雰囲気ガス供給部、４０…シールド室、４１…窒素ガス噴射部。

Claims (18)

  1. 処理対象物の表面に処理液を塗布し、その塗布された処理液に電子ビームを照射して、前記処理対象物の表面を処理することを特徴とする表面処理方法。
  2. 前記処理液が、前記処理対象物の表面をエッチングするためのエッチング液である、ことを特徴とする請求項１記載の表面処理方法。
  3. 前記処理液が機能水であることを特徴とする請求項１記載の表面処理方法。
  4. 前記処理対象物の表面における前記処理液の厚さが１０μｍ〜３００μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１記載の表面処理方法。
  5. 前記処理対象物の表面を昇温するとともに、前記処理液をも昇温して該処理液を前記処理対象物の表面に塗布する、ことを特徴とする請求項１記載の表面処理方法。
  6. 前記処理対象物の表面に前記処理液を噴霧して塗布することを特徴とする請求項１記載の表面処理方法。
  7. 前記処理対象物の表面に前記処理液を塗布する際に前記処理対象物の周囲を窒素ガス，オゾンガスまたは高圧オゾンガスの雰囲気とすることを特徴とする請求項１記載の表面処理方法。
  8. 前記処理対象物がＳｉＯ２膜を表面に有するＳｉウェハであって、前記処理液がＨＦ溶液であり、前記Ｓｉウェハの表面に塗布されたＨＦ溶液に電子ビームを照射して、前記Ｓｉウェハの表面上のＳｉＯ２膜を除去する、ことを特徴とする請求項２記載の表面処理方法。
  9. 前記処理対象物が半導体、金属、ガラスまたはセラミックであり、前記処理対象物の表面に塗布された機能水に電子ビームを照射して、前記処理対象物の表面の有機物不純物、微粒子または金属不純物を除去する、ことを特徴とする請求項３記載の表面処理方法。
  10. 前記処理対象物がレジスト膜を表面に有する半導体ウェハであり、前記半導体ウェハの表面に塗布された機能水に電子ビームを照射して、前記半導体ウェハの表面のレジスト膜を除去する、ことを特徴とする請求項３記載の表面処理方法。
  11. 処理対象物の表面に処理液を塗布する処理液塗布手段と、前記処理液塗布手段により塗布された処理液に電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、を備えることを特徴とする表面処理装置。
  12. 前記処理液塗布手段が、前記処理対象物の表面をエッチングするためのエッチング液を前記処理液として前記処理対象物の表面に塗布する、ことを特徴とする請求項１１記載の表面処理装置。
  13. 前記処理液塗布手段が、機能水を前記処理液として前記処理対象物の表面に塗布する、ことを特徴とする請求項１１記載の表面処理装置。
  14. 前記処理液塗布手段が、前記処理対象物の表面における前記処理液の厚さが１０μｍ〜３００μｍの範囲内となるように前記処理対象物の表面に前記処理液を塗布する、ことを特徴とする請求項１１記載の表面処理装置。
  15. 前記処理対象物の表面を昇温する第１昇温手段と、前記処理対象物の表面に塗布する前記処理液を昇温する第２昇温手段と、を更に備えることを特徴とする請求項１１記載の表面処理装置。
  16. 前記処理液塗布手段が、前記処理対象物の表面に前記処理液を噴霧して塗布する、ことを特徴とする請求項１１記載の表面処理装置。
  17. 前記処理対象物の表面に前記処理液を塗布する際に前記処理対象物の周囲を窒素ガス，オゾンガスまたは高圧オゾンガスの雰囲気とする雰囲気設定手段を更に備えることを特徴とする請求項１１記載の表面処理装置。
  18. 前記電子ビーム手段による電子ビームの照射部分に窒素ガスを噴射する窒素ガス噴射部を更に備えることを特徴とする請求項１１記載の表面処理装置。
JP2006231093A 2006-08-28 2006-08-28 表面処理方法および表面処理装置 Pending JP2008053646A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006231093A JP2008053646A (ja) 2006-08-28 2006-08-28 表面処理方法および表面処理装置
PCT/JP2007/062595 WO2008026366A1 (fr) 2006-08-28 2007-06-22 Procédé et appareil de traitement de surface
US12/438,773 US20100015810A1 (en) 2006-08-28 2007-06-22 Surface processing method and surface processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006231093A JP2008053646A (ja) 2006-08-28 2006-08-28 表面処理方法および表面処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008053646A true JP2008053646A (ja) 2008-03-06

Family

ID=39135653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006231093A Pending JP2008053646A (ja) 2006-08-28 2006-08-28 表面処理方法および表面処理装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20100015810A1 (ja)
JP (1) JP2008053646A (ja)
WO (1) WO2008026366A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010194400A (ja) * 2009-02-23 2010-09-09 Hamamatsu Photonics Kk 表面処理装置
JP2010199125A (ja) * 2009-02-23 2010-09-09 Hamamatsu Photonics Kk 表面処理装置
JP2011009527A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Hamamatsu Photonics Kk 表面処理装置
CN110369352A (zh) * 2019-07-15 2019-10-25 深圳市华星光电技术有限公司 清洗装置及基板清洗方法
WO2022230845A1 (ja) * 2021-04-27 2022-11-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102619877B1 (ko) * 2019-09-11 2024-01-03 삼성전자주식회사 기판 처리 장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0590236A (ja) * 1991-09-26 1993-04-09 Nec Corp 化合物半導体表面上の酸素の除去方法
JPH11277720A (ja) * 1998-03-30 1999-10-12 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 枚葉印刷機用乾燥装置
JP2001237212A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Nissin High Voltage Co Ltd 電子線処理方法および電子線処理装置
JP2004057887A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 Ebara Corp 電気分解と電子ビーム照射による水処理方法と装置
JP2004279461A (ja) * 2003-03-12 2004-10-07 Seiko Instruments Inc 荷電粒子マスク欠陥修正装置によるフォトマスク欠陥修正個所の二次処理方法
JP2004289024A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Toshio Goto 表面処理方法および表面処理装置
JP2005277268A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6620743B2 (en) * 2001-03-26 2003-09-16 Asm America, Inc. Stable, oxide-free silicon surface preparation

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0590236A (ja) * 1991-09-26 1993-04-09 Nec Corp 化合物半導体表面上の酸素の除去方法
JPH11277720A (ja) * 1998-03-30 1999-10-12 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 枚葉印刷機用乾燥装置
JP2001237212A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Nissin High Voltage Co Ltd 電子線処理方法および電子線処理装置
JP2004057887A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 Ebara Corp 電気分解と電子ビーム照射による水処理方法と装置
JP2004279461A (ja) * 2003-03-12 2004-10-07 Seiko Instruments Inc 荷電粒子マスク欠陥修正装置によるフォトマスク欠陥修正個所の二次処理方法
JP2004289024A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Toshio Goto 表面処理方法および表面処理装置
JP2005277268A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010194400A (ja) * 2009-02-23 2010-09-09 Hamamatsu Photonics Kk 表面処理装置
JP2010199125A (ja) * 2009-02-23 2010-09-09 Hamamatsu Photonics Kk 表面処理装置
JP2011009527A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Hamamatsu Photonics Kk 表面処理装置
CN110369352A (zh) * 2019-07-15 2019-10-25 深圳市华星光电技术有限公司 清洗装置及基板清洗方法
WO2022230845A1 (ja) * 2021-04-27 2022-11-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008026366A1 (fr) 2008-03-06
US20100015810A1 (en) 2010-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3253675B2 (ja) 荷電ビーム照射装置及び方法
JP2008053646A (ja) 表面処理方法および表面処理装置
KR960002537A (ko) 플라즈마 반응로에서 정전기 척 세척방법
JP2002289585A (ja) 中性粒子ビーム処理装置
US20100214712A1 (en) Method for charge-neutralizing target substrate and substrate processing apparatus
JP2010247126A (ja) 反応種生成方法、および反応種生成装置、並びに反応種による処理方法、および反応種による処理装置
JP2007149449A (ja) 帯電汚染防止装置および帯電汚染防止方法
CN1619780A (zh) 处理装置
KR100979192B1 (ko) 기판의 표면처리방법
JP2001237212A (ja) 電子線処理方法および電子線処理装置
JP5241169B2 (ja) 誘電面をイオンビーム処理する方法、および当該方法を実施するための装置
JP3495356B2 (ja) 滅菌及びドライ洗浄装置
JP2008047535A6 (ja) 誘電面をイオンビーム処理する方法、および当該方法を実施するための装置
JPH01207930A (ja) 表面改質法
JPH09306892A (ja) クリーニング方法および半導体製造装置
JPH0722530A (ja) 静電気除去方法及びその装置
JP4000762B2 (ja) 処理装置
JPS6113634A (ja) プラズマ処理装置
JP2003226955A (ja) 表面改質方法及びその装置
JP4006531B2 (ja) イオンビームによる表面処理方法および表面処理装置
JP3294242B2 (ja) 荷電ビーム照射方法
JPH03125428A (ja) 半導体基板洗浄装置
JPH0547735A (ja) 洗浄装置
JPH10242072A (ja) レーザ導入用窓の汚染防止方法および汚染防止装置
JP2008041429A (ja) プラズマ源、処理装置及び処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090508

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120424

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121120